JP2010080883A - リードフレーム型基板とその製造方法および半導体装置 - Google Patents
リードフレーム型基板とその製造方法および半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010080883A JP2010080883A JP2008250691A JP2008250691A JP2010080883A JP 2010080883 A JP2010080883 A JP 2010080883A JP 2008250691 A JP2008250691 A JP 2008250691A JP 2008250691 A JP2008250691 A JP 2008250691A JP 2010080883 A JP2010080883 A JP 2010080883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- frame type
- type substrate
- electronic component
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01067—Holmium [Ho]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】金属板の第1面に配線、第2面に接続用ポスト、それら以外の領域に電子部品が埋設されたプリモールド用樹脂層が有り、好ましくは電子部品実装状態では電子部品の高さが接続用ポストを越えないリードフレーム型基板、及び、その基板に半導体素子が実装され、基板と半導体素子がワイヤーボンディングされた半導体装置である。
【選択図】図1
Description
そして、このインターポーザの一方の面に半導体素子を実装し、他方の面もしくは基板の周辺でPCBとの接続をとる。
例えば特許文献1には、リードフレームにより電気的接続経路を引き回して、PCBとの接続を行う外部接続端子のピッチを拡張する技術が記載されている。リードフレームによる実装は、高い信頼性が要求される車載用半導体装置などに用いられている。
図3(a)に示すように、アルミニウムあるいは銅からなるリードフレームの中央部に半導体素子22を搭載する平坦部分21を設け、外周部にピッチの広いリード23を配設したもので、リード23と半導体素子の電気的接続用端子との接続には金線などのメタルワイヤー24によるボンディング法を使用したものである。図3(b)に示すように、最終的には全体を樹脂25でモールドして一体化する。図3(a)、図3(b)中の保持材27は、リードフレームを保持するもので、樹脂によるモールド後に図3(c)に示すように除去される。
また、例えば特許文献3には、同じリードフレームに半導体素子と受動素子を同時に実装し、それをモールドすることで部品内蔵半導体装置を提供する発明もすでに開示されている。
第1の問題は、リードの幅が内蔵部品の大きさに制約される点である。つまり、リードの数を増やすにはリードそのものの微細化が必要だが、特許文献3のリードフレームはリードの幅を部品の大きさに比べて極端に狭くすることができない。その為、図3のリードフレーム以上にリードを増やすのが困難であり、端子の多い半導体素子の実装にも不適となる問題点である。
また第2の問題は、内蔵する部品を実装する際の自由度が低い点である。つまり電子部品を各リードに対して直列にしか挿入できない為、内蔵できる部品の種類・用途が制限されてしまう問題である。
(イ)金属板の第1の面と第2の面に、感光性レジストをコートするか、又はドライフィルムを貼付するかのいずれかを行い、
(ロ)第1の面と第2の面のそれぞれに、前記感光性レジストまたは前記ドライフィルムにパターン露光を行った後に現像することで、該第1の面には配線パターン形成用のレジストパターンを、該第2の面には接続用ポスト形成用のレジストパターンを形成し、
(ハ)前記第2の面の側から、前記金属板の中途までエッチングを行い、前記接続用ポストを形成し、
(ニ)前記第2の面の側からエッチングされた面に、電子部品を搭載し、
(ホ)前記第2の面の側からエッチングされた面に、プリモールド用の液状樹脂を塗布し、プリモールド層を形成し、
(ヘ)その後、前記第1の面の側から、前記金属板のエッチングを行い、前記配線パターンを形成する、
以上を経ることを特徴とするリードフレーム型基板の製造方法である。
これらの効果は、次々に高まる高密度実装の実現に大きく寄与するものである。
尚、代表例として作製した個々の単位のLGAのサイズは25mm角で、168ピンの平面視でアレイ状の外部接続部を持つものである。これを基板に多面付けして、以下の製造工程を経た後に切断・断裁して個々のリードフレーム型基板を得る。
なお、銅基板の一方の面(半導体素子が搭載される側とは反対側の面。本実施例では以下「下面」と記す)には接続用ポスト形成用のレジストパターンを、銅基板の他方の面(半導体素子が搭載される側。本実施例では以下「上面」と記す)には配線パターンを形成するためのレジストパターンをそれぞれ形成した。
一方リードの裏面には、上部配線からの電気信号を裏面に導くための接続用ポスト5が、例えば平面視アレイ状に配置される。この場合、半導体素子の下に位置する接続用ポストと上面のランドとを直接接続することはできないが、ランドと接続用ポストを各々接続した配線パターン6を設けることで導通をとることが可能になる。
本実施例では、配線パターンを基板の外周から中心方向に向けて、おおむね放射状に形成した。図2(a)に示したのは、銅基板の上面に形成した配線用レジストパターンの模式図である。
本実施例では、最適な樹脂の粘度を10Pa・sとした。
接続用ポスト5は配線パターン6から延在している。ここでは図示していないが、下面側に不要なエッチングが行われないよう、第2回目のエッチング処理時には下面側にバックシート等を貼り付けておくのが好ましい。
本実施例に示すような電子部品の実装法をとった場合、第二回目のエッチング処理によって、プリモールド層に埋設された電子部品の端子が基板外部に露出することになる。
本発明では、第1回目のエッチングにより薄くなった銅基板部位に第2回目のエッチングで配線パターンを形成するため、通常のリードフレームのように板厚が厚い部位に配線パターン形成を形成する場合と異なり、安定した状態で露光・現像・エッチング処理が可能である。そのため、レジスト層の剥離脱落などに起因するエッチング不良が少なかった。
その後、面付けされた半導体装置に断裁を行い、個々の半導体装置を得た。(図1(i))
例えば、前記の実施例では、LGAタイプのリードフレーム型基板を例にしたが、他にも例えば、リードフレーム型基板をBGAタイプ、QFNタイプ、QFP(QuadFlat Package)タイプ等としてもよい。
2 感光性レジスト
3 レジストパターン
4、41 ワイヤーボンド用ランド
5 接続用ポスト
6 配線パターン
7 第一回エッチングで形成される下面
8 内蔵部品
9、24 ボンディングワイヤ
10、22 半導体素子
11 プリモールド層
12 めっき層
13 固定用接着剤
14 内蔵部品の電極
21 リードフレーム平坦部
23 リード
25 モールド用樹脂
26 取り出し電極
27 保持材
28 固定用樹脂
29 チップ実装用アイランド
Claims (5)
- 金属板の第1の面に配線を有し、該金属板の第2の面に接続用ポストを有し、該配線と該接続用ポスト以外の領域がプリモールド用樹脂層で形成されたリードフレーム型基板であって、
該プリモールド樹脂層に電子部品が埋設されていること、
を特徴とするリードフレーム型基板。 - 前記電子部品が実装された状態では、該電子部品の高さが前記接続用ポストの高さを越えないこと、を特徴とする請求項1に記載のリードフレーム型基板。
- 請求項1又は2のいずれかに記載のリードフレーム型基板に半導体素子が実装されており、該リードフレーム型基板と該半導体素子とがワイヤーボンディングで電気的接続されていること、を特徴とする半導体装置。
- 前記リードフレーム型基板に内蔵された電子部品、該リードフレーム型基板、及び前記半導体素子が、ワイヤーボンディングで電気的接続されていること、を特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- (イ)金属板の第1の面と第2の面に、感光性レジストをコートするか、又はドライフィルムを貼付するかのいずれかを行い、
(ロ)第1の面と第2の面のそれぞれに、前記感光性レジストまたは前記ドライフィルムにパターン露光を行った後に現像することで、該第1の面には配線パターン形成用のレジストパターンを、該第2の面には接続用ポスト形成用のレジストパターンを形成し、
(ハ)前記第2の面の側から、前記金属板の中途までエッチングを行い、前記接続用ポストを形成し、
(ニ)前記第2の面の側からエッチングされた面に、電子部品を搭載し、
(ホ)前記第2の面の側からエッチングされた面に、プリモールド用の液状樹脂を塗布し、プリモールド層を形成し、
(ヘ)その後、前記第1の面の側から、前記金属板のエッチングを行い、前記配線パターンを形成する、
以上を経ることを特徴とするリードフレーム型基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008250691A JP5521301B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | リードフレーム型基板とその製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008250691A JP5521301B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | リードフレーム型基板とその製造方法および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010080883A true JP2010080883A (ja) | 2010-04-08 |
JP5521301B2 JP5521301B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=42210940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008250691A Expired - Fee Related JP5521301B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | リードフレーム型基板とその製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5521301B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9585260B2 (en) | 2014-02-06 | 2017-02-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component module and manufacturing method thereof |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303014A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-09-29 JP JP2008250691A patent/JP5521301B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303014A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9585260B2 (en) | 2014-02-06 | 2017-02-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component module and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5521301B2 (ja) | 2014-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5526575B2 (ja) | 半導体素子用基板の製造方法および半導体装置 | |
KR101609016B1 (ko) | 반도체 소자용 기판의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
KR101604154B1 (ko) | 리드 프레임 기판과 그 제조 방법 및 반도체 장치 | |
JP5629969B2 (ja) | リードフレーム型基板の製造方法と半導体装置の製造方法 | |
JPH098206A (ja) | リードフレームおよびbgaタイプの樹脂封止型半導体装置 | |
KR19980081036A (ko) | 수지봉지형 반도체 장치와 그것에 사용되는 회로부재 및 수지봉지형 반도체 장치의 제조방법 | |
JP2010087221A (ja) | リードフレーム型基板とその製造方法、及び半導体装置 | |
KR101648602B1 (ko) | 반도체 소자용 기판의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
JPH09307043A (ja) | リードフレーム部材とその製造方法、および該リードフレーム部材を用いた半導体装置 | |
JPH09246427A (ja) | 表面実装型半導体装置の製造方法および表面実装型半導体装置 | |
JP2009147117A (ja) | リードフレーム型基板の製造方法及び半導体基板 | |
KR101186879B1 (ko) | 리드 프레임 및 그 제조 방법 | |
JP3529915B2 (ja) | リードフレーム部材及びその製造方法 | |
JP5521301B2 (ja) | リードフレーム型基板とその製造方法および半導体装置 | |
KR100629887B1 (ko) | 금속 칩스케일 반도체패키지 및 그 제조방법 | |
JP3992877B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
KR101674536B1 (ko) | 리드프레임을 이용한 회로 기판의 제조 방법 | |
JPH09116045A (ja) | リードフレームを用いたbgaタイプの樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JPH1041432A (ja) | リードフレーム部材および表面実装型半導体装置 | |
JP3585660B2 (ja) | 表面実装型半導体装置の製造方法 | |
JP2008186869A (ja) | リードフレーム、およびその製造方法 | |
JP3884552B2 (ja) | 半導体装置とそれに用いられる回路部材および半導体装置の製造方法 | |
KR101187913B1 (ko) | 반도체 패키지용 리이드 프레임과, 이를 제조하는 방법 | |
KR100263319B1 (ko) | 비지에이(bga)반도체패키지및그제조방법 | |
JPH10178149A (ja) | リードフレーム部材とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140311 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140324 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5521301 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |