JP2010050247A - Ｔａｂテープおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導体パターンやソルダレジストパターンの設計上の自由度の向上、製造工程の短縮化、ならびに製造コストの低廉化を実現可能としたＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性フィルム基板１の表裏両面にそれぞれ張り合わされた銅箔１１ａ、１１ｂのうちの少なくとも片面の銅箔１１ａにパターン加工を施して、インナーリード９を含む導体パターン２ａを形成する工程と、絶縁性フィルム基板１の表裏両面にそれぞれソルダレジストパターンを形成する工程と、前記絶縁性フィルム基板１の有機材料における分子結合を光分解によって解離することを主体として当該絶縁性フィルム基板１にデバイスホール５の穴開け加工を行うことが可能な光量子エネルギを有するレーザ光の照射によって、前記絶縁性フィルム基板１における前記インナーリード９の先端を含む所定位置にデバイスホール５を形成する工程とを含む製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えばポリイミドのような絶縁性フィルム基板の表裏両面に導体層が形成され、そのうちの片面の導体層にはデバイスホールにオーバーハングするようにいわゆるフライングリード構造のインナーリードが形成され、かつ導体層上にはソルダレジストパターンが形成された構造を有しており、例えば液晶駆動用ＩＣのような半導体素子がデバイスホール内に実装されるように設定された、ＴＡＢテープおよびその製造方法に関する。

近年、この種のＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープでは、実装される半導体素子の多様化・高性能化等に伴って、配線パターンやインナーリード等のさらなる高密度化が要請されるようになってきている。このため、近年では両面配線ＴＡＢテープが、いわゆるハイエンド製品向けに好適なものとして注目され、その需要もさらなる拡大傾向にある。

図６は、従来のＴＡＢテープを用いて作製された半導体実装パッケージの主要部の構造の一例を示す図、図７および図８は、そのＴＡＢテープの製造工程の主要な流れを示す図である。
図６に一例を示したように、ＴＡＢテープに半導体チップ２００のような半導体素子を実装してなる半導体実装パッケージは、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）と呼ばれる、極めて小型・薄型の実装パッケージである。

そのＴＣＰに用いられるＴＡＢテープは、例えばポリイミドフィルムのような所定の機械的強度や電気的絶縁性等を有する有機材料からなる絶縁性フィルム基板１０１に穴開け加工を施してなるデバイスホール１０４と呼はれる貫通孔の領域内に、ボンディング用のフライングリード構造のインナーリード１０３が、オーバーハングした状態で突出したような構造になっている。絶縁性フィルム基板１０１の表裏両面には、配線パターン等を有する導体パターン１０２（１０２ａ、１０２ｂ；以下同様）が、それぞれ形成されている。ここで、絶縁性フィルム基板１０１のインナーリード１０３が形成された方の面を第１配線面と呼び、その裏面を第２配線面と呼ぶものとする。また、第１配線面側に設けられた部位にはその符号にａを添付し、第２配線面側に設けられた部位にはその符号にｂを添付して表記し、またそれら両面の同様の部位を総称する場合には、その符号のみを表記するものとする（以下同様）。

絶縁性フィルム基板１０１の第２配線面には、デバイスホール１０４の周囲をあたかも縁取るような、幅０．３ｍｍ以上の窓枠状の、縁取パターン１０５が設けられている。これは後述するように、デバイスホール１０４をレーザ光の照射によって形成する際に用いられるものである。
絶縁性フィルム基板１０１の長手方向両辺にそれぞれ沿って、所定の間隔ごとに、スプロケットホール１１２が設けられている。
ＴＣＰは、上記のようなＴＡＢテープのデバイスホール１０４内に半導体チップ２００を配置し、チップバンプ２０１を介して半導体チップ２００とインナーリード１０３とを接合させた構造となっている。

片面配線のＴＡＢテープの場合には、図示は省略するが、まず接着剤付きの絶縁性フィルム基板に金型で打ち抜き加工を施して、デバイスホールと共にスプロケットホールのような必要な治具穴等を形成する。続いて、銅箔を絶縁性フィルム基板の接着剤面に貼付し、フォトエッチングプロセス等によってその銅箔をパターン加工して配線パターンを形成
する。その後、その配線パターン上にソルダレジストと呼ばれる回路保護用の樹脂をスクリーン印刷法などによって形成する。そして、そのソルダレジストで覆われておらずに敢えて露出させた部分の導体パターンの表面上に、錫めっきや金／ニッケルめっきを析出させることで、その主要部が完成する。

しかし、両面配線のＴＡＢテープの製造方法の場合は、片面配線の場合と比べて、かなり複雑なものとならざるを得ない。
両面配線のＴＡＢテープの製造方法では、図７および図８に示したように、まず、製造開始材料として、銅箔１０６ａ／絶縁性フィルム基板１０１／銅箔１０６ｂという３層構造のいわゆる両面銅張基板を用意する（図７（ａ））。
その両面銅張基板に、スプロケットホール１１２などの必要治具穴、認識穴（図示省略）などを、金型（図示省略）を用いた打ち抜き加工法によって形成する（図７（ｂ））。
続いて、炭酸ガスレーザ光を用いて導通用ビア穴１０８を形成する。その導通用ビア１０８を介して表裏の銅箔１０６（導体パターン１０２）同士の電気的導通を取るために、銅めっき１０７を、導通用ビア穴１０８がスルーホールの場合には両面に、ブラインドビアの場合には片面（第２配線面側）に施すことで、フィルドビア１０９を形成する（図７（ｃ））。
その後、銅箔１０６ｂおよびその表面上に析出してなる銅めっき１０７における、デバイスホール１０４を形成する予定の位置に、フォトエッチング法等により開口１１３を形成する（図７（ｄ））。

そして、その開口１１３によって露出した部分の絶縁性フィルム基板１０１にレーザ光を照射し、主にそのレーザ光の熱による絶縁性フィルム基板１０１の溶融・昇華によって、デバイスホール１０４を形成する（図７（ｅ））。
このレーザ光としては、一般に、炭酸ガスレーザが用いられる。炭酸ガスレーザを用いたデバイスホール１０４の穴開けの際には、そのデバイスホール１０４の形状を微細に制御することが困難であるため、フォトエッチング法などによって形成された開口１１３を有する縁取パターン１０５を、レーザ光の照射マスクとして用いることが必須となる。

このようにしてレーザ光を用いてデバイスホール１０４を形成し、そのレーザ加工で発生した残渣のデスミアおよび洗浄等を行った後、銅箔１０６ａ、および銅箔１０６ｂと銅めっき１０７との積層体に、それぞれフォトエッチング法等によってパターン加工を施すことにより、導体パターン１０２およびインナーリード１０３を形成する（図７（ｆ））。

その後、片面配線ＴＡＢテープの場合と同様に、液状のソルダレジスト１１０をスクリーン印刷法などによって形成し（図８（ａ）ではソルダレジスト１１０ａ、図８（ｃ）ではソルダレジスト１１０ｂ）、そのソルダレジスト１１０がフォトソルダレジストタイプである場合にはそのパターニングを行ってソルダレジストパターン１１１を形成する（図８（ｂ）ではソルダレジストパターン１１１ａ、図８（ｄ）ではソルダレジストパターン１１１ｂ）。
続いて、錫めっきや金／ニッケルめっき等（図示省略）をソルダレジストパターン１１１で覆われていない部分の導体パターン１０２上に析出させて、従来のＴＡＢテープの主要部が完成する。

上記のようなＴＡＢテープの製造方法においては、デバイスホール１０４の穴開け加工は、一般に炭酸ガスレーザを用いて行うことが主流となっている。炭酸ガスレーザを用いた加工プロセスでは、主にその熱エネルギによる絶縁性フィルム基板１０１の溶融・昇華によって、言うなれば絶縁性フィルム基板１０１を焼き切るようにして穴開け加工が行われるので、それによって得られるデバイスホール１０４などのパターンの、特にエッジ部
分の形状を精緻に制御することは困難である。而して炭酸ガスレーザを用いた加工では、その波長（９．４μｍ程度）のレーザ光が吸収されるのは有機樹脂等からなる絶縁性フィルム基板１０１であり、レーザ光を吸収しない銅箔１０６（導体パターン１０２）のような金属箔の表面では、レーザ光が反射されるので、そのレーザ光の主に熱エネルギによる穴開け等の加工は行われない。この性質を利用して、銅箔１０６ｂ（導体パターン１０２ｂ）および銅めっき１０７をフォトエッチング法等によりパターン加工してなる縁取パターン１０５をデバイスホール１０４の周囲を縁取るように形成しておき、その縁取パターン１０５をデバイスホール１０４の形成の際にレーザ光のマスクとして用いることにより、デバイスホール１０４を縁取パターン１０５に沿ったパターンに加工するようにしていた（以上、特許文献１参照）。

特開平１１−２０４５８６号公報

しかしながら、デバイスホール１０４を所望のパターンに加工するためには、デバイスホール１０４の周囲を縁取るように幅０．３ｍｍ以上の縁取パターン１０５を設けることが、実際上、必須のものとなるが、斯様な縁取パターン１０５を第２配線面に設けると、少なくともその部分およびその近傍には本来の電気的配線のための配線パターンのような導体パターン１０２ｂを形成することができなくなり、またその縁取パターン１０５に接触しないように、所定の間隔を置いてその縁取パターン１０５を迂回して配線パターンとしての導体パターン１０２ｂをレイアウトしなければならなくなるので、その部分での配線設計の自由度が著しく制約されてしまうという問題がある。また逆に、デバイスホール１０４の周囲には導体を設けないようにすることが要請される場合もあるが、斯様な要請に対応することは不可能であり（何故なら縁取パターン１０５が既にデバイスホール１０４の周囲に設けられているのであるから）、この点からも、設計上の著しい制約となるという問題がある。

また、縁取パターン１０５は、レジストコート、露光、現像、ウェットエッチング、レジスト除去などの多数の煩雑な工程を経て、銅箔１０６ｂと銅めっき１０７との積層体をパターン加工することで形成される。このため、斯様な縁取パターン１０５の形成を含んだＴＡＢテープの製造工程や工期が、長くかつ煩雑なものとなるという問題があり、延いてはそれが製造コストの高額化につながることとなる。

また、液状のソルダレジスト１１０は一般に、スクリーン印刷技術等を用いて塗布されるが、その塗布直後には未硬化で流動的な状態となっている。このため、ソルダレジスト１１０の滲みや流れ出しが大きく、また印刷による元々の塗布位置の精緻な制御も困難である。従って、斯様な不都合を克服するためには、ソルダレジスト１１０を、その端辺とデバイスホール１０４の端辺との距離が０．４５ｍｍ以上となるように塗布しなければならない。このような距離を取らなければ、塗布した液状のソルダレジスト１１０が、デバイスホール１０４を通してその反対側の面へと流れ込む、あるいは印刷機のステージを介しての転写の際などにその反対側の面に付着するなどして、ソルダレジスト１１０の塗布不良が生じる虞が極めて高くなるからである。
ところが、このような距離を取ることが必要であることに起因して、ソルダレジスト１１０またはそれをパターニングしてなるソルダレジストパターン１１１で覆うことができる領域が制約されてしまうという問題がある。

あるいは、斯様な液状のソルダレジストを使用することに起因した制約は、ドライフィルムタイプのソルダレジストを採用することで、克服できるようにも考えられる。しかし、デバイスホール１０４には、既にフライングリード構造のインナーリード１０３が形成
されているため、ドライフィルムタイプのソルダレジストを貼り付ける際に、そのフライングリード構造のインナーリード１０３が押し曲げられてしまう虞が極めて高い。このため、上記のような従来のＴＡＢテープの製造方法では、ドライフィルムタイプのソルダレジストは、実際には使用することができなかった。

本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、上記のような制約から解放されて、導体パターン（配線パターン）やソルダレジストパターンの設計上の自由度の向上およびその製造工程・工期の短縮化ならびに製造コストの低廉化を実現可能とした、ＴＡＢテープおよびその製造方法を提供することにある。

本発明のＴＡＢテープは、デバイスホールが設けられた有機材料からなる絶縁性フィルム基板と、前記絶縁性フィルム基板の両面にそれぞれ設けられた導体層と、前記絶縁性フィルム基板の片面にて前記導体層に連なると共に前記デバイスホール内にオーバーハング状に突出するように設けられたフライングリード構造のインナーリードと、前記導体層上を含む前記絶縁性フィルム基板上に形成されたソルダレジストパターンとを有するＴＡＢテープであって、前記ソルダレジストパターンにおける前記デバイスホール寄りの端辺と当該デバイスホールの端辺との間の距離が、０．０４５ｍｍ以上０．４５ｍｍ未満であることを特徴としている。
本発明のＴＡＢテープの製造方法は、絶縁性フィルム基板の表裏両面にそれぞれ張り合わされた金属箔からなる導体層のうちの少なくとも片面の導体層にパターン加工を施して、フライングリード構造のインナーリードを含む導体パターンを形成する工程と、前記導体層にパターン加工を施した後、前記絶縁性フィルム基板の表裏両面にそれぞれソルダレジストパターンを形成する工程と、前記ソルダレジストパターンを形成した後、前記絶縁性フィルム基板の有機材料における分子結合を光分解によって解離することを主体として当該絶縁性フィルム基板にデバイスホールの形成加工を行うことが可能な光量子エネルギを有するレーザ光の照射によって、前記絶縁性フィルム基板における前記インナーリードの先端を含む所定位置にデバイスホールを形成する工程とを含むことを特徴としている。

本発明によれば、ソルダレジストパターンを形成した後、絶縁性フィルム基板の有機材料における分子結合を光分解によって解離することでその絶縁性フィルム基板にデバイスホールの穴開け加工を行うことが可能な光量子エネルギを有するレーザ光の照射によって、絶縁性フィルム基板におけるインナーリードの先端を含む所定位置にデバイスホールを形成するようにし、またそれによりソルダレジストパターンのデバイスホール寄りの端辺と前記デバイスホールのソルダレジストパターン寄りの端辺との間の距離を０．４５ｍｍ未満とすることが可能となるようにしたので、従来の技術では縁取パターンの形成が必須であることに起因して制約の多かった、配線パターンやソルダレジストパターンの設計上の自由度の向上およびその製造工程・工期の短縮化ならびに製造コストの低廉化を、実現することができる。

以下、本実施の形態に係るＴＡＢテープおよびその製造方法について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープの主要部の構造を示す図、図２は、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープの製造工程の主要な流れを示す図、図３は、図２に引き続いて、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープの製造工程の主要な流れを示す図、図４は、本発明の実施の形態に係る設定によるレーザ光のビーム径Ｌと照射ピッチＷ１との関係（ａ）およびそれによって形成されるデバイスホールのエッジの加工線（ｂ）を模式的に示す図、図４は、レーザ光のビーム照射径Ｌと照射ピッチＷ１との関係（ａ）およ
びその設定で得られるデバイスホールのエッジの加工線（ｂ）を示す図、図５は、比較のために敢えて本発明の実施の形態とは異なる設定とした場合のレーザ光のビーム照射径Ｌと照射ピッチＷ２との関係（ａ）およびその設定で得られるデバイスホールのエッジの加工線（ｂ）を模式的に示す図である。

本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープは、図１に示したように、絶縁性フィルム基板１と、導体パターン（導体層）２と、銅めっき３と、フィリングビア４と、デバイスホール５と、導通用ビア穴６と、スプロケットホール７と、インナーリード９と、ソルダレジストパターン１０とを、その主要な構成要素として備えている。

絶縁性フィルム基板１は、貫通孔状のデバイスホール５が設けられた、例えばポリイミドフィルムのような有機材料からなる基板（あるいはＴＡＢテープの場合には基材とも呼ぶ）である。

導体パターン２（２ａ、２ｂ）は、絶縁性フィルム基板１の表裏両面に、それぞれ設けられたものである。ここで、便宜上、絶縁性フィルム基板１のインナーリード９が形成された方の面を第１配線面と呼び、その裏面を第２配線面と呼ぶものとする。そして、第１配線面側に設けられた部位にはその符号にａを添付し、第２配線面側に設けられた部位にはその符号にｂを添付して表記し、またそれら両面の同様の部位を総称する場合には、その符号のみを表記するものとする（以下同様）。
この導体パターン２は、絶縁性フィルム基板１の表裏に張り合わされた銅箔１１のような導体箔を例えばフォトエッチング法などによってパターン加工して形成されたもので、主に電気的配線のための配線パターンとして形成されている。

銅めっき３は、導通用ビア穴６に銅を充填することでフィリングビア４を形成する際に、導体パターン２ｂの表面に析出してなるものである。導体パターン２ｂとその表面に析出した銅めっき３とからなる積層体１２が、第２配線面における実質的な配線パターン等を構成する。

フィリングビア４は、上記のように銅めっき３の銅を導通用ビア穴６内に充填して形成されたもので、第１配線面側の導体パターン２ａと第２配線面側の導体パターン２ｂとの間の電気的な導通（いわゆる層間接続）を成すためのものである。

デバイスホール５は、絶縁性フィルム基板１の所定位置に、後述するようなレーザ光を用いたレーザ穴開け加工によって、従来の技術の場合のような縁取パターンなどは全く必要とすることなしに、特にそのエッジ部分および内壁面が、スミアのような加工残渣等の残留の殆どない、所望の滑らかで明確な形状や表面状態に形成されている。

導通用ビア穴６は、例えば上記のデバイスホール５の形成で用いたものと同様のレーザ光を用いて、所定の位置に設けられたものである。

スプロケットホール７は、一般的な構成のＴＡＢテープの場合と同様に、このＴＡＢテープの自動搬送用などに用いられる、いわゆる送り穴である。

インナーリード９は、絶縁性フィルム基板１における第１配線面上の導体パターン２ａに連なると共に、デバイスホール５内にオーバーハング状に突出するように設けられたフライングリード構造のもので、このインナーリード９に、例えば液晶駆動用ＩＣのような半導体素子がチップバンプ（いずれも図示省略）を介して接続されるように設定されている。

ソルダレジストパターン１０は、導体パターン２上を含む絶縁性フィルム基板１上に形成されて、主に導体パターン２の機械的強度および電気的絶縁性を補強するためのものである。
このソルダレジストパターン１０における、デバイスホール５寄りの（デバイスホール５に最も近い）端辺８−１とそのソルダレジストパターン１０に最も近いデバイスホール５の端辺８−２との間の距離ｄは、０．０４５ｍｍ以上０．４５ｍｍ未満の寸法となっている。
このソルダレジストパターン１０は、後述するような本発明の実施の形態に係るレーザ光を用いた加工プロセスを含んだ製造方法を採用することによって、従来のＴＡＢテープおよびその製造方法では困難であった、液状タイプまたはドライフィルムタイプのフォトソルダレジスト１３をフォトリソグラフィ法等によってパターン加工して、上記のようなデバイスホール５との距離ｄを飛躍的に短縮化してなるソルダレジストパターン１０とすることが可能となる。ここで、このソルダレジストパターン１０の形成位置や形状等についての必要十分なパターン形成精度を確保することが可能であるならば、印刷法などにより、そのときの印刷に適合したインキ状のソルダレジストを印刷することで、所望のパターンのソルダレジストパターン１０を形成するようにしてもよい。但し、このソルダレジストパターン１０の形成位置および形状を可能な限り精緻に制御する、という観点からは、液状タイプまたはドライフィルムタイプのフォトソルダレジストを用いることが、より望ましい。

本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープの製造方法は、インナーリード（および導体パターン）形成工程と、ソルダレジストパターン形成工程と、デバイスホール形成工程とを、その主要な工程として有している。

インナーリード形成工程は、絶縁性フィルム基板１の表裏両面にそれぞれ張り合わされた銅箔１１のような金属箔からなる導体層のうちの第１配線面側の導体層である銅箔１１ａにパターン加工を施して、フライングリード構造のインナーリード９を含む導体パターン２ａを形成し、また銅箔１１ｂおよび銅めっき３からなる積層体１２にパターン加工を施して、導体パターン２ｂを形成する工程である（図２（ａ）〜図２（ｄ））。

ソルダレジストパターン形成工程は、銅箔１１にパターン加工を施して導体パターン２を形成した後、絶縁性フィルム基板１の表裏両面にそれぞれソルダレジストパターン１０を形成する工程である（図３（ａ）〜図３（ｄ））。
さらに具体的には、この工程では、例えば液状またはドライフィルム状のフォトソルダレジスト１３をパターン加工して、ソルダレジストパターン１０を形成する。このとき、ソルダレジストパターン１０におけるデバイスホール５が形成される予定の領域の外縁に最も近い端辺８−１とそのデバイスホール５が形成される予定の領域の外縁（端辺）８−２との間の距離ｄを、０．０４５ｍｍ以上０．４５ｍｍ未満の寸法に設定することができる。これは、このソルダレジストパターン形成工程が行われる段階では、従来の技術の場合とは全く異なり、未だデバイスホール５が設けられていないので、例えば第１配線面側に塗布または印刷された液状のフォトソルダレジスト１３がデバイスホール５を通って第２配線面側へと流れ込むなどしてその第２配線面を汚染するといった不都合な事態が発生する虞が全くないため、ソルダレジストパターン１０の端辺８−１を、従来の技術の場合のようなデバイスホール５の端辺（外縁）８−２に対して０．４５ｍｍ以上のような比較的大きな距離の余裕を持たせて配置しなくても済むこととなるからである。

デバイスホール形成工程は、ソルダレジストパターン１０を形成した後、絶縁性フィルム基板１を構成している例えばポリイミドのような有機材料における分子結合を光分解によって解離することが可能な光量子エネルギを有するレーザ光を、絶縁性フィルム基板１のデバイスホール５が形成される予定の位置に照射することによって、その絶縁性フィル
ム基板１におけるインナーリード９の先端を含む所定位置に、そのインナーリード９をオーバーハングしたような状態で突出させるデバイスホール５を形成する工程である（図３（ｅ））。

さらに具体的には、この工程では、レーザ光として、２４８ｎｍ以上１０６５ｎｍ以下の波長のＵＶレーザ光を好適に用いることができる。また、ソルダレジストパターン１０におけるデバイスホール５寄りの端辺８−１とデバイスホール５の端辺８−２との間の距離ｄが０．０４５ｍｍ以上０．４５ｍｍ未満となるように、そのレーザ光の照射位置精度の許す限り、ソルダレジストパターン１０の端辺８−１ぎりぎりまでの大きさとなるように、デバイスホール５を形成することができる。つまり、上記の距離ｄの下限値である０．０４５ｍｍとは、実用上現時点で可能なレーザ光の照射位置精度およびフォトソルダレジスト１３の露光精度等を総合的に勘案して得られる望ましい数値的態様の最良値である。また、上記の距離ｄの上限値である０．４５ｍｍとは、従来のＴＡＢテープで必須とされていた距離ｄの最低限確保しなければならない必須条件的な値であり、従って、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープの製造方法によれば、そのような従来の技術における距離ｄの制約を打破することができる、ということである。なお、距離ｄの、さらに望ましい上限値としては、０．１５ｍｍであることを、我々は種々の実験およびそれに対する技術的評価・考察等により確認している。すなわち、上記の距離ｄは、０．０４５ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下とすることが、さらに望ましい。これは、このような上限値（０．１５ｍｍ）とすることにより、ソルダレジストパターン１０のパターニングの自由度を実用上、極限まで向上せしめることができるからである。また、それと共に、ソルダレジストパターン１０による導体パターン２やインナーリード９等の保護エリアを、実用上、極限まで広げることが可能となり、その結果、異物混入等を防いで配線間ショートの発生のさらなる低下を達成することが可能となるからである。

ここで、レーザ光を用いた加工における重要なパラメータとしては、そのレーザ光のビーム径Ｌと照射間隔Ｗとの組み合わせがある。レーザ光のビーム照射間隔Ｗは、ビーム径Ｌよりも小さいものとすることが必要であることは勿論であるが、ビーム径Ｌに比べて小さければ小さいほど、きれいな加工線を得ることが可能となる。しかし他方、それとはトレードオフの関係で、生産性（加工能率）が低下する。
この観点から、図４（ａ）に模式的に示したように、レーザ光のビーム４１の中心点４２を矢線４３方向に直線的に平行移動させて行くことでデバイスホール５を形成する際の、そのレーザ光のビーム４１の隣り合う照射スポット同士（隣接ショット間）の中心間距離である照射ピッチＷ１は、ビーム照射径Ｌの２５％以上７５％以下に設定することが好ましい。これは、ビーム４１の照射ピッチＷ１をビーム径Ｌの７５％以下に設定することにより、図４（ｂ）に示したように、このとき得られるデバイスホール５のエッジ（端辺）の加工線４４が、極めてスムースなものとなるからである。そしてまた、ビーム４１の照射ピッチＷ１をビーム径Ｌの２５％以上に設定することにより、生産性を実用的なものとすることが可能となるからである。
これと比較して、図５（ａ）模式的に示したように、例えば照射ピッチＷ２をビーム照射径Ｌよりも大きなものとする（つまり照射ピッチＷ２をビーム照射径Ｌの１００％超に設定する）というように、敢えて上記のような本発明の実施の形態に係る数値範囲を超えた数値に設定した場合には、図５（ｂ）に示したように、このとき得られるデバイスホール５の加工線４５は、いわゆる波線状のような、スムースさを著しく欠いたものとなってしまうこととなる。そしてまた、上記のような本発明の実施の形態に係る設定の数値範囲（２５％）未満の数値に設定すると、加工能率が大幅に低下して実用的なものではなくなってしまうこととなる。

次に、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープおよびその製造方法の作用について説明する。

従来の炭酸ガスレーザを用いた穴開け加工の場合には、そのレーザ光が照射された部分の絶縁性フィルム基板１の有機材料がそのレーザ光によって与えられる主に熱エネルギによって溶融・昇華することで、穴開けが行われていた。ところが、このような熱エネルギを主体とした加工方法では、その加工対象の部分を言わば焼き切るようにして穴開けを行うことになるので、それによって得られる貫通孔などのパターンの、特にエッジ部分の形状が乱れやすい傾向にあった。そしてまた、このようなパターンのエッジ部分の乱れを防ぐために、従来の技術では、縁取パターンをデバイスホール５の形成予定の位置の周囲に設けざるを得なかった。また、上記のような従来の加工方法によって得られた貫通孔などの内壁面には、スミアなどの残渣が発生しやすい傾向にあった。
しかし、そのような従来の技術とは全く異なり、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープでは、デバイスホール５を形成するために、従来一般に用いられていたような熱エネルギによる加工を主体とする炭酸ガスレーザではなく、例えば２４８ｎｍ以上１０６５ｎｍ以下の波長のＵＶレーザのような、絶縁性フィルム基板１の有機材料における分子結合を光分解によって解離することでその絶縁性フィルム基板１に比較的大きめの貫通孔であるデバイスホール５の穴開けを行うことが可能な光量子エネルギを有するレーザ光の照射によって、その絶縁性フィルム基板１におけるインナーリード９の先端を含む所定位置に、デバイスホール５を形成するようにしている。
このＵＶ光のような２４８ｎｍ以上１０６５ｎｍ以下の波長のレーザ光によれば、炭酸ガスレーザの場合のような加工対象の部分を焼き切ることで穴開けを行うのではなく、絶縁性フィルム基板１の有機材料における分子結合を光分解することによって、その加工対象の部分をきれいに除去することができるようになるので、レーザ光の照射時にマスクとして用いられる縁取パターン等を予め形成しておくという制約には全く束縛されることなしに、デバイスホール５を、所望の位置に、所望のタイミング（工程順序）で、かつ所望の滑らかで明確なパターンとして、形成することができる。

しかも、それによって得られるデバイスホール５の内壁面には、従来の炭酸ガスレーザを用いた場合のようなスミアなどの残渣は殆ど発生しない。従って、レーザ光による加工後のデスミア処理等については、従来よりも軽く行うだけで済むか、または完全に省略することが可能となる。

また、上記のように、従来はレーザ光の照射時にマスクとして用いられていた縁取パターンをデバイスホール５の周囲に形成することが、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープおよびその製造方法では全く不要となるので、縁取パターンを設けることに起因した配線設計上の制約を、全く解消することができる。その結果、導体パターン２の設計の自由度の向上および導体パターン２のさらなる高密度化等（より具体的には、主として配線パターンの高密度化）を達成することが可能となる。

また、従来の技術では、縁取パターンを設けることが必須であったため、主要な製造工程の流れは、縁取パターンの形成〜デバイスホールの形成〜ソルダレジストパターンの形成、の工程順とすることを余儀なくされるという制約に強く束縛されており、またその工程全体が煩雑なものとなる傾向にあり、その工期も長いものとならざるを得ず、延いては製造コストの低廉化に対する阻害要因となっていた。
斯様な従来の技術とは全く異なり、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープおよびその製造方法によれば、上記のように縁取パターンを形成することが全く不要となるので、その縁取パターンを設けることに起因した束縛から完全に解放されて、その製造工程は簡易なものとなり、またその工期の短縮化や低コスト化等を実現することが可能となる。
具体的には、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープおよびその製造方法によれば、従来と比べて約３％分の製造プロセスステップを省略することができる。また、製造コストの点では、約１０％の削減が可能である。また、ＴＡＢテープ製造における工期短縮およ
び製造コスト低廉化の阻害要因となり易いフォトファブリケーションプロセスの各ロット毎での使用回数を削減することができるため、生産能率の向上を達成することができ、例えば製品納期を３日程度も短縮することが可能となる。

また、上記のようにデバイスホールの形成工程を縁取パターンの形成工程の後に置かなければならないといった従来の工程順序の束縛からは完全に解放されるので、ソルダレジストパターン１０を形成した後に、デバイスホール５を形成するという工程順序を採用することが可能となる。
従って、従来のような、デバイスホールを通してのソルダレジストの滲みや流れ出しなどを防ぐために、そのデバイスホールの端辺からソルダレジストパターンの端辺を少なくとも０．４５ｍｍ以上の距離的余裕を以て設けるようにすることを余儀なくされるといった制約から、全く解放される。その結果、ソルダレジストパターン１０の端辺８−１とデバイスホール５の端辺８−２との距離ｄの寸法ばらつき（誤差）は、純粋にフォトソルダレジスト１３の露光増度とレーザ光の照射位置精度との兼ね合いのみによって定まることとなるので、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープおよびその製造方法によれば、ソルダレジストパターン１０の端辺８−１とデバイスホール５の端辺８−２との間の距離ｄを、例えば０．０４５ｍｍのように、従来よりも飛躍的に短縮化することが可能となる。また、ソルダレジストとしてはフォトソルダレジスト１３を用いることで、ソルダレジストパターン１０の寸法精度やパターン再現性を、さらに良好なものとすることができる。
具体的には、フォトソルダレジスト１３をフォトファブリケーションプロセスによってパターン加工してなるソルダレジストパターン１０では、従来の製造方法によって形成されるソルダレジストパターンの場合の寸法精度（±０．３００ｍｍ）と比較して、その精度（±０．０３０ｍｍ）を１桁以上も高いものとすることが可能となる。

また、インナーリード９を形成した後に、デバイスホール５を形成することができる。すなわち、極めて微細なパターンであるインナーリード９を形成した直後の段階では、その下には未だデバイスホール５は形成されていない。従って、インナーリード９が絶縁性フィルム基板１の表面上に支えられている状態のときに（つまりインナーリード９の先端部分がデバイスホール５の空間上にオーバーハングして宙に浮いたような状態となる以前に）、フォトソルダレジスト１３を絶縁性フィルム基板１上に被着させることが可能となる。従って、インナーリード９の変形等の虞なく、ドライフィルム状のフォトソルダレジストを用いることが可能となる。これにより、印刷法や塗布法等に特有な硬化前の液状のソルダレジストの流れや滲み等に起因したソルダレジストパターン１０の形状再現性の悪化やパターン形状不良発生等の虞もさらに確実に解消することが可能となる。

以上のように、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープおよびその製造方法によれば、配線パターンやソルダレジストパターンについての設計上の自由度や工程順序の自由度の向上、およびその製造工程・工期の短縮化、ならびに製造コストの低廉化を実現することができる。

上記の実施の形態で説明したような製造方法によってＴＡＢテープを作製した。
まず、２５μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム基板１の表裏両面にそれぞれ１８μｍ厚の銅箔１１を張り合わせてなる両面銅張基板を用意し、それにスプロケットホール７をパンチング加工法により打抜形成した。

続いて、穴径を４０μｍとした導通用ビア穴６を設け、銅めっき３によって導通用ビア穴６内に銅を充填してフィルドビア４を形成した。このとき、第１配線面側には銅めっき３が付着しないようにマスキングテープを貼り付けておいた。銅めっき３は表層めっき厚で計測した厚さを８μｍとした。

その後、一般的なフォトファブリーケーションプロセスによるパターン加工を行って、導体パターン２およびそれに連なるインナーリード９等を形成した。

続いて、フォトソルダレジスト１３を、必要とする箇所を含む領域に印刷法によって塗布し、そのフォトソルダレジスト１３に露光マスクおよび露光装置等を用いて所定のパターン等を焼き付け、現像を行って、所望のソルダレジストパターン１０を得た。その後、ベークなどの熱処理によりソルダレジスト膜質の硬化を図った。

そして、波長３５５ｎｍのＵＶレーザ光を用いて、フライングリード構造のインナーリード９が形成された位置を含む所定のデバイスホール５の形成予定の位置に、絶縁性フィルム基板１の形成材料であるポリイミドフィルムの加工残渣等が残留しないように注意しながら、照射ビーム径Ｌを８０μｍとすると共に照射ピッチＷ１（隣り合うビームスポットの中心間距離）を照射ビーム径Ｌの４５％である３６μｍに設定して、レーザ光照射によるデバイスホール５の形成を行った。このときインナーリード９の裏面等に実質的なダメージを与える虞がないように、照射するレーザ光の出力および一箇所への打ち込み回数を調節した。

その後、ドライデスミア法により、ソルダレジストパターン１０の表面にダメージを与えない程度にデスミアを施した。そしてさらに、無電解錫めっきを施して（図示省略）、本実施例のＴＡＢテープの構成の主要部を完成した。

その結果、デバイスホール５の周囲の配線パターンをはじめとする導体パターン２やソルダレジストパターン１０の、設計上の自由度や工程順序の自由度の向上を達成することが可能となることが確認できた。また、その製造工程・工期の簡易化・短縮化ならびに製造コストの低廉化を実現することが可能となることが確認できた。

なお、上記の実施例では、レーザ光を用いてデバイスホール５を形成した後に、そのレーザ光の照射に起因したスミアやその他各種の残渣を除去するためのドライデスミア処理を行うようにしたが、ＵＶレーザ光によるデバイスホール５の加工では、スミアのような残渣はほとんど残らないことが多いので、デバイスホール５の形成後の状態如何によっては、デスミア処理は全く省略するようにしてもよい。
また、上記の実施の形態および実施例では、絶縁性フィルム基板１としてポリイミドフィルムからなるものを用いる場合について説明したが、これ以外にも、例えば液晶ポリマーフィルムやその他各種のプラスティックフィルム、または薄手のエポキシ樹脂やフェノール樹脂などのような、各種の有機樹脂材料からなるものを、絶縁性フィルム基板１として選択することも可能である。また、そのような場合、絶縁性フィルム基板１の有機材料に合わせて、その有機材料をより能率的に分解することが可能な波長のレーザ光を選択することが、より望ましい。
また、例えば、第１配線面は、配線パターンのような導体パターン２ａが形成された面とし、第２配線面は、配線パターンのような導体パターンではなく、ほぼ全面がいわゆるベタな一枚構成のＧＮＤ層や、面積の広い面的なパターンである電源パターンと配線幅が微細な線的なパターンである配線パターンとが混在するような面とした構成のＴＡＢテープなどにも本発明は適用可能である。

本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープの主要部の構造を示す図である。 本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープの製造工程の主要な流れを示す図である。 図２に引き続いて、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープの製造工程の主要な流れを示す図である。 本発明の実施の形態に係る設定によるレーザ光のビーム径Ｌと照射ピッチＷ１との関係（ａ）およびそれによって形成されるデバイスホールのエッジの加工線（ｂ）を模式的に示す図である。 レーザ光のビーム照射径Ｌと照射ピッチＷ１との関係（ａ）およびその設定で得られるデバイスホールのエッジの加工線（ｂ）を示す図、図５は、比較のために敢えて本発明の実施の形態とは異なる設定とした場合のレーザ光のビーム照射径Ｌと照射ピッチＷ２との関係（ａ）およびその設定で得られるデバイスホールのエッジの加工線（ｂ）を模式的に示す図である。 従来のＴＡＢテープを用いて作製された半導体実装パッケージの主要部の構造の一例を示す図 従来のＴＡＢテープの製造工程の主要な流れを示す図である。 図７に引き続いて、従来のＴＡＢテープの製造工程の主要な流れを示す図である。

符号の説明

１ 絶縁性フィルム基板
２ 導体パターン
３ 銅めっき
４ フィリングビア
５ デバイスホール
６ 導通用ピア穴
７ スプロケットホール
９ インナーリード
１０ ソルダレジストパターン
１１ 銅箔
１３ フォトソルダレジスト

Claims (7)

1. 貫通孔状のデバイスホールが設けられた有機材料からなる絶縁性フィルム基板と、前記絶縁性フィルム基板の両面にそれぞれ設けられた導体層と、前記絶縁性フィルム基板の片面にて前記導体層に連なると共に前記デバイスホール内にオーバーハング状に突出するように設けられたフライングリード構造のインナーリードと、前記導体層上を含む前記絶縁性フィルム基板上に形成されたソルダレジストパターンとを有するＴＡＢテープであって、
   前記ソルダレジストパターンにおける前記デバイスホール寄りの端辺と当該デバイスホールの端辺との間の距離が、０．０４５ｍｍ以上０．４５ｍｍ未満である
   ことを特徴とするＴＡＢテープ。
2. 請求項１記載のＴＡＢテープにおいて、
   前記ソルダレジストパターンが、フォトソルダレジストをパターン加工してなるものである
   ことを特徴とするＴＡＢテープ。
3. 絶縁性フィルム基板の表裏両面にそれぞれ張り合わされた金属箔からなる導体層のうちの少なくとも片面の導体層にパターン加工を施して、フライングリード構造のインナーリードを含む導体パターンを形成する工程と、
   前記導体層にパターン加工を施した後、前記絶縁性フィルム基板の表裏両面にそれぞれソルダレジストパターンを形成する工程と、
   前記ソルダレジストパターンを形成した後、前記絶縁性フィルム基板の有機材料における分子結合を光分解によって解離することを主体として当該絶縁性フィルム基板にデバイスホールの形成加工を行うことが可能な光量子エネルギを有するレーザ光の照射によって、前記絶縁性フィルム基板における前記インナーリードの先端を含む所定位置にデバイスホールを形成する工程と
   を含むことを特徴とするＴＡＢテープの製造方法。
4. 請求項３記載のＴＡＢテープの製造方法において、
   前記レーザ光として、２４８ｎｍ以上１０６５ｎｍ以下の波長のＵＶレーザ光を用いることを特徴とするＴＡＢテープの製造方法。
5. 請求項３または４記載のＴＡＢテープの製造方法において、
   前記ソルダレジストパターンを、フォトソルダレジストをパターン加工して形成する
   ことを特徴とするＴＡＢテープの製造方法。
6. 請求項３ないし５のうちいずれか１つの項に記載のＴＡＢテープの製造方法において、
   前記ソルダレジストパターンにおける前記デバイスホール寄りの端辺と当該デバイスホールの端辺との間の距離を、０．０４５ｍｍ以上０．４５ｍｍ未満にする
   ことを特徴とするＴＡＢテープの製造方法。
7. 請求項３ないし６のうちいずれか１つの項に記載のＴＡＢテープの製造方法において、
   前記レーザ光のビーム照射ピッチを、ビーム照射径の２５％以上７５％以下とする
   ことを特徴とするＴＡＢテープの製造方法。

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