JP2010038639A - 半導体デバイスの信頼性評価方法、および半導体デバイスの信頼性評価装置 - Google Patents
半導体デバイスの信頼性評価方法、および半導体デバイスの信頼性評価装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体デバイス1の信頼性評価方法は、半導体信頼性評価装置11の絶縁抵抗計13および導体抵抗計14において、半導体デバイス1のカソード電極2とアノード電極3との間の絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定工程と、測定された絶縁抵抗値が予め設定された絶縁抵抗リミット設定値以上であるか否かを判定する第1の判定工程と、第1の判定工程における判定結果に応じて、半導体デバイス1のアノード電極3の導体抵抗を測定する導体抵抗測定工程と、測定された導体抵抗値が予め設定された導体抵抗リミット設定値以下であるか否かを判定する第2の判定工程と、を含み、第2の判定工程における判定結果に応じて、半導体デバイス1の信頼性を評価するための出力を行う。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に係る半導体信頼性評価装置の概略構成を示す図である。半導体信頼性評価装置11は、恒温恒湿状態(例えば130℃/85%或いは85℃/85%)において、供試品である半導体デバイス1にストレス電圧を印加することによって、当該半導体デバイス1のイオンマイグレーション耐性を評価するための装置である。
ここで、半導体デバイス1に生じるイオンマイグレーション現象について、図2を用いて説明する。イオンマイグレーション現象とは、上述したように、半導体信頼性評価装置11が、恒温恒湿状態下で、当該半導体デバイス1にストレス電圧を印加することにより、当該半導体デバイス1の一方の金属電極から他方の金属電極へ金属イオン6が溶出・移行し、他方の金属電極に金属または化合物が析出する現象である。すなわち、イオンマイグレーション現象とは、アノード電極3(一方の配線パターン)から金属イオン6の溶出が起こり、当該金属イオン6がカソード電極2(もう一方の配線パターン)に移動し、当該カソード電極2で金属として析出することを繰り返して、あたかもカソード電極2からアノード電極3に向かって金属が成長しているように見える現象である。
次に、図3を用いて本発明に係る半導体デバイス1の信頼性評価方法(半導体信頼性評価装置11による処理)の流れを説明する。図3は、半導体信頼性評価装置11による処理(半導体デバイスの信頼性評価方法)を示すフローチャートである。
なお、本発明は、以下のようにも表現できる。
2 カソード電極(配線パターン)
3 アノード電極(配線パターン)
11 半導体信頼性評価装置(信頼性評価装置)
12 恒温恒湿槽
13 絶縁抵抗計(絶縁抵抗測定装置)
14 導体抵抗計(導体抵抗測定装置)
Claims (5)
- 恒温・恒湿状態において、基板上に複数の配線パターンが形成された半導体デバイスの信頼性を評価する半導体デバイスの信頼性評価方法であって、
上記半導体デバイスの配線パターン間の絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定工程と、
上記絶縁抵抗測定工程において測定された絶縁抵抗値が予め設定された第1の設定値以上であるか否かを判定する第1の判定工程と、
上記第1の判定工程における判定結果に応じて、上記半導体デバイスの配線パターンの導体抵抗を測定する導体抵抗測定工程と、
上記導体抵抗測定工程において測定された導体抵抗値が予め設定された第2の設定値以下であるか否かを判定する第2の判定工程と、を含み、
上記第2の判定工程における判定結果に応じて、上記半導体デバイスの信頼性を評価するための出力を行うことを特徴とする半導体デバイスの信頼性評価方法。 - 上記第2の判定工程において、
上記導体抵抗値が予め設定された第2の設定値より大きい場合には、上記半導体デバイスの信頼性を評価するための出力を行い、
上記導体抵抗値が予め設定された第2の設定値以下である場合には、再び絶縁抵抗測定工程における絶縁抵抗測定を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの信頼性評価方法。 - 恒温・恒湿状態において、基板上に複数の配線パターンが形成された半導体デバイスの信頼性を評価する半導体デバイスの信頼性評価方法であって、
上記半導体デバイスの配線パターンの導体抵抗を測定する導体抵抗測定工程と、
上記導体抵抗測定工程において測定された導体抵抗値が予め設定された第2の設定値以下であるか否かを判定する第2の判定工程と、
上記第2の判定工程における判定結果に応じて、上記半導体デバイスの配線パターン間の絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定工程と、
上記絶縁抵抗測定工程において測定された絶縁抵抗値が予め設定された第1の設定値以上であるか否かを判定する第1の判定工程と、を含み、
上記第1の判定工程における判定結果に応じて、上記半導体デバイスの信頼性を評価するための出力を行うことを特徴とする半導体デバイスの信頼性評価方法。 - 恒温・恒湿状態において、基板上に複数の配線パターンが形成された半導体デバイスの信頼性を評価する半導体デバイスの信頼性評価装置であって、
上記半導体デバイスを恒温・恒湿状態に維持する恒温恒湿槽と、
上記半導体デバイスの配線パターン間の絶縁抵抗を測定し、当該測定した絶縁抵抗値が予め設定された第1の設定値以上であるか否かを判定する絶縁抵抗測定装置と、
上記絶縁抵抗測定装置における判定結果に応じて、上記半導体デバイスの配線パターンの導体抵抗を測定し、当該測定した導体抵抗値が予め設定された第2の設定値以下であるか否かを判定する導体抵抗測定装置と、を備え、
上記導体抵抗測定装置における判定結果に応じて、上記半導体デバイスの信頼性を評価するための出力を行うことを特徴とする半導体デバイスの信頼性評価装置。 - 恒温・恒湿状態において、基板上に複数の配線パターンが形成された半導体デバイスの信頼性を評価する半導体デバイスの信頼性評価装置であって、
半導体デバイスを恒温・恒湿状態に維持する恒温恒湿槽と、
上記半導体デバイスの配線パターンの導体抵抗を測定し、当該測定した導体抵抗値が予め設定された第2の設定値以下であるか否かを判定する導体抵抗測定装置と、
上記導体抵抗測定装置における判定結果に応じて、上記半導体デバイスの配線パターン間の絶縁抵抗を測定し、当該測定した絶縁抵抗値が予め設定された第1の設定値以上であるか否かを判定する絶縁抵抗測定装置と、を備え、
上記絶縁抵抗測定装置における判定結果に応じて、上記半導体デバイスの信頼性を評価ための出力を行うことを特徴とする半導体デバイスの信頼性評価装置。
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