JP2010050190A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Cu配線部CL1及びシリサイド領域6s及び非シリサイド領域6nよりなるキャップメタル層6上に形成される接続孔8の底面において、Arスパッタ処理により、バリアメタル層13a及びキャップメタル層6のシリサイド領域6sを選択的に除去する。この際、Arのスパッタ時間を調整することにより、接続孔8の底面において、キャップメタル層6の非シリサイド領域6nは残留するようにする。その後、バリアメタル層の再成膜処理、Cuシード層及びCuめっき層を形成し、最終的に接続孔8及び配線用溝9内に埋め込まれる第2のCu配線部を形成する。
【選択図】図9
Description
図1〜図13はこの発明の実施の形態であるCu配線を有する半導体装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態1の半導体装置の製造方法では、Cu配線の形成にダマシン法を用いている。以下、これらの図を参照して実施の形態の半導体装置の製造方法の処理内容を説明する。
本実施の形態では、キャップメタル層6の露出面である上面及び側面において共にシリサイド化したシリサイド領域6sが形成されているため、キャップメタル層6の層間絶縁膜4への拡散が抑制でき、配線間のリーク耐性や、層間絶縁膜4における絶縁膜破壊耐性が向上する効果を奏する。
Claims (3)
- (a) 第1の銅配線部を形成するステップと、
(b) 前記第1の銅配線部上にキャップメタル層を形成するステップと、
(c) 前記キャップメタル層の上層部及び側壁部に選択的にシリサイド領域を形成するステップとを備え、前記キャップメタル層は前記シリサイド領域と前記シリサイド領域以外の非シリサイド領域とを含み、
(d) 前記キャップメタル層の所定のコンタクト領域において、少なくとも前記シリサイド領域を除去するステップと、
(e) 前記所定のコンタクト領域上に、前記第1の銅配線部と電気的に接続される第2の銅配線部を形成するステップとを備える、
半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(d) は、前記所定のコンタクト領域において、前記非シリサイド領域を残存させるステップを含み、
前記ステップ(e) は、前記所定のコンタクト領域において、前記キャップメタル層の前記非シリサイド領域上に直接接触して前記第2の銅配線部を形成するステップを含む、
半導体装置の製造方法。 - 第1の銅配線部と、
前記第1の銅配線部上に形成されるキャップメタル層と、
前記キャップメタル層の所定のコンタクト領域と直接接触して、前記キャップメタル層と電気的に接続される第2の銅配線部とを備え、
前記キャップメタル層は上層部及び側壁部に選択的に形成されるシリサイド領域と前記シリサイド領域以外の非シリサイド領域とを含み、
前記キャップメタル層は前記所定のコンタクト領域において前記シリサイド領域が存在せず、前記非シリサイド領域のみが存在することを特徴とする、
半導体装置。
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