KR20130015113A - 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는, 기판; 기판 상에 형성된 트랜지스터부; 트랜지스터부 상에 형성된 하부전극; 하부전극 상에 형성된 유기발광층; 및 유기발광층 상에 형성되며 제1산화물층, 금속층 및 제2산화물층으로 이루어진 상부전극을 포함하며, 상부전극은 일부 영역이 금속층으로만 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.

Description

유기전계발광표시장치와 이의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명의 실시예는 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자이다. 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.
유기전계발광표시장치의 표시패널에 배치된 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터부와 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터에 연결된 하부전극, 유기 발광층 및 상부전극을 포함하는 유기 발광다이오드를 포함한다.
유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.
유기전계발광표시장치 중 일부는 대면적의 표시패널 제작시 발생하는 저항 특성을 극복하기 위하여 표면 플라즈몬 공진(surface plasmon resonance) 현상을 적용한 멀티전극구조를 상부전극으로 이용한다.
표면 플라즈몬 공진 현상을 적용한 상부전극은 표시영역의 외곽에서 콘택홀을 통해 전원배선과 전기적으로 연결된다. 표면 플라즈몬 공진 현상을 적용한 전극구조는 제1산화물층, 금속층 및 제2산화물층으로 이루어지고, 전원배선의 전극구조는 금속층으로 이루어진다.
표면 플라즈몬 공진 현상을 적용한 상부전극의 하부에 위치하는 제1산화물층과 전원배선을 이루는 금속층은 콘택홀을 통해 전기적으로 연결된다. 이 때문에 산화물층과 금속층 간의 계면에는 쇼트키 베리어(shotty barrier)가 형성된다.
도 1은 산화물층과 금속층 간에 형성된 쇼트키 베리어에 의한 전류 전압 곡선 그래프이다.
위와 같이 전극 간의 구조적인 문제로 쇼토키 베리어가 형성되면 도 1과 같이 이들의 계면 사이에는 높은 콘택 저항이 형성되고, 이로 인하여 전압과 전류의 관계가 일정하게 형성될 수 없다. 따라서, 표면 플라즈몬 공진 현상을 적용한 상부전극 구조로 형성된 종래 유기전계발광표시장치는 전압과 전류의 불균일에 따른 휘도 저하 및 소비전력 증가와 같은 문제를 유발하게 되므로 이의 개선이 요구된다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 저항 특성을 극복하기 위하여 표면 플라즈몬 공진 현상을 적용한 상부전극으로 대면적의 표시패널 제작시, 전압과 전류의 관계가 일정하게 형성되도록 상부전극과 전원배선을 이종 또는 동종의 금속층으로만 전기적으로 연결하여 계면의 콘택 저항을 낮추고, 휘도 저하 및 소비전력 증가와 같은 문제를 개선할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 기판; 기판 상에 형성된 트랜지스터부; 트랜지스터부 상에 형성된 하부전극; 하부전극 상에 형성된 유기발광층; 및 유기발광층 상에 형성되며 제1산화물층, 금속층 및 제2산화물층으로 이루어진 상부전극을 포함하며, 상부전극은 일부 영역이 금속층으로만 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
기판의 표시영역에 형성된 상부전극은 제1산화물층, 금속층 및 제2산화물층으로 이루어지고, 기판의 비표시영역에 형성된 상부전극은 금속층으로만 이루어질 수 있다.
상부전극은 기판의 비표시영역에 위치하는 전원배선과 전기적으로 연결되며, 전원배선과 전기적으로 연결되는 영역이 금속층으로만 이루어질 수 있다.
상부전극과 전원배선은 동종의 금속층 또는 이종의 금속층 간의 접촉으로 전기적인 연결을 이룰 수 있다.
전원배선은 기판의 비표시영역에 형성된 데이터배선들을 기준으로 일측 외곽영역 또는 타측 외곽영역 중 선택된 하나의 영역 또는 두 영역에 모두 형성될 수 있다.
다른 측면에서 본 발명의 실시예는, 기판 상에 트랜지스터부를 형성하는 트랜지스터부 형성단계; 트랜지스터부 상에 하부전극을 형성하는 하부전극 형성단계; 하부전극 상에 유기발광층을 형성하는 유기발광층 형성단계; 및 유기발광층 상에 제1산화물층, 금속층 및 제2산화물층으로 이루어진 상부전극을 형성하되, 일부 영역을 금속층으로만 형성하는 상부전극 형성단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
상부전극 형성단계는 기판의 표시영역에 제1산화물층, 금속층 및 제2산화물층으로 이루어진 상부전극을 형성하고, 기판의 비표시영역에 금속층으로만 이루어진 상부전극을 형성할 수 있다.
상부전극 형성단계는 상부전극이 기판의 비표시영역에 위치하는 전원배선과 전기적으로 연결되도록 형성하되, 전원배선과 전기적으로 연결되는 영역이 금속층으로만 이루어지도록 형성할 수 있다.
상부전극과 전원배선은 동종의 금속층 또는 이종의 금속층 간의 접촉으로 전기적인 연결을 이룰 수 있다.
상부전극 형성단계는 기판의 표시영역에 대응되는 영역을 노출하는 마스크를 이용하여 제1산화물층 및 제2산화물층을 형성하고, 기판의 비표시영역에 대응되는 영역을 노출하는 마스크를 이용하여 금속층을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예는, 저항 특성을 극복하기 위하여 표면 플라즈몬 공진 현상을 적용한 상부전극으로 대면적의 표시패널 제작시, 전압과 전류의 관계가 일정하게 형성되도록 상부전극과 전원배선을 이종 또는 동종의 금속층으로만 전기적으로 연결하여 계면의 콘택 저항을 낮추고, 휘도 저하 및 소비전력 증가와 같은 문제를 개선할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.
도 1은 산화물층과 금속층 간에 형성된 쇼트키 베리어에 의한 전류 전압 곡선 그래프.
도 2는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 3은 도 2에 도시된 서브 픽셀의 회로 구성 예시도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 A1-A2 영역의 단면도.
도 6은 유기 발광다이오드의 상세 구조도.
도 7은 전원배선의 상세 구조도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 4의 A1-A2 영역의 단면도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 보호막 구조도.
도 10 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 3은 도 2에 도시된 서브 픽셀의 회로 구성 예시도 이다.
도 2에 도시된 바와 같이 유기전계발광표시장치에는 타이밍구동부(TCN), 표시패널(PNL), 스캔구동부(SDRV) 및 데이터구동부(DDRV)가 포함된다.
타이밍구동부(TCN)는 외부로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 클럭신호(CLK), 데이터신호(RGB)를 공급받는다. 타이밍구동부(TCN)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 클럭신호(CLK) 등의 타이밍신호를 이용하여 데이터구동부(DDRV)와 스캔구동부(SDRV)의 동작 타이밍을 제어한다. 타이밍구동부(TCN)는 1 수평기간의 데이터 인에이블 신호(DE)를 카운트하여 프레임기간을 판단할 수 있으므로 외부로부터 공급되는 수직 동기신호(Vsync)와 수평 동기신호(Hsync)는 생략될 수 있다. 타이밍구동부(TCN)에서 생성되는 제어신호들에는 스캔구동부(SDRV)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터구동부(DDRV)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)가 포함된다.
표시패널(PNL)은 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀(SP)을 갖는 표시부를 포함한다. 서브 픽셀들(SP)은 수동매트릭스형(Passive Matrix) 또는 능동매트릭스형(Active Matrix)으로 형성될 수 있다. 서브 픽셀들(SP)이 능동매트릭스형으로 형성된 경우, 이는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 커패시터 및 유기 발광다이오드를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되거나 3T1C, 4T1C, 5T2C 등과 같이 트랜지스터 및 커패시터가 더 추가된 구조로 구성될 수도 있다. 위와 같은 구성을 갖는 서브 픽셀들(SP)은 구조에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 형성될 수 있다.
한편, 2T1C 구조를 갖는 서브 픽셀들(SP)의 경우, 도 3과 같은 구조를 가질 수 있는데 이에 대해 설명하면 다음과 같다. 스위칭 트랜지스터(SW)는 스캔신호가 공급되는 스캔배선(SL1)에 게이트 전극이 연결되고 데이터신호가 공급되는 데이터배선(DL1)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된다. 구동 트랜지스터(DT)는 제1노드(A)에 게이트 전극이 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 저 전위전원이 공급되는 제2전원배선(VSS)에 연결된 제3노드(C)에 타단이 연결된다. 커패시터(Cst)는 제1노드(A)에 일단이 연결되고 제3노드(C)에 타단이 연결된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 고 전위전원이 공급되는 제1전원배선(VDD)에 애노드 전극이 연결되고 제2노드(B) 및 구동 트랜지스터(DT)의 일단에 캐소드 전극이 연결된다.
위의 설명에서는 하나의 서브 픽셀(SP)에 포함된 트랜지스터들(SW, DT)이 N-Type으로 구성된 것을 일례로 설명하였으나 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 그리고 제1전원배선(VDD)을 통해 공급되는 고 전위전원은 제2전원배선(VSS)을 통해 공급되는 저 전위전원보다 높을 수 있으며, 제1전원배선(VDD) 및 제2전원배선(VSS)을 통해 공급되는 전원의 레벨은 구동방법에 따라 스위칭이 가능하다.
앞서 설명한 서브 픽셀(SP)은 다음과 같이 동작할 수 있다. 스캔배선(SL1)을 통해 스캔신호가 공급되면 스위칭 트랜지스터(SW)가 턴온된다. 다음, 데이터배선(DL1)을 통해 공급된 데이터신호가 턴온된 스위칭 트랜지스터(SW)를 거쳐 제1노드(A)에 공급되면 데이터신호는 커패시터(Cst)에 데이터전압으로 저장된다. 다음, 스캔신호가 차단되고 스위칭 트랜지스터(SW)가 턴오프되면 구동 트랜지스터(DT)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 대응하여 구동된다. 다음, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 고 전위전원이 제2전원배선(VSS)을 통해 흐르게 되면 유기 발광다이오드(OLED)는 빛을 발광하게 된다. 그러나 이는 구동방법의 일례에 따른 것일 뿐, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다.
스캔구동부(SDRV)는 타이밍구동부(TCN)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 표시패널(PNL)에 포함된 서브 픽셀들(SP)의 트랜지스터들이 동작 가능한 게이트 구동전압의 스윙폭으로 신호의 레벨을 시프트시키면서 스캔신호를 순차적으로 생성한다. 스캔구동부(SDRV)는 스캔라인들(SL1~SLm)을 통해 생성된 스캔신호를 표시패널(PNL)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 공급한다.
데이터구동부(DDRV)는 타이밍구동부(TCN)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍구동부(TCN)로부터 공급되는 디지털 형태의 데이터신호(RGB)를 샘플링하고 래치하여 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환한다. 데이터구동부(DDRV)는 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환할 때, 디지털 형태의 데이터신호(RGB)를 감마 기준전압으로 변환하여 아날로그 형태의 데이터신호로 변환한다. 데이터구동부(DDRV)는 데이터라인들(DL1~DLn)을 통해 변환된 데이터신호를 표시패널(PNL)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 공급한다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에 대해 더욱 자세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 A1-A2 영역의 단면도이며, 도 6은 유기 발광다이오드의 상세 구조도이고, 도 7은 전원배선의 상세 구조도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에는 기판(110), 표시부(130), 스캔구동부(SDRV), 데이터구동부(DDRV), 데이터라인들(DL) 및 패드부(PAD)가 포함된다.
기판(110)은 영상이 표시되는 표시영역(AA)과 영상이 비표시되는 비표시영역(NA)으로 정의된다.
표시부(130)는 서브 픽셀(SP)들이 형성되는 표시영역(AA)이며, 표시부(130) 이외의 영역은 비표시영역(NA)으로 정의된다. 표시부(130)에 매트릭스 형태로 형성된 서브 픽셀(SP)에는 트랜지스터부와 유기 발광다이오드가 각각 포함된다. 유기 발광다이오드에는 두 개의 전극 사이에 형성된 유기 발광층이 포함된다.
스캔구동부(SDRV)는 비표시영역(NA)에 형성되며, 이는 서브 픽셀(SP)의 트랜지스터부 공정시 기판(110) 상에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다. 스캔구동부(SDRV)는 비표시영역(NA)의 좌측과 우측에 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
데이터구동부(DDRV)는 비표시영역(NA)에 형성되며, 이는 패드부(PAD)와 인접하는 영역에 IC(Integrated Circuit)형태로 실장될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
데이터라인들(DL)은 표시부(130)에 형성된 서브 픽셀들(SP)에 데이터신호를 공급하도록 데이터구동부(DDRV)와 서브 픽셀들(SP)에 연결된다.
패드부(PAD)는 외부 회로부와 연결되는 곳으로, 이는 데이터신호, 타이밍신호, 전원과 같은 각종 구동신호 등을 전달한다.
도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 서브 픽셀에는 트랜지스터부(DT, Cst, PWR, GP)와 유기 발광다이오드(OLED)가 포함된다. 트랜지스터부(DT, Cst, PWR, GP)에는 기판(110) 상에 형성된 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(Cst), 전원배선(PWR) 및 게이트패드(GP)가 포함된다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)에는 트랜지스터부(DT, Cst) 상에 형성된 하부전극(119), 유기발광층(122) 및 상부전극(124)이 포함된다.
도 5에 도시된 서브 픽셀과 도 6 및 도 7은 표시부(130)의 최외곽 하단에 형성된 서브 픽셀의 상부전극(124)과 전원배선(PWR)의 연결관계 그리고 이들의 구조를 설명하기 위한 도면으로서, 더욱 자세히 설명하면 다음과 같다.
기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 형성된다.
버퍼층(111) 상에는 제1 내지 제3게이트전극(112a ~ 112c)이 형성된다. 제1게이트전극(112a)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극이 되고, 제2게이트전극(112b)은 커패시터(Cst)의 일측전극이 되며, 제3게이트전극(112c)은 전원배선(PWR)이 된다.
제1 내지 제3게이트전극(112a ~ 112c) 상에는 제1절연막(113)이 형성된다. 제1절연막(113)에는 전원배선(PWR)이 되는 제3게이트전극(112c)의 일부를 노출하는 제1비어홀(VA1)이 형성된다. 제1비어홀(VA1)은 표시영역(AA)의 외곽에 형성된다.
제1절연막(113) 상에는 액티브층(114)이 형성된다. 도시하지는 않았지만, 액티브층(114)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 액티브층(114) 상에는 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층이 형성될 수도 있다.
액티브층(114) 상에는 소오스전극(115a) 및 드레인전극(115b)이 형성된다. 그리고, 커패시터(Cst)의 일측전극이 되는 제2게이트전극(112b) 상에는 커패시터(Cst)의 타측전극(115c)이 형성된다. 그리고, 전원배선(PWR)이 되는 제3게이트전극(112c) 상에는 전원배선(PWR)의 일부인 하부전원배선(115d)이 표시영역(AA)의 외곽에서 비표시영역(NA)의 콘택영역(CA)까지 연장되도록 형성된다. 그리고, 게이트패드(GP)가 되는 하부게이트패드(115e)는 콘택영역(CA)과 이격하도록 비표시영역(NA)에 형성된다. 전원배선(PWR)의 일부인 하부전원배선(115d)은 제1비어홀(VA1)을 통해 전원배선(PWR)이 되는 제3게이트전극(112c)에 연결된다.
소오스전극(115a), 드레인전극(115b), 타측전극(115c), 하부전원배선(115d) 및 하부게이트패드(115e)를 포함하는 금속전극 상에는 제2절연막(117)이 형성된다. 제2절연막(117)에는 전원배선(PWR)의 일부인 하부전원배선(115d)의 일부를 콘택영역(CA)에서 노출하는 콘택홀(CH)과 하부게이트패드(115e)의 일부를 콘택영역(CA)과 이격하는 비표시영역(NA)에서 노출하는 제3비어홀(VA3)이 형성된다.
제2절연막(117) 상에는 제3절연막(118)이 형성된다. 제3절연막(118)은 표시영역(AA)에 대응하여 형성된다. 제2절연막(117)에는 소오스전극(115a) 또는 드레인전극(115b)의 일부를 노출하는 제2비어홀(VA2)이 형성된다.
콘택영역(CA)에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 노출된 전원배선(PWR)의 하부전원배선(115d) 상에는 상부전원배선(120a)이 형성되고, 비표시영역(NA)에 형성된 제3비어홀(VA3)을 통해 노출된 게이트패드(GP)의 하부게이트패드(115e) 상에는 상부 게이트패드(120b)가 형성된다. 여기서, 상부전원배선(120a)은 도 4를 통해 알 수 있듯이, 기판(110)의 비표시영역(NA)에 형성된 데이터배선들(DL)을 기준으로 일측 외곽영역 또는 타측 외곽영역 중 선택된 하나의 영역 또는 두 영역에 모두 형성될 수 있다.
제3절연막(118) 상에는 제2비어홀(VA2)을 통해 노출된 소오스전극(115a) 또는 드레인전극(115b)에 연결되는 하부전극(119)이 형성된다. 하부전극(119)은 애노드전극 및 캐소드전극 중 하나로 선택된다. 여기서, 하부전극(119)은 도 6과 같이, 애노드전극으로 선택되고 반사전극(119a)과 투명전극(119b)으로 이루어진 것을 일례로 한다.
제3절연막(118) 상에는 하부전극(119)의 일부를 노출하는 개구부(OPN)를 갖는 뱅크층(121)이 형성된다. 뱅크층(121)은 표시영역(AA)에 대응하여 형성될 수 있고, 이는 벤조사이클로부텐계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
뱅크층(121)의 개구부(OPN) 내에는 유기발광층(122)이 형성된다. 유기발광층(122)은 도 6과 같이, 정공주입층(122a), 정공수송층(122b), 발광층(122c), 전자수송층(122d) 및 전자주입층(122e)을 포함한다. 정공주입층(122a)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 정공수송층(122b)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(122c)은 적어도 하나의 호스트와 적어도 하나의 도펀트를 포함한다. 발광층(122c)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. 발광층(122c)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(122c)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(122c)이 청색을 발광하는 경우, CBP, 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic 를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자수송층(122d)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자주입층(122e)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, LiF, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 한편, 정공주입층(122a), 정공수송층(122b), 전자수송층(122d) 및 전자주입층(122e) 중 적어도 어느 하나는 생략되거나 기타 다른 기능층들이 더 포함될 수도 있다. 그리고 하부전극(119)이 애노드전극이 아닌 캐소드전극으로 선택된 경우 이들은 도면과 달리 전자주입층(122e), 전자수송층(122d), 정공수송층(122b) 및 정공주입층(122a)의 순으로 형성될 수 있다.
유기발광층(122) 상에는 상부전극(124)이 형성된다. 상부전극(124)은 캐소드전극 및 애노드전극 중 하나로 선택된다. 상부전극(124)은 도 6과 같이, 표면 플라즈몬 공진(surface plasmon resonance) 현상이 일어나도록 제1산화물층(124a), 금속층(124b) 및 제2산화물층(124c)을 포함하는 멀티전극구조로 형성된다. 여기서, 제1 및 제2산화물층(124a, 124c)은 투명한 재료 예컨대, 산화몰리브데늄(MoO3), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 실리콘 질화물(SiNx) 등의 산화물 및 일부 유기물(NPD 등)이 포함된 재료로 형성될 수 있다. 그리고 금속층(124b)은 저저항 재료 예컨대, 은(Ag), 금(Au)으로 형성될 수 있다.
한편, 상부전극(124)은 일부 영역이 금속층(124b)으로만 이루어진다. 더욱 자세히 설명하면, 기판(110)의 표시영역(AA)에 형성된 상부전극(124)은 제1산화물층(124a), 금속층(124b) 및 제2산화물층(124c)으로 이루어지고, 기판(110)의 비표시영역(NA)에 형성된 상부전극(124)은 금속층(124b)으로만 이루어진다. 금속층(124b)만 이루어진 상부전극(124)은 비표시영역(NA)의 콘택영역(CA) 상에 형성된 전원배선(PWR)의 상부전원배선(120a)에 연결된다.
이로 인하여, 상부전극(124)과 전원배선(PWR)의 상부전원배선(120a)은 동종의 금속층 또는 이종의 금속층 간의 접촉으로 전기적인 연결을 이루게 된다. 이와 같은 전기적 접촉 구조에 의해, 상부전극(124)과 전원배선(PWR)은 금속층에 의해서만 실질적인 접촉이 이루어지게 되므로, 이들의 계면은 안정화되어 콘택 저항을 낮출 수 있게 된다.
따라서, 종래 구조는 상부전극(124)의 산화물층과 전원배선(PWR)의 금속층 간의 접촉에 의해 이들의 계면 사이에서 쇼트키 베리어(shotty barrier) 현상이 발생하는 반면, 본 발명은 이 현상을 제거할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 상부전극(124)과 전원배선(PWR)이 이종 또는 동종의 금속층만으로 전기적인 접촉을 이루게 되므로, 전압과 전류의 관계가 일정하게 형성되어 휘도 저하 및 소비전력 증가와 같은 문제를 개선할 수 있게 된다.
한편, 상부전극(124)이 애노드전극으로 선택된 경우, 전원배선(PWR)은 도 3에 도시된 바와 같이 고 전위전원이 공급되는 제1전원배선(VDD)으로 선택된다. 이와 달리, 상부전극(124)이 캐소드전극으로 선택된 경우, 전원배선(PWR)은 저 전위전원이 공급되는 제2전원배선(VSS)으로 선택된다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 4의 A1-A2 영역의 단면도이고, 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 보호막 구조도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 표시영역(AA) 및 비표시영역(NA)의 콘택영역(CA) 상에는 상부전극(124)을 덮도록 자외선 여과층(140)과 멀티보호막(150)이 형성된다.
자외선 여과층(140)은 표시부(130)에 형성된 유기발광층(122)에 자외선(Ultra Violet)이 침투되는 것을 방지 및 여과하는 역할을 한다. 자외선 여과층(140)은 실리콘계 물질인 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산화탄화물(SiOC), 실리콘 산화탄화질화물(SiOCN), 실리콘 산화질화물(SiON), SiNx 및 실리콘 탄화물(SiC) 중 어느 하나로 형성된다. 자외선 여과층(140)이 SiNx로 형성된 경우, 이는 모노실란(SiH4) 및 질소(N2)의 조합으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 자외선 여과층(140)이 SiON으로 형성된 경우, 이는 SiH4, N2 및 아산화질소(N2O)의 조합으로 형성될 수 있다. 한편, 자외선 여과층(140)에는 자외선이 표시부(130)의 내부로 침투되는 것을 방지 및 여과하기 위한 수단으로 앞서 설명한 재료 외에 금속, 산화물 등과 같은 물질이 더 부가될 수도 있다.
멀티보호막(150)은 자외선 여과층(140) 상에 형성된다. 멀티보호막(150)은 기판(110) 상에 형성된 표시부(130)를 외기(수분이나 산소 등)로부터 보호하는 역할을 한다. 멀티보호막(150)은 무기층과 유기층이 순차적으로 교번 적층된 구조 또는 유기층과 무기층이 순차적으로 교번 적층된 구조로 형성된다. 일 예로, 멀티보호막(150)은 자외선 여과층(140)을 덮도록 제1 내지 제4보호막층(151, 152, 153, 154)으로 형성될 수 있다. 멀티보호막(150)을 구성하는 유기층의 재료로는 폴리머(polymer) 등이 선택될 수 있고 무기층의 재료로는 알루미늄 산화물(AlOx) 등이 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법에 대해 설명한다.
도 10 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 트랜지스터부(DT, Cst, PWR, GP)를 형성한다. 트랜지스터부(DT, Cst, PWR, GP)는 다음과 같이 형성된다.
기판(110)은 플라스틱, 유리, 필름 및 SUS(Steel Use Stainless) 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 형성된다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiOx), SiNx 등을 사용할 수 있다.
버퍼층(111) 상에는 제1 내지 제3게이트전극(112a ~ 112c)이 형성된다. 제1게이트전극(112a)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극이 되고, 제2게이트전극(112b)은 커패시터(Cst)의 일측전극이 되며, 제3게이트전극(112c)은 전원배선(PWR)이 된다. 제1 내지 제3게이트전극(112a ~ 112c)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
제1 내지 제3게이트전극(112a ~ 112c) 상에는 제1절연막(113)이 형성된다. 제1절연막(113)은 SiOx, SiNx 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제1절연막(113)에는 전원배선(PWR)이 되는 제3게이트전극(112c)의 일부를 노출하는 제1비어홀(VA1)이 형성된다. 제1비어홀(VA1)은 표시영역(AA)의 외곽에 형성된다.
제1절연막(113) 상에는 액티브층(114)이 형성된다. 액티브층(114)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘, 유기물, 산화물 등을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(114)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 액티브층(114) 상에는 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층이 형성될 수도 있다.
액티브층(114) 상에는 소오스전극(115a) 및 드레인전극(115b)이 형성된다. 그리고, 커패시터(Cst)의 일측전극이 되는 제2게이트전극(112b) 상에는 커패시터(Cst)의 타측전극(115c)이 형성된다. 그리고, 전원배선(PWR)이 되는 제3게이트전극(112c) 상에는 전원배선(PWR)의 일부인 하부전원배선(115d)이 표시영역(AA)의 외곽에서 비표시영역(NA)의 콘택영역(CA)까지 연장되도록 형성된다. 그리고, 게이트패드(GP)가 되는 하부게이트패드(115e)는 콘택영역(CA)과 이격하도록 비표시영역(NA)에 형성된다. 전원배선(PWR)의 일부인 하부전원배선(115d)은 제1비어홀(VA1)을 통해 전원배선(PWR)이 되는 제3게이트전극(112c)에 연결된다. 소오스전극(115a), 드레인전극(115b), 타측전극(115c), 하부전원배선(115d) 및 하부게이트패드(115e)를 포함하는 금속전극은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 이들이 단일층일 경우에는 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 그리고 이들이 다중층일 경우에는 Mo/Al-AlNd의 2중층, Mo/Al/Mo 또는 Mo/Al-AlNd/Mo의 3중층으로 이루어질 수 있다.
소오스전극(115a), 드레인전극(115b), 타측전극(115c), 하부전원배선(115d) 및 하부게이트패드(115e)를 포함하는 금속전극 상에는 제2절연막(117)이 형성된다. 제2절연막(117)은 SiOx, SiNx 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(117)에는 전원배선(PWR)의 일부인 하부전원배선(115d)의 일부를 콘택영역(CA)에서 노출하는 콘택홀(CH)과 하부게이트패드(115e)의 일부를 콘택영역(CA)과 이격하는 비표시영역(NA)에서 노출하는 제3비어홀(VA3)이 형성된다.
제2절연막(117) 상에는 제3절연막(118)이 형성된다. 제3절연막(118)은 표시영역(AA)에 대응하여 형성되고, 이는 SiOx, SiNx 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(117)에는 소오스전극(115a) 또는 드레인전극(115b)의 일부를 노출하는 제2비어홀(VA2)이 형성된다.
콘택영역(CA)에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 노출된 전원배선(PWR)의 하부전원배선(115d) 상에는 상부전원배선(120a)이 형성되고, 비표시영역(NA)에 형성된 제3비어홀(VA3)을 통해 노출된 게이트패드(GP)의 하부게이트패드(115e) 상에는 상부 게이트패드(120b)가 형성된다. 상부전원배선(120a)과 상부 게이트패드(120b)는 동일한 공정에 의해 동일한 재료 예컨대, Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Nd 및 Cu로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 여기서, 상부전원배선(120a)은 도 4를 통해 알 수 있듯이, 기판(110)의 비표시영역(NA)에 형성된 데이터배선들(DL)을 기준으로 일측 외곽영역 또는 타측 외곽영역 중 선택된 하나의 영역 또는 두 영역에 모두 형성될 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 트랜지스터부(DT, Cst, PWR, GP) 상에 하부전극(119), 유기발광층(122) 및 상부전극(124)에 포함된 제1산화물층(124a)을 형성한다. 하부전극(119), 유기발광층(122) 및 상부전극(124)에 포함된 제1산화물층(124a)은 다음과 같이 형성된다.
제3절연막(118) 상에는 제2비어홀(VA2)을 통해 노출된 소오스전극(115a) 또는 드레인전극(115b)에 연결되는 하부전극(119)이 형성된다. 하부전극(119)은 애노드전극 및 캐소드전극 중 하나로 선택된다. 여기서, 하부전극(119)은 도 6과 같이, 애노드전극으로 선택되고 반사전극(119a)과 투명전극(119b)으로 이루어진 것을 일례로 한다.
제3절연막(118) 상에는 하부전극(119)의 일부를 노출하는 개구부(OPN)를 갖는 뱅크층(121)이 형성된다. 뱅크층(121)은 표시영역(AA)에 대응하여 형성될 수 있고, 이는 벤조사이클로부텐계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
뱅크층(121)의 개구부(OPN) 내에는 유기발광층(122)이 형성된다. 유기발광층(122)은 도 6과 같이, 정공주입층(122a), 정공수송층(122b), 발광층(122c), 전자수송층(122d) 및 전자주입층(122e)을 포함한다. 여기서, 정공주입층(122a), 정공수송층(122b), 전자수송층(122d) 및 전자주입층(122e) 중 적어도 어느 하나는 생략되거나 기타 다른 기능층들이 더 포함될 수도 있다. 그리고 하부전극(119)이 애노드전극이 아닌 캐소드전극으로 선택된 경우 이들은 도면과 달리 전자주입층(122e), 전자수송층(122d), 정공수송층(122b) 및 정공주입층(122a)의 순으로 형성될 수 있다.
유기발광층(122) 상에는 상부전극(124)에 포함된 제1산화물층(124a)이 형성된다. 제1산화물층(124a)은 기판(110)의 표시영역(AA)에 대응되는 영역을 노출하는 제1마스크(MSK1)에 의해 형성된다. 제1산화물층(124a)은 투명한 재료 예컨대, 산화몰리브데늄(MoO3), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SiNx 등의 산화물 및 일부 유기물(NPD 등)이 포함된 재료로 형성될 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 제1산화물층(124a) 상에 금속층(124b)을 형성한다. 금속층(124b)은 다음과 같이 형성된다.
제1산화물층(124a) 상에 상부전극(124)에 포함된 금속층(124b)이 형성된다. 금속층(124b)은 기판(110)의 비표시영역(NA)의 콘택영역(CA)에 대응되는 영역을 노출하는 제2마스크(MSK2)에 의해 형성된다. 이에 따라, 상부전극(124)의 금속층(124b)은 비표시영역(NA)의 콘택영역(CA) 상에 형성된 전원배선(PWR)의 상부전원배선(120a)에 연결된다. 금속층(124b)은 저저항 재료 예컨대, 은(Ag), 금(Au) 등으로 형성될 수 있다.
도 13에 도시된 바와 같이, 금속층(124b) 상에 제2산화물층(124c)을 포함하는 상부전극(124)을 형성한다. 제2산화물층(124c)은 다음과 같이 형성된다.
상부전극(124)에 포함된 금속층(124b) 상에 상부전극(124)에 포함된 제2산화물층(124c)이 형성된다. 제2산화물층(124c)은 기판(110)의 표시영역(AA)에 대응되는 영역을 노출하는 제1마스크(MSK1)에 의해 형성된다. 제2산화물층(124c)은 투명한 재료 예컨대, MoO3, ITO, IZO, SiNx 등의 산화물 및 일부 유기물(NPD 등)이 포함된 재료로 형성될 수 있다.
위와 같은 공정에 의해, 상부전극(124)과 전원배선(PWR)의 상부전원배선(120a)은 동종의 금속층 또는 이종의 금속층 간의 접촉으로 전기적인 연결을 이루게 된다. 이와 같은 전기적 접촉 구조에 의해, 상부전극(124)과 전원배선(PWR)은 금속층에 의해서만 실질적인 접촉이 이루어지게 되므로, 이들의 계면은 안정화되어 콘택 저항을 낮출 수 있게 된다.
한편, 상부전극(124)이 애노드전극으로 선택된 경우, 전원배선(PWR)은 도 3에 도시된 바와 같이 고 전위전원이 공급되는 제1전원배선(VDD)으로 선택된다. 이와 달리, 상부전극(124)이 캐소드전극으로 선택된 경우, 전원배선(PWR)은 저 전위전원이 공급되는 제2전원배선(VSS)으로 선택된다.
한편, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는 유기 발광다이오드에 포함된 전극의 구조에 따라 상부 방향으로 빛을 발광하는 전면발광(Top-Emission), 하부 방향으로 빛을 발광하는 배면발광(Bottom-Emission) 및 양면 방향으로 빛을 발광하는 양면발광(Dual-Emission) 중 하나로 형성된다.
그리고, 본 발명에서는 각 서브 픽셀이 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 구조를 일례로 설명하였다. 하지만, 본 발명은 모든 서브 픽셀이 백색을 발광하고 이를 적색, 녹색 및 청색으로 변환하기 위한 컬러필터가 적용되는 구조에 적용될 수도 있고 이 경우, 서브 픽셀은 적색, 녹색, 청색과 더불어 백색을 발광하는 픽셀로 구성될 수 있다.
이상 본 발명은 저항 특성을 극복하기 위하여 표면 플라즈몬 공진 현상을 적용한 상부전극으로 대면적의 표시패널 제작시, 전압과 전류의 관계가 일정하게 형성되도록 상부전극과 전원배선을 이종 또는 동종의 금속층으로만 전기적으로 연결하여 계면의 콘택 저항을 낮추고, 휘도 저하 및 소비전력 증가와 같은 문제를 개선할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
TCN: 타이밍구동부 PNL: 표시패널
SDRV: 스캔구동부 DDRV: 데이터구동부
VDD: 제1전원배선 VSS: 제2전원배선
DL: 데이터라인들 PAD: 패드부
110: 기판 130: 표시부
120a: 상부전원배선 124: 상부전극
124a: 제1산화물층 124b: 금속층
124c: 제2산화물층 PWR: 전원배선
AA: 표시영역 NA: 비표시영역

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 트랜지스터부;
    상기 트랜지스터부 상에 형성된 하부전극;
    상기 하부전극 상에 형성된 유기발광층; 및
    상기 유기발광층 상에 형성되며 제1산화물층, 금속층 및 제2산화물층으로 이루어진 상부전극을 포함하며,
    상기 상부전극은 일부 영역이 상기 금속층으로만 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 표시영역에 형성된 상부전극은 상기 제1산화물층, 상기 금속층 및 상기 제2산화물층으로 이루어지고,
    상기 기판의 비표시영역에 형성된 상부전극은 상기 금속층으로만 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상부전극은 상기 기판의 비표시영역에 위치하는 전원배선과 전기적으로 연결되며, 상기 전원배선과 전기적으로 연결되는 영역이 상기 금속층으로만 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 상부전극과 상기 전원배선은 동종의 금속층 또는 이종의 금속층 간의 접촉으로 전기적인 연결을 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 전원배선은 상기 기판의 비표시영역에 형성된 데이터배선들을 기준으로 일측 외곽영역 또는 타측 외곽영역 중 선택된 하나의 영역 또는 두 영역에 모두 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  6. 기판 상에 트랜지스터부를 형성하는 트랜지스터부 형성단계;
    상기 트랜지스터부 상에 하부전극을 형성하는 하부전극 형성단계;
    상기 하부전극 상에 유기발광층을 형성하는 유기발광층 형성단계; 및
    상기 유기발광층 상에 제1산화물층, 금속층 및 제2산화물층으로 이루어진 상부전극을 형성하되, 일부 영역을 상기 금속층으로만 형성하는 상부전극 형성단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 상부전극 형성단계는
    상기 기판의 표시영역에 상기 제1산화물층, 상기 금속층 및 상기 제2산화물층으로 이루어진 상부전극을 형성하고,
    상기 기판의 비표시영역에 상기 금속층으로만 이루어진 상부전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 상부전극 형성단계는
    상기 상부전극이 상기 기판의 비표시영역에 위치하는 전원배선과 전기적으로 연결되도록 형성하되, 상기 전원배선과 전기적으로 연결되는 영역이 상기 금속층으로만 이루어지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 상부전극과 상기 전원배선은 동종의 금속층 또는 이종의 금속층 간의 접촉으로 전기적인 연결을 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 상부전극 형성단계는
    상기 기판의 표시영역에 대응되는 영역을 노출하는 마스크를 이용하여 상기 제1산화물층 및 상기 제2산화물층을 형성하고,
    상기 기판의 비표시영역에 대응되는 영역을 노출하는 마스크를 이용하여 상기 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
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