JP2010078981A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 下記式（０）：
   

   

   
   （式中、Ｘは、水素原子の少なくとも一つがハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１乃至８の炭化水素基、置換基を有してもよいフェニル基若しくはナフチル基、又はヒドロキシル基を表す。）
   で表される酸、及び溶媒を含有する、リソグラフィープロセスに適用されるリンス液。
2. 請求項１において、前記式（０）のＸは、水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されてもよい炭素原子数１乃至８のアルキル基、置換基としてメチル基を有してもよいフェニル基、又はヒドロキシル基を表す、リソグラフィープロセスに適用されるリンス液。
3. 請求項１又は請求項２において、前記酸は、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、ノナフルオロ−１−ブタンスルホン酸又は硫酸である、リソグラフィープロセスに適用されるリンス液。
4. 露光され現像液に曝された表面を有する下層膜が形成された基板を請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のリンス液を用いて洗浄する工程を含む、レジストパターンの形成方法。
5. 下層膜が形成された基板上に第１レジスト膜を形成する第１工程、少なくとも前記第１レジスト膜を露光する第２工程、露光された前記第１レジスト膜を現像して第１レジストパターンを前記下層膜上に形成する第３工程、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のリンス液を用いて前記基板を洗浄する第４工程、前記第１レジストパターンを被覆する第２レジスト膜を形成する第５工程、少なくとも前記第２レジスト膜を露光する第６工程、露光された前記第２レジスト膜を現像する第７工程を含む、レジストパターンの形成方法。
6. 請求項４又は請求項５において、前記リンス液を用いた洗浄後、さらに前記リンス液に含まれる酸を含有しない溶媒を用いて前記基板を洗浄する、レジストパターンの形成方法。