JP2010070527A - エチニル基を有する無水フタル酸化合物及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】保存安定性に優れたエチニル基を有する無水フタル酸化合物、及びその製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されＸＲＤ回折パターン分析によるブラッグ角（２θ）が２６°〜２８°におけるピーク強度が６０００ｃｐｓ以上であることを特徴とする化合物：

（一般式（Ｉ）において、Ｒ_１は置換基を表し、ｎ_１は０から３の整数を表す。ｎ_１が２から３のとき、複数のＲ_１は互いに同じでも異なってもよい。Ｒ_２は水素原子、α位にヒドロキシ基を有するアルキル基又はアルキル基、アリール基置換シリル残基を表す）。
【選択図】なし

Description

本発明は、熱硬化性樹脂、液晶材料、非線形光学材料、写真用添加剤またはそれらの合成中間体として有用な芳香族アセチレン化合物（エチニル基を有する無水フタル酸化合物）、及びその製造方法に関する。

芳香族アセチレン化合物の合成は、近年、パラジウム触媒を用いる芳香族ハロゲン化合物とアセチレン化合物とのカップリング反応が開発され、特に銅塩を共存させる萩原−園頭らの方法が反応の収率が良く、多用されるようになってきている（例えば非特許文献１、非特許文献２、特許文献１等）。
一方、非特許文献３には、萩原−園頭らの方法を用い、下記反応ルートにより下記化合物（５）を合成することが記載されている。

ここでは、最終生成物の化合物（５）を単離するのに、反応溶媒のオルトキシレンを濃縮して濾過しているが、純度が低く、着色が激しい問題を有していた。

また、得られた化合物（５）を２種以上の混合溶媒から析出させることが開示され、高純度の化合物が得られるとされている（例えば、特許文献２参照）。
特開平１０−１１４６９１号公報 特開２００４−１２３５７３号公報 Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，１９７５、４４６７、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５９、５８１８（１９９４） Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５９、５８１８（１９９４） Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４８、５１３５（１９８３）

エチニル基を有する無水フタル酸化合物が、熱硬化性樹脂、液晶材料、非線形光学材料、写真用添加剤またはそれらの合成中間体として有用であることから、その実用化をめざして鋭意開発を進めた中で、保存安定性の課題が明らかになった。即ち、エチニル基を有する無水フタル酸化合物を製造後、保存中に空気中の水分を吸収し、徐々に加水分解し開環したフタル酸を形成する問題の解決が求められた。

本発明者等は鋭意検討の結果、下記の方法により上記目的が達成されることを見出した。すなわち、
＜１＞ 下記一般式（Ｉ）で表され、ＸＲＤ回折パターン分析によるブラッグ角（２θ）が２６°〜２８°におけるピーク強度が６０００ｃｐｓ以上であることを特徴とする化合物：

（一般式（Ｉ）において、Ｒ_１は置換基を表し、ｎ_１は０から３の整数を表す。ｎ_１が２から３のとき、複数のＲ_１は互いに同じでも異なってもよい。Ｒ_２は水素原子、α位にヒドロキシ基を有するアルキル基または下記一般式（ＩＩ）で表される基を表す。）；

（一般式（ＩＩ）において、Ｒ_３、Ｒ_４およびＲ_５は各々独立にアルキル基またはアリール基を表す。）。
＜２＞ 有機ハロゲンイオン含有量が４００ｐｐｍ以下であることを特徴とする＜１＞に記載の化合物。
＜３＞ 前記一般式（１）において、Ｒ_２が水素原子であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の化合物。
＜４＞ 最終物を取り出す工程にて、種結晶を投入し、結晶化させることを特徴とする一般式（Ｉ）で表され、ＸＲＤ回折パターン分析によるブラッグ角（２θ）が２６°〜２８°におけるピーク強度が６０００ｃｐｓ以上であることを特徴とする化合物の製造方法：

（一般式（Ｉ）において、Ｒ_１は置換基を表し、ｎ_１は０から３の整数を表す。ｎ_１が２から３のとき、複数のＲ_１は互いに同じでも異なってもよい。Ｒ_２は水素原子、α位にヒドロキシ基を有するアルキル基または下記一般式（ＩＩ）で表される基を表す。）；

（一般式（ＩＩ）において、Ｒ_３、Ｒ_４およびＲ_５は各々独立にアルキル基またはアリール基を表す。）。

本発明により、保存安定性に優れたエチニル基を有する無水フタル酸化合物を提供すること、及びその製造方法を提供がされる。

以下に詳細に説明する。
１）エチニル基を有する無水フタル酸化合物
本発明のエチニル基を有する無水フタル酸化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であり、ＸＲＤ回折パターン分析によるブラッグ角（２θ）が２６°〜２８°におけるピーク強度が６０００ｃｐｓ以上であることを特徴とするものである。

一般式（Ｉ）において、Ｒ_１は置換基を表し、ｎ_１は０から３の整数を表す。ｎ_１が２から３のとき、複数のＲ_１は互いに同じでも異なってもよい。Ｒ_２は水素原子、α位にヒドロキシ基を有するアルキル基または下記一般式（ＩＩ）で表される基を表す。

一般式（ＩＩ）において、Ｒ_３、Ｒ_４およびＲ_５は各々独立にアルキル基またはアリール基を表す。

本発明のエチニル基を有する無水フタル酸化合物は、ＸＲＤ回折パターン分析によるブラッグ角（２θ）が２６°〜２８°におけるピーク強度が６０００ｃｐｓ以上である結晶形態であり、高い保存安定性が得られる。
本発明のエチニル基を有する無水フタル酸化合物の結晶構造は、Ｘ線回折を測定し、その回折パターンから決定することができる。Ｘ線回折法による結晶構造解析の手法は、既に一般に良く知られている。本発明では、通常、良く知られている手法を利用することができる。

本発明のエチニル基を有する無水フタル酸化合物は、ＸＲＤ回折パターン分析によるブラッグ角（２θ）が２６°〜２８°におけるピーク強度が６０００ｃｐｓ以上、好ましくは、６５００ｃｐｓ以上である。

従来、知られている製造法によれば、種々の粒子形状及び結晶形のエチニル基を有する無水フタル酸化合物が得られる。その結晶形を観察すると、ＸＲＤ回折パターン分析において２θが２６°〜２８°のピーク強度が４５００ｃｐｓ程度である。
従来、この結晶形の特定の形に制御することを意図されたことがなく、その制御が化合物の保存安定性に大きく関係していることは全く予想外であった。例えば、特許文献２に記載の製造法では、特定の形状の粒子が制御されて得られるとは限らず、更に、多くの要因によって、種々の粒子形状のものが得られ、その結果、ＸＲＤ回折パターン分析において２θが２６°〜２８°におけるピーク強度が４５００ｃｐｓ程度であり、６０００ｃｐｓに達することがない。本発明では、最終物を取り出す工程にて、種結晶を投入し、結晶化させることによって、形状が揃い、その結果としてＸＲＤ回折パターン分析において２θが２６°〜２８°のピーク強度が６０００ｃｐｓ以上であるエチニル基を有する無水フタル酸化合物を得ることができる。種結晶を用いて結晶を取り出すことは、一般に知られている手段であるが、本発明の一般式（１）で表されるエチニル基を有する無水フタル酸化合物に該手段を用いて、形状が揃い、その結果としてＸＲＤ回折パターン分析において２θが２６°〜２８°のピーク強度が６０００ｃｐｓ以上である粒子が得られ、それによって高い保存安定性が達成されることは全く予想外のことである。

また、本発明のエチニル基を有する無水フタル酸化合物は、有機ハロゲンイオン含有量を４００以下であることが好ましい。本発明における有機ハロゲンイオンは、原料の４−ブロモフタル酸無水物に寄因するものであり、イオンクロマトグラフィー法による測定により求めれられる。有機ハロゲン含有量を４００ｐｐｍ以下とする製造方法は、後述の合成条件及び精製条件の説明に記載する手段により制御することができる。有機ハロゲン含有量を４００ｐｐｍ以下とすることにより、特に半導体基板等に本発明の化合物を含む膜を設置する場合、プラズマ加工等の工程でハロゲンラジカルを発生することを防止し、半導体の損傷を防止することができる。

有機ハロゲン含有量の測定は、エチニル基を有する無水フタル酸化合物を酢酸エチルに溶解させ、これにイオン交換水を加えて抽出分離を行い、その水相をイオンクロマトグラフィーにより測定した値（これをハロゲンイオン含量とする）、及びエチニル基を有する無水フタル酸化合物を燃焼イオンクロマトグラフィーにより測定した値（これを総ハロゲン含量とする）をそれぞれ求め、総ハロゲン含量からハロゲンイオン含量を減算した値を有機ハロゲン含有量と定義する。

次に、一般式（１）について、更に詳細に説明する。
一般式（Ｉ）において、Ｒ_１は置換基を表し、置換基の例としては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル部位（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、

アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、

シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、

アルキル又はアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、

アルキル又はアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル又はアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、

アリール又はヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。

上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

Ｒ_１として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ホスフィノ基またはシリル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ホスフィノ基またはシリル基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはシリル基であり、特に好ましくは水素原子、またはアルキル基である。

ｎ_１は０から３の整数を表し、好ましくは０、１または２であり、更に好ましくは０または１であり、最も好ましくは０である。
ｎ_１が２または３のとき、複数のＲ_１は互いに同一でも異なってもよい。さらに、ｎ_１が２または３のときには、複数のＲ_１は互いに結合し、環構造となっていてもよい（具体例としては、下記に示すＡ−１５等）。

Ｒ_２は水素原子、α位にヒドロキシ基を有するアルキル基（例えば、１−メチル−１−ヒドロキシエチル、ヒドロキシメチル、１−ヒドロキシエチル、１−フェニル−１−ヒドロキシエチル）または一般式（ＩＩ）で表される基を表す。一般式（ＩＩ）において、Ｒ_３、Ｒ_４およびＲ_５は各々独立にアルキル基（例えばメチル、エチル、ブチル。直鎖でも枝鎖でもよい。）またはアリール基（例えばフェニル）を表す。Ｒ_３、Ｒ_４およびＲ_５がともにアルキル基である場合が好ましく、Ｒ_３、Ｒ_４およびＲ_５がともにメチル基である場合が更に好ましい。

Ｒ_２は好ましくは水素原子、１−メチル−１−ヒドロキシエチルまたはトリメチルシリル基であり、更に好ましくは水素原子または１−メチル−１−ヒドロキシエチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、好ましいものは下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物である。

以下に一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を説明する。
一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ_６は置換基を表すが、該置換基はＲ_１にて述べたのと同義であり、好ましい範囲も同様である。また、ｎ_２は一般式（Ｉ）におけるｎ_１と同義であり、好ましい範囲も同様である。

以下に本発明で使用する一般式（Ｉ）および一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

次に、以下に本発明の製造方法を説明する。

本発明で使用する一般式（Ｉ）で表される化合物はＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４８、５１３５（１９８３）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，４４６７（１９７５）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５９、５８１８（１９９４）および特開平１０−１１４６９１号に記載の方法に準じて合成することができる。

本発明の製造方法は、これらの合成において、得られた反応混合物から、目的とする形状の一般式（Ｉ）で表される化合物を単離精製するものである。

本発明においては、反応によって得られた反応液を一般的な操作として、抽出、水中和、水洗等の操作を行い、抽出溶媒を取り出す濃縮工程を経た濃縮物に好ましく適用される。
本発明においては、単離精製工程で、２種以上（好ましくは２〜４種、更に好ましくは２〜３種、最も好ましくは２種）の混合溶媒から析出させるのが好ましい。
該溶媒としては、例えばアミド系溶媒（例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１−メチル−２−ピロリドン）、スルホン系溶媒（例えばスルホラン）、スルホキシド系溶媒（例えばジメチルスルホキシド）、ウレイド系溶媒（例えばテトラメチルウレア）、エーテル系溶媒（例えばジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソール、ジエチルエーテル）、アルコール系溶媒（例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール）、ケトン系溶媒（例えばアセトン、シクロヘキサノン）、エステル系溶媒（例えば酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル）、ニトリル系溶媒（例えばアセトニトリル、プロピオニトリル）、ハロゲン化炭化水素系溶媒（例えばジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン）、脂肪族炭化水素系溶媒（例えばｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン）または芳香族炭化水素系溶媒（例えばベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン）が挙げられ、好ましくはエーテル系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、ニトリル系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒または芳香族炭化水素系溶媒であり、より好ましくは炭素数４〜６のエーテル系溶媒、炭素数３〜６のケトン系溶媒、炭素数４〜６のエステル系溶媒、炭素数２〜４のニトリル系溶媒、炭素数１〜７のハロゲン化炭化水素系溶媒、炭素数５〜８の脂肪族炭化水素系溶媒または炭素数６〜８の芳香族炭化水素系溶媒であり、更に好ましくは炭素数４〜５のエーテル系溶媒、炭素数３〜６のケトン系溶媒、炭素数４〜６のエステル系溶媒、炭素数２のニトリル系溶媒、炭素数１〜６のハロゲン化炭化水素系溶媒または炭素数６〜８の芳香族炭化水素系溶媒の１種以上と炭素数６または７の脂肪族炭化水素系溶媒を組み合わせて用いる場合である。

本発明において、使用する精製溶媒の少なくとも一種が、脂肪族炭化水素系溶媒である場合が好ましく、更に好ましくは少なくとも一種の炭素原子及び水素原子のみから構成される脂肪族炭化水素系溶媒である。このような脂肪族炭化水素系溶媒は、飽和もしくは不飽和であっても、また鎖状、分岐若しくは環状の化合物のいずれでも構わない。好ましくは炭素数が４〜２０であるものが好ましく、５〜１４のものが更に好ましく、６〜８のものが最も好ましい。

具体的に好ましい溶媒の組合せは、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトン、２−ブタノン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレンから選ばれる１種以上とｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタンから選ばれる１種以上とを組み合わせて用いる場合である。

具体的な溶媒の組合せのうち最も好ましいものは、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトン、２−ブタノン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレンから選ばれる１種の溶媒と、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタンから選ばれる１種の溶媒とを組み合わせ、合計２種類の溶媒を用いる場合である。

これらの溶媒を用いて、本発明の形状の一般式（Ｉ）で表される目的化合物を析出させる方法としては、次の方法が好ましい。
（１）抽出溶媒に溶解された溶液に種結晶を添加して、温度を徐々に下げて析出させる方法
（２）抽出溶媒に溶解された溶液に種結晶を添加して、別途調整した貧溶媒を徐々に滴下し、析出させる方法

これらの析出方法を単独または組み合わせて行うのが好ましい。好ましくは、種結晶を添加して、冷却により析出させる方法である。

次に実施例に基づき、さらに本発明を詳細に説明する。
実施例１
１）反応合成
下記式に基づき、化合物（Ａ−１）の合成を行なった。

・中間体の化合物（１２）の合成
３ツ口フラスコにメタノール５００ｍｌを入れ、加熱還流下にて攪拌しながらここへ化合物（１１）２３．２ｇを５分かけて添加した。そのまま３０分攪拌を続けた後、ここへ硫酸１２ｍｌを１０分かけて滴下し、その後５時間そのまま攪拌した後、内温２５℃まで冷却した。ビーカーに重曹８４ｇ、氷７００ｇを入れ攪拌しながら先の反応混合物を添加し、酢酸エチル７００ｍｌを加えて抽出した。得られた酢酸エチル層を飽和食塩水２０ｍｌと水４００ｍｌの混合溶液で４回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターで濃縮して得られた残留物を蒸留し、沸点１２５〜１２８℃／０．５ｍｍＨｇの成分を集めて、目的の化合物（１２）２６．１ｇを得た（収率９４％）。

・中間体の化合物（１４）の合成
３ツ口フラスコに化合物（１２）３７．０ｇ、化合物（１３）１３．８ｇ、トリフェニルホスフィン０．０９ｇ、ＰｄＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_２２７ｍｇ、塩化銅（Ｉ）２７０ｍｇとトリエチルアミン９０ｍｌを入れ、加熱還流下にて４時間攪拌した。このものを内温３０℃まで冷却し、濾過して得られた濾液をロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物に酢酸エチル２００ｍｌと水２００ｍｌを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を飽和食塩水２０ｍｌと水１８０ｍｌの混合溶液で４回洗浄した後、硫酸マグネシウムにて乾燥した。このものをロータリエバポレーターで濃縮して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、目的の化合物（１４）３４．３ｇを得た（収率９２％）。

・中間体の化合物（１５）及び化合物（Ａ−１）の合成
３ツ口フラスコに水２．５ｌ、水酸化ナトリウム１０６ｇを入れて攪拌して溶解した。ここへ化合物（１４）３３６ｇを加えて加熱還流下にて１８時間攪拌した後、室温まで冷却し、氷５ｋｇに注ぎ、ここへ濃塩酸２７３ｍｌを添加した。得られた溶液をロータリーエバポレーターにて濃縮し、アセトン２ｌを添加して攪拌した。このものを濾過して、得られた濾液をロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物（１５）２３１ｇを得た（収率〜１００％）。
３ツ口フラスコに化合物（１５）２０．８ｇ、オルトキシレン２０８ｍｌ、活性炭２．１ｇを入れ、Ｄｉｅｎｓｔａｒｋ−Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒにて水を除去しながら加熱還流下にて攪拌した後、そのまま濾過した。

２）結晶の取りだし
・本発明例１
上記で得られた濾液をロータリーエバポレーターにて濃縮し、得られた残留物に攪拌しながら酢酸エチル１０ｍｌとジイソプロピルエーテル４０ｍｌの混合溶液を３０分かけて滴下し、完全に溶解した後、種晶として化合物Ａ−１を０．４ｇ添加し、そのまま１２時間放置した後、濾過して、得られた結晶を減圧乾燥して目的の化合物（Ａ−１）の結晶１６．６ｇを得た（収率８９％）。その純度を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定したところ、９９％との結果を得た。融点が１２４．４〜１２５．３℃、イオンクロマトグラフィーによる測定結果から計算した有機ハロゲン含量は、Ｃｌイオン濃度は、１８．７ｐｐｍ、Ｂｒイオン濃度は２０８．１ｐｐｍであった。

・比較例１Ａ
特開２００４−１２３５７３に記載の方法である。
上記で得られた濾液をロータリーエバポレーターにて濃縮し、得られた残留物に攪拌しながら酢酸エチル１０ｍｌとｎ−ヘキサン４０ｍｌの混合溶液を３０分かけて滴下し、そのまま１２時間放置した後、濾過して、得られた結晶を減圧乾燥して目的の化合物（Ａ−１）１５．９ｇを得た（収率８５％）。その純度を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定したところ、９８％との結果を得た。イオンクロマトグラフィーによる測定結果から計算した有機ハロゲン含量は、Ｃｌイオン濃度は、４６．２ｐｐｍ、Ｂｒイオン濃度は４７４．１ｐｐｍであった。

・比較例１Ｂ
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４８，５１３５（１９８３）に記載の方法である。
上記で得られた濾液をロータリーエバポレーターにて残量６０ｇになるまで濃縮した。そのまま１２時間放置した後、濾過して、得られた結晶を減圧乾燥して目的の化合物（Ａ−１）１５．４ｇを得た（収率８２％）。その純度を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定したところ、９２％との結果を得た。イオンクロマトグラフィーによる測定結果から計算した有機ハロゲン含量は、Ｃｌイオン濃度は、８５．９ｐｐｍ、Ｂｒイオン濃度は１９１１．５ｐｐｍであった。

３）結晶形状及び保存安定性の評価
（１）ＸＲＤ回折パターン分析
得られた粒子について、ＸＲＤ回折パターン分析を行い、ブラッグの式より求められるブラッグ角（２θ）が２６°〜２８°のピーク強度を抽出した。
（２）保存安定性
得られた粒子をそれぞれ、相対湿度５０％ＲＨ、２３℃下に１０日間保存した後、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて、化合物Ａ−１の残存量を定量し、分解率を算出した。
分解率（％）＝（（初期化合物Ａ−１量）−（化合物Ａ−１の残存量））／（初期化合物Ａ−１量）×１００

得られた結果を表１に示した。
表１の結果より、本発明例１で得られた結晶は、ＸＲＤ回折パターン分析を行い、２θが２６°〜２８°のピーク強度が６０００ｃｐｓ以上であり、一方、比較例１Ａ及び比較例１Ｂは、ＸＲＤ回折パターン分析を行い、２θが２６°〜２８°のピーク強度が６０００ｃｐｓを下回っていた。本発明例１で得られた結晶は、比較例に比べて、極めて保存安定性に優れていた。

実施例２
１）反応合成
下記式に基づき、例示化合物（Ａ−１６）の合成を行なった。

・中間体の化合物（１６）の合成
３ツ口フラスコに化合物（１４）５５．２ｇ、メタノール５００ｍｌを入れ、室温にて攪拌しながらここへ水酸化ナトリウム４８ｇを１００ｍｌの水に溶かした溶液を３分かけて添加した。そのまま１時間攪拌を続けた後、氷浴に浸し、内温７〜１１℃にて濃塩酸１２３．６ｍｌを滴下した。このものをロータリーエバポレーターで濃縮して得られた残留物をそのまま次工程に供した。

・例示化合物（Ａ−１６）の合成
３ツ口フラスコに先の工程で得られた化合物（１６）を半分に分け、この半分をオルトキシレン３００ｍｌ、活性炭３ｇを入れ、Ｄｉｅｎｓｔａｒｋ−Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒにて水を除去しながら加熱還流下にて攪拌した後、そのまま濾過した。

２）結晶の取りだし
・本発明例１１
上記で得られた濾液をロータリーエバポレーターにて濃縮し、得られた残留物にクロロベンゼン１０ｍｌとシクロヘキサン３０ｍｌの混合溶液を２０分かけて滴下し、完全に溶解した後、種晶として化合物Ａ−２０を０．５ｇ添加し、そのまま１０時間放置した後、濾過して、得られた結晶を減圧乾燥して目的の例示化合物（Ａ−１６）２２．５ｇを得た（化合物（１４）からの収率９５％）。融点が１３０〜１３１℃、その純度を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定したところ、９９％との結果を得た。イオンクロマトグラフィーによる測定結果から計算した有機ハロゲン含量は、Ｃｌイオン濃度は、９．６ｐｐｍ、Ｂｒイオン濃度は１１．５ｐｐｍであった。

・比較例２Ａ
特開２００４−１２３５７３に記載の方法である。
上記で得られた濾液をロータリーエバポレーターにて濃縮し、得られた残留物にクロロベンゼン１０ｍｌとシクロヘキサン３０ｍｌの混合溶液を２０分かけて滴下し、そのまま１０時間放置した後、濾過して、得られた結晶を減圧乾燥して目的の例示化合物（Ａ−１６）２０．６ｇを得た（化合物（１４）からの収率９０％）。融点が１３０〜１３１℃、その純度を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定したところ、９９％との結果を得た。イオンクロマトグラフィーによる測定結果から計算した有機ハロゲン含量は、Ｃｌイオン濃度は、４２１．６ｐｐｍ、Ｂｒイオン濃度は８９．１ｐｐｍであった。

３）結晶形状及び保存安定性の評価
実施例１と同様に、得られた粒子の結晶形状及び保存安定性を調べた。その結果、表２に示すように本発明で得られた結晶は、高い保存安定性を有していた。

Claims (4)

1. 下記一般式（Ｉ）で表され、ＸＲＤ回折パターン分析によるブラッグ角（２θ）が２６°〜２８°におけるピーク強度が６０００ｃｐｓ以上であることを特徴とする化合物：
   
   （一般式（Ｉ）において、Ｒ_１は置換基を表し、ｎ_１は０から３の整数を表す。ｎ_１が２から３のとき、複数のＲ_１は互いに同じでも異なってもよい。Ｒ_２は水素原子、α位にヒドロキシ基を有するアルキル基または下記一般式（ＩＩ）で表される基を表す。）；
   
   （一般式（ＩＩ）において、Ｒ_３、Ｒ_４およびＲ_５は各々独立にアルキル基またはアリール基を表す。）。
2. 有機ハロゲン含有量が４００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
3. 前記一般式（１）において、Ｒ_２が水素原子であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の化合物。
4. 最終物を取り出す工程にて、種結晶を投入し、結晶化させることを特徴とする一般式（Ｉ）で表され、形状がＸＲＤ回折パターン分析によるブラッグ角（２θ）が２６°〜２８°におけるピーク強度が６０００ｃｐｓ以上であることを特徴とする化合物の製造方法：
   
   （一般式（Ｉ）において、Ｒ_１は置換基を表し、ｎ_１は０から３の整数を表す。ｎ_１が２から３のとき、複数のＲ_１は互いに同じでも異なってもよい。Ｒ_２は水素原子、α位にヒドロキシ基を有するアルキル基または下記一般式（ＩＩ）で表される基を表す。）；
   
   （一般式（ＩＩ）において、Ｒ_３、Ｒ_４およびＲ_５は各々独立にアルキル基またはアリール基を表す。）。