JP2010043362A - 処理装置、膜の形成方法、及び熱処理方法 - Google Patents
処理装置、膜の形成方法、及び熱処理方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】石英製外管と、石英製外管の下端にシール部を介して設けられたガス排気口を備えるインレットフランジと、インレットフランジの内壁に設けられたチューブ受けと、石英製外管の内側のチューブ受けに石英製外管と同心に設けられ、ウェーハを載せたボートがロードされる石英製内管と、石英製内管の外側のチューブ受けに、石英製内管と同心で、チューブ受けから石英製外管のシール部の近傍にかけて設けられ、石英製内管よりも熱線の透過率が小さい管と、を備える。
【選択図】図1
Description
減することが可能な処理装置、膜の形成方法、及び熱処理方法を提供することにある。
を載せた石英製ボート10を挿入して密閉する。ウェーハWをアウタチューブ3の外側に設けられるヒータ2により加熱すると共に、インナチューブ4内にガス導入口8よりSi窒化膜形成用のプロセスガスを供給してインナチューブ4内を上昇させ、反応管5の頂部で向きを変え、アウタチューブ3とインナチューブ4との間を下降させて排気口9より排気する。これによりウェーハWにSi3N4膜が生成されるとともに、NH4Cl等の副生成物がインレットフランジ7のアウタチューブシール部近傍7aに付着する。
る。
4 石英製インナチューブ(内管)
5 反応管
7 インレットフランジ
10 ボート
11 外管
W ウェーハ
Claims (4)
- 石英製外管と、
該石英製外管の下端にシール部を介して設けられたガス排気口を備えるインレットフランジと、
該インレットフランジの内壁に設けられたチューブ受けと、
前記石英製外管の内側の前記チューブ受けに前記石英製外管と同心に設けられ、ウェーハを載せたボートがロードされる石英製内管と、
前記石英製内管の外側の前記チューブ受けに、前記石英製内管と同心で、前記チューブ受けから前記石英製外管の前記シール部の近傍にかけて設けられ、前記石英製内管よりも熱線の透過率が小さい管と、
を備えた縦型炉を有する処理装置。 - 前記石英製内管よりも熱線の透過率が小さい管は、セラミック製又はSiC製又はPoly−Si製である請求項1記載の処理装置。
- 請求項1記載の前記縦型炉内に、前記ボートをロードして成膜処理し、前記成膜処理の後、前記ボートを前記縦型炉内からアンロードする膜の形成方法。
- 請求項1記載の前記縦型炉内に、前記ボートをロードして加熱を伴う処理をし、前記加熱を伴う処理の後、前記ボートを前記縦型炉内からアンロードする熱処理方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113308733A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-27 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | 一种改善硅片与石英舟粘接的poly-si化学气象沉积工艺方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH03208334A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造装置 |
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JPH0982656A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
-
2009
- 2009-11-24 JP JP2009265984A patent/JP5190436B2/ja not_active Expired - Lifetime
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