JP2010020856A - 磁気ヘッドの製造方法および情報記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を形成することが可能な磁気記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法は、基体上に、媒体対向面側端面が逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層の第1のアッシング処理を行う工程と、前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に記録用の磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備える。
【選択図】図4
【解決手段】本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法は、基体上に、媒体対向面側端面が逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層の第1のアッシング処理を行う工程と、前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に記録用の磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備える。
【選択図】図4
Description
本発明は、磁気ヘッドの製造方法に関し、さらに詳細には、逆台形の磁極を備えた磁気ヘッドの製造方法、および該磁気ヘッドを備える情報記憶装置に関する。
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の性能向上と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、磁気再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるGMR(Giant Magnetoresistance)素子、あるいは、より高い再生感度の得られるTMR(Tunneling Magnetoresistance)素子等の磁気抵抗効果型再生素子(以下、「再生素子」という)を用いたヘッドが開発されている。一方、磁気ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
このような背景下、垂直記録方式、すなわち垂直磁気記録媒体と垂直磁気ヘッドとを組み合わせて使用する記録方式の記憶装置において、高記録密度化を目的とする狭トラック化を図るため、隣接トラックへの漏れ磁界を防いで、隣接トラックへのはみ出し記録(サイドトラックイレーズ)を防ぐことが課題となっている。この課題に対しては、主磁極の形状を逆台形状に形成する技術が知られており、さらに、逆台形状の主磁極を有する磁気ヘッドの製造方法も知られている(特許文献1等)。
本発明は、パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
この磁気ヘッドの製造方法は、基体上に、逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層の第1のアッシング処理を行う工程と、前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備えることを要件とする。
本発明によれば、パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を備える磁気ヘッドを形成することが可能となる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。図1は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッド1の構成例を示す概略図(素子高さ方向(図中X方向)の断面図)である。図2は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法と、従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。図3〜図4は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。図5〜図7は、従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。図8は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法および従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるレジスト層8に形成された溝7のパターン幅dの変化を示すグラフである。図9は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法および従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるレジスト層8に形成された溝7の傾斜角θの変化を示すグラフである。図10は、本発明の実施形態に係る情報記憶装置の例を示す概略図である。なお、符号dはパターン幅d1〜d8の総称として、また、符号θは傾斜角θ1〜θ8の総称として用いる。
本発明の実施形態に係る磁気ヘッド1は、ハードディスク等の磁気記録媒体へ磁気情報を書き込む記録ヘッド部3を有する磁気ヘッドである。
記録ヘッド部3が積層され、その素子高さ方向に直交する面に媒体対向面(浮上面)5が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該媒体対向面5によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
以下、磁気ヘッド1として、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドについて説明する。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。
記録ヘッド部3が積層され、その素子高さ方向に直交する面に媒体対向面(浮上面)5が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該媒体対向面5によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
以下、磁気ヘッド1として、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドについて説明する。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。
図1に示すように、磁気ヘッド1は、一つの実施形態として、再生ヘッド部2と記録ヘッド部3とを備える複合型磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型磁気ヘッドに限定するものではない。
ここで、図1は磁気ヘッド1のコア幅方向に垂直な方向の断面図として図示している。ちなみに、媒体対向面5は、各層の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て所定位置に形成される。
ここで、図1は磁気ヘッド1のコア幅方向に垂直な方向の断面図として図示している。ちなみに、媒体対向面5は、各層の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て所定位置に形成される。
先ず、再生ヘッド部2の構成例を説明する。図1に示すように、ベースとなるウエハ基板11上に、下部シールド層12が形成される。さらに、下部シールド層12の上層には、再生素子13が形成される。ここで、再生素子13には、例えば、TMR素子もしくはGMR素子等の磁気抵抗効果素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。なお、符合31は、Al2O3等からなる絶縁層である。
また、再生素子13および絶縁層31上に、上部シールド層15が形成される。なお、上部シールド層15、下部シールド層12共に、NiFe等の磁性材料(軟磁性材)を用いて構成される。
次に、記録ヘッド部3の構成例を説明する。前記上部シールド層15上に絶縁材料からなる磁性分離層32が形成される。 絶縁層32上に、磁性材料からなる第1リターンヨーク16が形成される。
第1リターンヨーク16上にAl2O3等からなる絶縁層33が形成され、絶縁層33上には導電材料を用いて、平面螺旋状に第1コイル17が形成され、さらに、第1コイル17を覆うように、Al2O3等からなる絶縁層34が形成される。
また、絶縁層34と上面を連続させるようにして、該絶縁層34上に磁性材料からなる盛上層18が形成される。なお、盛上層18を設けない構成も考えられる。
また、絶縁層34と上面を連続させるようにして、該絶縁層34上に磁性材料からなる盛上層18が形成される。なお、盛上層18を設けない構成も考えられる。
なお、本実施形態においては、ウエハ基板11から、絶縁層34および盛上層18で構成される層に至るまでの積層構造を「基体」という(図中、符号6)。ただし、基体については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。
また、絶縁層34および盛上層18の上に、磁性材料からなる主磁極19が形成される。なお、主磁極19形成工程(詳細については後述)において、例えば、鍍金プロセスを用いて形成する場合は、一旦、先に鍍金ベース層を形成し、その上に主磁極19を形成することとなるが、当該鍍金ベース層については、機能的に主磁極19と同視できるものであり、図の簡素化のためにも図示を省略している(その他の鍍金ベース層についても同様に図示省略)。ちなみに、主磁極19は単層構造に限られず、異なる磁性材料を積層させる多層構造を採用することも考えられる。
主磁極19の後端側には、磁性材料からなるバックギャップ22が形成されると共に、主磁極19上にAl2O3等からなる絶縁層35が形成され、さらに絶縁層35上に、バックギャップ22を取り巻くように導電材料からなる第2コイル20が形成される。また、主磁極19の先端部の上方には、主磁極19と間隔(トレーリングギャップと呼ばれる)を空けて、磁性材料からなるトレーリングシールド21が形成される。さらに、第2コイル20の層間および上層にレジスト等の絶縁材料からなる絶縁層36が形成されると共に、さらにその上層に、バックギャップ22およびトレーリングシールド21に連結する磁性材料からなる第2リターンヨーク23が形成される。
さらに、第2リターンヨーク23上に保護層(不図示)が形成される等して、磁気ヘッド1が所定の積層構造として完成される。
なお、第1リターンヨーク16、盛上層18、主磁極19、トレーリングシールド21、バックギャップ22、第2リターンヨーク23を構成する磁性材料としては、BS(飽和磁束密度)が高く且つμ(透磁率)が低い磁性材料(軟磁性材)を用いることが記録特性向上の観点から好適であり、一例として、NiFe、CoNiFe等が挙げられる。
続いて、本実施形態に係る磁気ヘッド1の製造方法について説明する。なお、本実施形態に特徴的な記録ヘッド部3の形成工程から説明を行う。
先ず、図2(a)に示すように、ウエハ基板11上に薄膜を順次積層し、前記絶縁層34および盛上層18で構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体6を形成する。
先ず、図2(a)に示すように、ウエハ基板11上に薄膜を順次積層し、前記絶縁層34および盛上層18で構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体6を形成する。
次いで、図2(b)に示すように、基体6の上に、逆台形状の溝7を有するレジスト層8を形成する。一例として、当該レジスト層8は、公知のフォトリソグラフィプロセスによって形成する。
なお、溝7の形状は、コア幅方向(図2(a)で示すY方向、以下図7に至るまで同様)に直交する面と溝7の傾斜面との成す角である傾斜角θ1を0〜30[°]程度の範囲内で形成する。一例として、コア幅方向における開口部(図中の溝7の上部)の幅が100〜300[nm]程度、底部(図中の溝7の下部)の幅(「パターン幅」という)d1が100[nm]程度で、膜厚方向(図1および図2(a)で示すZ方向、以下図7に至るまで同様)における深さ(図中の上下方向)が200[nm]程度に形成する。
なお、溝7の形状は、コア幅方向(図2(a)で示すY方向、以下図7に至るまで同様)に直交する面と溝7の傾斜面との成す角である傾斜角θ1を0〜30[°]程度の範囲内で形成する。一例として、コア幅方向における開口部(図中の溝7の上部)の幅が100〜300[nm]程度、底部(図中の溝7の下部)の幅(「パターン幅」という)d1が100[nm]程度で、膜厚方向(図1および図2(a)で示すZ方向、以下図7に至るまで同様)における深さ(図中の上下方向)が200[nm]程度に形成する。
従来は、この後の工程として、図5に示すように、レジスト層8の溝7内に主磁極19を形成する。一例として、主磁極19は、磁性材料であるCoNiFeを用いて、鍍金プロセスにより形成していた。
高記録密度化の要求が厳しくなかった従来の磁気ヘッドにおいては、主磁極19は、このパターン幅すなわちd6=d1=100[nm]程度で十分であった。ちなみに、θ6=θ1である。
また、この程度の形状(サイズ)の溝7は、公知のフォトリソグラフィプロセスによって形成が可能な範囲であった。
高記録密度化の要求が厳しくなかった従来の磁気ヘッドにおいては、主磁極19は、このパターン幅すなわちd6=d1=100[nm]程度で十分であった。ちなみに、θ6=θ1である。
また、この程度の形状(サイズ)の溝7は、公知のフォトリソグラフィプロセスによって形成が可能な範囲であった。
しかし、さらなる高記録密度化に対応するため、パターン幅を一層狭く形成することが要請されており、前記のフォトリソグラフィプロセスのみでは所望の狭いパターン幅(例えば、d1=60〜90[nm]程度)の形成に対応することが出来なくなっている。
ここで、本願出願人において、パターン幅を狭く形成するために、公知のシュリンク処理技術(特開2005−44823号公報等参照)を適用することが考えられた。
例えば、図2(b)に示す工程の後に続き、図6(a)に示すように、溝7内に公知のシュリンク剤を塗布し、所定温度・所定時間でベークを行った後、水洗浄を行うことで、シュリンク部9が形成されて、パターン幅を狭くすることが可能となる。なお、ベーク温度によってパターン幅の制御が可能であり、一例として、d7=60〜90[nm]程度である。
しかし、この方法を、逆台形状の溝7を有するレジスト層8の形成に適用しようとすると、上記の通り、狭いパターン幅を容易に狭くすることは可能となるものの、溝7の形状が逆台形状ではなく、矩形状となってしまう課題が生じる。
より具体的には、上記シュリンク処理工程を実施する前の時点のコア幅方向に直交する面と溝7の傾斜面との成す角である傾斜角θ1(図2(b)参照)に対して、シュリンク処理工程実施後の傾斜角θ7(図6(a)参照)は、θ1>θ7となってしまうために、その後、アッシング処理工程(図6(b))を経て、鍍金プロセスによって形成される主磁極19の形状が、図7に示すように矩形状に近い形状となってしまうのである。つまり、傾斜角についてみれば、θ1>θ7≒θ8≒θ9の関係にある。なお、パターン幅については、d9(=d8)<d1である(図8参照)。
例えば、図2(b)に示す工程の後に続き、図6(a)に示すように、溝7内に公知のシュリンク剤を塗布し、所定温度・所定時間でベークを行った後、水洗浄を行うことで、シュリンク部9が形成されて、パターン幅を狭くすることが可能となる。なお、ベーク温度によってパターン幅の制御が可能であり、一例として、d7=60〜90[nm]程度である。
しかし、この方法を、逆台形状の溝7を有するレジスト層8の形成に適用しようとすると、上記の通り、狭いパターン幅を容易に狭くすることは可能となるものの、溝7の形状が逆台形状ではなく、矩形状となってしまう課題が生じる。
より具体的には、上記シュリンク処理工程を実施する前の時点のコア幅方向に直交する面と溝7の傾斜面との成す角である傾斜角θ1(図2(b)参照)に対して、シュリンク処理工程実施後の傾斜角θ7(図6(a)参照)は、θ1>θ7となってしまうために、その後、アッシング処理工程(図6(b))を経て、鍍金プロセスによって形成される主磁極19の形状が、図7に示すように矩形状に近い形状となってしまうのである。つまり、傾斜角についてみれば、θ1>θ7≒θ8≒θ9の関係にある。なお、パターン幅については、d9(=d8)<d1である(図8参照)。
なお、上記図6(b)で示されるアッシング処理工程は、シュリンク処理工程によって、溝7内に形成されたシュリンク部9に対して、プラズマエッチング(例えば酸素ガスを使用)を行うことによって、次工程の鍍金プロセスにおいて、主磁極19を形成する軟磁性材が溝7内つまりシュリンク部9の表面に付き易くする作用を生じさせるために行われるものである。したがって、通常は、アッシング処理工程は、シュリンク処理工程実施後に必要とされる工程である。
これに対して、本実施形態に係る製造方法においては、シュリンク処理工程を実施する前に、アッシング処理工程を実施することを特徴とする。
より具体的には、前記図2(b)で示される工程の実施後に、図3(a)で示されるアッシング処理工程を実施する。当該アッシング処理工程は、前述のシュリンク処理工程後に実施されるアッシング処理工程とは当然ながらその作用・効果を異にするものであり、当該図3(a)に示すアッシング処理工程を実施することによって、次工程のシュリンク処理工程を実施した場合であっても(図3(b)参照)、傾斜角θ2を、θ2≒θ1に維持することが可能となる。
一例として、プラズマを発生させる気体として酸素を用いるプラズマエッチングによって当該アッシング処理工程を実施するが、これに限定されるものではない。
より具体的には、前記図2(b)で示される工程の実施後に、図3(a)で示されるアッシング処理工程を実施する。当該アッシング処理工程は、前述のシュリンク処理工程後に実施されるアッシング処理工程とは当然ながらその作用・効果を異にするものであり、当該図3(a)に示すアッシング処理工程を実施することによって、次工程のシュリンク処理工程を実施した場合であっても(図3(b)参照)、傾斜角θ2を、θ2≒θ1に維持することが可能となる。
一例として、プラズマを発生させる気体として酸素を用いるプラズマエッチングによって当該アッシング処理工程を実施するが、これに限定されるものではない。
その結果、溝7の形状が逆台形状から矩形状になってしまうという前述の課題を解決することが可能となる。
すなわち、上記アッシング処理工程(図3(a)参照)を行った後で、図3(b)に示すように、パターン幅を狭くするためのシュリンク処理工程を実施すれば、パターン幅d3=60〜90[nm]程度まで狭くすることが可能となり、且つ傾斜角θ3≒θ2≒θ1に維持することが可能となるため、その後、図4(a)で示される工程(後述)を経た後、鍍金プロセスによって形成される主磁極19の形状が、図4(b)に示すように狭いパターン幅(d5=d4=d3)であり、且つ所望の傾斜角θ5を有する逆台形状に形成することが可能となる。つまり、傾斜角についてみれば、θ1≒θ2≒θ3≒θ4≒θ5の関係にある。なお、図4(b)は、溝7内に、主磁極19を形成する軟磁性金属材料を鍍金プロセスで形成した後、レジスト層8をリフトオフプロセスによって除去した後の状態を示す図である。
このように、主磁極19を所望の傾斜角θ5を有する逆台形状に形成することが可能となるため、主磁極が矩形状となってしまった場合に顕著に発生し得るサイドイレーズを効果的に防止することが可能となると共に、狭いパターン幅を備えることで、磁気記録媒体の狭トラック化による高記録密度化の達成が可能となる。
すなわち、上記アッシング処理工程(図3(a)参照)を行った後で、図3(b)に示すように、パターン幅を狭くするためのシュリンク処理工程を実施すれば、パターン幅d3=60〜90[nm]程度まで狭くすることが可能となり、且つ傾斜角θ3≒θ2≒θ1に維持することが可能となるため、その後、図4(a)で示される工程(後述)を経た後、鍍金プロセスによって形成される主磁極19の形状が、図4(b)に示すように狭いパターン幅(d5=d4=d3)であり、且つ所望の傾斜角θ5を有する逆台形状に形成することが可能となる。つまり、傾斜角についてみれば、θ1≒θ2≒θ3≒θ4≒θ5の関係にある。なお、図4(b)は、溝7内に、主磁極19を形成する軟磁性金属材料を鍍金プロセスで形成した後、レジスト層8をリフトオフプロセスによって除去した後の状態を示す図である。
このように、主磁極19を所望の傾斜角θ5を有する逆台形状に形成することが可能となるため、主磁極が矩形状となってしまった場合に顕著に発生し得るサイドイレーズを効果的に防止することが可能となると共に、狭いパターン幅を備えることで、磁気記録媒体の狭トラック化による高記録密度化の達成が可能となる。
ここで、図4(a)で示される工程について説明する。この工程は、前記同様、シュリンク処理工程後に必要とされるアッシング処理工程である。
一例として、プラズマを発生させる気体として酸素を用いるプラズマエッチングによって当該アッシング処理を行うが、これに限定されるものではない。
一例として、プラズマを発生させる気体として酸素を用いるプラズマエッチングによって当該アッシング処理を行うが、これに限定されるものではない。
また、本実施形態のように、図3(a)で示されるアッシング処理工程と、図4(a)で示されるアッシング処理工程とを、同じガス(ここでは酸素)を用いるプラズマエッチングとして実施することによって、実施装置の共通化を図ることができ、また使用ガスの種類の増加を抑えることができるため、非常に効率的であり、且つコストダウンが可能となる。
ただし、両者のアッシング処理は、その目的が全く異なるものであって、必然的に、同じ装置で実施可能とするためには、エッチング条件をそれぞれに最適化しなければならならい。一例として、図4(a)で示されるアッシング処理を行う処理時間を、図3(a)で示されるアッシング処理を行う処理時間よりも短くすることによって、装置の共通化を図り、同様の酸素プラズマエッチングとして、両工程の実施が可能となる。
ただし、両者のアッシング処理は、その目的が全く異なるものであって、必然的に、同じ装置で実施可能とするためには、エッチング条件をそれぞれに最適化しなければならならい。一例として、図4(a)で示されるアッシング処理を行う処理時間を、図3(a)で示されるアッシング処理を行う処理時間よりも短くすることによって、装置の共通化を図り、同様の酸素プラズマエッチングとして、両工程の実施が可能となる。
なお、図4(b)で示される工程の後工程としては、主磁極19上に前述の膜構成となる積層工程を行い、最終的に図1で示される構成の磁気ヘッド1として完成に至る。
ここで、本実施形態に特徴的な図3(a)で示されるアッシング処理工程を行った場合の効果を、当該工程を行わない場合との比較において示す。
先ず、図8は、工程を経るごとにパターン幅dがどのように変化しているかを示すグラフである。図3(a)で示されるアッシング処理工程を行わない場合(図中の丸印でプロット)と、図3(a)で示されるアッシング処理工程を行う本実施形態の場合(図中の三角印でプロット)とは、どちらもパターン幅を同等程度まで狭く形成することが可能となる結果となっている。
一方、図8は、工程を経るごとに傾斜角θがどのように変化しているかを示すグラフである。図3(a)で示されるアッシング処理工程を行わない場合(図中の丸印でプロット)は、傾斜角θが減少(θ1→θ8)、すなわち、溝7の形状が逆台形状から矩形状に近づいてしまう結果となっているのに対し、図3(a)で示されるアッシング処理工程を行う本実施形態の場合(図中の三角印でプロット)は、傾斜角θが減少せず(θ1→θ3)、逆台形状の溝形状が維持されている結果となっている。
これらのグラフから、所望の傾斜角度を維持したまま、パターン幅を狭くすることが可能となるという本実施形態に特徴的で顕著な効果が達成されていることが明らかである。
先ず、図8は、工程を経るごとにパターン幅dがどのように変化しているかを示すグラフである。図3(a)で示されるアッシング処理工程を行わない場合(図中の丸印でプロット)と、図3(a)で示されるアッシング処理工程を行う本実施形態の場合(図中の三角印でプロット)とは、どちらもパターン幅を同等程度まで狭く形成することが可能となる結果となっている。
一方、図8は、工程を経るごとに傾斜角θがどのように変化しているかを示すグラフである。図3(a)で示されるアッシング処理工程を行わない場合(図中の丸印でプロット)は、傾斜角θが減少(θ1→θ8)、すなわち、溝7の形状が逆台形状から矩形状に近づいてしまう結果となっているのに対し、図3(a)で示されるアッシング処理工程を行う本実施形態の場合(図中の三角印でプロット)は、傾斜角θが減少せず(θ1→θ3)、逆台形状の溝形状が維持されている結果となっている。
これらのグラフから、所望の傾斜角度を維持したまま、パターン幅を狭くすることが可能となるという本実施形態に特徴的で顕著な効果が達成されていることが明らかである。
続いて、本発明の実施形態に係る情報記憶装置について説明する。
上記の構成を備える磁気ヘッド1を用いて、磁気ディスク装置、MRAM等を構成することにより、サイドイレーズの防止が可能で、且つより高密度の記録が可能な情報記憶装置が実現される。
上記の構成を備える磁気ヘッド1を用いて、磁気ディスク装置、MRAM等を構成することにより、サイドイレーズの防止が可能で、且つより高密度の記録が可能な情報記憶装置が実現される。
当該情報記憶装置の一例として、図10に磁気ディスク装置50の構成を示す。前記の磁気ヘッド1は、磁気記録媒体(磁気記録ディスク)51との間で情報を記録し、情報を再生するヘッドスライダ52に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ52は、ヘッドサスペンション53のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション53の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム54と、該サスペンション53および該アクチュエータアーム54上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気抵抗効果素子13に電気的に接続され、磁気記録ディスク51に記録された情報を読み取るための電気信号を検出する回路とを有する記憶装置として構成される。その作用として、磁気記録ディスク51が回転駆動されることにより、ヘッドスライダ52がディスク面から浮上し、磁気記録ディスク51との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。
本実施形態に係る情報記憶装置によれば、パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を有する磁気ヘッドを備えて、サイドイレーズの防止が可能となり、且つより高密度の記録が可能となる。
以上説明した通り、本実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を形成することが可能となり、その結果、サイドイレーズの問題を解消し、より高密度の記録が可能な磁気ヘッドおよび情報記憶装置が提供される。
(付記1) 基体上に、逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の第1のアッシング処理を行う工程と、
前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、
前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
(付記2) 前記第1のアッシング処理は、プラズマエッチングプロセスであることを特徴とする付記1記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記3) 前記プラズマエッチングプロセスは、プラズマを発生させる気体として酸素が用いられることを特徴とする付記2記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記4) 前記逆台形状の溝は、台形上辺および下辺に直交する面と該溝の傾斜面との成す角が0度から30度の角度であることを特徴とする付記1〜3のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記5) 前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程は、鍍金プロセスであることを特徴とする付記1〜4のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記6) 前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程との間に、
前記シュリンク処理が行われたレジスト層の第2のアッシング処理を行う工程を備えることを特徴とする付記1〜5のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記7) 前記第2のアッシング処理は、プラズマエッチングプロセスであることを特徴とする付記6記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記8) 前記プラズマエッチングプロセスは、プラズマを発生させる気体として酸素が用いられることを特徴とする付記7記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記9) 前記第2のアッシング処理と、前記第1のアッシング処理とは、エッチング条件として処理時間のみが異なり、該第2のアッシング処理の処理時間は、該第1のアッシング処理の処理時間よりも短いことを特徴とする付記6〜8のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記10) 付記1〜9のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッドを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンションおよび前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気ヘッドに電気的に接続された回路と、を有することを特徴とする情報記憶装置。
前記レジスト層の第1のアッシング処理を行う工程と、
前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、
前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
(付記2) 前記第1のアッシング処理は、プラズマエッチングプロセスであることを特徴とする付記1記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記3) 前記プラズマエッチングプロセスは、プラズマを発生させる気体として酸素が用いられることを特徴とする付記2記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記4) 前記逆台形状の溝は、台形上辺および下辺に直交する面と該溝の傾斜面との成す角が0度から30度の角度であることを特徴とする付記1〜3のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記5) 前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程は、鍍金プロセスであることを特徴とする付記1〜4のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記6) 前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程との間に、
前記シュリンク処理が行われたレジスト層の第2のアッシング処理を行う工程を備えることを特徴とする付記1〜5のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記7) 前記第2のアッシング処理は、プラズマエッチングプロセスであることを特徴とする付記6記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記8) 前記プラズマエッチングプロセスは、プラズマを発生させる気体として酸素が用いられることを特徴とする付記7記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記9) 前記第2のアッシング処理と、前記第1のアッシング処理とは、エッチング条件として処理時間のみが異なり、該第2のアッシング処理の処理時間は、該第1のアッシング処理の処理時間よりも短いことを特徴とする付記6〜8のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
(付記10) 付記1〜9のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッドを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンションおよび前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気ヘッドに電気的に接続された回路と、を有することを特徴とする情報記憶装置。
1 磁気ヘッド
2 再生ヘッド部
3 記録ヘッド部
5 媒体対向面
6 基体
7 溝
8 レジスト層
9 シュリンク部
11 ウエハ基板
13 下部シールド層
14 磁気抵抗効果型再生素子
15 上部シールド層
16 下部リターンヨーク
19 主磁極
21 トレーリングシールド
23 上部リターンヨーク
50 情報記憶装置(磁気ディスク装置)
2 再生ヘッド部
3 記録ヘッド部
5 媒体対向面
6 基体
7 溝
8 レジスト層
9 シュリンク部
11 ウエハ基板
13 下部シールド層
14 磁気抵抗効果型再生素子
15 上部シールド層
16 下部リターンヨーク
19 主磁極
21 トレーリングシールド
23 上部リターンヨーク
50 情報記憶装置(磁気ディスク装置)
Claims (7)
- 基体上に、逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の第1のアッシング処理を行う工程と、
前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、
前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1のアッシング処理は、プラズマエッチングプロセスであること
を特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 前記プラズマエッチングプロセスは、プラズマを発生させる気体として酸素が用いられること
を特徴とする請求項2記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 前記逆台形状の溝は、台形上辺及び下辺に直交する面と該溝の傾斜面との成す角が0度から30度の角度であること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に磁極となる磁性材料層を形成する工程との間に、
前記シュリンク処理が行われたレジスト層の第2のアッシング処理を行う工程を備えること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第2のアッシング処理と、前記第1のアッシング処理とは、エッチング条件として処理時間のみが異なり、該第2のアッシング処理の処理時間は、該第1のアッシング処理の処理時間よりも短いこと
を特徴とする請求項5記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッドを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンション及び前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気ヘッドに電気的に接続された回路と、を有すること
を特徴とする情報記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008181910A JP2010020856A (ja) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | 磁気ヘッドの製造方法および情報記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008181910A JP2010020856A (ja) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | 磁気ヘッドの製造方法および情報記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010020856A true JP2010020856A (ja) | 2010-01-28 |
Family
ID=41705582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008181910A Withdrawn JP2010020856A (ja) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | 磁気ヘッドの製造方法および情報記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010020856A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8760804B2 (en) | 2012-03-02 | 2014-06-24 | HGST Netherlands B.V. | Substrate nitrogen plasma treatment for softer CoFe main pole writer formation |
-
2008
- 2008-07-11 JP JP2008181910A patent/JP2010020856A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8760804B2 (en) | 2012-03-02 | 2014-06-24 | HGST Netherlands B.V. | Substrate nitrogen plasma treatment for softer CoFe main pole writer formation |
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