JP2010037307A - ジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法 - Google Patents

ジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法 Download PDF

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Abstract

【解決手段】 酸触媒存在下に、式(1)
1 2Si(OR22 (1)
(R1は第二級アルキル基又はβ位にアルキル置換基を有する第一級アルキル基を表し、互いに同一でも異なっていても良く、R2はメチル基又はエチル基を表し、互いに同一でも異なっていても良い)
のジアルキルジアルコキシシランと、式(2)
3COCl (2)
(R3は、置換又は無置換の1価炭化水素基を表す)
で表される酸クロライド化合物とを反応させる式(3)
1 2SiCl2 (3)
(R1は上記と同じ)
で表されるジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法。
【効果】本発明のジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法は、酸触媒存在下にジアルキルジクロロシランと酸クロライド化合物を反応させることにより、嵩高い第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する第一級アルキル基を持ったジアルキルジクロロシラン化合物を製造することができる。
【選択図】なし

Description

本発明は、ジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法に関する。本発明のジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法によれば、酸触媒存在下に、ジアルキルジアルコキシシランと酸クロライド化合物を反応させることにより、枝分かれのあるアルキル基を有するジアルキルジクロロシラン化合物を製造することが出来る。
嵩高い第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する第一級アルキル基を持ったジアルキルジクロロシランは、ジオール化合物をシリル化して保護するための化合物として有用な化合物である。例えば、ジイソプロピルジクロロシランはヌクレオシドの3’位と、5’位のヒドロキシル基の保護に用いられている(非特許文献1:Tetrahedron Letter, 26, 887(1985))。
ジアルキルジクロロシランは、テトラクロロシランとアルキルグリニヤール試薬を2等量反応させることにより合成されるが、アルキル基が嵩高い第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する第一級アルキル基の場合には、副反応としてクロロシランの還元反応が起こってしまうという問題点があり、テトラクロロシランからジアルキルジクロロシランを製造する方法は実用的でなかった。
一方、クロロシランから直接製造する方法に代わる方法として、ジアルキルジアルコキシシランをクロル化して合成する方法がある。嵩高いアルキル基を有するジアルキルジアルコキシシランは、ハイドロジェントリアルコキシシランに2当量のグリニヤール試薬を反応させて、ジアルキルアルコキシシランを合成し、これを触媒の存在下にアルコールと反応させることにより容易に製造することが出来ることが知られている(特許文献1:特許第2989109号公報)。
上記の方法により得られた嵩高い置換基を有するジアルキルジアルコキシシランをクロル化することにより、嵩高い第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する第一級アルキル基を持ったジアルキルジクロロシラン化合物を合成することが出来る。嵩高い第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する第一級アルキル基を持ったアルコキシシランのをクロル化する場合には、従来の塩化チオニルや三塩化リンを用いるクロル化法では、アルキル基の嵩高さのため反応時間が長く掛かるという問題点があった。
以上のことから、嵩高い第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する第一級アルキル基を持ったジアルキルジアルコキシシラン化合物から、容易にジアルキルジクロロシラン化合物を製造する方法を開発することが望まれていた。
特許第2989109号公報 Tetrahedron Letter, 26, 887(1985)
本発明は、上記要望に応えたもので、ジアルキルジアルコキシシラン化合物を、酸触媒の存在下に酸クロライド化合物と反応させることにより、容易に嵩高いアルキル基を有するジアルキルジクロロシラン化合物を合成する方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、酸触媒の存在下に、ジアルキルジアルコキシシラン化合物を酸クロライド化合物と反応させることにより、ジアルキルジクロロシラン化合物が得られることを見出し、本発明に至ったものである。
即ち、本発明は、酸触媒存在下に、嵩高い第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する第一級アルキル基を持ったジアルキルジアルコキシシランと酸クロライド化合物を反応させることにより、効率よくジアルキルジクロロシラン化合物を製造する下記の方法を提供する。
請求項1:
酸触媒存在下に、下記一般式(1)
1 2Si(OR22 (1)
(式中、R1は炭素数3〜10の第二級アルキル基又はβ位にアルキル置換基を有する炭素数4〜10の第一級アルキル基を表し、互いに同一でも異なっていても良く、R2はメチル基又はエチル基を表し、互いに同一でも異なっていても良い。)
で表されるジアルキルジアルコキシシランと、下記一般式(2)
3COCl (2)
(式中、R3は、炭素数1〜10の置換又は非置換の1価炭化水素基を表す。)
で表される酸クロライド化合物とを反応させることを特徴とする下記一般式(3)
1 2SiCl2 (3)
(式中、R1は上記と同じ。)
で表されるジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法。
請求項2:
酸触媒が、ルイス酸、スルホン酸又はカルボン酸である請求項1記載のジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法。
本発明のジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法は、酸触媒存在下にジアルキルジクロロシランと酸クロライド化合物を反応させることにより、嵩高い第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する第一級アルキル基を持ったジアルキルジクロロシラン化合物を製造することができる。
本発明のジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法は、酸触媒存在下に、ジアルキルジクロロシランと酸クロライド化合物を反応させることにより、嵩高い第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する第一級アルキル基を持ったジアルキルジクロロシラン化合物を製造することができる。
本発明のジアルキルジアルコキシシランは、下記一般式(1)
1 2Si(OR22 (1)
で表されるものである。上記式(1)中のR1は炭素数3〜10の第二級アルキル基又はβ位にアルキル基を有する炭素数4〜10の第一級アルキル基であり、具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、1−エチルプロピル基、2−エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。また、上記式(1)中のR2はメチル基又はエチル基である。
上記式(1)で表されるジアルキルジアルコキシシラン化合物としては、具体的には、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、ジsec−ブチルジメトキシシラン、ジ(1−メチルブチル)ジメトキシシラン、ジ(2−メチルブチル)ジメトキシシラン、ジ(2−エチルヘキシル)ジメトキシシラン、ジシクロペンチルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシラン等のジメトキシシラン類、ジイソプロピルジエトキシシラン、ジイソブチルジエトキシシラン、ジsec−ブチルジエトキシシラン、ジ(1−メチルブチル)ジエトキシシラン、ジ(2−メチルブチル)ジエトキシシラン、ジ(2−エチルヘキシル)ジエトキシシラン、ジシクロペンチルジエトキシシラン、ジシクロヘキシルジエトキシシラン等のジエトキシシラン類等が挙げられる。
本発明において、酸クロライド化合物は下記式(2)
3COCl (2)
で表されるものである。上記式(2)中のR3は、炭素数1〜10の置換又は非置換の1価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基が挙げられる。
上記式(2)で表される酸クロライド化合物としては、具体的には、アセチルクロライド、プロピオニルクロライド、ブチリルクロライド、イソブチリルクロライド、バレロイルクロライド、イソバレロイルクロライド、ピバロイルクロライド、ベンゾイルクロライド等が挙げられる。
本発明の酸クロライド化合物の使用量は、ジアルキルジアルコキシシラン1モルに対して1.5〜3.0モル、特に1.8〜2.4モル用いることが好ましく、更には2.0〜2.3モル用いることが好ましい。これより少ないと、クロル化反応が十分進行せず、またこれより多くても反応率は向上せず経済的でない。
本発明においては、上記式(1)のジアルキルジアルコキシシランと式(2)の酸クロライドとを酸触媒の存在下に反応させて、下記式(3)
1 2SiCl2 (3)
で表されるジアルキルジクロロシランを得るものである。なお、式(3)におけるR1は上記した通りである。
上記式(3)で表されるジアルキルジクロロシランとしては、具体的には、ジイソプロピルジクロロシラン、ジイソブチルジクロロシラン、ジsec−ブチルジクロロシラン、ジ(1−メチルブチル)ジクロロシラン、ジ(2−メチルブチル)ジクロロシラン、ジ(2−エチルヘキシル)ジクロロシラン、ジシクロペンチルジクロロシラン、ジシクロヘキシルジクロロシラン等が挙げられる。
本発明の酸触媒としては、ルイス酸化合物、スルホン酸化合物又はカルボン酸化合物が挙げられる。ルイス酸触媒として具体的には、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化マグネシウム、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、トリエチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、tert−ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。スルホン酸触媒としては、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。カルボン酸化合物として具体的には、トリフルオロ酢酸、酢酸、プロピオン酸等が挙げられる。特に、塩化亜鉛、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸を用いることが好ましい。
本発明の酸触媒の配合比は特に限定されないが、ジアルキルジアルコキシシラン1モルに対して、酸触媒を0.0001〜0.2モル、特に0.1〜0.05モル用いることが好ましい。触媒が0.0001モル未満では触媒の十分な効果が発現しない可能性があり、0.2モルを超えると、触媒の量に見合うだけの反応促進効果がみられない可能性がある。
本発明の反応は、ジアルキルジアルコキシシランと触媒中に、酸クロライドを添加して行っても良く、又は酸クロライドと触媒中に、ジアルキルジアルコキシシランを添加して行っても良い。
なお、本発明の反応は無溶媒で進行するが、溶媒を用いることも出来る。用いられる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル等の非プロトン性極性溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素系溶媒等が挙げられる。また、これらの溶媒は単独で使用してもよく、あるいは2種以上を混合して使用してもよい。
本発明の反応温度は特に限定されないが、常圧又は加圧下で0〜200℃、特に10〜100℃が好ましい。なお、反応時間は、通常1〜100時間である。また、反応雰囲気としては、特に限定されないが、安全上、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが好ましい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
[実施例1]
500mlの4つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコに、ジシクロペンチルジメトキシシラン248.4g(1.0mol)と塩化亜鉛2.73g(0.02mol)を仕込み、内温を55〜65℃に温調しながらプロピオニルクロライド203.5g(2.2mol)を2時間掛けて滴下した。滴下終了後、そのままの温度で、1時間熟成を行うと反応は終了した。ガスクロマトグラフィーによる分析により、ジシクロペンチルジメトキシシラン及びジシクロペンチルクロロメトキシシランは観測されず、反応率は100%となった。得られた反応液を減圧蒸留して、ジシクロペンチルジクロロシラン225.4g(0.950mol)を得た。収率は95.0%であった。
[実施例2]
300mlの4つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコに、ジイソプロピルジメトキシシラン105.8g(0.6mol)と塩化亜鉛1.63g(0.012mol)を仕込み、内温を75〜85℃でプロピオニルクロライド122.1g(1.32mol)を2.5時間掛けて滴下した。滴下終了後、そのままの温度で、1時間熟成を行うと反応は終了した。ガスクロマトグラフィーによる分析により、ジイソプロピルジメトキシシラン及びジイソプロピルクロロメトキシシランは消失し、反応率は100%となった。得られた反応液を蒸留して、ジイソプロピルジクロロシラン104.5g(0.564mol)を得た。収率は94.0%であった。
[実施例3]
200mlの4つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコに、ジシクロペンチルジメトキシシラン45.7g(0.2mol)とトリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート0.44g(0.002mol)を仕込み、内温を75〜85℃でプロピオニルクロライド40.7g(0.44mol)を4.5時間掛けて滴下した。滴下終了後、そのままの温度で、2時間熟成を行うと反応は終了した。得られた反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、ジシクロペンチルジメトキシシラン及びジシクロペンチルクロロメトキシシランは観測されず、反応率は100%であった。
[実施例4]
200mlの4つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコに、ジシクロペンチルジメトキシシラン45.7g(0.2mol)とトリフルオロメタンスルホン酸0.30g(0.002mol)を仕込み、内温を70〜80℃でプロピオニルクロライド40.7g(0.44mol)を3.5時間掛けて滴下した。滴下終了後、そのままの温度で、2.5時間熟成を行うと反応は終了した。得られた反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、ジシクロペンチルジメトキシシラン及びジシクロペンチルクロロメトキシシランは観測されず、反応率は100%であった。
[実施例5]
200mlの4つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコに、ジシクロペンチルジメトキシシラン45.7g(0.2mol)と塩化亜鉛0.55g(0.004mol)を仕込み、内温を55〜65℃でアセチルクロライド34.5g(0.44mol)を2.5時間掛けて滴下した。滴下終了後、そのままの温度で、1時間熟成を行うと反応は終了した。得られた反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、ジシクロペンチルジメトキシシラン及びジシクロペンチルクロロメトキシシランは観測されず、反応率は100%であった。
[実施例6]
200mlの4つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコに、ジイソブチルジメトキシシラン40.9g(0.2mol)と塩化亜鉛0.55g(0.004mol)を仕込み、内温を55〜65℃でアセチルクロライド34.5g(0.44mol)を3時間掛けて滴下した。滴下終了後、そのままの温度で、1時間熟成を行うと反応は終了した。得られた反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、ジイソブチルジメトキシシラン及びジイソブチルクロロメトキシシランは観測されず、反応率は100%であった。
[実施例7]
200mlの4つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコに、ジシクロペンチルジエトキシシラン51.3g(0.2mol)と塩化亜鉛0.55g(0.004mol)を仕込み、内温を55〜65℃でアセチルクロライド34.5g(0.44mol)を3.5時間掛けて滴下した。滴下終了後、そのままの温度で、1時間熟成を行うと反応は終了した。得られた反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、ジシクロペンチルジエトキシシラン及びジシクロペンチルクロロエトキシシランは観測されず、反応率は100%であった。

Claims (2)

  1. 酸触媒存在下に、下記一般式(1)
    1 2Si(OR22 (1)
    (式中、R1は炭素数3〜10の第二級アルキル基又はβ位にアルキル置換基を有する炭素数4〜10の第一級アルキル基を表し、互いに同一でも異なっていても良く、R2はメチル基又はエチル基を表し、互いに同一でも異なっていても良い。)
    で表されるジアルキルジアルコキシシランと、下記一般式(2)
    3COCl (2)
    (式中、R3は、炭素数1〜10の置換又は非置換の1価炭化水素基を表す。)
    で表される酸クロライド化合物とを反応させることを特徴とする下記一般式(3)
    1 2SiCl2 (3)
    (式中、R1は上記と同じ。)
    で表されるジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法。
  2. 酸触媒が、ルイス酸、スルホン酸又はカルボン酸である請求項1記載のジアルキルジクロロシラン化合物の製造方法。
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