JP2010078899A5 - - Google Patents

Description

（１）本発明の表示装置の修正装置は、基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備え、
前記プラズマ照射手段は、
その内部でプラズマを生成するプラズマ生成用細管と、
前記プラズマ生成用細管内に第１のガスを供給する第１のガス供給部と、
開口部を有し、当該開口部の対面側から前記プラズマ生成用細管の一端が挿入されるプラズマ反応部と、
前記プラズマ反応部内に第２のガスを供給する第２のガス供給部とを備えたことを特徴とする。

（２）本発明の表示装置の修正装置は、（１）において、前記開放部に前記表示装置を保持して移動可能なステージ機構が配置され、
前記パターン欠陥の情報を検査装置から受信し、前記パターン欠陥の欠陥を認識・分類する観察機構を備えてなることを特徴とする。

（３）本発明の表示装置の修正装置は、（１）において、前記第１のガス供給部から供給されるガスの物理量により、第２のガス供給部から供給された反応性ガスを分解させることを特徴とする。

（４）本発明の表示装置の修正装置は、（１）において、前記プラズマ反応部にプラズマジェットを細径化するマスクを具備し、
前記マスクは前記プラズマ生成細管と基板の間に配置され、第２のガス供給部は、前記マスクと基板との間に配置されることを特徴とする。
（５）本発明の表示装置の修正装置は、（４）において、前記マスクは、絶縁体であることを特徴とする。

（６）本発明の表示装置の修正装置は、（１）において、前記第１のガス供給部から供給されるガスの物理量により、被加工物の温度を制御することを特徴とする。
（７）本発明の表示装置の修正装置は、（３）、（６）のいずれかにおいて、前記ガスの物理量は、少なくとも、流量、流速、ガス種、電離度のいずれかであることを特徴とする。

（８）本発明の表示装置の修正方法は、基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正方法であって、
プラズマ生成用細管に第１のガスを供給してプラズマを生成させ、
発生させたプラズマを、プラズマ反応部内に挿入された前記プラズマ生成用細管の一端から射出し、
前記プラズマ反応部内に第２のガスを供給し、
前記射出されたプラズマによって反応性の前記第２のガスを分解し、前記プラズマ反応部の開口部側に配置された表示装置の前記パターン欠陥を修正することを特徴とする。

（９）本発明の表示装置の修正方法は、プラズマ生成用細管の一方の端部から前記プラズマ生成用細管の内部に供給した不活性ガスに高周波電力の印加によってプラズマを発生させ、
前記プラズマ生成用細管の他方の端部と基板との間に配置したマスクを通してプラズマジェットを微細化し、
前記第１のガス供給部から供給されるガスの物理量により、第２のガス供給部から供給された反応性ガスを分解させ、前記基板上の電子回路パターンのパターン欠陥を修正することを特徴とする。

（１０）本発明の表示装置の修正方法は、（９）において、前記ガスの物理量は、少なくとも、流量、流速、ガス種、電離度のいずれかであることを特徴とする。

（１１）本発明の表示装置の修正装置は、基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備え、
前記プラズマ照射手段は、
その内部でプラズマを生成するプラズマ生成用細管と、
前記プラズマ生成用細管内に第１のガスを供給する第１のガス供給部と、
開口部を有し、当該開口部の対面側から前記プラズマ生成用細管の一端が挿入されるプラズマ反応部と、
前記プラズマ反応部内に設けられ、前記プラズマ生成用細管から照射されるプラズマジェットを細径化するマスクとを備えたことことを特徴とする。

（１２）本発明の表示装置の修正方法は、基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正方法であって、
プラズマ生成用細管に第１のガスを供給してプラズマを生成させ、
発生させたプラズマを、プラズマ反応部内に挿入された前記プラズマ生成用細管の一端から射出し、
前記プラズマ反応部内のマスクによって、前記プラズマ生成用細管の一端から射出されたプラズマジェットを細径化し、
前記細径化されたプラズマジェットを表示装置に照射して前記パターン欠陥を修正することを特徴とする。

Claims (12)

1. 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
   前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備え、
   前記プラズマ照射手段は、
   その内部でプラズマを生成するプラズマ生成用細管と、
   前記プラズマ生成用細管内に第１のガスを供給する第１のガス供給部と、
   開口部を有し、当該開口部の対面側から前記プラズマ生成用細管の一端が挿入されるプラズマ反応部と、
   前記プラズマ反応部内に第２のガスを供給する第２のガス供給部とを備えたことを特徴とする表示装置の修正装置。
2. 前記開放部に前記表示装置を保持して移動可能なステージ機構が配置され、
   前記パターン欠陥の情報を検査装置から受信し、前記パターン欠陥の欠陥を認識・分類する観察機構を備えてなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の修正装置。
3. 前記第１のガス供給部から供給されるガスの物理量により、第２のガス供給部から供給された反応性ガスを分解させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の修正装置。
4. 前記プラズマ反応部にプラズマジェットを細径化するマスクを具備し、
   前記マスクは前記プラズマ生成細管と基板の間に配置され、第２のガス供給部は、前記マスクと基板との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の修正装置。
5. 前記マスクは、絶縁体であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置の修正装置。
6. 前記第１のガス供給部から供給されるガスの物理量により、被加工物の温度を制御することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の修正装置。
7. 前記ガスの物理量は、少なくとも、流量、流速、ガス種、電離度のいずれかであることを特徴とする請求項３、６のいずれかに記載の表示装置の修正装置。
8. 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正方法であって、
   プラズマ生成用細管に第１のガスを供給してプラズマを生成させ、
   発生させたプラズマを、プラズマ反応部内に挿入された前記プラズマ生成用細管の一端から射出し、
   前記プラズマ反応部内に第２のガスを供給し、
   前記射出されたプラズマによって反応性の前記第２のガスを分解し、前記プラズマ反応部の開口部側に配置された表示装置の前記パターン欠陥を修正することを特徴とする表示装置の修正方法。
9. プラズマ生成用細管の一方の端部から前記プラズマ生成用細管の内部に供給した不活性ガスに高周波電力の印加によってプラズマを発生させ、
   前記プラズマ生成用細管の他方の端部と基板との間に配置したマスクを通してプラズマジェットを微細化し、
   前記第１のガス供給部から供給されるガスの物理量により、第２のガス供給部から供給された反応性ガスを分解させ、前記基板上の電子回路パターンのパターン欠陥を修正することを特徴とする表示装置の修正方法。
10. 前記ガスの物理量は、少なくとも、流量、流速、ガス種、電離度のいずれかであることを特徴とする請求項９に記載の表示装置の修正方法。
11. 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
    前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備え、
    前記プラズマ照射手段は、
    その内部でプラズマを生成するプラズマ生成用細管と、
    前記プラズマ生成用細管内に第１のガスを供給する第１のガス供給部と、
    開口部を有し、当該開口部の対面側から前記プラズマ生成用細管の一端が挿入されるプラズマ反応部と、
    前記プラズマ反応部内に設けられ、前記プラズマ生成用細管から照射されるプラズマジェットを細径化するマスクとを備えたことことを特徴とする表示装置の修正装置。
12. 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正方法であって、
    プラズマ生成用細管に第１のガスを供給してプラズマを生成させ、
    発生させたプラズマを、プラズマ反応部内に挿入された前記プラズマ生成用細管の一端から射出し、
    前記プラズマ反応部内のマスクによって、前記プラズマ生成用細管の一端から射出されたプラズマジェットを細径化し、
    前記細径化されたプラズマジェットを表示装置に照射して前記パターン欠陥を修正することを特徴とする表示装置の修正方法。