JP2010080699A - 高周波モジュールとその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明はグランド端子と導体膜との接続に特殊な加工を不要とした高周波モジュールを提供することを目的とするものである。
【解決手段】この課題を解決するために、基板１２の上面に装着された枠体１５と、この枠体１５に設けられた孔１５ａ内であるとともに基板１２の上面に装着された複数の電子部品３と、孔１５ａ内に設けられると共に電子部品３が埋設された樹脂埋設部１６と、この樹脂埋設部１６上に設けられた導体膜１９と、基板１２の上面に設けられたグランド端子１８とを備え、少なくとも孔１５ａの内側面には導体１７ａを設け、導体膜１９とグランド端子１８との間は導体１７ａを介して接続されたものである。これにより、導体１７ａと導体膜１９との接続に特殊な加工も不要である。
【選択図】図１

Description

本発明は、高周波機器等に用いる高周波モジュールとその製造方法に関するものである。

従来の高周波モジュール１は、図１５に示すように、基板２の上面には、この基板２に装着された電子部品３により構成された高周波回路が形成されている。さらに基板２の上面には電子部品３を覆うように樹脂層４が形成される。

そして高周波回路をシールドするために、樹脂層４の上面と樹脂層４の側面とに金属メッキ膜５が形成される。ここで、基板２の上面の周縁部にはグランド端子６が形成され、このグランド端子６において金属メッキ膜５と接続されている。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２、３が知られている。
特開２００２−２８０４６８号公報 特開２００６−３３２２５５号公報 特開平１１−１６３５８３号公報

従来の高周波モジュール１において、樹脂層４の側面に金属メッキ膜５を形成するためには、金属メッキ膜５を形成する前に樹脂層４にあらかじめ孔を加工し、樹脂層４の側面を形成しておく必要がある。しかしながらこの孔加工は、グランド端子６を削り取らないようにするために、ＹＡＧレーザなどを用いることが必要であり、設備が高価であるとともに、加工工数も大きくなるという問題を有していた。

あるいはこの樹脂層４の側面において、グランド端子６と金属メッキ膜５とを接続するために、側面の形成をダイシングなどにより行う場合、ダイシングにより削り取る深さの精度が必要となり、高精度な加工精度の維持管理を行うことが必要となる。

そこで本発明は、この問題を解決したもので、高価な設備や難しい管理の必要がなく、生産性の良好な高周波モジュールを提供することを目的としたものである。

この目的を達成するために本発明の高周波モジュールにおいて、基板には枠体が電子部品を囲むように装着されており、この枠体の孔内に樹脂埋設部が設けられている。そして、枠体の孔の内側面にはシールド導体が形成され、樹脂埋設部上に設けられた導体膜と基板の上面に設けられたグランド端子との間は、シールド導体を介して接続されるものである。これにより、所期の目的を達成することができる。

以上のように本発明によれば、基板と、この基板の上面に装着された枠体と、この枠体に設けられた孔と、この孔内であるとともに前記基板の上面に装着された複数の電子部品と、前記孔内に設けられると共に前記電子部品が埋設された樹脂埋設部と、この樹脂埋設部上に設けられた導体膜と、前記基板の上面に設けられたグランド端子とを備え、少なくとも前記孔の内側面にはシールド導体を設け、前記導体膜と前記グランド端子との間は前記シールド導体を介して接続されたものであり、これにより導体膜はシールド導体を介してグランド端子へと接続されるので、導体膜とグランド端子との間とは、枠体が基板上に装着されることにより接続されるので、汎用の実装機などを用いて容易に装着することが可能となり、非常に生産性が良好なモジュールを実現できる。

以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。

（実施の形態１）
以下、本実施の形態における高周波モジュール１１について、図面を用いて説明する。図１は、本実施の形態における高周波モジュールの断面図である。図１において、基板１２はガラスエポキシ系の多層基板であり、その上面には半導体素子などの電子部品３を装着するための装着ランド１３が形成されている。本実施の形態ではこれらの電子部品３によって、基板１２上に高周波回路が形成される。一方基板１２の下面には高周波モジュール１１をマザー基板（図示せず）へ装着するための装着端子１４が設けられている。基板１２は多層基板であり、装着端子１４はインナービア（図示せず）や内部導体（図示せず）を介して、装着ランド１３と接続されている。なお、本実施の形態における電子部品３には半導体素子を含み、この半導体素子は鋲状のバンプが装着ランド１３へ圧接されることによって接続し、樹脂によって固められて接続が維持されている。

枠体１５は基板１２の上面側に装着されており、その中央には孔１５ａが設けられている。なお、本実施の形態における枠体１５の断面形状は四角形であるが、これは四角形に限らず他の形状であっても良い。ここで基板１２において電子部品３は、孔１５ａに対応する位置に装着されている。これによって、電子部品３は枠体１５によって周囲が囲われた状態となる。そして、樹脂埋設部１６は、孔１５ａ内に樹脂が充填されることによって形成されるものであり、この樹脂埋設部１６には電子部品３が埋設されている。

枠体１５の表面には導体１７（シールド導体の一例として用いた）が形成されている。この導体１７には、孔１５ａの内側面に形成された導体１７ａと、枠体１５の下面に形成された導体１７ｂとが設けられている。そして基板１２の上面における導体１７ｂと対向する位置にグランド端子１８が形成され、このグランド端子１８と導体１７ｂとの間ははんだによって接続される。ここで、装着端子１４には、グランド用の端子を有しており、このグランド用の装着端子１４とグランド端子１８とが接続されている。

ここで、本実施の形態における枠体１５はＭＩＤ工法によって製造されたものであり、樹脂成型品の表面上にフォトイメージング法やフィルム法あるいはツーショット法などの方法によって導体１７が形成されたものである。このとき、枠体１５の下面の外周側の端部には導体１７ｂの不形成部を設けておくと良い。これにより基板１２と枠体１５の側面をダイシングなどで切断した場合に、導体１７ｂのバリを発生し難くできる。本実施の形態において枠体１５の樹脂には液晶ポリマーを用いているので、寸法精度の良好な枠体１５を得ることができる。

なお本実施の形態ではＭＩＤ工法を用いたが、これは基板に孔１５ａを設け、この孔１５ａの内周面にメッキ膜を形成したものでもよい。この場合基板を用いるので、枠体１５のコストを低価格で実現できる。また、本実施の形態では導体１７は枠体１５の孔１５ａの内側面と下面にのみ形成したが、これは上面や外側面にも形成しても良い。この場合には単に全面にメッキをすれば良く、容易に導体１７を形成でき、低価格な枠体１５を実現できる。

そして樹脂埋設部１６と枠体１５の上面には導体膜１９が形成され、この導体１７ａと導体膜１９とは導体１７ａの上端部において接続されることとなる。これによって、導体膜１９とグランド端子１８とは、導体１７を介して接続されることとなる。本実施の形態における導体膜１９は、導体ペーストによって形成されるが、これはメッキによる形成や銅箔を接着するなどの方法によるものでも構わない。

以上のような構成により、導体膜１９とグランド端子１８との間とは、枠体１５が基板１２上に装着されることにより接続されることとなるが、この枠体１５は汎用の実装機などを用いて装着が可能であり、非常に生産性が良好なモジュールを実現できる。

また、電子部品３によって基板１２上に構成された高周波回路は、上方を導体膜１９に覆われ、周囲を導体１７ａによって囲まれる。そして導体１７ａが導体１７ｂを介してグランド端子１８へ接続されることによって、高周波回路はグランドによって囲まれることとなり、高周波回路がしっかりとシールドされる。

さらに、基板１２上には枠体１５が装着されるので、この基板１２と枠体１５と樹脂埋設部１６の樹脂との熱膨張係数を適宜組み合わせることによって、そりの小さな高周波モジュール１１を実現できる。例えば、枠体１５の線膨張係数を基板１２の線膨張係数より大きくすれば、枠体１５を実装によるそりを小さくできる。ここで、枠体１５の装着後における基板１２のそり方向が凸状（枠体１５が上方となる方向において）となるようにしておくと良い。このようにすれば、樹脂埋設部１６を形成するときの樹脂収縮による高周波モジュール１１のそりを小さくできる。このようにそりを小さくできるので、半導体素子と装着ランド１３との間での圧接状態を維持できる。また、高周波モジュール１１の曲げ強度も大きくできるので、半導体素子と基板１２との間の接続信頼性の高い高周波モジュール１１を実現できる。

さらに、樹脂埋設部１６を有しているので、高周波モジュール１１の曲げ強度を大きくできる。これによりたとえ基板１２の厚みを薄くしても落下などの衝撃に対しても枠体１５や導体膜１９との接続を維持できる。従って、基板１２の厚みを薄くしても高周波回路のシールドを維持することができる。

次に本実施の形態における高周波モジュール１１の製造方法について図面を用いて説明する。図２は、本実施の形態における高周波モジュール１１の工程フローチャートである。図２において、図１と同じものには同じ番号を用い、その説明は簡略化している。では図２の工程の順序に従って、高周波モジュール１１の製造方法を説明する。

図３は、本実施の形態における親基板の上面図であり、図４は、本実施の形態の実装工程におけるモジュールの断面図である。なお図３、図４において図１と同じものには同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。図２と図４において、実装工程３１は基板１２上に電子部品３や枠体１５をはんだによって実装接続する工程である。この実装工程３１は、複数の基板１２が連結部２１によって連結された親基板２２の状態で行われ、電子部品３や枠体１５はリフローはんだ付けによって接続される。

ここでこれら基板１２のそれぞれの上面側には電子部品３が装着される装着ランド１３が形成されている。グランド端子１８は、これらの装着ランド１３を囲むように切断線２１ａに沿ってロの字型に形成される。そしてクリーム状のはんだがこれらの装着ランド１３やグランド端子１８上に印刷などで供給され、装着ランド１３には電子部品３が装着され、グランド端子１８には枠体１５が搭載される。このようにして電子部品３と枠体１５とが装着された基板１２は、リフロー炉へ投入し、クリーム状のはんだを溶融、硬化させることにより実装が完了する。

本実施の形態において実装工程３１での枠体１５の装着は、複数個の枠体１５が連結部１５ｂで連結されたシート状態で行う。このとき枠体１５の連結部１５ｂは、基板１２の連結部２１に対応する位置とする。つまりシート状態の枠体１５が隣り合う基板１２にまたがった状態で装着されることとなる。このようにシート状態の枠体１５を装着するので、枠体１５を一度で装着することができる。なお、本実施の形態ではシート状態の枠体１５を用いたが、これは個別に分離された枠体１５を装着しても良い。この場合、電子部品３と同じ汎用の実装機で容易に装着ができる。

清浄化工程３２は、実装工程３１で付着したフラックスや基板１２表面の酸化物を除去する工程である。具体的には、まず一般的な洗浄液で洗浄してフラックスを除去し、乾燥させた後に、プラズマ処理（Ｏ₂アッシング処理）あるいはシランカップリング処理によって表面の酸化物の除去が行われる。これらの処理は後述する樹脂３４との接着性を向上させるために行われる。

図５は、本実施の形態における樹脂埋設工程３３における高周波モジュールの断面図である。なお図５において、図１や図３と同じものには同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。図２、図５において、樹脂埋設工程３３は、実装工程３１の後で、樹脂埋設部１６を形成する工程である。この樹脂埋設工程３３では、枠の上にスクリーンマスク（図示せず）を搭載し、スキージによって孔１５ａ内にペースト状の樹脂３４を充填する。このとき、樹脂３４を枠体１５の上面よりも盛り上がるように充填する。

このようにして孔１５ａへ樹脂３４を充填した後に、真空状態にまで気圧が下げられる。これにより、樹脂３４中に溶け込んだ空気や気泡を脱泡させる。この脱泡によって樹脂３４の体積が減少するので、脱泡処理の後で再度スキージによって樹脂３４を供給する。そして再度樹脂３４が枠体１５の上面よりも盛り上がった状態としておく。ここで、樹脂３４は熱硬化性樹脂であり、エポキシ系の樹脂を用いている。

このようにして樹脂３４を充填した後で、大気圧状態へ戻し、その後で今度は加圧しながら加熱することによってペースト状の樹脂３４を硬化し樹脂埋設部１６が形成される。ここで、ペースト状の樹脂３４が硬化するときに樹脂３４は収縮する。しかしペースト状の樹脂３４を枠体１５の上面よりも盛り上げて供給することによって、樹脂３４の表面は枠体１５の上面よりも上（樹脂３４が枠体の上面より盛り上がった状態）となった状態で硬化される。なお、本実施の形態ではスクリーン印刷によって樹脂３４を充填したが、これはディスペンサなどによって充填しても良い。ただしこの場合も、ペースト状の樹脂３４を枠体１５の上面よりも盛り上げて供給することが重要である。これにより、電子部品３との間に確実に樹脂３４を介在させることができ、電子部品３を確実に樹脂３４内に埋設させることができる。

図６は、本実施の形態における導体露出工程における高周波モジュールの断面図である。図６において図１から図５と同じものには同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。図２、図６において導体露出工程３５は、樹脂埋設工程３３の後で樹脂３４の表面を研削し、導体１７ａの上端部を露出させる工程である。そしてこの導体露出工程３５において樹脂３４の表面を研削することで、樹脂埋設工程３３で枠体１５の上面より盛り上がって形成された樹脂３４が削除され、樹脂埋設部１６の上面と枠体１５の上面とが同一平面となる。このように導体露出工程３５では、樹脂埋設部１６の上面と枠体１５の上面とが同一平面となるまで研削するので、確実に導体１７ａの上端部を露出させることができる。

また、導体露出工程３５では、樹脂３４の表面が規定の高さとなるまで除去を行うので、高さ方向の寸法精度が高い高周波モジュール１１を得ることができる。本実施の形態では平面研削盤を用いて樹脂３４の表面を研削したが、これは研削盤による加工や、エンドミルなどを用いたフライス加工でも良い。

図７は、本実施の形態における導体膜形成工程における高周波モジュールの断面図である。図７において図１から図６と同じものには同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。図２、図７において導体膜形成工程３６は、導体露出工程３５の後で、樹脂埋設部１６と枠体１５上に導体膜１９を形成する工程である。本実施の形態では、導体露出工程３５において樹脂３４の表面が平滑化されるので、導体膜形成工程３６では、樹脂埋設部１６の上に導体ペースト３７を印刷し、乾燥することによって導体膜１９を形成する。このように、導体露出工程３５で導体１７ａの上端部が確実に露出させた状態となっているので、導体１７ａの上端部と導体膜１９とを確実に接続できる。

なお、本実施の形態では導体ペースト３７として銀ペーストを用いているが、これは他の金属によるものでも良い。また、本実施の形態では導体膜１９を導体ペースト３７で形成したが、これはメッキによる形成や、金属膜蒸着の導電シートなどを用いても良い。さらに、導体露出工程３５において樹脂３４の表面が平滑化されるので、導体膜形成工程３６における導体ペースト３７の塗布はスクリーンマスクやローラ転写などの方法によって、容易に形成することができる。さらにまた、本実施の形態では枠体１５の上面全体に導体ペースト３７を塗布したが、これは少なくとも導体１７ａと導体ペースト３７とが接続されれば良い。そのためには枠体１５の上面に、少なくとも導体ペースト３７の印刷ずれ寸法以上に塗布されていれば良い。このようにすれば、確実に導体膜１９と導体１７ａとを接続できる。そしてこのような場合、連結部１５ｂ、連結部２１に対応する箇所は導体ペースト３７の不塗布箇所となるので、後述する切断工程３８において導体膜１９の切り屑などが不要な箇所（特に異なる装着端子１４間）に付着し、短絡などを発生することを防止できる。

図８は、本実施の形態における切断工程における高周波モジュールの断面図である。図８において図１から図７と同じものには同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。図２、図８において切断工程３８は、導体膜形成工程３６の後で、連結部２１と連結部１５ｂとを切断し、高周波モジュール１１を完成する工程である。この切断工程３８では、ダイシングにより、連結部２１と連結部１５ｂとが同時に切断される。これにより、枠体１５の外周と基板１２の側面とが同一平面となる。このように、切断工程３８ではダイシング歯によって枠体５４と基板１２とが切断されるが、これらは樹脂であるのでダイシング歯の磨耗は少ない。従って、寸法精度が良好な高周波モジュール１１を得ることができる。

このとき枠体１５の孔１５ａ内には樹脂３４が埋まり、枠体１５と樹脂埋設部１６とが一体化されているので、枠体１５の残り幅Ｌ１が小さくても枠体１５はダイシング加工時のストレスで剥がれ落ち難くなる。そしてさらに本実施の形態では、清浄化工程３２において基板１２や電子部品３や枠体１５の表面を清浄しているので、樹脂３４と枠体１５との接着強度が大きくでき、さらに高周波モジュール１１全体として強度が大きくできるとともに、さらに切断工程３８での枠体１５の欠落などが生じ難くできる。これにより、グランド端子１８の幅Ｌ２も小さくできるので、基板１２において電子部品３を実装可能な領域を大きくできる。従って基板１２の面積を有効に利用できるので、小型の高周波モジュールを実現できる。

なお本実施の形態では、連結部１５ｂ、連結部２１には導体１７ｂやグランド端子１８を形成していない。従ってダイシング歯３９による切断によって、高周波モジュール１１の側面にバリが発生し難くなる。これは、この高周波モジュール１１をマザー基板（図示せず）へ装着する場合、隣接する電子部品との間隔を小さくでき、電子部品を高密度に実装することができることとなる。従って、マザー基板を小さくできるという効果も有する。

以上のような製造方法によって、高周波モジュール１１は製造されるので、生産設備にＹＡＧレーザなどのような特殊な設備も不要であり、基板１２への枠体１５の装着は、電子部品３の実装と同じ実装工程３１において可能であるので、生産性が良好である。さらに、本実施の形態ではシート状の枠体１５を装着するので、親基板２２に対し枠体１５を一度に装着が可能であり、非常に生産性が良好である。

また、樹脂埋設工程３３では樹脂３４の熱収縮により、基板１２は谷型に反ることとなるが、実装工程３１においては、これと逆方向へ反るので、その反りが相殺されてそりの小さな高周波モジュール１１を実現できる。これは、枠体１５には孔１５ａを設けているので、基板１２に比べて枠体１５の熱容量が小さくなり、リフロー炉中の冷却段階において枠体１５は基板１２よりも早く冷めることになる。これにより、枠体１５とグランド端子１８との間のはんだが硬化するタイミングにおいて、基板１２の温度の方が高くなる。つまり、はんだが硬化したときから基板１２が常温に戻るまでの間においては、基板１２の方が枠体１５より収縮量は大きくなることとなる。従って、基板１２は山型方向へそのそりが発生することになるものである。

ここで、発明者の実験によれば、枠体１５と基板１２とを全く同じ基材を用いた場合、高周波モジュール１１にそりが発生した。これは、枠体１５の装着によるそりの方が、樹脂３４の熱収縮に比べて大きくなり、そりが残ってしまったためである。そこでこのような場合には、基板１２より枠体１５の線膨張係数を大きくすれば良い。ただし、樹脂３４の熱収縮量によっては、逆に基板１２より枠体１５の線膨張係数を小さくした方が良い場合もある。これらの値は、基板１２や枠体１５の厚さや材料（線膨張係数）や樹脂３４の量や材料（線膨張係数）に応じ、そりが相殺するように適宜選定する。

そしてこのようにすることは、電子部品３が半導体素子であり、半導体素子が基板１２へ非導電性ペーストによってフリップチップ実装（以下、ＮＣＰ実装という）されるような場合に特に有効である。つまり、ＮＣＰ実装では半導体素子に形成されたバンプと装着端子１４とは圧接されて導通し、非導電性ペーストによってこの導通状態が維持される。従って基板１２にそりが生じると、バンプと装着端子１４との間の接続信頼性が悪くなる。そこで、樹脂埋設工程３３でのそり方向と、実装工程３１でのそり方向を逆方向とすることにより、そりが相殺でき、半導体素子と基板１２との間での接続信頼性の良好な高周波モジュール１１を実現できる。

（実施の形態２）
以下、本実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。図９は、本発明の実施の形態２におけるモジュールの断面図であり、図１０は同実装工程においての基板の上面図である。なお、この図９、図１０において図１から図８と同じものには同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。図９、図１０において、本実施の形態における高周波モジュール５１では、実施の形態１における高周波モジュール１１に対し、基板上には電子部品３ａと電子部品３ｂとによって基板１２上にはそれぞれ回路ブロック５２ａ、回路ブロック５２ｂが形成されている。そしてさらに本実施の形態における枠体５４には、これらの回路ブロック５２ａと回路ブロック５２ｂとの間を遮るように仕切り部５３が設けられている。

この仕切り部５３は、枠体５４に対し回路ブロック５２ａに対応する孔５４ａと回路ブロック５２ｂに対応する孔５４ｂとが設けられることによって形成される。そしてそれぞれの孔５４ａと孔５４ｂの内側面には導体１７ａが形成され、仕切り部５３の下面には導体１７ｂが形成される。

一方基板１２の上面には、回路ブロック５２ａと回路ブロック５２ｂとの間に、仕切り部５３の導体１７ｂと対応してグランド端子１８が形成されている。そして、仕切り部５３の導体１７ｂとグランド端子１８ともはんだによって接続される。

以上のような構成により、回路ブロック５２ａと回路ブロック５２ｂとの間をしっかりとシールドすることができるので、高周波モジュール５１内での信号の干渉が生じ難くなる。また仕切り部５３の位置や形状の変更は、孔５４ａあるいは孔５４ｂの形状を変更すれば良く、異なった大きさや領域形状の回路ブロック５２にも容易に対応できる。従って仕切り部５３は、図１０に示すような折れ曲がったような形状であっても容易に形成することができる。

図１１（ａ）〜（ｃ）は本実施の形態における仕切り部の断面図である。本実施の形態における枠体５４ＭＩＤ工法によって形成されているので、仕切り部５３の形状は図１１に示すように、電子部品３の配置などに応じた形状へと容易に変更することができる。たとえば、仕切り部５３の下側に凹部５５を設けておけば、この凹部と対応した位置に電子部品３を装着することが可能となる。ただし、この場合凹部５５の深さは電子部品３の高さより深くしておくことは言うまでもない。さらに、片側のみに傾斜を有した三角形や両側に傾斜を有した三角形などでも良い。この場合、傾斜５６を設けた側の回路ブロックでは、電子部品３を実装できる領域を大きくできる。

図１２は、他の例における高周波モジュールの断面図である。図１２において図１から図１１と同じものには同じ番号を用いて、その説明は簡略化している。図１１において、図１０と異なる点は、仕切り部５３の下面には導体１７ｃと導体１７ｄとが形成され、導体１７ｃは孔５４ａ側の導体１７ａと接続され、導体１７ｄは孔５４ｂの導体１７ａと接続されている。さらに回路ブロック５２ａと回路ブロック５２ｂとの間には、導体１７ｃと導体１７ｄのそれぞれに対応したグランド端子１８が形成される。このようにすることにより、回路ブロック５２ａと回路ブロック５２ｂとのグランドを容易に分離することができる。従って、グランドを介してノイズが互いの回路へ侵入することを防止することができる。

例えば、これは一方の回路ブロックが高周波回路であり、他方の回路ブロックが復調や復号回路などであるような場合にも有効である。この場合デジタルノイズの高周波回路への侵入を効果的に防止することができる。

あるいは、ダイバーシティ方式の受信機に応用しても、有用である。ダイバーシティ受信機である場合には、複数の受信回路が基板１２上に形成される。従ってこれらの受信回路同士での干渉が課題となる。そこで、これらの受信機間に仕切り部５３を設ければ、それらの受信機間で発生するスプリアス妨害などを低減することができる。

なお、本実施の形態では、孔５４ａと孔５４ｂ両方に樹脂３４を充填したが、これはいずれか一方にのみ樹脂３４を充填しても良い。この場合樹脂３４で充填されると性能が変化するような電子部品や回路に対して有効である。

（実施の形態３）
以下、本実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。図１３は、本発明の実施の形態３におけるモジュールの断面図であり、図１４は同、実装工程においての基板の上面図である。なお、この図１３、図１４において図１から図１２と同じものには同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。図１３、図１４において、本実施の形態における高周波モジュール６１では、実施の形態１における高周波モジュール１１に対し、基板１２上には樹脂埋設部１６に覆われない領域６２を有している。つまり枠体６３は基板１２の外周寸法より小さくなっている。なお本実施の形態ではＸ方向（図中、横方向）にのみ小さくし、領域６２が形成されるが、これは適宜Ｙ方向（図中、縦方向）も小さくし領域６２を形成することもできる。

なお本実施の形態において、この領域６２には電子部品３ｃが実装され、整合回路やアンテナ（図示せず）が形成されている。このような構成とすることによってアンテナを一体化した高周波モジュール６１を実現できる。ここで、アンテナを形成した領域６２の上方には、樹脂が設けられていないので、樹脂によって放射抵抗が大きくなることを防ぐことができる。従って効率の良いアンテナを実現できる。

このような高周波モジュール６１に対する実装工程３１において、枠体６３の孔６３ａ内には、領域６２に実装された電子部品３ｃ以外の電子部品３が装着される。そしてこの場合、導体膜１９は枠体６３の外周から隙間をもって印刷される。

なお、実施の形態２において、孔５４ａもしくは孔５４ｂのいずれか一方にのみ樹脂３４を充填し、本実施の形態と同様のモジュールを実現しても良い。

本発明にかかるモジュールは、薄型の高周波モジュールを生産性良く得るという効果を有し、携帯用途の電子機器の高周波モジュールとして特に有用である。

本発明の実施の形態１におけるモジュールの断面図 同、モジュールの製造方法のフローチャート 同、親基板の状態での要部上面図 同、実装工程におけるモジュールの断面図 同、埋設工程におけるモジュールの断面図 同、導体露出工程におけるモジュールの断面図 同、導体膜形成工程におけるモジュールの断面図 同、切断工程におけるモジュールの断面図 本発明の実施の形態２におけるモジュールの断面図 同、実装工程におけるモジュールの上面図 同、仕切り部の要部断面図 同、第３の例におけるモジュールの断面図 本発明の実施の形態３におけるモジュールの断面図 同、実装工程におけるモジュールの上面図 従来のモジュールの断面図

符号の説明

３ 電子部品
１２ 基板
１５ 枠体
１５ａ 孔
１６ 樹脂埋設部
１７ａ 導体
１８ グランド端子
１９ 導体膜

Claims (10)

1. 基板と、この基板の上面に装着された枠体と、この枠体に設けられた孔と、この孔内であるとともに前記基板の上面に装着された複数の電子部品と、前記孔内に設けられると共に前記電子部品が埋設された樹脂埋設部と、この樹脂埋設部上に設けられた導体膜と、前記基板の上面に設けられたグランド端子とを備え、少なくとも前記孔の内側面にはシールド導体を設け、前記導体膜と前記グランド端子との間は前記シールド導体を介して接続された高周波モジュール。
2. 樹脂埋設部の上面と枠体上面とは同一平面上に形成された請求項１に記載の高周波モジュール。
3. グランド端子は基板の周縁部近傍に配置され、枠体は前記基板の外周に沿って装着された請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 枠体の外周面と基板の側面とは同一平面上に形成された請求項３に記載の高周波モジュール。
5. 枠体の線膨張係数は、基板の線膨張係数より大きくした請求項４に記載の高周波モジュール。
6. 請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法において、複数個の基板が基板連結部によって連結された親基板上に電子部品を実装するとともに、枠体をグランド端子へ実装する実装工程と、この実装工程の後で前記枠体内に樹脂を充填し、前記電子部品を樹脂で埋設する樹脂埋設工程と、この樹脂埋設工程の後で前記樹脂埋設部の上面と前記枠体の上面とに導体膜を形成し、この導体膜とシールド導体とを接続させる導体膜形成工程と、前記基板連結部を切断する切断工程とを有する高周波モジュールの製造方法。
7. 樹脂埋設工程と導体膜形成工程との間には、シールド導体の上側端面を樹脂から露出させる導体露出工程が挿入された請求項６に記載の高周波モジュールの製造方法。
8. 樹脂埋設工程では、樹脂を枠体の上面よりも盛り上げて充填し、導体露出工程では前記樹脂の前記枠体から盛り上がった箇所を切除する請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
9. 導体露出工程では、枠体の上面と樹脂埋設部の上面とが同一平面となるように前記枠体と前記樹脂埋設部とを共に切除する請求項８に記載の高周波モジュールの製造方法。
10. 実装工程では、複数個の枠体が枠体連結部で連結されるとともに、前記枠体連結部が基板連結部に対応する位置となるように基板上に装着され、切断工程では前記基板連結部と前記枠体連結部とを同時に切断する請求項９に記載の高周波モジュールの製造方法。