JP2010050454A - リソグラフィ装置、乾燥デバイス、メトロロジー装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置、乾燥デバイス、メトロロジー装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010050454A JP2010050454A JP2009186941A JP2009186941A JP2010050454A JP 2010050454 A JP2010050454 A JP 2010050454A JP 2009186941 A JP2009186941 A JP 2009186941A JP 2009186941 A JP2009186941 A JP 2009186941A JP 2010050454 A JP2010050454 A JP 2010050454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- flow
- gas
- substrate
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D19/00—Degasification of liquids
- B01D19/0021—Degasification of liquids by bringing the liquid in a thin layer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】液体の豊富な流れを優先的に表面に沿って流すことにより、2相流を液体の豊富な流れと気体の豊富な流れに分離する液浸リソグラフィ装置。
【選択図】図8
Description
− 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)IL、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MT、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WT、及び
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSを備える。
1.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(つまり単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
Claims (20)
- 基板を保持する基板テーブルと、
前記基板の、若しくは前記基板テーブルによって保持された基板の表面、又は前記基板テーブル及び前記基板の両方から、2相流で液体及び気体を除去するハンドリング構造であって、該ハンドリング構造は、表面を有し且つ前記2相流を第一流れと第二流れに分離する相分離器を備え、前記第一流れが前記2相流より高い液体対気体比を有し且つ前記表面に沿って流れ、前記第二流れが前記2相流より高い気体対液体比を有する、流体ハンドリング構造と、を備えるリソグラフィ装置。 - 前記相分離器が、第一及び第二壁を有し且つ液体が優先的に該第一壁に沿って流れるように構成された流路を備え、前記第一壁が前記表面を画定する、請求項1に記載の装置。
- 前記相分離器が、前記第一壁に沿って流れる前記液体が入るように構成されたウェットチャンバをさらに備える、請求項2に記載の装置。
- 前記ウェットチャンバが、前記第一壁及び仕切りにより画定されたスリットによって前記流路に接続される、請求項3に記載の装置。
- 前記流路が前記ウェットチャンバに入る点にて前記第一壁が前記第二壁より低くなるように、前記第一壁が湾曲する、請求項3又は4に記載の装置。
- 前記相分離器が、疎液性通気膜によって前記ウェットチャンバから分離された気体抽出流路をさらに備える、請求項3から5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記相分離器が、前記ウェットチャンバの壁に画定された液体抽出開口をさらに備え、前記液体抽出開口が前記疎液性通気膜より低くなっている、請求項6に記載の装置。
- 前記相分離器が排液経路をさらに備え、それによって液体を前記ウェットチャンバから、前記基板とパターン付き放射ビームを前記基板に投影するように構成された投影システムとの間の空間に排液することができる、請求項6又は7に記載の装置。
- 前記相分離器が、前記第二壁の開口を介して前記流路に接続されたドライチャンバをさらに備える、請求項2から8のいずれか1項に記載の装置。
- 前記相分離器が、第一及び第二壁によって画定されたチャンバ、及び前記第二壁を通して前記チャンバに入る複数の流路を備え、前記流路が、前記第二壁に対してある角度に配置され、したがって前記流路から前記チャンバに入る2相流が、少なくとも部分的に前記第一壁に沿った液体の流れと前記第二壁に沿った気体の流れに分離する、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 前記相分離器が、壁によって画定され且つその長さの少なくとも一部にわたって実質的に円形の断面を有する導管と、前記壁に設けられた実質的に螺旋形の構造とを備える、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 前記相分離器が、前記気体抽出導管の外面と前記導管の内面との間に環状ギャップを画定するように、前記導管の一部の中に配置された気体抽出導管をさらに備える、請求項11に記載の装置。
- 前記表面が部分的に、抽出できる液体が通る多孔質部材、望ましくは板によって画定される、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 前記相分離器が、追加の気体を前記2相流に追加する気体供給部をさらに備える、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 表面から2相流で液体及び気体を除去する流体ハンドリング構造であって、表面を有し且つ前記2相流を第一流れと第二流れに分離する相分離器を備え、前記第一流れが前記2相流より高い液体対気体比を有し且つ前記表面に沿って流れ、前記第二流れが前記2相流より高い気体対液体比を有する、流体ハンドリング構造。
- 請求項15に記載の流体ハンドリング構造を備える乾燥デバイス。
- 請求項15に記載の流体ハンドリング構造を備える液浸メトロロジーデバイス。
- 基板に隣接する空間に閉じ込められた液体を通してパターンの像を前記基板に投影し、
気体を有する2相流で前記基板から液体を除去し、
前記2相流を第一流れと第二流れに分離することを含み、前記第一流れが、前記2相流より高い液体対気体比を有し且つ表面に沿って流れ、前記第二流れが、前記2相流より高い気体対液体比を有する、デバイス製造方法。 - 前記投影及び除去が同時に実行される、又は前記除去が前記投影を実行した後に実行される、請求項18に記載の方法。
- 多孔板によって2つの部分に分割された導管又はチャンバであって、第一部分が実質的に液体で充填される導管又はチャンバと、
前記第一部分を部分的に画定する前記多孔板の表面に気泡が残るのを実質的に防止するように、液体を前記第一部分に供給し、前記液体中にカレントを発生するカレント発生器と、を備える液体気体分離器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13621608P | 2008-08-19 | 2008-08-19 | |
US61/136,216 | 2008-08-19 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012157590A Division JP2012238868A (ja) | 2008-08-19 | 2012-07-13 | リソグラフィ装置、乾燥デバイス、メトロロジー装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010050454A true JP2010050454A (ja) | 2010-03-04 |
JP5044615B2 JP5044615B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=41696074
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009186941A Active JP5044615B2 (ja) | 2008-08-19 | 2009-08-12 | リソグラフィ装置 |
JP2012157590A Withdrawn JP2012238868A (ja) | 2008-08-19 | 2012-07-13 | リソグラフィ装置、乾燥デバイス、メトロロジー装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012157590A Withdrawn JP2012238868A (ja) | 2008-08-19 | 2012-07-13 | リソグラフィ装置、乾燥デバイス、メトロロジー装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8953142B2 (ja) |
JP (2) | JP5044615B2 (ja) |
NL (1) | NL2003226A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011014902A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び2相流内の流量を測定する方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8477284B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
US8634055B2 (en) * | 2008-10-22 | 2014-01-21 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
US8953143B2 (en) * | 2009-04-24 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Liquid immersion member |
US20110222031A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US8937703B2 (en) * | 2010-07-14 | 2015-01-20 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120012191A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019803A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019802A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
CN102707580B (zh) * | 2012-05-30 | 2014-01-29 | 浙江大学 | 用于浸没式光刻机的气密封和气液分离回收装置 |
JP6216460B2 (ja) | 2013-08-30 | 2017-10-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 液浸リソグラフィ装置 |
NL2014893A (en) | 2014-07-04 | 2016-03-31 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
CN107561865B (zh) * | 2016-06-30 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种流体抽排装置和一种浸没式光刻机 |
JP6720752B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-07-08 | 富士通株式会社 | 液浸冷却装置、液浸冷却システム、及び液浸冷却装置の制御方法 |
US11066335B2 (en) | 2017-09-06 | 2021-07-20 | General Electric Company | Articles for creating hollow structures in ceramic matrix composites |
CN114051599A (zh) * | 2019-07-19 | 2022-02-15 | Asml荷兰有限公司 | 温度调节系统 |
CN113138541B (zh) * | 2020-01-17 | 2022-02-01 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种具有新型抽排腔的浸液供给回收装置 |
CN112068401B (zh) * | 2020-09-03 | 2023-08-11 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种具有气液隔离抽排功能的浸液供给回收装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005191344A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005268742A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2006060223A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007142428A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Asml Netherlands Bv | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007318117A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008078648A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008131045A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009267405A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィに関する方法及び液浸リソグラフィ装置 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US6004386A (en) * | 1995-06-21 | 1999-12-21 | Revtech Industries, Inc. | Apparatus for creating gas-liquid interfacial contact conditions for highly efficient mass transfer |
EP1053520A1 (en) | 1998-02-03 | 2000-11-22 | Invibro Ltd. | System and method for vibro generation |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100470367C (zh) | 2002-11-12 | 2009-03-18 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101288140B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2013-07-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4319189B2 (ja) * | 2004-01-26 | 2009-08-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7481867B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8692973B2 (en) * | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US7428038B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
JP4802604B2 (ja) | 2005-08-17 | 2011-10-26 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US7804577B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US8004651B2 (en) * | 2007-01-23 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
JP2009260264A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-11-05 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009267235A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Canon Inc | 露光装置 |
NL2003392A (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
US8634055B2 (en) * | 2008-10-22 | 2014-01-21 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
US8477284B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
US8953143B2 (en) * | 2009-04-24 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Liquid immersion member |
NL2005167A (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-05 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL2006054A (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-10 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US20120013863A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120013864A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US8937703B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-01-20 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120012191A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019802A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019804A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019803A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120162619A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium |
JP5241862B2 (ja) * | 2011-01-01 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2014011207A (ja) | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Nikon Corp | 露光装置、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法 |
US9823580B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-11-21 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US9568828B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9494870B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
JP2014120693A (ja) | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Nikon Corp | 液浸部材、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 |
JP2014154700A (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 |
-
2009
- 2009-07-17 NL NL2003226A patent/NL2003226A/en not_active Application Discontinuation
- 2009-08-12 JP JP2009186941A patent/JP5044615B2/ja active Active
- 2009-08-18 US US12/543,011 patent/US8953142B2/en active Active
-
2012
- 2012-07-13 JP JP2012157590A patent/JP2012238868A/ja not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-09-26 US US14/498,883 patent/US9606429B2/en active Active
-
2017
- 2017-03-07 US US15/452,445 patent/US10018925B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-14 US US16/008,355 patent/US20180292762A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268742A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2005191344A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006060223A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007142428A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Asml Netherlands Bv | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007318117A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008078648A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008131045A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009267405A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィに関する方法及び液浸リソグラフィ装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011014902A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び2相流内の流量を測定する方法 |
US8446561B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100045950A1 (en) | 2010-02-25 |
US10018925B2 (en) | 2018-07-10 |
US20180292762A1 (en) | 2018-10-11 |
JP2012238868A (ja) | 2012-12-06 |
JP5044615B2 (ja) | 2012-10-10 |
US20150015857A1 (en) | 2015-01-15 |
US20170192365A1 (en) | 2017-07-06 |
US8953142B2 (en) | 2015-02-10 |
US9606429B2 (en) | 2017-03-28 |
NL2003226A (en) | 2010-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5044615B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP6259489B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5474524B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5383739B2 (ja) | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR101120612B1 (ko) | 기판 테이블, 액침 리소그래피 장치, 및 다바이스 제조 방법 | |
JP5290333B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5065432B2 (ja) | 流体ハンドリングデバイス、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010147466A (ja) | 流体ハンドリング構造、テーブル、リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110922 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111215 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120322 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120614 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5044615 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |