JP2010032716A - 液晶デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに内面を対面させ所定の間隔をもって配設された2枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画された液晶デバイスの製造方法であって、2枚のガラス基板の間に液晶室に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも2倍の幅を有するシール帯を配設して複数の液晶室を区画する液晶室形成工程と、複数の液晶室を形成した2枚のガラス基板の一方のガラス基板側からガラス基板を透過してシール帯の幅を2分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けてシール帯に沿ってレーザー光線を照射し、シール帯の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、シール帯に形成された変質層に沿って2枚のガラス基板を分割するガラス基板分割工程とを含む。
【選択図】図6
Description
該2枚のガラス基板の間に該液晶室に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも2倍の幅を有するシール帯を配設して複数の液晶室を区画する液晶室形成工程と、
該複数の液晶室を形成した該2枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該ガラス基板を透過して該シール帯の幅を2分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に沿ってレーザー光線を照射し、該シール帯の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、
該シール帯に形成された変質層に沿って該2枚のガラス基板を分割するガラス基板分割工程と、を含む、
ことを特徴とする液晶デバイスの製造方法が提供される。
また、上記変質層形成工程において照射されるレーザー光線の波長は、266〜1300nmに設定されていることが望ましい。
上記ガラス基板分割工程は、2枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該一方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該一方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程と、2枚のガラス基板の他方のガラス基板側から該他方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該他方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第2の変質層を形成する第2の変質層形成工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第1の変質層と該第2の変質層および該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む。
また、上記ガラス基板分割工程は、2枚のガラス基板の一方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってスクライブすることにより第1のスクライブラインを形成するする第1のスクライブ工程と、2枚のガラス基板の他方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってススクライブすることにより第2のスクライブラインを形成するする第2のスクライブ工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第1のスクライブラインと該第2のスクライブラインおよび該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む。
図1に示す液晶デバイスウエーハ2は、互いに内面(裏面)を対面させ所定の間隔(例えば4μm)をもって配設された厚みが0.2〜0.5mmの第1のガラス基板21および第2のガラス基板22と、該第1のガラス基板21と第2のガラス基板22との間に配設され複数の液晶室23を区画する直線状のシール帯24を具備している(液晶室形成工程)。ここで、シール帯24について、更に詳細に説明する。シール帯24は、エポキシ樹脂等のシール材によって形成されている。このシール帯24は、図示の実施形態においては液晶室23が互いに隣接する領域に形成される第1のシール部241と、液晶室23が互いに隣接する領域以外の他の領域に形成される第2のシール部242とからなっている。図示の実施形態における第1のシール部241の幅B1は、第2のシール部242の幅B2の少なくとも2倍に形成されている。即ち、第2のシール部242の幅B2は液晶室13に注入される液晶を封止するに必要な幅に設定されており、従って、第1のシール部241の幅B1は液晶室23に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも2倍に設定されている。
液晶デバイスウエーハ2を個々の液晶デバイス20に分割するには、先ず、複数の液晶室23を形成した2枚のガラス基板の一方例えば第1のガラス基板21側から該第1のガラス基板21を透過してシール帯24における第1のシール部241の幅を2分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けて第1のシール部241の長手方向に沿ってレーザー光線を照射し、シール帯24における第1のシール部241の内部に変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図2に示すレーザー加工装置3を用いて実施する。図2に示すレーザー加工装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32と、チャックテーブル31上に保持された被加工物を撮像する撮像手段33を具備している。チャックテーブル31は、表面に複数の吸引孔311が形成されており、この複数の吸引孔311が図示しない吸引手段に連通するように構成されている。このように構成されたチャックテーブル31は、回転機構312によって回転せしめられるとともに、図示しない加工送り機構によって図2において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって図2において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
波長 :266〜1300nmのパルスレーザー
平均出力 :0.3〜0.8W
繰り返し周波数 :200kHz〜1MHz
集光スポット径 :φ6μm
加工送り速度 :100mm/秒
ガラス基板分割工程の第1に実施形態について、図5乃至図8を参照して説明する。
ガラス基板分割工程の第1に実施形態は、先ず第1のガラス基板21側から第1のガラス基板21の内部にレーザー光線の集光点を位置付けてシール帯24における第1のシール部241に形成された変質層240に沿ってレーザー光線を照射し、第1のガラス基板21の内部に変質層240に沿って第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程を実施する。この第1の変質層形成工程は、上記図2に示すレーザー加工装置3を用いて実施することができる。
波長 :266〜355nmのパルスレーザー
平均出力 :2〜4W
繰り返し周波数 :200kHz〜1MHz
集光スポット径 :φ6μm
加工送り速度 :150mm/秒
ガラス基板分割工程の第2に実施形態は、先ず第1のガラス基板21にシール帯24における第1のシール部241に形成された変質層240に沿ってスクライブすることにより第1のスクライブラインを形成するする第1のスクライブ工程を実施する。この第1のスクライブ工程は、図9に示すスクライブ装置5を用いて実施する。図9に示すスクライブ装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル51と、該チャックテーブル51上に保持された被加工物にスクライブラインを形成するスクライブ機構52を具備している。チャックテーブル51は、上記図2に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31と同様に、表面に複数の吸引孔511が形成されており、この複数の吸引孔511が図示しない吸引手段に連通するように構成されている。このチャックテーブル51は、上記図2に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31と同様に回転機構512によって回転せしめられるとともに、図示しない加工送り機構によって図9において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって図9において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
20:液晶デバイス
21:第1のガラス基板
22:第2のガラス基板
23:液晶室
24:シール帯
240:変質層
241:第1のシール部
242:第2のシール部
25:配線パッド
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
4:ゴムシート
40:押圧ローラー
5:スクライブ装置
51:スクライブ装置のチャックテーブル
52:スクライブ機構
525:ローラスクライバ
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (5)
- 互いに内面を対面させ所定の間隔をもって配設された2枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画された液晶デバイスの製造方法であって、
該2枚のガラス基板の間に該液晶室に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも2倍の幅を有するシール帯を配設して複数の液晶室を区画する液晶室形成工程と、
該複数の液晶室を形成した該2枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該ガラス基板を透過して該シール帯の幅を2分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に沿ってレーザー光線を照射し、該シール帯の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、
該シール帯に形成された変質層に沿って該2枚のガラス基板を分割するガラス基板分割工程と、を含む、
ことを特徴とする液晶デバイスの製造方法。 - 該液晶を封止するに必要な幅の少なくとも2倍の幅を有するシール帯は、少なくとも該液晶室が互いに隣接する領域に配設される、請求項1記載の液晶デバイスの製造方法。
- 該変質層形成工程において照射されるレーザー光線の波長は、266〜1300nmに設定されている、請求項1又な2記載の液晶デバイスの製造方法。
- 該ガラス基板分割工程は、2枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該一方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該一方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程と、2枚のガラス基板の他方のガラス基板側から該他方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該他方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第2の変質層を形成する第2の変質層形成工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第1の変質層と該第2の変質層および該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む、請求項1から3のいずれかに記載の液晶デバイスの製造方法。
- 該ガラス基板分割工程は、2枚のガラス基板の一方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってスクライブすることにより第1のスクライブラインを形成する第1のスクライブ工程と、2枚のガラス基板の他方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってススクライブすることにより第2のスクライブラインを形成する第2のスクライブ工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第1のスクライブラインと該第2のスクライブラインおよび該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む、請求項1から3のいずれかに記載の液晶デバイスの製造方法。
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