JP2010076995A - 3−5族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 InxGayNAlz(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3−5族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、AlN60質量%以上85質量%以下、BN15質量%以上40質量%以下かつ1,400℃のN2中で6時間加熱した後の減量が0.1%以下のAlN−BN複合焼結体を用いる3−5族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度98%以上かつAlNの最大粒径が4μm以下である3−5族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。
【選択図】 なし
Description
本発明は、InxGayNAlz(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3−5族化合物半導体の製造装置用部材特にサセプタ及びその周辺部材に関するものである。
(1)相対密度98%以上であること。
(2)AlNの最大粒径が4μm以下であること。
更に本願発明は、これらを得るための製造方法として以下を提案するものである。即ち、
イ) アルミナとホウ酸、カーボンを含む出発物質を窒化性雰囲気下で還元する工程を経てAlNとBNの混合粉を得る。
ロ) 得られた原料粉をN2雰囲気中、1750〜2000℃、10〜30MPaでホットプレス焼成する。
1,400℃のN2中で6時間加熱した後の減量が0.1%以下のAlN−BN複合焼結体は、好ましくはAlNとBNの含有量が99.9%以上である。前述のように、これは酸化物系の助剤はもちろん、N2中で変化し易い炭化物やBN以外のホウ化物、あるいは、拡散、揮発が容易な金属などを含んでいないことを示す。高純度の原料を用いて、摩耗の少ない混合方法等を選べば、金属不純物は比較的容易に数十ppm以下にすることはできる。その際に、不純物として容易に含まれる元素は、酸素とカーボンであるので、簡易的には、1,400℃のN2中で6時間加熱した後に酸素とカーボンの含有量を測定することでAlNとBN以外の含有量が判る。両者の合計は0.1%未満でなければならない。
(1)相対密度98%以上であること。
(2)AlNの最大粒径が4μm以下であること。
(1)は緻密な焼結体であることを示し、(2)微細な構造を有することを示している。両者は耐熱性と精密加工性を維持するために必要である。相対密度が高くない焼結体では、粒子間に空隙が残り、多孔体となって、分解や揮発が容易になるので、耐熱性が低下する。相対密度98%以上では、十分緻密な焼結体と言える。好ましくは99%以上である。
文献1 坂柳伸彰、楠瀬尚史、関野徹、セラミックス基礎科学討論会講演予稿集、pp484-85(2007)
文献2 JuxianZhang,Long Lian,Jinjun Feng,Materials Science Forum Vols.546-549(2007)pp.1559-1562
作製方法の一例を挙げると、AlNの表面にホウ酸と尿素を析出させ、これを反応させてBNの超微粉をAlN粒子の表面に分散させた原料粉末を得、焼成してナノコンポジットを得るというものである。これらは、精密加工が容易で半導体製造用サセプタ部材には好適である。特にアルミナとホウ酸、カーボンを含む出発物質を窒化性雰囲気下で還元する工程を経て得られたAlNとBNの混合粉を、N2雰囲気中、1750〜2000℃、10〜30MPaでホットプレス焼成する方法は、微細なAlN粒子構造を持った素材が得られ易い。窒化性雰囲気とは、酸素や酸素化合物を含まない非酸化性であって、N2、N2−H2、NH3等のガスを含む雰囲気を指す。但し、アルミナやホウ酸が還元される際に発生するCOやCO2は、不可避的に雰囲気中に存在する。ホットプレス条件は、1750℃以下では高密度の焼結体が得難く、2000℃以上では、AlNの粒成長が進んで微細な構造が取れなくなる。高圧でホットプレスした方が低温で焼成でき微細なAlN粒子構造を持った素材が得られ易く、少なくとも10MPa以上の圧力が必要であるが、あまり高圧では、治具や設備が大がかりで効果になって、コスト的に好ましくないので、一般的にセラミックスの焼結に使用される上限と同じ30MPa以下とする。
文献3 衛藤俊一、荒堀忠久、特開2001−354480
これは精密加工用の素材であり、半導体製造用サセプタ部材に好適である。
Claims (3)
- InxGayNAlz(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3−5族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、AlN60質量%以上85質量%以下、BN15質量%以上40質量%以下かつ1,400℃のN2中で6時間加熱した後の減量が0.1%以下のAlN−BN複合焼結体を用いることを特徴とする3−5族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。
- 相対密度98%以上かつAlNの最大粒径が4μm以下であることを特徴とする請求項1記載の3−5族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。
- アルミナとホウ酸、カーボンを含む出発物質を窒化性雰囲気下で還元する工程を経て得られたAlNとBNの混合粉を、N2雰囲気中、1750〜2000℃、10〜30MPaでホットプレス焼成することを特徴とする請求項1又は2に記載の3−5族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材の製造方法。
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