RU2009115827A - Лазерно-плазменный способ синтеза высокотвердых микро и наноструктурированных покрытий и устройство - Google Patents
Лазерно-плазменный способ синтеза высокотвердых микро и наноструктурированных покрытий и устройство Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009115827A RU2009115827A RU2009115827/02A RU2009115827A RU2009115827A RU 2009115827 A RU2009115827 A RU 2009115827A RU 2009115827/02 A RU2009115827/02 A RU 2009115827/02A RU 2009115827 A RU2009115827 A RU 2009115827A RU 2009115827 A RU2009115827 A RU 2009115827A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- working gas
- laser
- chemically active
- gas stream
- radiation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
1. Способ синтеза высокотвердых покрытий, включающий обработку поверхности потоком рабочего газа при воздействии лазерного излучения, отличающийся тем, что формируют поток рабочего газа, содержащего несущий газ и химически активные реагенты, который направляют на обрабатываемую поверхность при давлении не ниже 0,5 атм, при этом на названный поток рабочего газа воздействуют лазерным импульсно-периодическим излучением таким образом, чтобы в фокусе лазерного луча образовалась лазерная плазма. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что лазерное импульсно-периодическое излучение направляют поперек потока рабочего газа. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что лазерное импульсно-периодическое излучение направляют вдоль потока рабочего газа. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве несущего газа используют инертные газы: аргон, гелий, неон, или их смесь. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве несущего газа используют химически активные газы: кислород или азот. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление в потоке газа преимущественно поддерживают на уровне атмосферного давления. ! 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что химически активные реагенты содержатся в рабочем газе в виде газов, или паров, или микро и/или наноаэрозолей. ! 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что обрабатываемую поверхность во время осаждения на нее химически активных реагентов перемещают. ! 9. Устройство для получения высокотвердых покрытий, включающее реакционную камеру со средством позиционирования обрабатываемого объекта, и входом для потока газа, отличающееся тем, что оно содержит источник рабочего газа, средство формирова
Claims (10)
1. Способ синтеза высокотвердых покрытий, включающий обработку поверхности потоком рабочего газа при воздействии лазерного излучения, отличающийся тем, что формируют поток рабочего газа, содержащего несущий газ и химически активные реагенты, который направляют на обрабатываемую поверхность при давлении не ниже 0,5 атм, при этом на названный поток рабочего газа воздействуют лазерным импульсно-периодическим излучением таким образом, чтобы в фокусе лазерного луча образовалась лазерная плазма.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что лазерное импульсно-периодическое излучение направляют поперек потока рабочего газа.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что лазерное импульсно-периодическое излучение направляют вдоль потока рабочего газа.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве несущего газа используют инертные газы: аргон, гелий, неон, или их смесь.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве несущего газа используют химически активные газы: кислород или азот.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление в потоке газа преимущественно поддерживают на уровне атмосферного давления.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что химически активные реагенты содержатся в рабочем газе в виде газов, или паров, или микро и/или наноаэрозолей.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что обрабатываемую поверхность во время осаждения на нее химически активных реагентов перемещают.
9. Устройство для получения высокотвердых покрытий, включающее реакционную камеру со средством позиционирования обрабатываемого объекта, и входом для потока газа, отличающееся тем, что оно содержит источник рабочего газа, средство формирования потока рабочего газа в реакционной камере, импульсно-периодический лазер, а также средство доставки лазерного излучения в реакционную камеру и фокусировки луча, при этом реакционная камера содержит вход для потока рабочего газа и вход для лазерного излучения.
10. Устройство по п.9, отличающееся тем, что оно содержит средство управления - управляющий процессор.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009115827/02A RU2416673C2 (ru) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | Лазерно-плазменный способ синтеза высокотвердых микро- и наноструктурированных покрытий и устройство |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009115827/02A RU2416673C2 (ru) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | Лазерно-плазменный способ синтеза высокотвердых микро- и наноструктурированных покрытий и устройство |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009115827A true RU2009115827A (ru) | 2010-11-20 |
RU2416673C2 RU2416673C2 (ru) | 2011-04-20 |
Family
ID=44051502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009115827/02A RU2416673C2 (ru) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | Лазерно-плазменный способ синтеза высокотвердых микро- и наноструктурированных покрытий и устройство |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2416673C2 (ru) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2532676C2 (ru) * | 2011-11-28 | 2014-11-10 | Юрий Александрович Чивель | Способ плазмохимического синтеза и реактор плазмохимического синтеза для его осуществления |
RU2522872C2 (ru) * | 2012-06-13 | 2014-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Способ азотирования деталей машин с получением наноструктурированного приповерхностного слоя и состав слоя |
RU2597447C2 (ru) * | 2014-12-12 | 2016-09-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Лазерный способ получения функциональных покрытий |
RU2640114C2 (ru) * | 2016-01-22 | 2017-12-26 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Лазерный плазмотрон для осаждения композитных алмазных покрытий |
RU2732546C1 (ru) * | 2019-12-30 | 2020-09-21 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Устройство контроля и управления комплексом импульсного лазерного осаждения |
-
2009
- 2009-04-28 RU RU2009115827/02A patent/RU2416673C2/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2416673C2 (ru) | 2011-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2009115827A (ru) | Лазерно-плазменный способ синтеза высокотвердых микро и наноструктурированных покрытий и устройство | |
SG126120A1 (en) | Lithographic device, device manufacturing method and device manufactured thereby | |
TW200608489A (en) | Plasma treatment method and plasma etching method | |
JP2010519783A5 (ru) | ||
ATE537893T1 (de) | Vorrichtung zur nox-reduktion mittels speicherkatalysatoren unter verwendung eines plasmareaktors | |
TW200739727A (en) | Semiconductor processing system and vaporizer | |
JP2011080142A5 (ru) | ||
RU2009102511A (ru) | Способ производства тетрафторпропена | |
JP2015503224A5 (ru) | ||
TW200717614A (en) | A process for low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing | |
JP2014510404A5 (ru) | ||
TW200629336A (en) | Semiconductor plasma-processing apparatus and method | |
EP2618366A3 (en) | Etching method and etching apparatus | |
WO2005088294A1 (ja) | レーザーイオン化質量分析装置 | |
WO2011081921A3 (en) | Atomic layer etching with pulsed plasmas | |
TW200710955A (en) | Vapor phase growing apparatus and vapor phase growing method | |
WO2008118738A3 (en) | Apparatus and methods of forming a gas cluster ion beam using a low-pressure source | |
DE602007010765D1 (de) | Verfahren zur erhöhung der umwandlungseffizienz einer euv- und/oder weichen röntgenstrahlenlampe und entsprechendes gerät | |
WO2008090466A3 (en) | Method and system for producing a hydrogen enriched fuel using microwave assisted methane plasma decomposition on catalyst | |
TW200729285A (en) | Gas-removal processing device | |
JP2014053136A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
NL2024042A (en) | Apparatus for and method of reducing contamination from source material in an euv light source | |
RU2009115826A (ru) | Способ модификации металлических поверхностей и устройство | |
CN107863285B (zh) | 一种反应离子刻蚀方法和设备 | |
RU2007139182A (ru) | Способ получения углеродного наноматериала, содержащего металл |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20140822 |
|
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20210528 Effective date: 20210528 |