JP2010067343A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体集積回路は、一対の電源配線(10,11)と、複数個のスタティックメモリセル(18)と、前記電源配線から前記スタティックメモリセルに印加する動作電圧を制御する電圧制御回路(20)と、前記電源配線の電圧をモニタするモニタ回路(21)と、動作モードを制御するモード制御回路(5)と、を含む。モニタ回路は、前記一対の電源配線間の電位差が縮小する変化を検出することが可能である。電圧制御回路は、モード制御回路による低消費電力モードの指示に応答してスタティックメモリセルの一対の電源ノードの電位差を小さくする方向に制御し、モニタ回路による前記一対の電源配線間の電位差縮小の検出に応答してスタティックメモリセルの一対の電源ノードの電位差を大きくする方向に制御することが可能である。
【選択図】図1
Description
2 中央処理装置
3 SRAM
4 クロックパルスジェネレータ
5 システムコントローラ
6 レギュレータ
VDD 外部電源電圧
VIM 内部電源電圧
CK1,CK2 クロック信号
RES リセット信号
STBY スタンバイ信号
stby 内部スタンバイ信号
IRQ 割込み要求信号
irq 割り込み信号
act1 制御信号
act2 SRAMに対するスタンバイ制御信号
10 内部電源側の電源配線
11 接地電位側の電源配線
17 メモリアレイ
18 メモリセル
20 電圧制御回路
20A サブスレッショルドリーク対策用の可変インピーダンス回路
20B 記憶保持電圧低下対策用の可変インピーダンス回路
SW1 サブスレッショルドリーク対策用の可変インピーダンス回路のスイッチ
SW2 記憶保持電圧低下対策用の可変インピーダンス回路のスイッチ
SW3 SW1とSW2を兼用するスイッチ
21 モニタ回路
21A 内部電源電圧の降圧検出回路
21B 接地電位の上昇検出回路
ip モニタ回路からの検出信号
arvss スタティックメモリセルの接地電位側の電源ノード
arvdd スタティックメモリセルの内部電源側の電源ノード
Claims (2)
- 接地配線とこの接地配線より高い電圧を供給する電源配線と、接地ノードと電源ノードを有する複数個のスタティックメモリセルと、前記電源配線から前記スタティックメモリセルに印加する電圧を制御する電圧制御回路と、前記電源配線の電圧をモニタするモニタ回路と、複数の動作モードを制御するモード制御回路と、を含む半導体集積回路であって、
前記モード制御回路は、半導体集積回路の低消費電力モードを制御することが可能であり、
前記モニタ回路は、前記電源配線の電圧低下を検出することが可能であり、
前記電圧制御回路は、前記モード制御回路による低消費電力モードの指示に応答して前記スタティックメモリセルの前記電源ノードの電圧を降下する方向に制御し、前記モニタ回路による前記電源配線の電圧降下に応答して前記スタティックメモリセルの前記電源地ノードの電圧を上昇する方向に制御することが可能である、半導体集積回路。 - 一対の電源配線と、複数個のスタティックメモリセルと、前記電源配線から前記スタティックメモリセルに印加する動作電圧を制御する電圧制御回路と、前記電源配線の電圧をモニタするモニタ回路と、複数の動作モードを制御するモード制御回路と、を含む半導体集積回路であって、
前記モード制御回路は、半導体集積回路の低消費電力モードを制御することが可能であり、
前記モニタ回路は、前記一対の電源配線間の電位差が縮小する変化を検出することが可能であり、
前記電圧制御回路は、前記モード制御回路による低消費電力モードの指示に応答して前記スタティックメモリセルの一対の電源ノードの電位差を小さくする方向に制御し、前記モニタ回路による前記一対の電源配線間の電位差縮小の検出に応答して前記スタティックメモリセルの一対の電源ノードの電位差を大きくする方向に制御することが可能であり、
前記電圧制御回路は、前記スタティックメモリセルに電源電位を印加する経路に配置された可変インピーダンス回路であり、
前記可変インピーダンス回路は、スタティックメモリセルから見て高インピーダンス状態にされることによってpチャンネル型MOSトランジスタの閾値電圧を大きくする方向に制御し、スタティックメモリセルから見て低インピーダンス状態にされることによってpチャンネル型MOSトランジスタの閾値電圧を小さくする方向に制御する、半導体集積回路。
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2009
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