JP2010072274A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気光学装置は、基板上(10)に、互いに交差して延在するデータ線(6a)及び走査線(11)と、データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタ(30)と、トランジスタよりも上層側に積層されており、下側電極(71)、誘電体膜(75)及び上側電極(300)が順に積層されてなる蓄積容量(70)と、蓄積容量及びトランジスタに電気的に接続された画素電極(9a)と、基板上で平面的に見て、上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している第1領域を囲む第2領域の少なくとも一部、且つ第2領域において下側電極の下地面の上層側に形成されたスペーサ絶縁膜(49)と、下地面の下層側に積層され、エッチングレートがスペーサ絶縁膜とは異なる絶縁性のエッチングストッパ層(45)とを備える。
【選択図】図7
Description
次に、本実施形態の液晶装置の変形例について、図8を参照して説明する。図8は、第1実施形態の変形例に係る蓄積容量について、図7に対応する断面部分の構成を示す断面図である。
次に、図9を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図9は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
Claims (6)
- 基板上に、
互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
前記トランジスタよりも上層側に積層されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
前記基板上で平面的に見て、前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している第1領域を囲む第2領域の少なくとも一部、且つ前記第2領域において前記下側電極の下地面の上層側に形成されたスペーサ絶縁膜と、
前記下地面の下層側に積層され、エッチングレートが前記スペーサ絶縁膜とは異なる絶縁性のエッチングストッパ層と
を備え、
前記上側電極は、少なくとも部分的に、前記スペーサ絶縁膜の上に乗り上げるように延在しており、
前記基板上で平面的に見て、前記スペーサ絶縁膜に開いた開口部内に位置する領域は、前記下地面が露出している部分を有する
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記エッチングストッパ層は、前記下側電極の直下に積層されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記スペーサ絶縁膜は、前記第1領域において前記上側電極よりも下層側に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
- 前記スペーサ絶縁膜は、少なくともウェットエッチングを用いて形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記スペーサ絶縁膜は、酸化珪素を含んでなり、
前記エッチングストッパ層は、窒化珪素を含んでなる
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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