JP2010073507A - 走査型電子顕微鏡装置およびその焦点あわせ方法 - Google Patents
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Abstract
表面電界制御電極を設け,かつ一次電子ビーム径を縮小させた電子光学系を実現するには,表面電界制御電極をウェハに近接させる必要があり,このため,焦点あわせ用の高さ検出が行えなくなる。
【解決手段】
高さ計測位置を一次電子照射位置からずらし,高さ計測位置と一次電子照射位置との水平位置,および時間的な違いによる高さのずれを補正するための高さ補正機構を設ける。また,ずれ量を最小化するため,表面電界制御電極の周囲にウェハと同一電位のシールド板をおき,これに光路を設けて高さ計測を行う。
【選択図】 図1
Description
さらに,高さ計測手段の出力するウェハ高さを保持するメモリ手段とウェハの位置を計測するウェハ位置計測手段を設け,事前に計測した電子線光軸上でのウェハ表面高さよりSEMのフォーカス位置制御を行えるようにした。更に事前に計測したウェハ表面高さと,リアルタイムに計測した表面高さをもとに,事前計測した結果からのずれ量を補正して,フォーカス位置を制御する機構を設けた。
電子光学系光軸から一定距離以上離れた位置に光軸に対して非点対称に設けた高さ計測用の光路は,電子光学系光軸の電界に影響を与えることがなく,表面電界制御電極をウェハに近接化させることを実現した。また,メモリに記憶された事前に計測したウェハの高さと,リアルタイムに計測した高さをもとに事前計測した結果からのずれ量を補正してフォーカス位置を制御する機構は,長時間の検査,あるいは計測による,SEMが取り付けられている真空チャンバーの時間変化によるフォーカス位置の変動に対して安定なSEM像の撮像を実現した。
電子銃101から発射された電子ビームは、102と103の2つのコンデンサーレンズを介した後,X偏向器105は,Y偏向器106で偏向したのち,対物レンズ107で、半導体ウェハ(以下、ウェハと記す)108の電子ビーム照射領域109に電子ビームを照射する。この電子ビームが照射された照射電子ビーム照射領域109からは二次電子と反射電子が発生し,対物レンズ107を介してExB110で偏向された後、電子検出器111で検出される。
D=Δx sin φ (数1)
このため,電極や対物レンズとの干渉を小さくするためにはφをなるべく90度に近くすることが必要である。しかし,スリット光302を90度入射に近づけると,ウェハ108の異なる反射率をもつ境界(パターン領域の境界)と同一方向になる確率が極めて高くなるため,高さ検出誤差を発生させやすくなる。そこで,本発明ではスリット光302を回転させて入射させることとした。
Ψ=atan(tan ψ/sin θ) (数2)
このため,水平方向の入射角φを大きくしても,スリット光302とステージ走査方向とのなす角度を小さくすることが可能である。本発明では,ψを2度に設定し,ウェハ108上でスリット光302が水平方向の入射角に対して-14度の傾きをもつようにした。これにより,スリット光302の水平方向の入射角度は74度にした場合にも,スリットの角度を60度にすることが可能になった。
DL = Wx(xn-x)2+ wy (yn-y)2+f(t-tn) (数3)
このとき,h(x,y,t)を例えば以下のように決定する。
h(x,y,t)=h(x+Δx,y,t)+h(x,y,t0)-h(x+Δx, y,t0)+ h(xn,yn,tn)
-( h(xn+Δx,yn,tn)+h(xn,yn,t0)-h(xn+Δx, yn,t0)) (数4)
この式は,事前に計測した高さデータを,既計測の時間および空間的な近傍高さデータにおける推定高さデータと実測高さデータとの差分による補正と考えることが可能であり,本演算を高さデータ補正量算出器131で実施する。
h(x,y,t)= h(x,y,t0)+ h(xn,yn,tn)-h(xn,yn,t0) (数5)
(数5)は求める(x,y)の近傍(xn,yn)におけるウェハ高さの変動をもとに(数4)に対して時刻tにおいてリアルタイムに得られるデータが無い分,tnとtとの時間差が大きい場合には精度低下要因が増大する。このため,SEM撮像の直前にh(xn,yn,tn)を計測する必要があり,事前の計測に時間を要してしまう。そこで,同一のステージ走査であっても,リアルタイムの計測ができない場合のみ(数5)を用い,リアルタイムに高さ計測ができる領域に入った後は,(数4)を用いて焦点制御をするように設定した。
[第1の実施例の変形例]
上記に説明した実施例においては、XYステージ117を走査しながらSEM画像を得る方式について述べてきた。次に、その変形例として、例えば、他の検査装置でウェハ108を検査して検出された複数の欠陥を順次観察するレビューSEMや、ウェハ108上に形成されたパターンの寸法を複数の箇所について順次計測する側長SEMのように、XYステージ117を間歇的に移動、即ちステップ・アンド・リピートで移動させてウェハ108上の所望の領域を順次撮像するときに第1の実施例で説明したのと同様の方式で焦点合わせを行う場合について説明する。
Claims (16)
- 試料を載置して平面内で移動可能なテーブル手段と、
一次電子ビームを発射する電子銃と、該電子銃から発射された一次電子ビームを収束させる電子レンズ部と、該電子レンズ部で集束させた一次電子ビームを偏向させて前記テーブル手段に載置された試料の表面に走査して照射するビーム偏向器とを有する電子光学系手段と、
該電子光学系手段により一次電子ビームが走査して照射された前記試料から発生する二次電子及び/又は反射電子を検出する二次電子検出手段と
該二次電子検出手段で前記試料から発生した二次電子及び/又は反射電子を検出して得られた信号をデジタル化するA/D変換手段と、
該A/D変換手段でデジタル化した信号を入力してデジタル画像として記憶する画像記憶手段と、
該画像記憶手段に記憶されたデジタル画像を処理する画像処理手段と、
前記テーブル手段に載置された試料の表面の高さを検出して前記電子光学系手段の電子レンズのフォーカス位置を制御する高さ検出・制御手段と
を備えた走査電子顕微鏡装置であって、
該高さ検出・制御手段は、
前記テーブル手段に載置された試料の表面のうちの前記電子光学系手段の電子線光軸から離れた位置の高さを検出する高さ検出部と、
該高さ検出部で検出した前記試料の表面の前記電子線光軸から離れた位置の高さの情報を用いて前記電子光学系手段の電子線光軸上の部分における前記試料の表面の高さを推定する試料高さ推定部と、
該試料高さ推定部で推定した前記電子光学系手段の電子線光軸上の部分における前記試料の高さの情報に基づいて前記電子光学系手段の電子レンズ部を制御して前記一次電子ビームのフォーカス位置を調整するフォーカス位置調整部と
を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡装置。 - 請求項1記載の走査電子顕微鏡装置であって、前記電子光学系手段の電子レンズ部と前記テーブル手段との間に配置されて前記テーブル手段との間の電界を変更可能な表面電界制御電極手段を更に備え、該表面電界制御電極は中心部に前記一次電子,二次電子及び反射電子を通過させる開口部を有し,前記表面電界制御電極は該開口部の近傍で前記テーブル手段の前記試料を載置する面との間隔が小さく,前記中心部から離れた部分では前記テーブル手段の前記試料を載置する面との間隔が大きく,回転対称な形状を有することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 請求項1記載の走査電子顕微鏡装置であって、前記テーブル手段に載置した試料と等しい電位に設定可能なシールド電極手段を前記表面電界制御電極手段の前記電子線光軸の外側に備え,前記高さ検出部で前記電子線光軸から離れた位置の高さを検出ための開口部を前記電子線光軸に対して非軸対象に備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 請求項1記載の走査電子顕微鏡装置であって、前記高さ検出・制御手段の高さ検出部は、前記テーブル手段に載置された試料の表面のうちの前記電子光学系手段の電子線光軸から離れた位置に光パターンを投影する光パターン照明部と、該試料の表面に投影された光パターンを該光パターンが投影された方向と異なる方向から撮像する光パターン撮像部と、該光パターン撮像部で撮像して得た前記試料の表面に投影された光パターンの像の情報を用いて前記試料の表面の該光パターンが投影された箇所の高さを算出する高さ算出部とを有することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 請求項4記載の走査電子顕微鏡装置であって、前記高さ検出・制御手段の試料高さ推定部は、前記高さ検出部で検出した前記試料の表面の光パターンが投影された箇所の高さ情報を記憶する高さ情報記憶部と、前記高さ検出部から出力された前記試料の表面の前記光パターンが投影された箇所の高さデータと前記高さ情報記憶部に記憶されている高さデータをもとに前記電子光学系手段の電子線光軸上の部分における該試料の高さを算出する試料高さ算出部とを有することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 請求項1記載の走査電子顕微鏡装置であって、前記テーブル手段は前記載置した試料の位置を検出する位置検出部を備え、前記高さ検出・制御手段の試料高さ推定部の高さ情報格納部は、前記高さ検出部で検出した前記試料の表面の光パターンが投影された箇所の高さ情報を,前記位置検出部で検出した試料の位置情報と関連付けて記憶することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 請求項6記載の高さ情報格納手段は,前記試料上の同一の位置について異なるタイミングで取得した前記試料の表面の光パターンが投影された箇所の高さ情報を格納することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 請求項1記載の走査電子顕微鏡装置であって、前記テーブル手段は回転可能な回転テーブルと該回転テーブルの回転角度を制御する回転角度制御部とを有し、前記光パターン照明手段は光パターンとしてスリット光を前記試料の表面のうちの前記電子光学系手段の電子線光軸から離れた位置に投影し、前記回転角度制御部は、前記試料に投影されるスリット光が該試料上に形成されたパターンと交差するように前記試料の回転角度を制御することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 請求項1記載の走査電子顕微鏡装置であって,前記高さ検出・制御手段は、前記光パターン照明部と前記光パターン撮像部との組を複数の組備え,該複数の光パターン照明部と光パターン撮像部との組はそれぞれ前記試料の表面のうちの前記電子光学系手段の電子線光軸から離れた位置の高さを計測することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 平面内で移動可能なテーブルに載置した試料に走査電子顕微鏡装置の電子光学系の電子レンズ部を介して集束させた電子ビームを照射して走査し、
該集束させた電子ビームが照射されて走査された前記試料から発生した二次電子及び/又は反射電子を検出し、
該検出して得た信号をA/D変換して前記試料のデジタル画像を得、
該得たデジタル画像を処理する走査電子顕微鏡装置を用いて試料の画像を取得する方法であって、
前記試料のデジタル画像を得る工程において、
前記テーブルに載置された試料の表面のうちの前記電子光学系の電子線光軸から離れた位置の高さを検出し、
該検出した前記試料の表面の前記電子線光軸から離れた位置の高さの情報を用いて前記電子線光軸上の部分における前記試料の表面の高さを推定し、
該推定した前記電子線光軸上の部分における前記試料の高さの情報に基づいて前記電子光学系の電子レンズ部を制御して前記試料に照射する電子ビームのフォーカス位置を調整し、
該フォーカス位置を調整した電子ビームを試料に照射して走査することにより前記試料から発生した二次電子及び/又は反射電子を検出して得た信号から前記試料のデジタル画像を得る
ことを特徴とする走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法。 - 請求項10記載の走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法であって、前記試料のデジタル画像を得る工程において前記電子光学系の電子線光軸から離れた位置の高さを検出することを、前記試料の表面のうちの前記電子光学系の電子線光軸から離れた位置に光パターンを投影し、該試料の表面に投影された光パターンを該光パターンが投影された方向と異なる方向から撮像し、該撮像して得た前記試料の表面に投影された光パターンの像の情報を用いて前記試料の表面の該光パターンが投影された箇所の高さを算出することを特徴とする走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法。
- 請求項11記載の走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法であって、前記電子光学系の電子線光軸から離れた位置位置に投影する光パターンが、スリット光であることを特徴とする走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法。
- 請求項10記載の走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法であって、前記試料のデジタル画像を得る工程において前記電子線光軸上の部分における前記試料の表面の高さを推定することを、前記検出した前記試料の表面の光パターンが投影された箇所の高さ情報を記憶しておき、前記検出された前記試料の表面の前記光パターンが投影された箇所の高さデータと前記記憶しておいた高さデータをもとに前記電子線光軸上の部分における該試料の高さを算出することを特徴とする走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法。
- 請求項12記載の走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法であって、前記検出した前記試料の表面の光パターンが投影された箇所の高さ情報を、前記テーブルに載置された試料の位置情報と関連付けて記憶することことを特徴とする走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法。
- 請求項12記載の走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法であって、前記検出した前記試料の表面の光パターンが投影された箇所の高さ情報を記憶しておくことを、前記試料上の同一の位置について異なるタイミングで取得した前記試料の表面の光パターンが投影された箇所の高さ情報を格納することを特徴とする走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法。
- 請求項11記載の走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法であって、前記光パターンとしてスリット光を前記試料の表面のうちの前記電子光学系の電子線光軸から離れた位置で前記試料上に形成されたパターンと交差するように投影することを特徴とする走査電子顕微鏡装置を用いた試料の撮像方法。
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US12/480,443 US20090309022A1 (en) | 2008-06-12 | 2009-06-08 | Apparatus for inspecting a substrate, a method of inspecting a substrate, a scanning electron microscope, and a method of producing an image using a scanning electron microscope |
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---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019229871A1 (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
CN117650033A (zh) * | 2024-01-25 | 2024-03-05 | 苏州矽视科技有限公司 | 一种扫描电子显微镜自适应对焦控制系统及控制方法 |
JP7477364B2 (ja) | 2020-05-19 | 2024-05-01 | 株式会社ホロン | マルチビーム画像生成装置およびマルチビーム画像生成方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162337A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
JPH05151927A (ja) * | 1991-11-27 | 1993-06-18 | Hitachi Ltd | 走査型電子顕微鏡およびその観察方法 |
JPH11149895A (ja) * | 1997-08-11 | 1999-06-02 | Hitachi Ltd | 電子線式検査または測定装置およびその方法、高さ検出装置並びに電子線式描画装置 |
JP2000040481A (ja) * | 1998-04-20 | 2000-02-08 | Hitachi Ltd | 試料保持機,半導体製造装置,半導体検査装置,回路パタ―ン検査装置,荷電粒子線応用装置,校正用基板,試料の保持方法,回路パタ―ン検査方法、および、荷電粒子線応用方法 |
JP2003007243A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Seiko Instruments Inc | レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡のオートフォーカス方式 |
JP2003016983A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置および自動非点収差調整方法 |
JP2003177101A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-06-27 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置 |
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
JP2007132836A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学的高さ検出方法、電子線測定装置および電子線検査装置 |
JP2007317467A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線応用装置 |
JP2008277863A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-11-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置 |
-
2008
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162337A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
JPH05151927A (ja) * | 1991-11-27 | 1993-06-18 | Hitachi Ltd | 走査型電子顕微鏡およびその観察方法 |
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
JPH11149895A (ja) * | 1997-08-11 | 1999-06-02 | Hitachi Ltd | 電子線式検査または測定装置およびその方法、高さ検出装置並びに電子線式描画装置 |
JP2000040481A (ja) * | 1998-04-20 | 2000-02-08 | Hitachi Ltd | 試料保持機,半導体製造装置,半導体検査装置,回路パタ―ン検査装置,荷電粒子線応用装置,校正用基板,試料の保持方法,回路パタ―ン検査方法、および、荷電粒子線応用方法 |
JP2003007243A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Seiko Instruments Inc | レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡のオートフォーカス方式 |
JP2003016983A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置および自動非点収差調整方法 |
JP2003177101A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-06-27 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置 |
JP2007132836A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学的高さ検出方法、電子線測定装置および電子線検査装置 |
JP2007317467A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線応用装置 |
JP2008277863A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-11-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019229871A1 (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
CN112119297A (zh) * | 2018-05-30 | 2020-12-22 | 株式会社日立高新技术 | 晶片检查装置和晶片检查方法 |
JPWO2019229871A1 (ja) * | 2018-05-30 | 2021-03-25 | 株式会社日立ハイテク | ウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
JP7060687B2 (ja) | 2018-05-30 | 2022-04-26 | 株式会社日立ハイテク | ウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
US11342211B2 (en) | 2018-05-30 | 2022-05-24 | Hitachi High-Tech Corporation | Wafer inspection apparatus and wafer inspection method |
JP7477364B2 (ja) | 2020-05-19 | 2024-05-01 | 株式会社ホロン | マルチビーム画像生成装置およびマルチビーム画像生成方法 |
CN117650033A (zh) * | 2024-01-25 | 2024-03-05 | 苏州矽视科技有限公司 | 一种扫描电子显微镜自适应对焦控制系统及控制方法 |
CN117650033B (zh) * | 2024-01-25 | 2024-04-16 | 苏州矽视科技有限公司 | 一种扫描电子显微镜自适应对焦控制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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