JP2010027591A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、基板と、上記基板上に位置し、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタと、上記トランジスタ上に位置し、上記ソースまたはドレインに連結された連結電極と、上記連結電極上に位置し、上記連結電極の一部を露出する第１犠牲層と、上記第１犠牲層上に位置し、上記連結電極の一部を露出する第２犠牲層と、上記連結電極と上記第２犠牲層上に位置する下部電極と、上記下部電極上に位置する有機発光層と、上記有機発光層上に位置する上部電極と、を含み、上記第１犠牲層が上記第２犠牲層より内側に引き込まれていることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関するものである。

有機電界発光表示装置に使われる有機電界発光素子は、基板上に位置する２つの電極間に発光層が形成された自発光素子である。
また、有機電界発光表示装置は、光が放出される方向によって、前面発光方式、背面発光方式、または両面発光方式などがある。そして、駆動方式によって手動マトリックス型（Passive Matrix）と能動マトリックス型（Active Matrix）とに分けられる。

このような有機電界発光表示装置は、マトリックス形態で配置された複数のサブピクセルに、スキャン信号、データ信号、及び電源などが供給されると、選択されたサブピクセルが発光することによって映像を表示することができる。

一方、従来の有機電界発光表示装置は、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタ上にソースまたはドレインに連結されるカソードを形成し、チャンバーを移動して有機発光層とアノードを形成する工程を経る。

このような製造方法により形成された有機電界発光表示装置は、薄膜の構造または製造方法の手続きなどによりカソードが酸化されるにつれて、電子注入特性が低下する問題があった。そして、従来の有機電界発光表示装置は、カソード形成時にカソード間のショットや薄膜段差によるアノードオープン（切れ）のような問題がある。

本発明の実施形態は、基板と、基板上に位置し、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタと、トランジスタ上に位置し、ソースまたはドレインに連結された連結電極と、連結電極上に位置し、連結電極の一部を露出する第１犠牲層と、第１犠牲層上に位置し、連結電極の一部を露出する第２犠牲層と、連結電極と第２犠牲層上に位置する下部電極と、下部電極上に位置する有機発光層と、有機発光層上に位置する上部電極とを含み、第１犠牲層が第２犠牲層より内側に引き込まれていることを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。

本発明の他の態様によると、基板と、基板上に位置し、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタと、トランジスタ上に位置し、ソースまたはドレインに連結された連結電極と、連結電極上に位置し、連結電極の一部を露出する犠牲層と、犠牲層上に位置し、連結電極の一部を露出するバンク層と、連結電極とバンク層上に位置する下部電極と、下部電極上に位置する有機発光層と、有機発光層上に位置する上部電極とを含み、犠牲層がバンク層より内側に引き込まれていることを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。

本発明の他の態様によると、基板上に、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタを形成するステップと、トランジスタ上にソースまたはドレインに連結される連結電極を形成するステップと、連結電極上に第１犠牲層を形成するステップと、第１犠牲層上に第２犠牲層を形成するステップと、第２犠牲層上に第２犠牲層の一部が露出されるようにフォトレジスタを形成するステップと、フォトレジスタの下部に第２犠牲層が引き込まれるように第１エッチング方法を用いて第２犠牲層を除去するステップと、第２犠牲層の下部に第１犠牲層が引き込まれるように第２エッチング方法を用いて第１犠牲層を除去するステップと、フォトレジスタを除去するステップと、連結電極上に下部電極を形成するステップと、下部電極上に有機発光層を形成するステップと、有機発光層上に上部電極を形成するステップと、を含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。

本発明の他の態様によると、基板上に、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタを形成するステップと、トランジスタ上にソースまたはドレインに連結される連結電極を形成するステップと、連結電極上に犠牲層を形成するステップと、犠牲層上に犠牲層の一部が露出されるようにバンク層を形成するステップと、バンク層の下部に犠牲層が引き込まれるようにエッチング方法を用いて犠牲層を除去するステップと、連結電極上に下部電極を形成するステップと、下部電極上に有機発光層を形成するステップと、有機発光層上に上部電極を形成するステップとを含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。

本発明によると、アンダーカットによる段差により上部電極がオープン（切れ）される問題を抑制することができる。

また、この場合、アンダーカットパターン時に使われる犠牲層の厚みが最小化できることは勿論、パターンされる深さも任意に調節できる効果がある。

また、アンダーカットパターンを用いて下部電極を形成し、有機発光層及び上部電極を形成するので、下部電極が酸化される問題を抑制できる効果がある。

また、下部電極の酸化を抑制できるので、電子注入特性を向上させることができることは勿論、発光効率も向上させることができる効果がある。

また、犠牲層の材料に無機絶縁膜を使用するので、犠牲層の下部に位置する有機材料によるアウト−ガッシング（out-gassing）影響（例えば、サブピクセル収縮）を最小化することができる効果が得られる。

以下、本発明の実施形態に係る具体的な実施形態を添付された図面を参照しつつ説明する。

（第１実施形態）
図１に示すように、有機電界発光表示装置は、基板１１０上に多数のサブピクセルＰが位置する表示部１３０を含むことができる。

基板１１０は、素子を形成するための材料に機械的強度や寸法安定性が優れるものを選択することができる。基板１１０の材料には、ガラス板、金属板、セラミック板、またはプラスチック板（ポリカーボネイト樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ふっ素樹脂等）等を例に挙げることができる。

サブピクセルＰは、基板１１０上に位置するトランジスタとトランジスタ上に位置する有機発光ダイオードを含むことができる。

基板１１０上に位置する多数のサブピクセルＰは、水分や酸素に脆弱である。これによって、封入基板１４０を具備し、表示部１３０の外郭基板１１０に接着部材１５０を形成して、基板１１０と封入基板１４０とを封止することができる。

多数のサブピクセルＰは、基板１１０上に位置する駆動部１６０により駆動されて映像を表現することができる。駆動部１６０は、外部から供給された各種信号に対応してスキャン信号及びデータ信号などを生成することができ、生成された信号などを表示部１３０に位置する多数のサブピクセルＰに供給することができる。

駆動部１６０は、多数のサブピクセルＰにスキャン信号を供給するスキャン駆動部と、多数のサブピクセルＰにデータ信号を供給するデータ駆動部とを含むことができる。ここで、駆動部１６０は、スキャン駆動部及びデータ駆動部が１つのチップに形成されたことを一例として概略的に図示したものであり、スキャン駆動部とデータ駆動部のうちの１つ以上は、基板１１０または基板１１０の外部に区分されて位置できる。

以下、図２を参照して本発明の実施形態に係るサブピクセルについてより詳細に説明する。

図２を参照すると、基板１１０上には、ゲート１１２ａ、１１２ｂが位置できる。ゲート１１２ａ、１１２ｂは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されるいずれか１つ、またはいずれか２つ以上からなる合金からなることができる。また、ゲート１１２ａ、１１２ｂは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されるいずれか１つ、またはいずれか２つ以上からなる合金からなる多重層であることができる。また、ゲート１１２ａ、１１２ｂは、モリブデン／アルミニウム−ネオジム、またはモリブデン／アルミニウムの２重層であることができる。

ゲート１１２ａ、１１２ｂ上には、第１絶縁膜１１３が位置できる。第１絶縁膜１１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層であることができるが、これに限定されるのではない。

第１絶縁膜１１３上にはアクティブ層１１４ａ、１１４ｂが位置できる。アクティブ層１１４ａ、１１４ｂは、非晶質シリコン、またはこれを結晶化した多結晶シリコンを含むことができる。ここで、図示してはいないが、アクティブ層１１４ａ、１１４ｂは、チャネル領域、ソース領域、及びドレイン領域を含むことができ、ソース領域及びドレイン領域には、Ｐ型またはＮ型不純物がドーピングされることができる。また、アクティブ層１１４ａ、１１４ｂは、接触抵抗を低めるためのオーミックコンタクト層を含むことができる。

アクティブ層１１４ａ、１１４ｂ上には、ソース１１５ａ、１１５ｃ及びドレイン１１５ｂ、１１５ｄが位置できる。ソース１１５ａ、１１５ｃ及びドレイン１１５ｂ、１１５ｄは、単一層または多重層からなることができ、ソース１１５ａ、１１５ｃ及びドレイン１１５ｂ、１１５ｄが単一層の場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されるいずれか１つ、またはいずれか２つ以上からなる合金からなることができる。また、ソース１１５ａ、１１５ｃ及びドレイン１１５ｂ、１１５ｄが多重層の場合には、モリブデン／アルミニウム−ネオジムの２重層、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、またはモリブデン／アルミニウム−ネオジム／モリブデンの３重層からなることができる。

ソース１１５ａ、１１５ｃ及びドレイン１１５ｂ、１１５ｄ上には、第２絶縁膜１１６ａが位置できる。第２絶縁膜１１６ａは、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層であることができるが、これに限定されるのではない。第２絶縁膜１１６ａはパッシベーション膜であることができる。

基板１１０上に位置するトランジスタのうち、ゲート１１２ａ、ソース１１５ａ及びドレイン１１５ｂは駆動トランジスタであり、ゲート１１２ｂ、ソース１１５ｃ及びドレイン１１５ｄはスイッチングトランジスタであることができる。駆動トランジスタのソース１１５ａ及びドレイン１１５ｂのうちの１つは、第２絶縁膜１１６ａ上に位置するシールド金属１１８ａに連結されることができる。そして、駆動トランジスタのソース１１５ａまたはドレイン１１５ｂのうちの１つは、スイッチングトランジスタのソース１１５ｃ、またはドレイン１１５ｄに連結されることができる。

第２絶縁膜１１６ａ上には平坦度を高めるための第３絶縁膜１１６ｂが位置できる。第３絶縁膜１１６ｂは、ポリイミドなどの有機物を含むことができる。

以上、基板１１０上に形成されたトランジスタがボトムゲート型であることを一例として説明した。しかしながら、基板１１０上に形成されるトランジスタは、ボトムゲート型だけでなく、トップゲート型でも形成されることができる。

トランジスタの第３絶縁膜１１６ｂ上には駆動トランジスタのソース１１５ａまたはドレイン１１５ｂに連結された連結電極１１７が位置できる。

連結電極１１７上には連結電極１１７の一部を露出する第１犠牲層１２０が位置できる。第１犠牲層１２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁膜を含むことができる。

第１犠牲層１２０上には連結電極１１７の一部を露出する第２犠牲層１２１が位置できる。第２犠牲層１２１は、金属または金属酸化物を含むことができる。第２犠牲層１２１の材料に金属または金属酸化物を用いると、アンダーカットパターン時に助けを与えるだけでなく、下部電極１２２の補助電極の役目をすることができる。

一方、連結電極１１７上に位置する第１犠牲層１２０の場合、第２犠牲層１２１より内側に引き込まれるようにアンダーカットパターンすることができる。すなわち、第２犠牲層１２１の下に在る第１犠牲層１２０がアンダーカットされ、第２犠牲層１２１のエッジより第１犠牲層１２０のエッジが引き込まれるような構成をとることができる。このように、第１犠牲層１２０の材料に無機絶縁膜を使用し、第２犠牲層１２１の材料に金属または金属酸化物を使用すると、アンダーカットパターン時に第１犠牲層１２０の厚みを５００Å以下に薄く形成できるので、アンダーカットによる段差（例えば、有機発光層の段差）によって上部電極が切れる問題を防止することができる。また、この場合、アンダーカットパターン時に使われる第１犠牲層１２０及び第２犠牲層１２１の厚みの最小化は勿論、アンダーカットパターンの深さも任意に調節できる効果がある。

連結電極１１７上には下部電極１２２が位置できる。下部電極１２２は、アンダーカットパターンされた第１犠牲層１２０及び第２犠牲層１２１により各サブピクセル毎に分離形成されることができる。このような下部電極１２２は、カソードに選択されることができる。カソードに選択された下部電極１２２は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Al alloy）のように不透明で、かつ仕事関数が低い材料を使用できるが、これに限定されるものではない。

下部電極１２２上には有機発光層１２３が位置できる。有機発光層１２３はサブピクセルに従って、赤色、緑色、及び青色のうち、いずれか１つの色を発光するように形成されることができる。

有機発光層１２３上には上部電極１２４が位置できる。上部電極１２４は全てのサブピクセルの上部の全体に共通に形成されることができる。このような上部電極１２４はアノードに選択されることができる。アノードに選択された上部電極１２４は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＡＺＯのように、透明な材料を使用することができるが、これに限定されるのではない。

以下、図３を参照して有機発光層１２３を含む有機発光ダイオードについて、より詳細に説明する。

図３に示すように、有機発光ダイオードは、下部電極１２２、電子注入層１２３ａ、電子輸送層１２３ｂ、発光層１２３ｃ、正孔輸送層１２３ｄ、正孔注入層１２３ｅ、及び上部電極１２４を含むことができる。

電子注入層１２３ａは、電子の注入を円滑にする役目をし、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ−ＰＢＤ、ＢＡｌｑまたはＳＡｌｑを使用できるが、これに限定されるのではない。

電子輸送層１２３ｂは、電子の輸送を円滑にする役目をし、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ−ＰＢＤ、ＢＡｌｑ、及びＳＡｌｑからなる群から選択されるいずれか１つ以上でなされることができるが、これに限定されるのではない。

発光層１２３ｃは、赤色、緑色、青色、及び白色を発光する物質を含むことができ、燐光または蛍光物質を用いて形成することができる。

発光層１２３ｃが赤色の場合、ＣＢＰ（carbazole biphenyl）、またはmCP(1,3-bis(carbazol-9-yl))を含むホスト物質を含み、PIQIr(acac)(bis(1- phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium)、PQIr(acac)bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium)、PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium)、及びPtOEP(octaethylporphyrin platinum)からなる群から選択されるいずれか１つ以上を含むドーパントを含む燐光物質からなることができ、これとは異なり、PBD:Eu(DBM)3(Phen)またはPeryleneを含む蛍光物質からなることができるが、これに限定されるのではない。

発光層１２３ｃが緑色の場合、ＣＢＰまたはｍＣＰを含むホスト物質を含み、Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)を含むドーパント物質を含む燐光物質からなることができ、これとは異なり、Alq3を含む蛍光物質からなることができるが、これに限定されるのではない。

発光層１２３ｃが青色の場合、ＣＢＰまたはｍＣＰを含むホスト物質を含み、(4,6-F2ppy)2Irpicを含むドーパント物質を含む燐光物質からなることができる。これとは異なり、spiro-DPVBi、spiro-6P、ジスチルベンゼン（ＤＳＢ）、ジスチルアリレン（ＤＳＡ）、ＰＦＯ系高分子及びＰＰＶ系高分子からなる群から選択されるいずれか１つを含む蛍光物質からなることができるが、これに限定されるのではない。

正孔輸送層１２３ｄは、正孔の輸送を円滑にする役目をし、NPD(N,N-dinaphthyl-N、N'-diphenyl benzidine)、TPD(N、N'-bis-3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine)、s-TAD、及びMTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)からなる群から選択されるいずれか１つ以上からなることができるが、これに限定されるのではない。

正孔注入層１２３ｅは、正孔の注入を円滑にする役目をすることができ、CuPc(cupper phthalocyanine)、PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene)、PANI(polyaniline)、及びNPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)からなる群から選択されるいずれか１つ以上からなることができるが、これに限定されるのではない。

ここで、本発明の第１実施形態は、図３に限定されるのではなく、電子注入層１２３ａ、電子輸送層１２３ｂ、正孔輸送層１２３ｄ、及び正孔注入層１２３ｅのうち、少なくともいずれか１つが省略されることもできる。

以下、本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法について説明する。

図４及び図５に示すように、基板１１０上にゲート１１２ａ、１１２ｂ、ソース１１５ａ、１１５ｃ、及びドレイン１１５ｂ、１１５ｄを含むトランジスタを形成するステップ（Ｓ１０１）を実行する。

これによって、基板１１０上には、ゲート１１２ａ、１１２ｂが位置できる。また、ゲート１１２ａ、１１２ｂ上には第１絶縁膜１１３が位置できる。また、第１絶縁膜１１３上にはアクティブ層１１４ａ、１１４ｂが位置できる。また、アクティブ層１１４ａ、１１４ｂ上にはソース１１５ａ、１１５ｃ及びドレイン１１５ｂ、１１５ｄが位置できる。また、ソース１１５ａ、１１５ｃ及びドレイン１１５ｂ、１１５ｄ上には第２絶縁膜１１６ａが位置できる。また、第２絶縁膜１１６ａ上には平坦度を高めるための第３絶縁膜１１６ｂが位置できる。

ここで、基板１１０上に位置するトランジスタのうち、ゲート１１２ａ、ソース１１５ａ、及びドレイン１１５ｂは駆動トランジスタであり、ゲート１１２ｂ、ソース１１５ｃ、及びドレイン１１５ｄはスイッチングトランジスタであることができる。駆動トランジスタのソース１１５ａ及びドレイン１１５ｂのうちの１つは第２絶縁膜１１６ａ上に位置するシールド金属１１８ａに連結されることができる。そして、駆動トランジスタのソース１１５ａまたはドレイン１１５ｂのうちの１つは、スイッチングトランジスタのソース１１５ｃまたはドレイン１１５ｄに連結されることができる。

以上、基板１１０上に形成されたトランジスタがボトムゲート型であることを一例として説明した。しかしながら、基板１１０上に形成されるトランジスタはボトムゲート型だけでなくトップゲート型でも形成されることができる。

次に、図４及び図５に示すように、トランジスタ上にソース１１５ａまたはドレイン１１５ｂに連結される連結電極１１７を形成するステップＳ１０３を実行する。

これによって、トランジスタの第３絶縁膜１１６ｂ上には駆動トランジスタのソース１１５ａまたはドレイン１１５ｂに連結された連結電極１１７が位置できる。

次に、図４及び図６に示すように、連結電極１１７上に第１犠牲層１２０を形成するステップＳ１０５を実行する。

これによって、連結電極１１７上には連結電極１１７の一部を露出する第１犠牲層１２０が位置できる。第１犠牲層１２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁膜を含むことができる。本発明の第１実施形態では、第１犠牲層１２０がＳｉＮｘであることを一例とする。

次に、図４及び図６に示すように、第１犠牲層１２０上に第２犠牲層１２１を形成するステップＳ１０７を実行する。

これによって、第１犠牲層１２０上には連結電極１１７の一部を露出する第２犠牲層１２１が位置できる。第２犠牲層１２１は金属または金属酸化物を含むことができる。本発明の第１実施形態では第２犠牲層１２１がＩＴＯであることを一例とする。

次に、図４及び図６に示すように、第２犠牲層１２１上に第２犠牲層１２１の一部が露出されるようにフォトレジスタ（ＰＲ）を形成するステップＳ１０９を実行する。

これによって、第２犠牲層１２１上にはフォトレジスタ（ＰＲ）が位置できる。

次に、図４及び図６に示すように、フォトレジスタ（ＰＲ）の下部に第２犠牲層１２１が引き込まれるように第１エッチング方法（Ｅ１）を用いて第２犠牲層１２１を除去するステップＳ１１１を実行する。ここで、第１エッチング方法（Ｅ１）は湿式エッチング方法を使用することができるが、これに限定されるのではない。

次に、図４及び図６に示すように、第２犠牲層１２１の下部に第１犠牲層１２０が引き込まれるように第２エッチング方法（Ｅ２）を用いて第１犠牲層１２０を除去するステップＳ１１３を実行する。ここで、第２エッチング方法（Ｅ２）は６フッ化硫黄（ＳＦ６）と酸素（Ｏ２）を含むドライエッチング方法であることができるが、これに限定されるのではない。

但し、第１犠牲層１２０の除去時に酸素より６フッ化硫黄の割合を高く設定することができる。このような割合で第２エッチング方法（Ｅ２）を実行すると、フォトレジスタ（ＰＲ）が相対的に少なくエッチングされる。この方法によると、アンダーカットパターンを実行する時、従来のようにエッチング時間を調節しなければならない不便性を改善することができる。

図７には第１犠牲層１２０の除去時に酸素と６フッ化硫黄の割合に従うエッチング態様が図示される。図７の（ａ）は第１犠牲層１２０の除去時に６フッ化硫黄より酸素の割合が大きい場合を示し、図７の（ｂ）は第１犠牲層１２０の除去時に酸素より６フッ化硫黄の割合が大きい場合を示す。図７から分かるように、第２エッチング方法（Ｅ２）により第１犠牲層１２０を除去する時、酸素より６フッ化硫黄の割合を高く設定すると、第１犠牲層１２０が第２犠牲層１２１の内側に一層深く引き込まれることができる。

次に、図４及び図６に示すように、フォトレジスタ（ＰＲ）を除去するステップＳ１１５を実行する。

これによって、第２犠牲層１２１上に位置するフォトレジスタ（ＰＲ）は除去される。

以上のような段階を実行すると、図８に示すような構造で形成される。

次に、図４及び図９に示すように、連結電極１１７上に下部電極１２２を形成するステップＳ１１７を実行する。

これによって、連結電極１１７は勿論、第２犠牲層１２１上に下部電極１２２が位置する。下部電極１２２は、アンダーカットパターンされた第１犠牲層１２０及び第２犠牲層１２１により各サブピクセル毎に分離形成されることができる。このような下部電極１２２は、カソードに選択されることができる。カソードに選択された下部電極１２２は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Al alloy）のように、不透明で、かつ仕事関数が低い材料を使用できるが、これに限定されるのではない。

次に、図４及び図９に示すように、下部電極１２２上に有機発光層１２３を形成するステップＳ１１９を実行する。

これによって、下部電極１２２上には有機発光層１２３が位置できる。有機発光層１２３はサブピクセルに従って、赤色、緑色、及び青色のうち、どれか１つの色を発光するように形成することができる。

次に、図４及び図９に示すように、有機発光層１２３上に上部電極１２４を形成するステップＳ１２１を実行する。

これによって、有機発光層１２３上には上部電極１２４が位置できる。上部電極１２４は全てのサブピクセルの上部の全体に共通に形成されることができる。このような上部電極１２４はアノードに選択されることができる。アノードに選択された上部電極１２４は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＡＺＯのように、透明な材料を使用することができるが、これに限定されるのではない。

以上、本発明の第１実施形態のように、第１犠牲層１２０の材料に無機絶縁膜を使用し、第２犠牲層１２１の材料に金属または金属酸化物を使用すると、アンダーカットパターン時に第１犠牲層１２０の厚みを５００Å以下に薄く形成できるので、アンダーカットによる段差（例えば、有機発光層の段差）により上部電極がオープン（切れ）される問題を防止することができる。また、この場合、アンダーカットパターン時に使われる第１犠牲層１２０及び第２犠牲層１２１の厚みを最小化できることは勿論、アンダーカットパターン時の深さも任意に調節できる効果がある。また、アンダーカットパターンを用いて下部電極１２２を形成し、有機発光層１２３及び上部電極１２４を形成するので、下部電極１２２が酸化される問題を抑制できる効果がある。また、下部電極１２２の酸化を抑制できるので、電子注入特性を向上させることができることは勿論、発光効率も向上させることができる効果がある。また、第２犠牲層１２１の材料に金属または金属酸化物を使用するので、下部電極１２２の抵抗を減らすことができる効果がある。また、第１犠牲層１２０の材料に無機絶縁膜を使用するので、第１犠牲層１２０の下部に位置する有機材料によるアウト−ガッシング（out-gassing）影響（例えば、サブピクセル収縮）が最小化できる効果がある。

（第２実施形態）
図１０を参照すると、基板２１０上にはゲート２１２ａ、２１２ｂが位置できる。ゲート２１２ａ、２１２ｂは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されるいずれか１つまたはいずれか２つ以上からなる合金からなることができる。また、ゲート２１２ａ、２１２ｂは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されるいずれか１つまたはいずれか２つ以上からなる合金からなる多重層であることができる。また、ゲート２１２ａ、２１２ｂは、モリブデン／アルミニウム−ネオジム、またはモリブデン／アルミニウムの２重層であることができる。

ゲート２１２ａ、２１２ｂ上には第１絶縁膜２１３が位置できる。第１絶縁膜２１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層であることができるが、これに限定されるのではない。

第１絶縁膜２１３上にはアクティブ層２１４ａ、２１４ｂが位置できる。アクティブ層２１４ａ、２１４ｂは、非晶質シリコン、またはこれを結晶化した多結晶シリコンを含むことができる。ここで、図示してはいないが、アクティブ層２１４ａ、２１４ｂは、チャネル領域、ソース領域、及びドレイン領域を含むことができ、ソース領域及びドレイン領域にはＰ型またはＮ型不純物がドーピングされることができる。また、アクティブ層２１４ａ、２１４ｂは、接触抵抗を低めるためのオーミックコンタクト層を含むこともできる。

アクティブ層２１４ａ、２１４ｂ上にはソース２１５ａ、２１５ｃ及びドレイン２１５ｂ、２１５ｄが位置できる。ソース２１５ａ、２１５ｃ及びドレイン２１５ｂ、２１５ｄは、単一層または多重層からなることができ、ソース２１５ａ、２１５ｃ及びドレイン２１５ｂ、２１５ｄが単一層の場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されるいずれか１つ、またはいずれか２つ以上からなる合金からなることができる。また、ソース２１５ａ、２１５ｃ及びドレイン２１５ｂ、２１５ｄが多重層の場合には、モリブデン／アルミニウム−ネオジムの２重層、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、またはモリブデン／アルミニウム−ネオジム／モリブデンの３重層からなることができる。

ソース２１５ａ、２１５ｃ及びドレイン２１５ｂ、２１５ｄ上には第２絶縁膜２１６ａが位置できる。第２絶縁膜２１６ａは、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層であることができるが、これに限定されるのではない。第２絶縁膜２１６ａはパッシベーション膜であることができる。

基板２１０上に位置するトランジスタのうち、ゲート２１２ａ、ソース２１５ａ、及びドレイン２１５ｂは駆動トランジスタであり、ゲート２１２ｂ、ソース２１５ｃ、及びドレイン２１５ｄはスイッチングトランジスタであることができる。駆動トランジスタのソース２１５ａ及びドレイン２１５ｂのうちの１つは第２絶縁膜２１６ａ上に位置するシールド金属２１８ａに連結されることができる。そして、駆動トランジスタのソース２１５ａまたはドレイン２１５ｂのうちの１つはスイッチングトランジスタのソース２１５ｃまたはドレイン２１５ｄに連結されることができる。

第２絶縁膜２１６ａ上には平坦度を高めるための第３絶縁膜２１６ｂが位置できる。第３絶縁膜２１６ｂはポリイミドなどの有機物を含むことができる。

以上、基板２１０上に形成されたトランジスタがボトムゲート型であることを一例として説明した。しかしながら、基板２１０上に形成されるトランジスタはボトムゲート型だけでなく、トップゲート型でも形成されることができる。

トランジスタの第３絶縁膜２１６ｂ上には、駆動トランジスタのソース２１５ａ、またはドレイン２１５ｂに連結された連結電極２１７が位置できる。

連結電極２１７上には連結電極２１７の一部を露出する犠牲層２２０が位置できる。犠牲層２２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁膜を含むことができる。

犠牲層２２０上には連結電極２１７の一部を露出するバンク層２２１が位置できる。バンク層２２１はベンゾサイクロブテン（ＢＣＢ）系樹脂、アクリル系樹脂、またはポリイミド樹脂などの有機物を含むことができる。

一方、連結電極２１７上に位置する犠牲層２２０の場合、バンク層２２１より内側に引き込まれるようにアンダーカットパターンすることができる。すなわち、バンク層２２１の下に在る犠牲層２２０がアンダーカットされ、バンク層２２１のエッジより犠牲層２２０のエッジが引き込まれるような構成をとることができる。このように犠牲層２２０の材料に無機絶縁膜を使用し、犠牲層２２０をアンダーカットパターンすると、アンダーカットパターン時に犠牲層２２０の厚みを５００Å以下に薄く形成できるので、アンダーカットによる段差（例えば、有機発光層の段差）により上部電極が切れる問題を防止することができる。

連結電極２１７上には下部電極２２２が位置できる。下部電極２２２はアンダーカットパターンされた犠牲層２２０により各サブピクセル毎に分離形成されることができる。このような下部電極２２２はカソードに選択されることができる。カソードに選択された下部電極２２２は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Al alloy）のように、不透明で、かつ仕事関数が低い材料を使用することができるが、これに限定されるのではない。

下部電極２２２上には有機発光層２２３が位置できる。有機発光層２２３はサブピクセルに従って、赤色、緑色、及び青色のうち、どれか１つの色を発光するように形成されることができる。

有機発光層２２３上には上部電極２２４が位置できる。上部電極２２４は全てのサブピクセルの上部全体に共通に形成されることができる。このような上部電極２２４はアノードに選択されることができる。アノードに選択された上部電極２２４は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＡＺＯのように、透明な材料を使用することができるが、これに限定されるのではない。

以下、図１１を参照して有機発光層２２３を含む有機発光ダイオードについて概略的に説明する。

図１１に示すように、有機発光ダイオードは、下部電極２２２、電子注入層２２３ａ、電子輸送層２２３ｂ、発光層２２３ｃ、正孔輸送層２２３ｄ、正孔注入層２２３ｅ、及び上部電極２２４を含むことができる。

しかしながら、本発明の第２実施形態は、図１１に限定されるのではなく、電子注入層２２３ａ、電子輸送層２２３ｂ、正孔輸送層２２３ｄ、及び正孔注入層２２３ｅのうち、少なくともいずれか１つが省略されることもできる。

以下、本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法について説明する。

図１２及び図１３に示すように、基板２１０上に、ゲート２１２ａ、２１２ｂ、ソース２１５ａ、２１５ｃ、及びドレイン２１５ｂ、２１５ｄを含むトランジスタを形成するステップＳ２０１を実行する。

これによって、基板２１０上には、ゲート２１２ａ、２１２ｂが位置できる。また、ゲート２１２ａ、２１２ｂ上には第１絶縁膜２１３が位置できる。また、第１絶縁膜２１３上にはアクティブ層２１４ａ、２１４ｂが位置できる。また、アクティブ層２１４ａ、２１４ｂ上には、ソース２１５ａ、２１５ｃ、及びドレイン２１５ｂ、２１５ｄが位置できる。また、ソース２１５ａ、２１５ｃ及びドレイン２１５ｂ、２１５ｄ上には、第２絶縁膜２１６ａが位置できる。また、第２絶縁膜２１６ａ上には平坦度を高めるための第３絶縁膜２１６ｂが位置できる。

ここで、基板２１０上に位置するトランジスタのうち、ゲート２１２ａ、ソース２１５ａ、及びドレイン２１５ｂは駆動トランジスタであり、ゲート２１２ｂ、ソース２１５ｃ、及びドレイン２１５ｄはスイッチングトランジスタであることができる。駆動トランジスタのソース２１５ａ及びドレイン２１５ｂのうちの１つは、第２絶縁膜２１６ａ上に位置するシールド金属２１８ａに連結されることができる。そして、駆動トランジスタのソース２１５ａまたはドレイン２１５ｂのうちの１つは、スイッチングトランジスタのソース２１５ｃまたはドレイン２１５ｄに連結されることができる。

以上、基板２１０上に形成されたトランジスタがボトムゲート型であることを一例として説明した。しかしながら、基板２１０上に形成されるトランジスタはボトムゲート型だけでなく、トップゲート型でも形成されることができる。

次に、図１２及び図１３に示すように、トランジスタ上にソース２１４ａまたはドレイン２１４ｂに連結される連結電極２１７を形成するステップＳ２０３を実行する。

これによって、トランジスタの第３絶縁膜２１６ｂ上には駆動トランジスタのソース２１５ａまたはドレイン２１５ｂに連結された連結電極２１７が位置できる。

次に、図１２及び図１４に示すように、連結電極２１７上に犠牲層２２０を形成するステップＳ２０５を実行する。

これによって、連結電極２１７上には連結電極２１７の一部を露出する犠牲層２２０が位置できる。犠牲層２２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁膜を含むことができる。本発明の第２実施形態では犠牲層２２０がＳｉＮｘであることを一例とする。

次に、図１２及び図１４に示すように、犠牲層２２０上に犠牲層２２０の一部が露出されるようにバンク層２２１を形成するステップＳ２０７を実行する。

これによって、犠牲層２２０上には連結電極２１７の一部を露出するバンク層２２１が位置できる。バンク層２２１はベンゾサイクロブテン（ＢＣＢ）系樹脂、アクリル系樹脂、またはポリイミド樹脂などの有機物を含むことができる。

次に、図１２及び図１４に示すように、バンク層２２１の下部に犠牲層２２０が引き込まれるようにエッチング方法（Ｅ）を用いて犠牲層２２０を除去するステップＳ２０９を実行する。

ここで、エッチング方法（Ｅ）は、６フッ化硫黄（ＳＦ６）と酸素（Ｏ２）を含むドライエッチング方法であることができるが、これに限定されるのではない。

但し、犠牲層２２０の除去時に酸素より６フッ化硫黄の割合を高く設定することができる。このような割合でエッチング方法（Ｅ）を実行すると、バンク層２２１が相対的に少なくエッチングされる。この方法によると、アンダーカットパターンを実行する時、従来のようにエッチング時間を調節しなければならない不便性を改善することができる。

図１５には、犠牲層２２０の除去時に酸素と６フッ化硫黄の割合に従うエッチング態様が図示される。図１５の（ａ）は犠牲層２２０の除去時、６フッ化硫黄より酸素の割合が大きい場合を示し、図１５の（ｂ）は犠牲層２２０の除去時、酸素より６フッ化硫黄の割合が大きい場合を示す。図１５から分かるように、エッチング方法（Ｅ）により犠牲層２２０を除去する時、酸素より６フッ化硫黄の割合を高く設定すれば、犠牲層２２０がバンク層２２１の内側に一層深く引き込まれることができる。

以上のようなステップを実行すると、図１６に示すような構造で形成される。

次に、図１２及び図１７に示すように、連結電極２１７上に下部電極２２２を形成するステップＳ２１１を実行する。

これによって、連結電極２１７は勿論、バンク層２２１上に下部電極２２２が位置する。下部電極２２２は、アンダーカットパターンされた犠牲層２２０及びバンク層２２１により各サブピクセル毎に分離形成されることができる。このような下部電極２２２はカソードに選択されることができる。カソードに選択された下部電極２２２は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Al alloy）のように、不透明で、かつ仕事関数が低い材料を使用することができるが、これに限定されるのではない。

次に、図１２及び図１７に示すように、下部電極２２２上に有機発光層２２３を形成するステップＳ２１３を実行する。

これによって、下部電極２２２上には有機発光層２２３が位置できる。有機発光層２２３はサブピクセルによって、赤色、緑色、及び青色のうち、どれか１つの色を発光するように形成することができる。

次に、図１２及び図１７に示すように、有機発光層２２３上に上部電極２２４を形成するステップＳ２１５を実行する。

これによって、有機発光層２２３上には上部電極２２４が位置できる。上部電極２２４は全てのサブピクセルの上部全体に共通に形成されることができる。このような上部電極２２４はアノードに選択されることができる。アノードに選択された上部電極２２４は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＡＺＯのように、透明な材料を使用することができるが、これに限定されるのではない。

以上、本発明の第２実施形態のように、犠牲層２２０の材料に無機絶縁膜を使用し、アンダーカットパターン時に犠牲層２２０の厚みを５００Å以下に薄く形成できるので、アンダーカットによる段差（例えば、有機発光層の段差）により上部電極がオープン（切れ）される問題を防止することができる。また、この場合、アンダーカットパターン時に使われる犠牲層２２０の厚みが最小化できることは勿論、パターンされる深さも任意に調節できる効果がある。また、アンダーカットパターンを用いて下部電極２２２を形成し、有機発光層２２３及び上部電極２２４を形成するので、下部電極２２２が酸化される問題を抑制できる効果がある。また、下部電極２２２の酸化を抑制できるので、電子注入特性を向上させることができることは勿論、発光効率も向上させることができる効果がある。また、犠牲層２２０の材料に無機絶縁膜を使用するので、犠牲層２２０の下部に位置する有機材料によるアウト−ガッシング（out-gassing）影響（例えば、サブピクセル収縮）を最小化することができる効果が得られる。

有機電界発光表示装置の概略的な平面図である。 本発明の第１実施形態に係るサブピクセルの断面例示図である。 図２に図示された有機発光ダイオードの階層構造図である。 本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法のフローチャートである。 本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係るサブピクセルの断面例示図である。 図１０に図示された有機発光ダイオードの階層構造図である。 本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法のフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための図である。

符号の説明

１１０、２１０ 基板
１１７、２１７ 連結電極
１２０ 第１犠牲層
１２１ 第２犠牲層
１２２、２２２ 下部電極
１２３、２２３ 有機発光層
１２４、２２４ 上部電極
１３０ 表示部
１４０ 封入基板
１５０ 接着部材
１６０ 駆動部
２２０ 犠牲層
２２１ バンク層

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板上に位置し、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタと、
   前記トランジスタ上に位置し、前記ソースまたはドレインに連結された連結電極と、
   前記連結電極上に位置し、前記連結電極の一部を露出する第１犠牲層と、
   前記第１犠牲層上に位置し、前記連結電極の一部を露出する第２犠牲層と、
   前記連結電極と前記第２犠牲層上に位置する下部電極と、
   前記下部電極上に位置する有機発光層と、
   前記有機発光層上に位置する上部電極と、を含み、
   前記第１犠牲層が前記第２犠牲層より内側に引き込まれていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
2. 前記第１犠牲層は、無機絶縁膜を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
3. 前記第２犠牲層は、金属または金属酸化物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
4. 基板と、
   前記基板上に位置し、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタと、
   前記トランジスタ上に位置し、前記ソースまたはドレインに連結された連結電極と、
   前記連結電極上に位置し、前記連結電極の一部を露出する第１犠牲層と、
   前記第１犠牲層上に位置し、前記連結電極の一部を露出する第２犠牲層と、
   前記連結電極と前記第２犠牲層上に位置する下部電極と、
   前記下部電極上に位置する有機発光層と、
   前記有機発光層上に位置する上部電極と、を含み、
   前記第２犠牲層の下に在る前記第１犠牲層がアンダーカットされ、前記第２犠牲層のエッジより前記第１犠牲層のエッジが引き込まれていることを特徴とする有機電界発光装置。
5. 基板と、
   前記基板上に位置し、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタと、
   前記トランジスタ上に位置し、前記ソースまたはドレインに連結された連結電極と、
   前記連結電極上に位置し、前記連結電極の一部を露出する犠牲層と、
   前記犠牲層上に位置し、前記連結電極の一部を露出するバンク層と、
   前記連結電極と前記バンク層上に位置する下部電極と、
   前記下部電極上に位置する有機発光層と、
   前記有機発光層上に位置する上部電極と、を含み、
   前記犠牲層が前記バンク層より内側に引き込まれていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
6. 前記犠牲層は、無機絶縁膜を含むことを特徴とする、請求項５に記載の有機電界発光表示装置。
7. 基板と、
   前記基板上に位置し、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタと、
   前記トランジスタ上に位置し、前記ソースまたはドレインに連結された連結電極と、
   前記連結電極上に位置し、前記連結電極の一部を露出する犠牲層と、
   前記犠牲層上に位置し、前記連結電極の一部を露出するバンク層と、
   前記連結電極と前記バンク層上に位置する下部電極と、
   前記下部電極上に位置する有機発光層と、
   前記有機発光層上に位置する上部電極と、を含み、
   前記バンク層の下に在る前記犠牲層がアンダーカットされ、前記バンク層のエッジより前記犠牲層のエッジが引き込まれていることを特徴とする有機電界発光装置。
8. 基板上に、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタを形成するステップと、
   前記トランジスタ上に前記ソースまたは前記ドレインに連結される連結電極を形成するステップと、
   前記連結電極上に第１犠牲層を形成するステップと、
   前記第１犠牲層上に第２犠牲層を形成するステップと、
   前記第２犠牲層上に前記第２犠牲層の一部が露出されるようにフォトレジスタを形成するステップと、
   前記フォトレジスタの下部に前記第２犠牲層が引き込まれるように第１エッチング方法を用いて前記第２犠牲層を除去するステップと、
   前記第２犠牲層の下部に前記第１犠牲層が引き込まれるように第２エッチング方法を用いて前記第１犠牲層を除去するステップと、
   前記フォトレジスタを除去するステップと、
   前記連結電極上に下部電極を形成するステップと、
   前記下部電極上に有機発光層を形成するステップと、
   前記有機発光層上に上部電極を形成するステップと、
   を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
9. 前記第２エッチング方法は、６フッ化硫黄（ＳＦ_６）と酸素（Ｏ_２）を含むドライエッチング方法であることを特徴とする、請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
10. 前記第１犠牲層除去の際、前記酸素より前記６フッ化硫黄の割合を高く設定することを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
11. 前記第１犠牲層は、無機絶縁膜を含むことを特徴とする、請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
12. 前記第２犠牲層は、金属または金属酸化物を含むことを特徴とする、請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
13. 基板上に、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタを形成するステップと、
    前記トランジスタ上に前記ソースまたは前記ドレインに連結される連結電極を形成するステップと、
    前記連結電極上に第１犠牲層を形成するステップと、
    前記第１犠牲層上に第２犠牲層を形成するステップと、
    前記第２犠牲層上に前記第２犠牲層の一部が露出されるようにフォトレジスタを形成するステップと、
    前記フォトレジスタの下部に在る前記第２犠牲層がアンダーカットされ、前記フォトレジスタのエッジより前記第２犠牲層のエッジが引き込まれるように第１エッチング方法を用いて前記第２犠牲層を除去するステップと、
    前記第２犠牲層の下部に在る前記第１犠牲層がアンダーカットされ、前記第２犠牲層のエッジより前記第１犠牲層のエッジが引き込まれるように第２エッチング方法を用いて前記第１犠牲層を除去するステップと、
    前記フォトレジスタを除去するステップと、
    前記連結電極上に下部電極を形成するステップと、
    前記下部電極上に有機発光層を形成するステップと、
    前記有機発光層上に上部電極を形成するステップと、
    を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
14. 基板上に、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタを形成するステップと、
    前記トランジスタ上に前記ソースまたは前記ドレインに連結される連結電極を形成するステップと、
    前記連結電極上に犠牲層を形成するステップと、
    前記犠牲層上に前記犠牲層の一部が露出されるようにバンク層を形成するステップと、
    前記バンク層の下部に前記犠牲層が引き込まれるようにエッチング方法を用いて前記犠牲層を除去するステップと、
    前記連結電極上に下部電極を形成するステップと、
    前記下部電極上に有機発光層を形成するステップと、
    前記有機発光層上に上部電極を形成するステップと、
    を含むことを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。
15. 前記エッチング方法は、６フッ化硫黄（ＳＦ_６）と酸素（Ｏ_２）を含むドライエッチング方法であることを特徴とする、請求項１４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
16. 前記犠牲層除去の際、前記酸素より前記６フッ化硫黄の割合を高く設定することを特徴とする、請求項１５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
17. 前記犠牲層は、無機絶縁膜を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
18. 基板上に、ゲート、ソース、及びドレインを含むトランジスタを形成するステップと、
    前記トランジスタ上に前記ソースまたは前記ドレインに連結される連結電極を形成するステップと、
    前記連結電極上に犠牲層を形成するステップと、
    前記犠牲層上に前記犠牲層の一部が露出されるようにバンク層を形成するステップと、
    前記バンク層の下部に在る前記犠牲層がアンダーカットされ、前記バック層のエッジより前記犠牲層のエッジが引き込まれるようにエッチング方法を用いて前記犠牲層を除去するステップと、
    前記連結電極上に下部電極を形成するステップと、
    前記下部電極上に有機発光層を形成するステップと、
    前記有機発光層上に上部電極を形成するステップと、
    を含むことを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。

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