JP2010044362A - 薄膜トランジスタ表示板、これを含む液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ表示板、これを含む液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010044362A JP2010044362A JP2009121732A JP2009121732A JP2010044362A JP 2010044362 A JP2010044362 A JP 2010044362A JP 2009121732 A JP2009121732 A JP 2009121732A JP 2009121732 A JP2009121732 A JP 2009121732A JP 2010044362 A JP2010044362 A JP 2010044362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal line
- substrate
- film transistor
- peripheral region
- contact hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 37
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】液晶表示パネルの周辺領域で発生する光漏れ及び外光反射を防止することによって表示品質を向上させた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、表示領域及び周辺領域を含む基板と、基板の表示領域に形成されている表示領域信号線と、基板の表示領域に形成されていて表示領域信号線に接続されている表示領域薄膜トランジスタと、基板の周辺領域に形成されている周辺領域信号線と、基板上に形成されていて、表示領域信号線、表示領域薄膜トランジスタ及び周辺領域信号線上に形成されている遮光部材と、遮光部材を貫通する接触孔を通じて周辺領域信号線を電気的に接続する透明連結部と、表示領域薄膜トランジスタと接続されている画素電極と、遮光部材上に形成されている有色の間隔材と、透明連結部上に間隔材と同一の材料を含んで形成されていて、少なくとも接触孔を覆う遮光補助部材とを含む。
【選択図】図３Ａ
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、表示領域及び周辺領域を含む基板と、基板の表示領域に形成されている表示領域信号線と、基板の表示領域に形成されていて表示領域信号線に接続されている表示領域薄膜トランジスタと、基板の周辺領域に形成されている周辺領域信号線と、基板上に形成されていて、表示領域信号線、表示領域薄膜トランジスタ及び周辺領域信号線上に形成されている遮光部材と、遮光部材を貫通する接触孔を通じて周辺領域信号線を電気的に接続する透明連結部と、表示領域薄膜トランジスタと接続されている画素電極と、遮光部材上に形成されている有色の間隔材と、透明連結部上に間隔材と同一の材料を含んで形成されていて、少なくとも接触孔を覆う遮光補助部材とを含む。
【選択図】図３Ａ
Description
本発明は、薄膜トランジスタ表示板、これを含む液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法に関する。
液晶表示装置は、現在最も幅広く使用されている平板表示装置のうちの１つであって、画素電極及び共通電極などの電場生成電極（ｆｉｅｌｄ ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成されている２枚の表示板、及びその間に形成されている液晶層を含む。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して、液晶層に電場を生成し、これによって液晶層の液晶分子の配向方向を決定して、入射光の偏光を制御することによって、映像を表示する。
液晶表示装置において、透過率を向上し、製造工程を単純化するために、薄膜トランジスタ表示板上に遮光部材（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）が形成された液晶表示装置が開発されている。しかし、このような液晶表示装置では、遮光部材が表示領域の外側領域に形成された接触孔を覆うことができないので、光がこの接触孔を通じて反射されて、液晶表示装置の表示品質が低下するという問題がある。
本発明の一実施例による目的は、液晶表示パネルの周辺領域で発生する光漏れ及び外光反射を防止することによって、液晶表示装置の表示品質を向上させることにある。
本発明の他の実施例による目的は、液晶表示装置の透過率を向上させて、かつ製造工程を単純化することにある。
本発明の他の実施例による目的は、多様な形態の液晶表示装置の製造方法を容易にすることにある。
本発明の目的は、下記に説明する本発明の構成によって達成することができる。
本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板は、表示領域及び周辺領域を含む基板、基板の表示領域に形成されている表示領域信号線、基板の表示領域に形成されていて、表示領域信号線と接続されている表示領域薄膜トランジスタ、基板の周辺領域に形成されている周辺領域信号線、基板上に形成されていて、表示領域信号線、表示領域薄膜トランジスタ、及び周辺領域信号線上に形成されている遮光部材、周辺領域の遮光部材上に形成されていて、遮光部材を貫通する接触孔を通じて周辺領域信号線を電気的に接続する透明連結部、表示領域薄膜トランジスタと接続されている画素電極、遮光部材上に形成されている有色の間隔材、そして透明連結部上に間隔材と同一の材料を含んで形成されていて、少なくとも接触孔を覆う遮光補助部材を含む。
ここで周辺領域に補助間隔材を形成することができる。
また、周辺領域の基板及び周辺領域の遮光部材の間に、色フィルターと同一の材料を含む外郭突出部材を形成することもできる。
さらに、基板上に形成されている色フィルターをさらに含むように構成できる。
基板の周辺領域に形成されている周辺領域薄膜トランジスタをさらに含み、接触孔は、周辺領域薄膜トランジスタ及び周辺領域信号線を電気的に接続する接触孔を含むように構成できる。
周辺領域信号線は、基板上に形成されている維持電極線、維持電極線上に形成されている維持電圧供給線を含み、接触孔は、維持電極線及び維持電圧供給線を電気的に接続する接触孔を含むように構成できる。
周辺領域信号線は、基板上に形成されているゲート駆動部のゲート線層信号線、ゲート駆動部のデータ線層信号線を含み、接触孔は、ゲート線層信号線及びデータ線層信号線を電気的に接続する接触孔を含むように構成できる。
本発明の一実施例による液晶表示装置は、表示領域及び周辺領域を含む第１基板、第１基板の周辺領域に形成されている周辺領域信号線、周辺領域信号線上に形成されている遮光部材、そして遮光部材上に形成されている画素電極を含む第１表示板、第１基板と対向する第２基板、及び第２基板上に形成されている共通電極を含む第２表示板、第１表示板及び第２表示板の間に形成されている液晶層を含み、第１表示板は、遮光部材を貫通する接触孔を通じて周辺領域信号線を電気的に接続する透明連結部、遮光部材上に形成されている有色の間隔材、透明連結部上に間隔材と同一の材料を含んで形成されていて、少なくとも接触孔を覆う遮光補助部材をさらに含む。
本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方法は、第１基板上に表示領域信号線及び周辺領域信号線を形成する段階、周辺領域信号線上に遮光部材を形成する段階、表示領域信号線上に画素電極を形成すると同時に、遮光部材を貫通する接触孔を通じて周辺領域信号線を電気的に接続する透明連結部を遮光部材上に形成する段階、そして画素電極上に有色の間隔材を形成すると同時に、少なくとも接触孔を覆って間隔材と同一の材料を含む遮光補助部材を透明連結部上に形成する段階を含む。
ここで、遮光補助部材を形成する段階では、ハーフトーンマスクを使用して補助間隔材を形成することができる。
また、表示領域信号線及び画素電極の間に色フィルターを形成する段階をさらに含むように構成できる。
色フィルターを形成する段階では、色フィルターと同一の材料で外郭突出部材を形成することができる。
表示領域信号線と接続される薄膜トランジスタを形成する段階をさらに含むように構成できる。
遮光補助部材上に液晶層を形成する段階、そして共通電極を含む第２基板を第１基板と結合する段階をさらに含むように構成できる。
本発明の一実施例によれば、周辺領域の接触孔を有色の遮光補助部材で覆うので、外光反射が減少して、液晶表示装置の表示品質が改善される。さらに、周辺領域全体を覆うので、遮光部材を通じた光漏れを防止できる。
本発明の一実施例によれば、遮光部材及び遮光補助部材を使用して周辺領域での厚さの差を最小化させるので、密封材の形成が容易になる。
本発明の一実施例によれば、遮光部材が薄膜トランジスタ表示板上に形成されるので、液晶表示装置の透過率が向上して、製造工程が単純化される。
本発明の一実施例によれば、色フィルターが薄膜トランジスタ表示板上に形成されるので、液晶表示装置の製造工程が単純化される。
本発明の実施例について、添付した図面を参照して、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。本発明は、相異した多様な形態に具現することができ、ここで説明する実施例に限定されるものではない。図面では、本発明を明確に説明するために、説明に不必要な部分は省略し、明細書全体を通して同一または類似した構成要素には、同一の図面符号を使用した。また、公知技術の場合、その具体的な説明は省略することとする。
図面では、多様な層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとする時、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も意味する。一方、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時、これはその中間に他の部分がない場合を意味する。反対に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下」にあるとする時、これは他の部分の「直下」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も意味する。一方、ある部分が他の部分の「直下」にあるとする時、これはその中間に他の部分がない場合を意味する。
本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置について、図１〜図５を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例による液晶表示装置を示した配置図であり、図２は図１のＡ領域を示した配置図であり、図３Ａは図２のＡ領域のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
本発明の一実施例による液晶表示装置は、液晶表示板組立体（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｎｅｌ ａｓｓｅｍｂｌｙ）３００、これに接続されている可撓性回路基板７１０、可撓性回路基板７１０に接続されている駆動回路基板７２０を含む。ゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００に形成されており、データ駆動部５００は、可撓性回路基板７１０に形成されている。しかし、ゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００の第１表示板１００上に形成されずに、別途の印刷回路基板に形成されて、液晶表示板組立体３００と接続されてもよい。維持電圧供給線１７４は、可撓性回路基板７１０を通じて駆動回路基板７２０と接続されている。
液晶表示板組立体３００は、構造的に見る時、第１表示板１００及び第２表示板２００、そしてその間に形成されている液晶層３を含み、図１に示したように、行方向に延長された複数のゲート線１２１、列方向に延長された複数のデータ線１７１、ゲート線１２１及びデータ線１７１と接続されていて、ほぼ行列形態に配列された複数の画素（ｐｉｘｅｌ）を含む。また、液晶表示板組立体３００の周辺領域（ＰＡ）には密封材３１０が形成されており、この密封材３１０により液晶層３の液晶分子が密封されている。
液晶層３は、正（＋）または負（−）の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電場が生成されていない状態で、その長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対してほぼ水平または垂直になるように配向される。
表示板１００、２００の内側面には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔｌａｙｅｒ；図示せず）が形成されており、この配向膜は水平配向膜とすることができる。表示板１００、２００の外側面には偏光板（図示せず）が形成される。
まず、第１表示板１００について説明する。
第１表示板１００は、第１基板１１０の内側面上に形成されている薄膜トランジスタをさらに含む。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁性第１基板１１０上にゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）１２１及び維持電極線（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｌｉｎｅ）１３１が形成されている。
ゲート線１２１は、主に図２の横方向に延長され、ゲート信号を伝達する。各ゲート線１２１は、図２において上方に突出した複数のゲート電極（ｇａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４を含む。
維持電極線１３１は、ゲート線１２１とほぼ平行に延長されており、所定の電圧の印加を受ける。維持電極線１３１は、下側のゲート線１２１に隣接している。維持電極線１３１は、ほぼ正方形の主維持電極（ｐｒｉｍａｒｙ ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３７及び副維持電極（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３３を含む。維持電極線１３１の形状及び配置は、多様に変更することができる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の上面には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ；非晶質シリコンは、略称してａ−Ｓｉとする）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などからなる島型半導体（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｉｓｌａｎｄ）１５４が形成されている。島型半導体１５４は、ゲート電極１２４の上方に位置する。
島型半導体１５４上には島型抵抗性接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３、１６５が形成されている。抵抗性接触部材１６３、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされたｎ＋水素化非晶質シリコン、またはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）などから構成することができる。
抵抗性接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上にはデータ線１７１及びドレイン電極（ｄｒａｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。
データ線１７１は、図２においてほぼ縦方向に延長されゲート線１２１と交差して、データ電圧を伝達する。データ線１７１は、副維持電極１３３と平行に配置されて、ゲート電極１２４と隣接している。データ線１７１は、ゲート電極１２４上に位置して横たわったＵ字型に曲がったソース電極（ｓｏｕｒｃｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３を含む。
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、細い部分（ｎａｒｒｏｗ ｐｏｒｔｉｏｎ）及び広い部分（ｗｉｄｅ ｐｏｒｔｉｏｎ）１７７を含む。細い部分は、ソース電極１７３で一部が囲まれた端部を含み、広い部分１７７は、ほぼ正方形で、主維持電極１３７と重畳する。ドレイン電極１７５の広い部分１７７は、主維持電極１３７とほぼ同一の面積を占めているが、主維持電極１３７からはみ出さない範囲に形成されている。
ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５は、半導体１５４と共に薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ−ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間の半導体１５４に形成されている。
抵抗性接触部材１６３、１６５は、その下の半導体１５４及びその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にだけ位置して、これらの間の接触抵抗を低くする。半導体１５４は、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間に位置して、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された部分を備える。
データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５４部分上には保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。保護膜１８０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物からなる下部膜（ｌｏｗｅｒｆｉｌｍ）１８０ｑ及び上部膜（ｕｐｐｅｒｆｉｌｍ）１８０ｐを含む。下部膜１８０ｑ及び上部膜１８０ｐのうちのいずれか１つを省略することもできる。保護膜１８０には、ドレイン電極１７５の広い部分１７７を露出する接触孔１８５が形成されている。
上部膜１８０ｐ及び下部膜１８０ｑの間には遮光部材（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、液晶層３の液晶分子の配向方向を制御することができない領域を通じて光が通過することや外光が反射することを防止する。ここで、遮光部材２２０を第２表示板２００でなく第１表示板１００に形成することによって、液晶表示装置の透過率を向上させることができ、製造工程を単純化することができる。
上部膜１８０ｐ及び下部膜１８０ｑの間には赤色フィルター２３０Ｒ、緑色フィルター２３０Ｇ、及び青色フィルター（図示せず）が形成されている。赤色フィルター２３０Ｒは、隣接するデータ線１７１の間の領域を占める。赤色フィルター２３０Ｒの左右の境界は、データ線１７１上に位置してデータ線１７１に沿って図において縦に長く延長され、この場合、赤色フィルター２３０Ｒは、帯形状である。赤色フィルター２３０Ｒには、ドレイン電極１７５の広い部分１７７上に位置する接触孔１８５が形成されている。赤色フィルター２３０Ｒは、顔料を含む感光性有機物からなる。赤色フィルター２３０Ｒは、第１表示板１００でなく第２表示板２００に形成することもできる。また、赤色フィルター２３０Ｒは、帯形状の代わりに、各画素別に分離されている島（ｉｓｌａｎｄ）形状に形成することもできる。赤色フィルター２３０Ｒに対する説明は、緑色フィルター２３０Ｇ及び青色フィルター（図示せず）にも同様に適用することができる。
保護膜１８０の上部膜１８０ｐ上には画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１が形成されている。画素電極１９１は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質や、アルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属からなる。
画素電極１９１は、接触孔１８５を通じて薄膜トランジスタのドレイン電極１７５と接続されていて、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、第２表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、２つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子の配向方向を決定する。このように決定された液晶分子の配向方向によって、液晶層３を通過する光の輝度が変化する。
画素電極１９１及び共通電極２７０は、液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を構成して、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
画素電極１９１及びこれに接続されたドレイン電極１７５は、主維持電極１３７及び副維持電極１３３を含む維持電極線１３１と重畳して、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を構成する。
間隔材（ｓｐａｃｅｒ）（図示せず）は、有色の有機物などで構成され、液晶表示装置の表示領域（ＤＡ）に形成される。また、間隔材は、液晶層３の間隔を維持する。
補助間隔材３２０ａは、有色の有機物などからなって、液晶表示装置の周辺領域（ＰＡ）に形成されていて、一般に第１表示板１００と接触しない。周辺領域（ＰＡ）の第１基板１１０及び第２基板２１０は、大気圧によって互いに付着していて、一定の時間が経過した後に、周辺領域（ＰＡ）の第１基板１１０及び第２基板２１０は再び脱落する。ここで、第１基板１１０及び第２基板２１０が付着した時に液晶を注入すれば、第１基板１１０及び第２基板２１０が脱落する時に密封材３１０側に液晶が移動するので、液晶層３の厚さが変化する。したがって、補助間隔材３２０ａは、周辺領域（ＰＡ）の付着及び脱落を防止することができる。しかし、補助間隔材３２０ａは省略することもできる。
色フィルター２３０Ｒを第１表示板１００に形成する場合、表示領域（ＤＡ）には色フィルター２３０Ｒを形成し、周辺領域（ＰＡ）には色フィルター２３０Ｒを形成しなくてもよく、この場合、第１表示板１００に段差が形成される。したがって、間隔材及び補助間隔材３２０ａを同一の高さに形成しても、色フィルター２３０Ｒによって第１表示板１００に段差が形成されるので、補助間隔材３２０ａの高さを間隔材より低く形成することができる。
液晶表示装置の表示領域（ＤＡ）は、実際にイメージを出力する領域であり、周辺領域（ＰＡ）は、表示領域（ＤＡ）の周囲の領域で、各種配線が形成されている。遮光部材２２０は、上部膜１８０ｐ及び下部膜１８０ｑの間に形成されている。しかし、上部膜１８０ｐは省略することもできる。
液晶表示装置の周辺領域（ＰＡ）の左右の部分には、維持電極線１３１がゲート線１２１と同一な層にほぼ行方向に拡張されている。維持電極線１３１は、外郭維持電極（ｏｕｔｅｒ ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３８を含む。外郭維持電極１３８は、ほぼ正方形または長方形である。
液晶表示装置の周辺領域（ＰＡ）の左右の部分には、維持電圧供給線１７４がデータ線１７１と同一な層に複数がほぼ列方向に延長されている。
透明連結部１９２は、維持電圧供給線１７４及び外郭維持電極１３８を電気的に接続している。透明連結部１９２及び維持電圧供給線１７４の連結部品には接触孔１８３ｂが形成されており、透明連結部１９２及び外郭維持電極１３８の連結部品にも接触孔１８３ａが形成されている。しかし、外郭維持電極１３８及び維持電圧供給線１７４は省略することもできる。
液晶表示装置の周辺領域（ＰＡ）の左右の部分には、ゲート線１２１と接続されるゲート駆動部４００が形成されている。また、ゲート駆動部４００は、ゲート駆動部のデータ線層信号線４１０、ゲート駆動部のゲート線層信号線４２０を含み、これらは透明連結部１９２によって電気的に接続されている。ゲート駆動部のゲート線層信号線４２０は、ゲート線１２１と同一の層に形成されており、ゲート駆動部のデータ線層信号線４１０は、データ線１７１と同一の層に形成されている。この時、透明連結部１９２及びゲート駆動部のデータ線層信号線４１０の連結部品には第１接触孔１８３ｂが形成されており、透明連結部１９２及びゲート駆動部のゲート線層信号線４２０の連結部品にも接触孔１８３ａが形成されている。しかし、ゲート駆動部４００は、第１表示板１００上ではなく別個の集積回路チップに形成することもでき、この場合、透明連結部１９２及びゲート駆動部のデータ線層信号線４１０またはゲート駆動部４００のゲート線層信号線４２０が接触する接触孔１８３ａ、１８３ｂを形成しない。
液晶表示装置の周辺領域（ＰＡ）の透明連結部１９２上には遮光補助部材３２１が形成されている。遮光補助部材３２１は、間隔材３２０と同一の感光性物質を使用して間隔材３２０と同時に形成される。この時、間隔材、補助間隔材３２０ａ、及び遮光補助部材３２１の形成にはハーフトーン（ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）マスクが使用され、感光性物質としては、陽性または陰性感光性物質を使用することができる。ハーフトーンマスクは、光が全て透過する透過領域、光が全て遮断される非透過領域、そして光が一部だけ透過する半透過領域から構成される。半透過領域に複数のスリットを細かく形成する、または薄い金属膜を付着するなどの方法によって、露光量を調節することができる。この場合、スリットの個数、幅、または金属膜の厚さなどを調節して、露光量を調節する。例えば、陽性感光性物質を使用して遮光補助部材３２１及び間隔材を形成する場合には、間隔材が形成される部分に非透過領域を配置し、遮光補助部材３２１が形成される部分に半透過領域を配置し、陽性感光性物質が全て除去される部分に透過領域を配置する。陰性感光性物質を使用する場合には、間隔材が形成される部分に透過領域を配置し、遮光補助部材３２１が形成される部分に半透過領域を配置し、陰性感光性物質が全て除去される部分に非透過領域を配置する。
遮光補助部材３２１は、間隔材３２０と同様に有色であり、周辺領域（ＰＡ）全体を覆う。したがって、遮光補助部材３２１が周辺領域（ＰＡ）に形成された遮光部材２２０の厚さが薄いために発生する周辺領域（ＰＡ）の光漏れ及び接触孔１８３ａ、１８３ｂを通じた外光反射を遮断するので、液晶表示装置の表示品質は向上する。
しかし、図３Ａの補助間隔材３２０ａが省略される場合、周辺領域（ＰＡ）を覆う遮光補助部材３２１は突出部分を含まないため、マスクの露光量を調節して、遮光補助部材３２１全体の厚さが調節される。例えば、陰性感光膜を使用して周辺領域（ＰＡ）の露光量が多くなるようにマスクのスリットの間隔を広く形成すれば、遮光補助部材３２１の厚さは厚くなる。反対に、スリットの幅を狭くすれば、相対的に遮光補助部材３２１の厚さは薄くなる。遮光補助部材３２１の厚さが厚いほど、光漏れをより多く遮断する。また、ハーフトーンマスクを使用せずに遮光補助部材３２１及び間隔材を同一の高さに形成することもできる。
また、遮光部材２２０は、密封材３１０を含み、密封材３１０の内側部分にだけ遮光部材が形成され、この場合、ベーゼル（ｂｅｚｅｌ）（図示せず）が密封材３１０の内側一部まで覆うように形成される。
次に、第２表示板２００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁性第２基板２１０上に共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体で構成され、共通電圧（ｃｏｍｍｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ）の印加を受ける。
共通電極２７０上には配向膜が形成される。
図３Ｂは本発明の他の実施例による液晶表示装置のＡ領域のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
図３Ｂの実施例は、密封材３１０の内側及び外側全てに遮光補助部材３２１が形成されていることを除いては、図３Ａの実施例と類似している。この場合、密封材３１０の外側部分にも遮光部材２２０が形成され、ベーゼルが密封材３１０の外側一部だけを覆うように形成される。図３Ｂの実施例は、図３Ａの実施例に比べて、密封材３１０を形成する工程で密封材が形成される領域が広い長所がある。図３Ｂの実施例では、遮光補助部材３２１及び遮光部材２２０が密封材３１０の内側及び外側全てに形成されているため、段差が形成される部分がない。したがって、密封材３１０が形成される領域が広い。したがって、図３Ａの実施例と同様に、遮光部材２２０による光漏れ及び接触孔１８３ａ、１８３ｂを通じた外光反射を全て遮断する。また、図３Ａの実施例と同様に、補助間隔材３２０ａを省略することもできる。
図３Ｃは本発明の他の実施例による液晶表示装置のＡ領域のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
図３Ｃの実施例は、遮光補助部材３２１が外光反射の多い周辺領域（ＰＡ）の接触孔１８３ａ、１８３ｂだけを覆うことを除いては、前記図３Ａの実施例と類似している。図３Ｃの実施例は、遮光補助部材３２１が接触孔１８３ａ、１８３ｂにだけ形成されるので、図３Ａの実施例よりマスクの半透過領域（スリット領域）が小さい。したがって、ハーフトーンマスクによる露光工程によって形成される遮光補助部材３２１の厚さ均一性の許容誤差（ｍａｒｇｉｎ ｏｆ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が大きいため、遮光補助部材３２１及び間隔材の形成工程がより容易である。また、ハーフトーンマスクを使用せずに、遮光補助部材３２１及び間隔材を同一の高さに形成することができる可能性がより大きい。また、図３Ａの実施例と同様に、補助間隔材３２０ａを省略することもできる。
図３Ｄは本発明の他の実施例による液晶表示装置のＡ領域のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
図３Ｄの実施例は、遮光補助部材３２１が密封材３１０の内側及び外側全てに形成されていることを除いては、図３Ｃの実施例と類似している。したがって、図３Ｃの実施例の長所が全て適用される。さらに、図３Ｃの実施例に比べて、密封材３１０が形成される領域がより広いという長所がある。また、図３Ａの実施例と同様に、補助間隔材３２０ａを省略することもできる。
図３Ｅは本発明の他の実施例による液晶表示装置のＡ領域のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
図３Ｅの実施例は、色フィルター２３０Ｒと同一の工程で形成される外郭突出部材２３５によって、遮光補助部材３２１の中で外郭突出部材２３５と重畳する部分が補助間隔材３２０ａの役割を代行することを除いては、前記図３Ａの実施例と類似している。したがって、図３Ａの実施例の長所が全て適用される。さらに、図３Ｅの実施例では、遮光補助部材３２１が周辺領域（ＰＡ）全体に同一の厚さに形成される。また、ハーフトーンマスクを使用せずに、遮光補助部材３２１及び間隔材を同一の高さに形成することもできる。
図３Ｆは本発明の他の実施例による液晶表示装置のＡ領域のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
図３Ｆの実施例は、密封材３１０の内側及び外側で遮光補助部材３２１の高さが同一であることを除いては、図３Ｅの実施例と類似している。したがって、図３Ｅの実施例の長所が全て適用される。さらに、密封材３１０が形成される領域がより広いという長所がある。
図４は図１のＢ領域を示した配置図であり、図５は図４の液晶表示装置のＶＩ−ＶＩ線による断面図である。
液晶表示装置の周辺領域（ＰＡ）の上下部分には、図４及び図５に示したように、第１薄膜トランジスタ（Ｑ１）及び第２薄膜トランジスタ（Ｑ２）が形成されており、これらはデータ線１７１と短絡線（ｓｈｏｒｔｉｎｇ ｌｉｎｅ）１２３によって接続されており、表示板１００に発生する静電気を表示板１００全体に分散させて、静電気が薄膜トランジスタなどの素子を損傷するのを防止する役割を果たす。しかし、第１薄膜トランジスタ（Ｑ１）及び第２薄膜トランジスタ（Ｑ２）は省略することもできる。
第１薄膜トランジスタ（Ｑ１）は、ゲート線１２１と同一の層に形成されている短絡線１２３、ゲート絶縁膜１４０上に形成されている第１半導体１５４ａ、第１半導体１５４ａ上に形成されている第１ソース電極１７３ａ、第１半導体１５４ａ上で第１ソース電極１７３ａと対向する第１ドレイン電極１７５ａ、そして短絡線１２３及び第１ドレイン電極１７５ａを電気的に接続する第１透明連結部１９２ａを含む。この時、短絡線１２３及び第１ドレイン電極１７５ａは、第１透明連結部１９２ａと直接接触していて、接触部位には接触孔１８３ａ、１８３ｂが形成されている。
第２薄膜トランジスタ（Ｑ２）は、ゲート線１２１と同一層に形成されているゲート電極の拡張部１２５、ゲート絶縁膜１４０上に形成されている第２半導体１５４ｂ、第２半導体１５４ｂ上に形成されている第２ソース電極１７３ｂ、第２半導体１５４ｂ上で第２ソース電極１７３ｂと対向する第２ドレイン電極１７５ｂ、ゲート電極の拡張部１２５及びデータ線１７１を電気的に接続する第２透明連結部１９２ｂを含む。この時、ゲート電極の拡張部１２５及びデータ線１７１は、第２透明連結部１９２ｂと直接接触していて、接触部位には接触孔１８３ａ、１８３ｂが形成されている。
接触補助部材８２は、接触孔１８２を通じてデータ線１７１の端部１７９と各々接続される。接触補助部材８２は、データ線１７１の端部１７９及び外部装置の接着性を補完して、これらを保護する。また、データ線１７１は、データ駆動部５００と直接接続され、この場合、接触補助部材８２を省略することもできる。
図５の実施例は、接触孔１８３ａ、１８３ｂ、１８２にだけ遮光補助部材３２１が形成される。そして、図３Ａ〜図３Ｆの実施例が類似して適用され、補助間隔材３２０ａが省略された図３Ａ〜図３Ｄの実施例も類似して適用される。
次に、本発明の実施例による液晶表示装置の製造方法を説明する。
まず、第１基板上に表示領域（ＤＡ）の信号線であるゲート線１２１、維持電極線１３１などを形成し、周辺領域（ＰＡ）信号線であるゲート駆動部のゲート線層信号線４２０などを形成する。その後、ゲート絶縁膜１４０を形成する。
ゲート絶縁膜１４０上に表示領域（ＤＡ）の信号線であるデータ線１７１などを形成し、周辺領域（ＰＡ）信号線である維持電圧供給線１７４、ゲート駆動部のデータ線層信号線４１０などを形成する。その後、下部膜１８０ｑを形成する。さらに、下部膜１８０ｑを形成する前に、表示領域（ＤＡ）の信号線と接続されるように薄膜トランジスタを形成する。この場合、薄膜トランジスタ上に下部膜１８０ｑを形成する。
下部膜１８０ｑ上に遮光部材２２０を形成し、遮光部材２２０上に上部膜１８０ｐを形成する。また、上部膜１８０ｐ上に画素電極１９１を形成すると同時に、遮光部材２２０を貫通する接触孔１８３ａ、１８３ｂを通じて周辺領域（ＰＡ）信号線の間を接続する透明連結部１９２を遮光部材２２０上に形成する。
下部膜１８０ｑ上には色フィルター２３０Ｒを形成してもよい。この場合、色フィルター２３０Ｒ上に上部膜１８０ｑを形成し、上部膜１８０ｐ上に画素電極１９１を形成する。
透明連結部１９２上に間隔材、補助間隔材３２０ａ、そして遮光補助部材３２１を同時に形成する。この時、ハーフトーンマスクによって露光量を調節して、間隔材、補助間隔材３２０ａ、そして遮光補助部材３２１の厚さを調節する。また、遮光補助部材３２１を接触孔１８３ａ、１８３ｂだけを覆うように形成してもよく、周辺領域（ＰＡ）全体を覆うように形成してもよい。
間隔材、補助間隔材３２０ａ、そして遮光補助部材３２１上に液晶層３を形成する。
その後、第２基板２１０上に共通電極２７０を形成する。
次に、第２基板２１０上に形成されている共通電極２７０が液晶層３と接触するように第２基板２１０を配置して、第１基板１１０及び第２基板２１０を結合する。
液晶層３を第２基板２１０の共通電極２７０上に形成する場合には、第１基板１１０に形成されている間隔材、補助間隔材３２０ａ、遮光補助部材３２１が液晶層３と接触するように第２基板２１０を配置して、第１基板１１０及び第２基板２１０を結合する。
薄膜トランジスタ及び電極を形成する方法は、通常の薄膜形成方法である薄膜蒸着、写真エッチングによるパターニングなどの方法で行うことができる。
以上で、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
液晶表示装置に適用され、周辺領域で発生する光漏れ及び外光反射を防止することによって表示品質を向上させることが可能となる。
３ 液晶層
８２ 接触補助部材
１００ 第１表示板
１１０ 第１基板
１２１、１２９ ゲート線
１２３ 短絡線
１２４、１２４ａ、１２４ｂ ゲート電極
１２５ ゲート電極の拡張部
１３１ 維持電極線
１３３ 副維持電極
１３７ 主維持電極
１３８ 外郭維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５４、１５４ａ、１５４ｂ 半導体
１６３、１６３ａ、１６３ｂ、１６５、１６５ａ、１６５ｂ 抵抗性接触部材
１７１、１７９ データ線
１７３、１７３ａ、１７３ｂ ソース電極
１７４ 維持電圧供給線
１７５、１７５ａ、１７５ｂ ドレイン電極
１７７、１７７ａ ドレイン電極の拡張部
１８０、１８０ｐ、１８０ｑ 保護膜
１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５ 接触孔
１９１ 画素電極
１９２、１９２ａ、１９２ｂ 透明連結部
２００ 第２表示板
２１０ 第２基板
２２０ 遮光部材
２３０Ｒ、２３０Ｇ 色フィルター
２３５ 外郭突出部材
２７０ 共通電極
３００ 液晶表示板組立体
３１０ 密封材
３２０ 間隔材
３２０ａ 補助間隔材
３２１ 遮光補助部材
４００ ゲート駆動部
４１０ ゲート駆動部のデータ線層信号線
４２０ ゲート駆動部のゲート線層信号線
５００ データ駆動部
７１０ 可撓性回路基板
７２０ 駆動回路基板
Ｑ１、Ｑ２ 第１及び第２薄膜トランジスタ
ＤＡ 表示領域
ＰＡ 周辺領域
８２ 接触補助部材
１００ 第１表示板
１１０ 第１基板
１２１、１２９ ゲート線
１２３ 短絡線
１２４、１２４ａ、１２４ｂ ゲート電極
１２５ ゲート電極の拡張部
１３１ 維持電極線
１３３ 副維持電極
１３７ 主維持電極
１３８ 外郭維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５４、１５４ａ、１５４ｂ 半導体
１６３、１６３ａ、１６３ｂ、１６５、１６５ａ、１６５ｂ 抵抗性接触部材
１７１、１７９ データ線
１７３、１７３ａ、１７３ｂ ソース電極
１７４ 維持電圧供給線
１７５、１７５ａ、１７５ｂ ドレイン電極
１７７、１７７ａ ドレイン電極の拡張部
１８０、１８０ｐ、１８０ｑ 保護膜
１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５ 接触孔
１９１ 画素電極
１９２、１９２ａ、１９２ｂ 透明連結部
２００ 第２表示板
２１０ 第２基板
２２０ 遮光部材
２３０Ｒ、２３０Ｇ 色フィルター
２３５ 外郭突出部材
２７０ 共通電極
３００ 液晶表示板組立体
３１０ 密封材
３２０ 間隔材
３２０ａ 補助間隔材
３２１ 遮光補助部材
４００ ゲート駆動部
４１０ ゲート駆動部のデータ線層信号線
４２０ ゲート駆動部のゲート線層信号線
５００ データ駆動部
７１０ 可撓性回路基板
７２０ 駆動回路基板
Ｑ１、Ｑ２ 第１及び第２薄膜トランジスタ
ＤＡ 表示領域
ＰＡ 周辺領域
Claims (25)
- 表示領域及び周辺領域を含む基板と、
前記基板の前記表示領域に形成されている表示領域信号線と、
前記基板の前記表示領域に形成されていて、前記表示領域信号線に接続されている表示領域薄膜トランジスタと、
前記基板の周辺領域に形成されている周辺領域信号線と、
前記基板上に形成されていて、前記表示領域信号線、前記表示領域薄膜トランジスタ、及び前記周辺領域信号線上に形成されている遮光部材と、
前記遮光部材を貫通する接触孔を通じて前記周辺領域信号線を電気的に接続する透明連結部と、
前記表示領域薄膜トランジスタと接続されている画素電極と、
前記遮光部材上に形成されている有色の間隔材と、
前記透明連結部上に前記間隔材と同一の材料を含んで形成されていて、少なくとも前記接触孔を覆う遮光補助部材と、
を含む薄膜トランジスタ表示板。 - 前記周辺領域に補助間隔材が形成されている、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記周辺領域の基板及び前記周辺領域の遮光部材の間に外郭突出部材が形成されている、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記基板の前記周辺領域に形成されている周辺領域薄膜トランジスタをさらに含み、
前記接触孔は、前記周辺領域薄膜トランジスタ及び前記周辺領域信号線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記周辺領域信号線は、
前記基板上に形成されている維持電極線と、
前記維持電極線上に形成されている維持電圧供給線と、
を含み、前記接触孔は、前記維持電極線及び前記維持電圧供給線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記周辺領域信号線は、
前記基板上に形成されているゲート駆動部のゲート線層信号線と、
前記ゲート駆動部のデータ線層信号線と、
を含み、前記接触孔は、前記ゲート駆動部のゲート線層信号線及び前記データ線層信号線の間を電気的に接続する接触孔を含む、請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記基板上に形成されている色フィルターをさらに含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記周辺領域に補助間隔材が形成されている、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記周辺領域の基板及び前記周辺領域の遮光部材の間に、外郭突出部材が前記色フィルターと同一な材料を含んで形成されている、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記基板の前記周辺領域に形成されている周辺領域薄膜トランジスタをさらに含み、
前記接触孔は、前記周辺領域薄膜トランジスタ及び前記周辺領域信号線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記周辺領域信号線は、
前記基板上に形成されている維持電極線と、
前記維持電極線上に形成されている維持電圧供給線と、
を含み、前記接触孔は、前記維持電極線及び前記維持電圧供給線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記周辺領域信号線は、
前記基板上に形成されているゲート駆動部のゲート線層信号線と、
前記ゲート駆動部のデータ線層信号線と、
を含み、前記接触孔は、前記ゲート線層信号線及び前記データ線層信号線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 表示領域及び周辺領域を含む第１基板、前記第１基板の周辺領域に形成されている周辺領域信号線、前記周辺領域信号線上に形成されている遮光部材、および前記遮光部材上に形成されている画素電極を含む第１表示板と、
前記第１基板と対向する第２基板、及び前記第２基板上に形成されている共通電極を含む第２表示板と、
前記第１表示板及び第２表示板の間に形成されている液晶層と、
を含み、前記第１表示板は、
前記遮光部材を貫通する接触孔を通じて前記周辺領域信号線を電気的に接続する透明連結部と、
前記遮光部材上に形成されている有色の間隔材と、
前記透明連結部上に前記間隔材と同一の材料を含んで形成されていて、少なくとも前記接触孔を覆う遮光補助部材と、
をさらに含む液晶表示装置。 - 前記第１基板の前記表示領域に形成されている表示領域信号線と、
前記第１基板の前記表示領域に形成されていて、前記表示領域信号線と接続されている表示領域薄膜トランジスタと、
をさらに含み、前記画素電極は、前記表示領域薄膜トランジスタと接続されている、請求項１３に記載の液晶表示装置。 - 前記周辺領域に補助間隔材が形成されている、請求項１４に記載の液晶表示装置。
- 前記基板の前記周辺領域に形成されている周辺領域薄膜トランジスタをさらに含み、
前記接触孔は、前記周辺領域薄膜トランジスタ及び前記周辺領域信号線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項１４に記載の液晶表示装置。 - 前記周辺領域信号線は、
前記基板上に形成されている維持電極線と、
前記維持電極線上に形成されている維持電圧供給線と、
を含み、前記接触孔は、前記維持電極線及び前記維持電圧供給線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項１４に記載の液晶表示装置。 - 前記周辺領域信号線は、
前記基板上に形成されているゲート駆動部のゲート線層信号線と、
前記ゲート駆動部のデータ線層信号線と、
を含み、前記接触孔は、前記ゲート線層信号線及び前記データ線層信号線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項１４に記載の液晶表示装置。 - 前記周辺領域の基板及び前記周辺領域の遮光部材の間に外郭突出部材が形成されている、請求項１８に記載の液晶表示装置。
- 前記基板上に形成されている色フィルターをさらに含む、請求項１４に記載の液晶表示装置。
- 前記周辺領域に補助間隔材が形成されている、請求項２０に記載の液晶表示装置。
- 前記周辺領域の基板及び前記周辺領域の遮光部材の間に、外郭突出部材が前記色フィルターと同一の材料を含んで形成されている、請求項２０に記載の液晶表示装置。
- 前記基板の前記周辺領域に形成されている周辺領域薄膜トランジスタをさらに含み、
前記接触孔は、前記周辺領域薄膜トランジスタ及び前記周辺領域信号線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項２０に記載の液晶表示装置。 - 前記周辺領域信号線は、
前記基板上に形成されている維持電極線と、
前記維持電極線上に形成されている維持電圧供給線と、
を含み、前記接触孔は、前記維持電極線及び前記維持電圧供給線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項２０に記載の液晶表示装置。 - 前記周辺領域信号線は、
前記基板上に形成されているゲート駆動部のゲート線層信号線と、
前記ゲート駆動部のデータ線層信号線と、
を含み、前記接触孔は、前記ゲート駆動部のゲート線層信号線及び前記データ線層信号線を電気的に接続する接触孔を含む、請求項２４に記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080078347A KR20100019666A (ko) | 2008-08-11 | 2008-08-11 | 박막 트랜지스터 표시판, 이를 포함하는 액정 표시 장치, 그리고 액정 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010044362A true JP2010044362A (ja) | 2010-02-25 |
Family
ID=41652583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009121732A Pending JP2010044362A (ja) | 2008-08-11 | 2009-05-20 | 薄膜トランジスタ表示板、これを含む液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8035779B2 (ja) |
| JP (1) | JP2010044362A (ja) |
| KR (1) | KR20100019666A (ja) |
| CN (1) | CN101676783B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012114762A1 (ja) * | 2011-02-24 | 2012-08-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | 垂直配向型液晶表示装置とその製造方法 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8077275B2 (en) * | 2008-05-09 | 2011-12-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display substrate and a method of manufacturing the same |
| KR20100069934A (ko) * | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 삼성전자주식회사 | 몰드의 제조 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101581774B1 (ko) | 2009-06-18 | 2016-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101607636B1 (ko) | 2009-11-23 | 2016-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR101874038B1 (ko) * | 2011-10-07 | 2018-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
| TWI464491B (zh) * | 2011-11-08 | 2014-12-11 | Au Optronics Corp | 顯示裝置 |
| KR102024158B1 (ko) * | 2011-12-23 | 2019-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20150019323A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101682079B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2016-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102185102B1 (ko) | 2014-01-10 | 2020-12-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판, 이를 갖는 액정 표시 패널 및 이의 제조방법 |
| CN104317125A (zh) * | 2014-11-13 | 2015-01-28 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示装置 |
| KR102304890B1 (ko) * | 2015-02-25 | 2021-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102305921B1 (ko) * | 2015-03-02 | 2021-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102364863B1 (ko) | 2015-03-10 | 2022-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102334811B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2021-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
| TWI522686B (zh) * | 2015-05-05 | 2016-02-21 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN107850811A (zh) * | 2015-05-06 | 2018-03-27 | 株式会社Lg化学 | 液晶显示装置 |
| KR102343411B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2021-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102387683B1 (ko) | 2015-05-18 | 2022-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR102341639B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2021-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR102540811B1 (ko) | 2015-12-04 | 2023-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN105428371B (zh) * | 2015-12-24 | 2019-06-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板与薄膜晶体管阵列基板 |
| CN105702685B (zh) * | 2016-03-01 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| US10690970B2 (en) * | 2016-04-08 | 2020-06-23 | Apple Inc. | Display with hybrid column spacer structures |
| KR102570314B1 (ko) * | 2016-06-08 | 2023-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102602166B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2023-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR102645333B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2024-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN107045222A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-08-15 | 惠科股份有限公司 | 液晶面板及其制造方法 |
| KR20190007130A (ko) * | 2017-07-11 | 2019-01-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102569312B1 (ko) * | 2018-06-07 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN108957892B (zh) * | 2018-08-31 | 2020-12-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板 |
| US20220344544A1 (en) * | 2021-04-23 | 2022-10-27 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co,, Ltd. | Display panel and display device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1294449C (zh) * | 2003-03-17 | 2007-01-10 | 统宝光电股份有限公司 | 液晶显示面板的遮光外框的结构及其制造方法 |
| KR100740041B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2007-07-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼 컬럼 스페이서를 구비한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| JP2007334003A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-08-11 KR KR1020080078347A patent/KR20100019666A/ko not_active Application Discontinuation
-
2009
- 2009-04-09 US US12/421,115 patent/US8035779B2/en active Active
- 2009-05-20 JP JP2009121732A patent/JP2010044362A/ja active Pending
- 2009-08-11 CN CN2009101778955A patent/CN101676783B/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012114762A1 (ja) * | 2011-02-24 | 2012-08-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | 垂直配向型液晶表示装置とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8035779B2 (en) | 2011-10-11 |
| CN101676783A (zh) | 2010-03-24 |
| KR20100019666A (ko) | 2010-02-19 |
| CN101676783B (zh) | 2013-11-06 |
| US20100033646A1 (en) | 2010-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010044362A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板、これを含む液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法 | |
| US7612860B2 (en) | Color filter on thin film transistor type liquid crystal display device and method of fabricating the same with an alignment key formed with the orientation layer | |
| KR101515382B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 | |
| KR101479998B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101293561B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| JP5652841B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板 | |
| KR101799492B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| KR101980774B1 (ko) | 컬러필터를 가지는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR101490472B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 | |
| KR101383703B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 | |
| KR101581774B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20140055848A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20130061969A (ko) | 액정표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| US20080206911A1 (en) | Method of manufacturing liquid crystal display | |
| KR20070092446A (ko) | 색필터 표시판의 제조 방법 및 액정 표시 장치 | |
| US8329486B2 (en) | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same | |
| KR20090081265A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 | |
| JP5048914B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板の製造方法 | |
| KR101557817B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| JP2005182048A (ja) | 多重ドメイン薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置 | |
| KR101590381B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101407305B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR20130018056A (ko) | 액정표시장치 | |
| KR20110121418A (ko) | 색필터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 | |
| KR101411735B1 (ko) | 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |