JP2010080669A - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導体パターンの精密な配置を実現できるとともに、配線回路基板の変形を防止することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】貫通孔１７が形成された支持基板２を用意し、絶縁フィルム２６を、支持基板２の上に、貫通孔１７を被覆するように積層することにより、ベース絶縁層３を形成し、導体パターン４を形成するための種膜２１を、ベース絶縁層３の上に、真空蒸着法により形成し、その後、導体パターン４を、種膜２１を介してベース絶縁層３の上に形成することにより、配線回路基板１を得る。
【選択図】図７

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、フレキシブル配線回路基板やＴＡＢ用テープキャリアなどを含む配線回路基板などの製造に好適に用いられる配線回路基板の製造方法に関する。

従来より、金属板を用いて、絶縁層およびその上に形成される導体パターンを有する配線回路基板を製造する方法が知られている。
例えば、金属基板の上に、アウター側絶縁体層および導電体層を順次形成し、その後、金属基板をエッチングにより除去する、インターポーザーの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

詳しくは、特許文献１では、金属板の上に、感光性ポリアミック酸樹脂を塗布および乾燥したり、あるいは、絶縁性のドライフィルムを接合することにより、アウター側絶縁体層を形成している。
さらには、特許文献１では、スパッタ蒸着法（スパッタリング）などの真空蒸着法によって、下地（薄膜）をアウター側絶縁体層の表面に形成した後、導電体層を、下地の表面に、電解めっきにより形成している。
特開２００１−４４５８９号公報

しかるに、特許文献１を含む、従来の配線回路基板の製造方法では、絶縁層の上に、スパッタリングによって下地を形成するので、絶縁層が形成された製造途中の配線回路基板の雰囲気を真空にする必要がある。
しかし、絶縁層の形成において、絶縁層となるフィルムを金属板の上に接合する場合には、金属板と絶縁層との間に空気が存在し易く、そのような場合に配線回路基板の雰囲気を真空にすると、上記した空気が金属板と絶縁層との間で膨張するので、配線回路基板に変形を生じるという不具合がある。

本発明の目的は、導体パターンの精密な配置を実現できるとともに、配線回路基板の変形を防止することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、貫通孔が形成された支持基板を用意する工程、絶縁フィルムを、前記支持基板の上に、前記貫通孔を被覆するように積層することにより、絶縁層を形成する工程、および、導体パターンを、前記絶縁層の上に形成する工程を備えることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導体パターンを形成する工程は、前記導体パターンを形成するための種膜を、前記絶縁層の上に、真空蒸着法により形成する工程を含んでいることが好適である。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記種膜を形成する工程後、前記導体パターンを形成する工程前に、保護層を、前記支持基板の下に、前記貫通孔を被覆するように形成する工程をさらに備えていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法においては、前記絶縁層を形成する工程では、前記支持基板と前記絶縁フィルムとをレーザー光を用いて接合し、さらに、前記導体パターンを形成する工程後、前記支持基板を除去する工程を備えていることが好適である。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記貫通孔の数が、前記支持基板１００ｃｍ^２当たり、４個以上であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記支持基板が、金属基板であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記絶縁フィルムが、ポリイミドフィルムから形成されていることが好適である。

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、支持基板と絶縁フィルムとを積層することにより、絶縁層を形成する。そのため、支持基板により支持された絶縁層の上に、導体パターンを形成するので、導体パターンの精密な配置を確保することができる。
また、この配線回路基板の製造方法によれば、絶縁フィルムを、支持基板の上に、貫通孔を被覆するように積層して絶縁層を形成する。そのため、環境雰囲気により、支持基板と絶縁層との間に介在する空気が膨張をしようとしても、かかる空気を貫通孔から逃がすことができる。

そのため、支持基板と絶縁層との間に介在する空気に起因する配線回路基板の変形を防止することができる。
その結果、導体パターンの精密な配置と、配線回路基板の変形の防止とを同時に実現することができる。

図１および図２は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図を示し、図３は、後述する支持基板とベース絶縁層との接合を説明するための斜視図を示し、図４は、接合工程の長手方向に沿う断面図を示し、図５は、図２（ｈ）に示す製造途中の配線回路基板の背面図を示し、図６は、剥離工程の長手方向に沿う断面図を示す。
この配線回路基板１の製造方法では、以下で説明する各工程をロールトゥロール方式により実施する。

この方法では、図１（ａ）に示すように、まず、貫通孔１７が形成された支持基板２を用意する。
支持基板２は、図５が参照されるように、長手方向（ロールトゥロール方式における搬送方向、図３の矢印参照）に沿って延びる平帯シート（長尺）状に形成されている。
支持基板２は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属、例えば、ガラス、例えば、セラミックス、例えば、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどの耐熱性樹脂などから形成されている。

支持基板２は、好ましくは、金属から金属基板として形成されている。支持基板２が金属基板であれば、後述するベース絶縁層３を十分に支持して補強することができる。
なお、支持基板２の表面には、レーザー光９（図３参照）からの吸収性を向上させるべく、例えば、フタロシアニン系染料などの光吸収剤を塗布してもよい。光吸収剤の塗布方法としては、例えば、インクジェットプリンタ、ニードルチップディスペンサー、スタンプスプレー、スクリーン印刷などが用いられる。また、光吸収剤は、支持基板２の表面全面あるいは表面の一部に塗布される。

支持基板２の厚みは、例えば、１μｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
また、支持基板２の幅方向（長手方向に直交する方向）両端部には、予め貫通孔１７が形成されている。
貫通孔１７は、図５に示すように、長手方向に沿って、後述する導体パターン４（配線回路パターン）に対応して複数設けられている。すなわち、貫通孔１７は、長手方向および幅方向に間隔を隔てて複数形成されており、１つの配線回路基板１当たり、２つ設けられている。また、各貫通孔１７は、図１（ａ）および図５に示すように、支持基板２の厚み方向を貫通するように、背面視（厚み方向に見たとき）略円形状に形成されている。

この貫通孔１７を形成する方法としては、例えば、パンチング加工、エッチング、ドリル穿孔、レーザー加工などの公知の加工方法が挙げられ、好ましくは、パンチング加工、エッチングが挙げられる。
また、貫通孔１７の寸法は、その内径（最大長さ）が、例えば、０．１〜２．０ｍｍ、好ましくは、０．２〜１．０ｍｍである。

また、貫通孔１７の数は、適宜選択され、支持基板２ １００ｃｍ^２当たり、例えば、４個以上、好ましくは、８個以上、また、例えば、３０個以下、好ましくは、２０個以下である。
貫通孔１７の数が、上記した範囲に満たないと、後述するが、支持基板２と絶縁フィルム２６（図１（ｂ）参照）との間に介在する空気を十分に逃がすことができない場合がある。また、貫通孔１７の数が、上記した範囲を超えると、支持基板２の絶縁フィルム２６に対する補強性が低下する場合がある。

この方法では、次に、図１（ｂ）および図１（ｃ）に示すように、絶縁フィルム２６を、支持基板２の上に、貫通孔１７を被覆するように積層することにより、絶縁層としてのベース絶縁層３を形成する。
すなわち、この方法では、まず、図１（ｂ）に示すように、まず、絶縁フィルム２６を、支持基板２の上に、貫通孔１７を被覆するように載置する。

絶縁フィルム２６は、長手方向に沿って延び、支持基板２の外形形状に対応するように形成されている。詳しくは、絶縁フィルム２６は、その幅方向長さが、支持基板２の幅方向長さと略同一となる平帯シート（長尺）状に形成されている。
絶縁フィルム２６は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、アクリル（ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）など）などの熱硬化性樹脂、例えば、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、トリアセチルセルロール（ＴＡＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）などの熱可塑性樹脂などの絶縁材料から形成されている。

絶縁フィルム２６は、好ましくは、ポリイミドから形成されている。絶縁フィルム２６がポリイミドから形成されることにより、後述する支持基板２との接合（図１（ｃ）参照）において、支持基板２と優れた密着性で接合できるとともに、支持基板２の除去において、容易に支持基板２を除去することができる。
なお、ポリイミドは、吸湿して膨張し易いので、後述する接合処理後における吸湿によって配線回路基板１が撓むことを防止するために、接合処理前に絶縁フィルム２６を予め吸湿させることもできる。

また、絶縁フィルム２６には、レーザー光９（図３参照）の光吸収性を制御する目的で、染料または顔料などを含ませることもできる。
さらに、絶縁フィルム２６は、全芳香族ポリアミド不織布などから形成されていてもよい。
絶縁フィルム２６の厚みは、例えば、１μｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは、１０μｍ以上２００μｍ以下である。

絶縁フィルム２６を、支持基板２の上に載置するには、図４に示すように、絶縁フィルム２６および支持基板２がそれぞれ巻回された各送出ロール（図示せず）から第１ロール１０に向けてそれぞれを送り出し、第１ロール１０において、それらを厚み方向上側に向かって支持基板２および絶縁フィルム２６の順序で積み重ねる。絶縁フィルム２６は、背面視において、絶縁フィルム２６の幅方向両端縁が、支持基板２の幅方向両端縁と同一位置となるように配置する。これにより、支持基板２に、絶縁フィルム２６が載置されたシートが２層シート１９とされる。

次に、図１（ｃ）に示すように、絶縁フィルム２６と支持基板２とをレーザー光９を用いて接合する。
詳しくは、図３および図４に示す接合装置３０によって、絶縁フィルム２６および支持基板２を接合する。
図４において、接合装置３０は、搬送部６と、支持部７と、照射部８とを備えている。

搬送部６は、支持部７の搬送方向両側に設けられており、第１ロール１０と第２ロール１１とを備えている。
第１ロール１０は、支持部７に対して搬送方向上流側（以下、単に上流側と省略する。）に配置され、軸心が幅方向に沿って延びるように配置されている。また、第１ロール１０は、接合処理前の２層シート１９を支持部７に送り出すように回転される。

第２ロール１１は、支持部７に対して搬送方向下流側（以下、単に下流側と省略する。）に配置され、軸心が幅方向に沿って延びるように配置されている。また、第２ロール１１は、接合処理後の２層シート１９を支持部７から引き出すように回転される。
支持部７は、搬送方向において、第１ロール１０と第２ロール１１との間に配置されており、２層シート１９を支持するために設けられている。また、支持部７は、図３に示すように、搬送方向に沿って延びるように配置されている。また、支持部７は、厚み方向において投影したとき、幅方向において２層シート１９を含むように形成されている。支持部７は、ステージ１２と加圧板１３とを備えている。

ステージ１２は、支持部７の下側に配置され、具体的には、図３および図４に示すように、その上面が、第１ロール１０の上端部と、第２ロール１１の上端部と略同一平面上となる、平面視略矩形平板形状に形成されている。
ステージ１２は、例えば、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマーなどの耐熱性ポリマー、耐熱性不織布、ガラス、金属、セラミックスなどから形成されている。ステージ１２は、レーザー光９の照射によって支持基板２に発生する熱が逃げることを防止すべく、好ましくは、断熱性の高い材料から形成される。このような材料は、その熱伝導率が、２０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、好ましくは、１０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは、１Ｗ／ｍ／Ｋ以下、通常、０．００５Ｗ／ｍ／Ｋ以上である。

加圧板１３は、レーザー光９を高い透過率で透過させる透明材料から形成され、例えば、ガラス（透明ガラス）、ＰＭＭＡから形成されている。
また、加圧板１３は、支持部７の上側において、ステージ１２と厚み方向において対向配置されており、具体的には、ステージ１２の上面と上側に間隔を隔てて配置されている。また、加圧板１３は、ステージ１２とほぼ同じ大きさの平面視略矩形平板形状に形成されている。

また、加圧板１３は、ステージ１２の上側において、上下移動可能に設けられており、具体的には、接合処理前の２層シート１９がステージ１２の上面に搬送されているときには、図４の仮想線で示すように、２層シート１９と上側に間隔を隔てた位置（上側位置）に位置する。また、加圧板１３は、２層シート１９の接合処理時には、図４の実線で示すように、２層シート１９を下側に加圧（押圧）できる位置（下側位置）に位置する。さらに、加圧板１３は、接合処理後の２層シート１９がステージ１２の上面から搬送されているときには、仮想線で示す上側位置に位置する。

照射部８は、レーザー光９を２層シート１９に照射するために設けられており、支持部７の上側に間隔を隔てて対向配置されている。照射部８は、第１照射部１４と第２照射部１５とを備えている。
第１照射部１４および第２照射部１５は、図３に示すように、幅方向に互いに間隔を隔てて配置されており、第１照射部１４および第２照射部１５から照射されるレーザー光９が、２層シート１９の幅方向両端部（貫通孔１７よりさらに幅方向両外側部分）にそれぞれ照射されるように形成されている。

第１照射部１４および第２照射部１５は、ともに同一種類のレーザー発振器を備えており、このようなレーザー発振器は、可視光領域および赤外線領域に吸収波長を有するレーザー光９を照射でき、具体的には、例えば、半導体レーザー、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザーなどの固体レーザー、例えば、炭酸ガス（ＣＯ_２）レーザーなどの気体レーザー、例えば、ファイバーレーザーなどが用いられる。好ましくは、安価で均一なレーザー光（レーザービーム）９を容易に得る観点から、半導体レーザーやファイバーレーザーが用いられる。

また、レーザー光９のパルス幅をフェムト秒（１０^−１５秒）やピコ秒（１０^−１２秒）オーダーに設定して発振させる、フェムト秒レーザーやピコ秒レーザーを用いることもできる。また、レーザー光９としては、例えば、ＣＷレーザー（連続波レーザー）やパルスレーザー（断続波レーザー）が用いられ、好ましくは、ＣＷレーザーが用いられる。ＣＷレーザーであれば、瞬間的に高いエネルギーが支持基板２や絶縁フィルム２６にかかることを防止して、支持基板２や絶縁フィルム２６の分解を防止しつつ、加熱による溶融を促進させることができる。

レーザー光９の波長は、支持基板２および絶縁フィルム２６の光吸収率や光透過率などにより適宜設定され、例えば、絶縁フィルム２６に対する光透過率が３０％以上で、支持基板２に対する光吸収率が２０％以上となるような波長、好ましくは、絶縁フィルム２６に対する光透過率が５０％以上で、支持基板２に対する光吸収率が４０％以上となるような波長、さらに好ましくは、絶縁フィルム２６に対する光透過率が７０％以上で、支持基板２に対する光吸収率が６０％以上となるような波長が選択される。具体的には、レーザー光９の波長は、例えば、１００〜１０６００ｎｍ、好ましくは、４００〜２５００ｎｍ、さらに好ましくは、５００〜１５００ｎｍである。

また、レーザー光９の出力は、例えば、０．５〜１０００Ｗ、好ましくは、１０〜３００Ｗである。
また、レーザー光９のレーザービーム径は、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍである。
そして、上記した接合装置３０によって、絶縁フィルム２６および支持基板２を接合するには、まず、図３および図４に示すように、接合装置３０の第１ロール１０において、２層シート１９とされた支持基板２および絶縁フィルム２６を、ステージ１２の上面に向けて搬送する。なお、このとき、加圧板１３は、仮想線で示す上側位置に予め位置している。

次いで、加圧板１３を、下側位置に移動させることにより、２層シート１９を加圧板１３とステージ１２とにより厚み方向において挟み込み、これにより、２層シート１９を厚み方向において加圧する。なお、この挟み込みにより、２層シート１９は、搬送方向において搬送されることなく、接合処理の間、固定される。
加圧条件は、例えば、９．８〜９８００ｋＰａ、好ましくは、９８〜９８０ｋＰａである。

なお、２層シート１９の接合前に、２層シート１９を予備的に加熱（予備加熱）すべく、ステージ１２を、例えば、５０〜３５０℃に加熱することができる。あるいは、接合時における支持基板２の熱による損傷（ダメージ）を抑制すべく、ステージ１２を、例えば、−５０〜２０℃に冷却することもできる。
次に、照射部８によってレーザー光９を２層シート１９に向けて照射する。具体的には、第１照射部１４および第２照射部１５からレーザー光９を、２層シート１９の幅方向両端部に向けてそれぞれ照射する。レーザー光９の２層シート１９への照射では、レーザー光９を搬送方向に沿ってステージ１２の上流側端部から下流側端部まで走査させる。つまり、レーザー光９をステージ１２、２層シート１９および加圧板１３に対して搬送方向に相対移動させる。

これにより、支持基板２と絶縁フィルム２６との界面において、レーザー光９が吸収される。とりわけ、支持基板２が、金属基板である場合には、絶縁フィルム２６が、レーザー光９を、直接、あるいは、支持基板２で反射された反射光として吸収する。これにより、絶縁フィルム２６（および支持基板２の表面）において、レーザー光９が吸収される部分が加熱されて溶融される。これと同時に、絶縁フィルム２６が支持基板２に熱融着する。

そして、支持基板２と絶縁フィルム２６とがそれらの幅方向両端部において接合されることによって、図１（ｃ）に示すように、支持基板２の上（表面）において、幅方向両端部が支持基板２に接合されたベース絶縁層３を形成することができる。
なお、ベース絶縁層３の幅方向両端部において、支持基板２と接合される部分が、接合部１６とされる。

次いで、図４の仮想線で示すように、加圧板１３を上側位置へ移動させることにより、２層シート１９の挟み込み（加圧状態）を解除して、その後、搬送部６の搬送により、接合後の２層シート１９を、第２ロール１１で引き出し、接合前の２層シート１９をステージ１２と加圧板１３との間に配置させる。その後、加圧板１３を下側位置へ移動させ、上記と同様にレーザー光９を照射する。その後、加圧板１３を再度上側位置へ移動させる。接合装置３０では、このような動作が繰り返されて、２層シート１９には、搬送方向に連続した接合部１６が形成される。

そして、支持基板２と、接合部１６が形成されたベース絶縁層３とを備える２層シート１９は、続いて、図示しない巻取ロールに巻き取られる。
なお、２層シート１９の引張強度は、例えば、２０〜１００Ｎ／１０ｍｍ、好ましくは、４０〜８０Ｎ／１０ｍｍである。
次いで、この方法では、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成する。

導体パターン４を形成する方法としては、例えば、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が挙げられる。好ましくは、図１（ｄ）〜図２（ｇ）に示すアディティブ法が挙げられる。
すなわち、アディティブ法では、まず、図１（ｄ）に示すように、導体パターン４を形成するための種膜２１を、ベース絶縁層３の上に、形成する。

種膜２１は、ベース絶縁層３の上面全面に形成する。
種膜２１を形成する材料としては、例えば、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などの金属材料が用いられる。好ましくは、クロム、銅が用いられる。また、種膜２１は、複数の層から形成することもできる。

種膜２１を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法などの薄膜形成法が挙げられる。真空蒸着法は、製造途中の配線回路基板１の環境を真空雰囲気にした状態で、上記した材料を蒸発させて、ベース絶縁層３の上面全面に付着させる方法である。真空蒸着法の条件は、真空度を、例えば、１０Ｐａ以下、好ましくは、１Ｐａ以下、さらに好ましくは、０．９Ｐａ以下、通常、０．０５Ｐａ以上に設定する。

このような真空蒸着法としては、具体的には、例えば、スパッタ蒸着法（スパッタリング）、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム加熱蒸着法、イオンプレーティングなどが挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。
種膜２１の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．２μｍである。

次いで、図１（ｅ）に示すように、めっきレジスト２２を、種膜２１の上に、導体パターン４の逆パターンで形成する。
めっきレジスト２２を形成するには、例えば、まず、図示しないドライフィルムレジストを、種膜２１の表面全面に積層し、その後、図示しないフォトマスクを介して露光および現像して、必要により乾燥する。

次いで、図２（ｆ）に示すように、めっきレジスト２２から露出する種膜２１の上に、導体パターン４を形成する。
導体パターン４は、図５に示すように、例えば、長手方向に延びる複数（４本）の配線２４と、各配線２４における長手方向両端部に形成される端子部３１（図５参照）とを一体的に連続して備える配線回路パターンとして形成されている。各配線２４および各端子部３１は、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。

導体パターン４を形成する方法としては、電解めっきや無電解めっきなどのめっきが挙げられる。好ましくは、種膜２１から給電する電解めっきが挙げられる。
導体パターン４は、例えば、銅、ニッケル、金、またはこれらの合金などの導体材料から形成されている。好ましくは、銅から形成されている。
導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。

その後、この方法では、図２（ｇ）に示すように、めっきレジスト２２およびめっきレジスト２２が形成されていた部分の種膜２１を、例えば、エッチング、剥離などによって、順次除去する。
上記したアディティブ法により、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に、種膜２１を介して形成することができる。

次いで、この方法では、図２（ｈ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成する。
具体的には、カバー絶縁層５は、図５に示すように、１つの配線回路基板１に対応して１つ設けられており、各カバー絶縁層５は、配線２４を被覆し、端子部３１を露出するパターンで形成されている。具体的には、カバー絶縁層５は、平面視略矩形状に形成され、その幅方向長さ（幅）が、ベース絶縁層３の幅方向長さ（幅）より短く形成されており、詳しくは、カバー絶縁層５は、厚み方向において投影したときに、貫通孔１７と幅方向内側に間隔を隔てて形成されている。

カバー絶縁層５は、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料から形成されている。
カバー絶縁層５の形成は、例えば、予め合成樹脂のシート（フィルム）として用意して、接着剤層を介して積層接着するか、あるいは、導体パターン４を含むベース絶縁層３の上に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光後現像して上記したパターンに加工し、必要により硬化させる。

カバー絶縁層５の厚みは、例えば、２〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
これにより、支持基板２の上に、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５を備える配線回路基板１を形成する。つまり、配線回路基板１は、支持基板２に支持される多層シート２０として形成される。
その後、図２（ｉ）に示すように、支持基板２を、配線回路基板１から除去する。

支持基板２を配線回路基板１から除去するには、例えば、図６に示す剥離装置２７を用いて、支持基板２を配線回路基板１から剥離する。
図６において、剥離装置２７は、剥離部１８と、照射部８とを備えている。
剥離部１８は、剥離ロール２８と、第３ロール２９とを備えている。
剥離ロール２８は、多層シート２０が、剥離ロール２８の表面に沿って張設されるように配置されている。

また、第３ロール２９は、剥離ロール２９の上流側において、剥離ロール２８と間隔を隔てて配置されている。第３ロール２９は、多層シート２０が剥離ロール２８において張設されるように配置されている。
これにより、第３ロール２９は、多層シート２０の一方側面（配線回路基板１の表面）と接触し、剥離ロール２８は、多層シート２０の他方側面（支持基板２の裏面）と接触する。つまり、多層シート２０は、搬送方向において、第３ロール２９と剥離ロール２８とにわたって、断面略Ｓ字形状に掛け渡されている。

また、剥離ロール２８の下流側には、剥離した支持基板２を回収するための回収ロール（図示せず）と、得られる配線回路基板１を巻き取るための巻取ロール（図示せず）とが設けられている。回収ロールと、巻取ロールとは、レーザー光９が照射された多層シート２０において、配線回路基板１から支持基板２を引き剥がすべく、互いに間隔を隔てて配置されている。

照射部８は、上記した接合装置３０の照射部８と同様であって、詳しくは、レーザー光９を、剥離ロール２８の表面に配置された多層シート２０に照射できるように剥離ロール２８に対向配置されている。
そして、剥離装置２７では、剥離ロール２８の表面に多層シート２０が張設され、続いて、剥離ロール２８の表面に配置された多層シート２０の接合部１６（図３および図４参照）に、照射部８からレーザー光９を照射する。これにより、接合部１６が加熱され、接合部１６が溶融する。その後、剥離ロール２８の回転により、多層シート２０の照射部分が剥離ロール２８から離れると、回収ロールと巻取ロールとの引張力により、支持基板２が、配線回路基板１から引き剥がされながら、支持基板２が回収ロールに回収されるとともに、配線回路基板１が巻取ロールに巻き取られる。

なお、支持基板２の剥離における剥離強度は、例えば、０．０１〜５Ｎ／２ｍｍ、好ましくは、０．０５〜２Ｎ／２ｍｍである。
その後、回収された支持基板２には、再度、新たに搬送される絶縁フィルム２６が積層され、繰り返し使用（再利用）される。
これにより、配線回路基板１を、例えば、フレキシブル配線回路基板として得ることができる。具体的には、支持基板２の長手方向に沿って配線回路基板１が互いに間隔を隔てて順次設けられる。

そして、この方法では、支持基板２と絶縁フィルム２６とを積層することにより、ベース絶縁層３を形成する。そして、支持基板２により支持されたベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成するので、導体パターン４の精密な配置を確保することができる。
また、この方法では、絶縁フィルム２６を、支持基板２の上に積層してベース絶縁層３を形成した後、種膜２１を真空蒸着法により形成する。

具体的には、真空蒸着法では、まず、ベース絶縁層３が形成された配線回路基板１を真空雰囲気に配置する。
ここで、支持基板２に貫通孔１７が形成されていない場合に、ベース絶縁層３が形成された配線回路基板１を真空雰囲気に配置すると、図７（ｂ）の矢印で示すように、支持基板２とベース絶縁層３との間に介在する空気が膨張して、配線回路基板１が変形してしまう場合がある。

しかし、上記した図１および図２で示す方法では、絶縁フィルム２６を、支持基板２の上に、貫通孔１７を被覆するようにして積層してベース絶縁層３を形成するので、その後、ベース絶縁層３が形成された配線回路基板１を真空雰囲気に配置しても、支持基板２とベース絶縁層３との間に介在する空気が膨張しようとするが、図７（ａ）の矢印で示すように、かかる空気を貫通孔１７から逃がすことができる。

そのため、支持基板２とベース絶縁層３との間に介在する空気に起因する配線回路基板１の変形を防止することができる。
その結果、導体パターン４の精密な配置と、配線回路基板１の変形の防止とを同時に実現することができる。
また、この方法では、支持基板２とベース絶縁層３とをレーザー光９を用いて接合するので、これらを簡便に接合することができる。

しかも、レーザー光９を用いて、支持基板２とベース絶縁層３とを接合し、配線回路基板１の形成後に、支持基板２を除去するので、支持基板２をベース絶縁層３から容易に除去することができる。また、レーザー光９を用いるので、支持基板２およびベース絶縁層３の界面を選択的に発熱させることができ、２層シート１９の熱による損傷を抑制することができる。

また、支持基板２の除去後には、支持基板２を再利用できるので、製造コストの低減を図ることもできる。
その結果、支持基板２を、簡便かつ短時間で除去して、製造コストの低減を図ることができる。
また、上記した説明において、さらに、種膜２１を形成する工程（図１（ｄ）参照）後、導体パターン４を形成する工程（図１（ｅ）参照）前に、保護層３２を、支持基板２の下に、貫通孔１７を被覆するように形成することもできる。

具体的には、好ましくは、図１（ｅ）の仮想線で示すように、種膜２１を形成した直後（かつ、めっきレジスト２２を形成する前）の支持基板２の下面（裏面）に、保護層３２を形成する。
保護層３２は、長手方向に沿って延び、支持基板２の外形形状に対応するように形成されている。詳しくは、保護層３２は、その幅方向長さが、支持基板２の幅方向長さと略同一となる平帯シート（長尺）状に形成されている。

保護層３２を形成する材料としては、例えば、上記した絶縁フィルム２６を形成する絶縁材料と同様の樹脂材料、例えば、ステンレス、３６アロイ、４２アロイ、りん青銅、銅−ベリリウム合金などの金属材料が挙げられる。好ましくは、樹脂材料が挙げられる。保護層３２の厚みは、例えば、５μｍ〜２ｍｍ、好ましくは、１０μｍ〜１ｍｍである。
保護層３２を形成するには、図１（ｄ）で示す種膜２１が形成された配線回路基板１の支持基板２の下面（裏面）に、例えば、シート状の保護層３２を、貫通孔１７を被覆するように、必要により、図示しない粘着剤層を介して、貼り合わせる。

その後、保護層３２は、図２（ｉ）に示すように、カバー絶縁層５の形成後、支持基板２とともに、除去する。
ここで、めっきレジスト２２やカバー絶縁層５の形成（図１（ｅ）や図２（ｈ）参照）における現像工程における現像液、あるいは、導体パターン４の形成におけるめっき工程（図２（ｆ）参照）におけるめっき液などの薬液が、貫通孔１７を介して、支持基板２とベース絶縁層３との間に浸入する場合がある。かかる場合には、ベース絶縁層３が汚染されるため、配線回路基板１の外観不良を生じるおそれがある。

しかし、保護層３２を、種膜２１を形成する工程後、導体パターン４を形成する工程前に、支持基板２の下に、貫通孔１７を被覆するように形成することにより、貫通孔１７に薬液が浸入することを防止することができる。そのため、上記した配線回路基板１の外観不良の発生を防止することができる。
また、上記した説明では、絶縁フィルム２６と支持基板２とをレーザー光９を用いて加熱して接合したが、接合方法は、これに限定されない。例えば、高周波誘導加熱により、接合することもできる。高周波誘導加熱では、例えば、金属からなる支持基板２を、高周波誘導加熱装置を用いて加熱して、絶縁フィルム２６と支持基板２とを接合する。

好ましくは、レーザー光９を用いて接合する。レーザー光９であれば、支持基板２および絶縁フィルム２６を簡単かつ選択的に加熱して接合することができる。
また、上記した説明では、貫通孔１７を、背面視略円形状に形成したが、その形状は、特に限定されず、例えば、図示しないが、背面視略多角形（三角形状、矩形状）に形成することもできる。好ましくは、貫通孔１７を、背面視略円形状に形成する。

また、上記した説明では、貫通孔１７を、厚み方向において投影したときに、カバー絶縁層５の幅方向外側に形成したが、これに限定されず、カバー絶縁層５の幅方向内側に形成することもできる。
好ましくは、貫通孔１７を、厚み方向において投影したときに、カバー絶縁層５の幅方向外側に形成する。すなわち、貫通孔１７の周縁部には、応力がかかり易く、かかる場合には、製品（カバー絶縁層５が形成される部分）の幅方向外側におけるベース絶縁層３に変形を生じる一方、製品となる配線回路基板１に変形を生じることを防止することができる。

また、上記した説明では、配線回路基板１をフレキシブル配線回路基板として説明したが、例えば、図示しないが、支持基板２の一部を除去し、残部を残存させて、支持基板２を補強層として有するＴＡＢ用テープキャリアとして得ることができる。さらには、支持基板２をすべて残存させた回路付サスペンション基板として得ることもできる。
なお、配線回路基板１をＴＡＢ用テープキャリアとして得る場合には、幅方向両端部に、長手方向に間隔を隔てて複数形成されるスプロケットホールなどの送り孔に、貫通孔１７を兼用させる。

また、上記の説明では、本発明の配線回路基板の製造方法における各工程を、ロールトゥロール方式により実施する方法として説明したが、例えば、図示しないが、枚葉方式（バッチ方式）により実施することもできる。バッチ方式では、例えば、枚葉タイプの支持基板２および絶縁フィルム２６を用いる。その場合には、接合部１６が、ベース絶縁層３の周端部（幅方向両端部および長手方向両端部）に形成される。

また、上記した説明では、支持基板２を、１層から形成したが、例えば、材料の種類が異なる２層以上から形成することもできる。例えば、樹脂（ポリイミド）シートおよびその上に積層される金属基板の２層からなる２層基材として形成することもできる。この２層基材において、貫通孔１７は、樹脂シートおよび金属基板の両方を貫通するように形成されている。

この場合には、レーザー光９によって加熱された接合部１６の熱が、金属基板の裏面側から逃げることを防止（断熱）することができる。さらに、接合装置３０における第１ロール１０および第２ロール１１と、金属基板との間に、樹脂シートが介在されるので、金属基板と、第１ロール１０および第２ロール１１との接触による金属粉（異物）の発生を抑制することができる。

また、上記した説明では、剥離装置２７に照射部８を設け、照射部８のレーザー光９を用いて、多層シート２０の接合部１６を加熱したが、例えば、図示しないが、照射部８を設けることなく、剥離ロール２８を、ヒータ（高周波誘導加熱装置などを含む）の加熱装置により加熱し、加熱された剥離ロール２８と接合部１６との接触によって、接合部１６を加熱することもできる。さらには、加熱装置を、剥離ロール２８とは別途設け、これによって、接合部１６の周囲を高温雰囲気下の環境とすることにより、接合部１６を加熱することもできる。

好ましくは、レーザー光９を用いて接合部１６を加熱する。レーザー光９であれば、簡便かつ確実に接合部１６を加熱することができる。
また、剥離部１８では、接合部１６を加熱することにより、支持基板２を剥離したが、例えば、図示しないが、接合部１６を加熱することなく、支持基板２を、配線回路基板１を物理的な引張力のみによって引き剥がすこともできる。好ましくは、剥離強度を低減させるべく、接合部１６を加熱する。

また、上記した説明では、接合工程において、レーザー光９を走査させたが、レーザー光９を固定して、ステージ１２、２層シート１９および加圧板１３を、レーザー光９に対して相対移動させることもできる。好ましくは、レーザー光９を走査させる。これにより、所望の位置に選択的かつ簡便に接合部１６を形成することができる。
なお、上記した説明では、支持基板２を平坦状に形成したが、図示しないが、例えば、支持基板２が金属基板である場合において、表面に断面凹凸形状や断面逆Ｌ字形状など適宜の形状に形成することにより、支持基板２とベース絶縁層３とにおけるアンカー効果によって、それらをより強固に接合することができる。なお、支持基板２の表面における形状は、例えば、特開２００６−３４１５１５号公報や特開２００６−１５４０５号公報などの記載に準拠して形成することができる。

また、上記した説明では、種膜２１を真空蒸着法により形成するとき（図１（ｄ）参照）における配線回路基板１の変形の防止について説明したが、上記した効果は、種膜２１の形成に限定されない。例えば、図１（ｃ）に示す接合工程から後の各工程における乾燥工程でも、上記と同様に、かかる真空（減圧）雰囲気における配線回路基板１の変形の防止を図ることができる。

乾燥としては、例えば、図１（ｅ）が参照されるように、めっきレジスト２２の形成において、露光後のドライフィルムレジストの真空（減圧）乾燥が挙げられ、例えば、図２（ｈ）が参照されるように、カバー絶縁層５の形成において、接着剤層を用いる場合には、その接着剤層の真空（減圧）乾燥、または、合成樹脂のワニスを用いる場合には、ワニスの真空（減圧）乾燥などが挙げられる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
また、引張強度（剪断強度）は、ＪＩＳ Ｓ−Ｋ７１６１に準拠して評価した。
実施例１
まず、ステンレスから形成される支持基板（ＳＵＳ３０４、厚み２５μｍ、東洋製箔社製）を用意し、この支持基板に、パンチング加工により、上記した位置に、内径０．５ｍｍの貫通孔を形成した（図１（ａ）参照）。なお、貫通孔の数は、支持基板１００ｃｍ^２当たり、４個であった。

次いで、上記した支持基板と、ポリイミドから形成される絶縁フィルム（商品名：ユーピレックスＶＴ、厚み３５μｍ、宇部興産社製）とを送出ロールから第１ロールに向けて送り出し、第１ロールにおいて、絶縁フィルムを、支持基板の上に、貫通孔を被覆するように載置することによって２層シート（接合前）を作製した（図１（ｂ）参照）。
次いで、２層シートの幅方向両端部を、上記した図３および図４の接合装置（加圧板：透明ガラス）を用いて、これらをレーザー光によって接合することにより、幅方向両端部が支持基板に接合されたベース絶縁層を形成した（図１（ｃ）参照）。レーザー光、搬送速度、加圧条件を以下に記載する。

レーザー光：半導体レーザー
（波長：９４０ｎｍ）
（出力：３０Ｗ）
（ビームスポット径：２．０ｍｍ）
（走査速度：１．８ｍ／分）
シート搬送速度：１．８ｍ／分
加圧条件：４９００ｋＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）
接合後における２層シートの引張強度（剪断強度）は、５５Ｎ／１０ｍｍであった。

次いで、厚み２０μｍの配線および端子部からなる導体パターンをアディティブ法により、ベース絶縁層の上に、種膜を介して形成した（図１（ｄ）〜図２（ｇ）参照）。
詳しくは、まず、厚み０．０２μｍのニッケル−クロム（Ｎｉ：８０重量％、Ｃｒ：２０重量％）薄膜と厚み０．１３μｍの銅薄膜からなる種膜を、ベース絶縁層の上面全面に、ニッケル−クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した（スパッタリング工程）（図１（ｄ）参照）。

ニッケル−クロムスパッタリングでは、真空度が０．２７Ｐａであり、銅スパッタリングでは、真空度が０．３Ｐａであった。
このスパッタリング工程では、配線回路基板の変形が観察されなかった（図７（ａ）参照）。
次いで、厚み５０μｍのＰＥＴフィルム（保護層）を、粘着剤層を介して、支持基板の下面に貼り合わせた（図１（ｅ）の仮想線参照）。

次いで、ドライフィルムレジストを、種膜の表面全面に積層し、その後、フォトマスクを介して露光および現像することにより、めっきレジストを導体パターンの逆パターンで形成した（図１（ｅ）参照）。
次いで、種膜から給電する電解銅めっきにより、めっきレジストから露出する種膜の上に、厚み２０μｍの導体パターンを形成した（図２（ｆ）参照）。

その後、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の種膜を、剥離によって除去した（図２（ｇ）参照）。これにより、導体パターンを、ベース絶縁層の上にアディティブ法により形成した。
続いて、導体パターンを含むベース絶縁層の上に、感光性のポリアミック酸樹脂のワニスを成膜し、乾燥後、露光後現像して上記したパターンに加工し、硬化させることにより、厚み１０μｍのカバー絶縁層を形成した（図２（ｈ）参照）。

その後、レーザー光の照射を用いない上記した剥離装置（図６参照）を用いて、支持基板およびＰＥＴフィルムを、ベース絶縁層から物理的な引張力で、剥離した。これにより、配線回路基板を得た。なお、剥離強度は、０．４７Ｎ／２ｍｍ（９０℃ピール試験）であった。
実施例２
貫通孔の数を、支持基板１００ｃｍ^２当たり、２０個に変更した以外は、実施例１と同様にして、配線回路基板を得た。

引張強度（剪断強度）および剥離強度は、実施例１と同様であった。
また、スパッタリング工程では、配線回路基板の変形が観察されなかった（図７（ａ）参照）。
実施例３
ステンレスから形成される支持基板に代えて、厚み３５μｍのポリイミドシートおよびその上に積層される厚み２５μｍのステンレス基板からなる２層基材（商品名：エスパネックス、新日鐵化学社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、配線回路基板を得た。

なお、ベース絶縁層は、２層基材の金属基板（ステンレス基板）の上に積層した。
接合後における３層シート（下側から上側に向かって、ポリイミドシート／ステンレス基板／ベース絶縁層）の引張強度（剪断強度）は、６０Ｎ／１０ｍｍであった。また、２層基材の剥離における剥離強度は、０．５５Ｎ／２ｍｍ（９０℃ピール試験）であった。
また、スパッタリング工程では、配線回路基板の変形を観察されなかった。

比較例１
支持基板に貫通孔を形成せず、さらに、ＰＥＴフィルム（保護層）を設けなかった以外は、実施例１と同様にして、配線回路基板を得た。
引張強度（剪断強度）および剥離強度は、実施例１と同様であった。
一方、スパッタリング工程では、膨れが発生し、配線回路基板に歪みを観察し、不良品とされた（図７（ｂ）参照）。

本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、貫通孔が形成された支持基板を用意する工程、（ｂ）は、絶縁フィルムを支持基板の上に載置する工程、（ｃ）は、絶縁フィルムと支持基板とを接合する工程、（ｄ）は、種膜をベース絶縁層の上に形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストを種膜の上に形成する工程を示す。 図１に引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ｆ）は、導体パターンを形成する工程、（ｇ）は、めっきレジストおよび種膜を除去する工程、（ｈ）は、カバー絶縁層をベース絶縁層の上に形成する工程、（ｉ）は、支持基板を配線回路基板から除去する工程を示す。 支持基板と絶縁フィルムとの接合を説明するための斜視図を示す。 接合工程の長手方向に沿う断面図を示す。 図２（ｈ）に示す製造途中の配線回路基板の背面図を示す。 剥離工程の長手方向に沿う断面図を示す。 スパッタリング工程における配線回路基板の断面図であり、（ａ）は、金属基板とベース絶縁層との間の空気が、貫通孔を介して逃げる態様を示し、（ｂ）は、金属基板とベース絶縁層との間の空気が、膨張して、配線回路基板が変形する態様を示す。

符号の説明

１ 配線回路基板
２ 支持基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
９ レーザー光
１６ 接合部
１７ 貫通孔
２１ 種膜
２６ 絶縁フィルム
３２ 保護層

Claims (7)

1. 貫通孔が形成された支持基板を用意する工程、
   絶縁フィルムを、前記支持基板の上に、前記貫通孔を被覆するように積層することにより、絶縁層を形成する工程、および、
   導体パターンを、前記絶縁層の上に形成する工程
   を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
2. 前記導体パターンを形成する工程は、
   前記導体パターンを形成するための種膜を、前記絶縁層の上に、真空蒸着法により形成する工程
   を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
3. 前記種膜を形成する工程後、前記導体パターンを形成する工程前に、保護層を、前記支持基板の下に、前記貫通孔を被覆するように形成する工程をさらに備えていることを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板の製造方法。
4. 前記絶縁層を形成する工程では、前記支持基板と前記絶縁フィルムとをレーザー光を用いて接合し、
   さらに、前記導体パターンを形成する工程後、前記支持基板を除去する工程を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
5. 前記貫通孔の数が、前記支持基板１００ｃｍ^２当たり、４個以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
6. 前記支持基板が、金属基板であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
7. 前記絶縁フィルムが、ポリイミドから形成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。

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