JP2010020045A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】環境光を検出する光センサ及びバックライト光を遮光する遮光層を備える電気光学装置を好適に製造する。
【解決手段】基板（１０）上に遮光層（７１）、第１絶縁層（７２）、受光素子（１３１）及び第２絶縁層（７３、７４）を形成する。その後、第２絶縁層を貫通して受光素子に到達するスルーホール（１３６）を形成すると共に、第２絶縁層を貫通し且つ第１絶縁層の一部が残留するホール部分（１３７）を形成するようにエッチングを行う。その後、受光素子用電極（１３３、１３４）及び遮光層用電極（７７）並びに第３絶縁層（７５）を形成する。その後、ホール部分に残留している第１絶縁層の一部及びホール部分に形成される第３絶縁層に対してエッチングを行うと共に、パッシベーション層を貫通して遮光層用電極に到達するスルーホール（１３８）を形成するようにエッチングを行う。
【選択図】図２０

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置を製造する方法、液晶装置等の電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備える電子機器の技術分野に関する。

電気光学装置の一例として、一対の基板（例えば、ＴＦＴ基板及び対向基板）間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶装置があげられる。このような液晶装置では、例えば液晶パネルを構成する一対の基板間において液晶を所定の配向状態としておき、例えば画像表示領域に形成された画素部毎に、液晶に所定の電圧を印加することにより、液晶における配向や秩序を変化させて、光を変調することにより階調表示を行う。

このような液晶装置における視認性は、周囲の明るさ（例えば、環境光の光強度）に応じて変化することが知られている。例えば、液晶装置の周囲が相対的に明るい場合（例えば、環境光が相対的に強い場合）には、液晶装置の輝度（具体的には、バックライトからの光の輝度）を相対的に明るくした方が、視認性が向上する。他方で、例えば、液晶装置の周囲が相対的に暗い場合（例えば、環境光が相対的に弱い場合）には、液晶装置の輝度を必要以上に明るくしなくとも、視認性が悪化することはない。このような構成を実現するために、特許文献１には、環境光が照射される第１のフォトダイオードと、環境光が遮光された第２のフォトダイオードとを備える光センサが開示されている。この光センサでは、第１のフォトダイオードと第２のフォトダイオードとを直列に接続されているため、第１のフォトダイオードの出力と第２のフォトダイオードの出力との差分を出力することができる。その結果、環境光のみに基づく受光電流を出力することができる。

特願２００７−０４５０４８

このような光センサでは、バックライト光（言い換えれば、バックライト光を受光することで生ずるバックライト光電流）の影響を排除した受光電流（つまり、環境光そのものを受光することで生ずる受光電流）を高精度に出力するために、フォトダイオードに対して照射されるバックライト光が遮光されることが好ましい。このため、例えばフォトダイオードとバックライトとの間のＴＦＴ基板上に、例えば金属膜等の遮光層が形成される。ここで、遮光層が金属膜等から構成されていることに起因して、遮光層に電荷が蓄積されてしまいかねない。このような遮光層への電荷の蓄積は、光センサの動作に対して悪影響を与えかねない。従って、遮光層に蓄積する電荷を放電するための経路を形成する必要がある。例えば、ＴＦＴ基板上に形成される積層構造を貫通して遮光層にまで到達するスルーホールを形成すると共に、該スルーホールを介して遮光層と電荷を放電するための経路（言い換えれば、配線ないしは電極）とを電気的に接続する対策が一例としてあげられる。この遮光層にまで到達するスルーホールは、光センサの端子部に到達するように積層構造を貫通するスルーホールを形成する際に同時に形成されるのが一般的である。

他方で、光センサの動作の安定化のために、遮光層と光センサとを一定距離（具体的には、ＴＦＴ基板上に形成される積層構造の厚み方向における一定距離）だけ離すことが好ましい。従って、例えば、遮光層を覆うように一定の厚さを有するバッファ層を形成した後に、該バッファ層上に光センサが形成される。しかしながら、バッファ層を形成する場合には、遮光層に到達するように積層構造を貫通するスルーホールを形成するためには、光センサの端子部に到達するように積層構造を貫通するスルーホールを形成する際のエッチングだけでは足りず、バッファ層の厚みだけ余分にエッチングする必要がある。このため、遮光層に到達するように積層構造を貫通するスルーホールを形成する際には、まず光センサの端子部に到達するように積層構造を貫通するスルーホールを形成することができる程度にエッチングを行うことで遮光層に到達するスルーホールの一部を形成した後、エッチングされずに残留しているバッファ層の一部のみを再度エッチングする必要がある。これは、エッチング工程の増加に結びつくため、電気光学装置を製造する際のコストの上昇や歩留まりの悪化を招きかねない。

本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、例えば環境光を検出するための光センサを備え且つ光センサに対してバックライト光を遮光する遮光層を備える電気光学装置を製造する製造方法であって且つこのような電気光学装置をより好適に製造する製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。

（電気光学装置の製造方法）
（第１の製造方法）
本発明の電気光学装置の第１の製造方法は、一対の基板間（本実施形態においてＴＦＴ基板１０と対向基板２０）に電気光学物質（本実施形態において液晶層５０）が挟持されると共に、前記一対の基板のうちの一方の基板上に光を受光する受光素子（本実施形態においてフォトダイオード１３１、１３２）を備える電気光学装置（本実施形態において液晶装置１）の製造方法であって、前記一方の基板上（本実施形態においてＴＦＴ基板１０）に遮光層（本実施形態において遮光層７１）を形成する遮光層形成工程と、前記遮光層を覆うように前記一方の基板上に第１絶縁層（本実施形態においてバッファ層７２）を形成する第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層上の領域であって且つ前記遮光層に対向する領域に前記受光素子を形成する受光素子形成工程と、前記受光素子を覆うように前記第１絶縁層上に第２絶縁層（本実施形態においてゲート絶縁層７３、層間絶縁層７４）を形成する第２絶縁層形成工程と、(i)前記第２絶縁層を貫通して前記受光素子に到達する第１スルーホール（本実施形態においてスルーホール１３６）を形成すると共に、(ii)前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達する第２スルーホール（本実施形態においてスルーホール１３７）のうち前記第２絶縁層を貫通し且つ積層方向における前記第１絶縁層の一部が残留するホール部分を形成するようにエッチング処理を行う第１エッチング工程と、前記受光素子に接続される受光素子用電極（本実施形態において電極１３３、１３４及び１３５）を前記第１スルーホールに形成すると共に、前記遮光層における電位を安定化させる遮光層用電極（本実施形態において電極７７）を前記第２絶縁層上に形成する電極形成工程と、前記受光素子用電極及び前記遮光層用電極を覆うように前記第２絶縁層上に第３絶縁層（本実施形態においてパッシベーション層７５）を形成する第３絶縁層形成工程と、(i)前記第２スルーホールが前記第３絶縁層及び第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達するように、前記ホール部分に残留している前記第１絶縁層の一部及び前記ホール部分に形成される前記第３絶縁層に対してエッチング処理を行うと共に、(ii)前記第３絶縁層を貫通して前記遮光層用電極に到達する第３スルーホール（本実施形態においてスルーホール１３８）を形成するように前記エッチング処理を行う第２エッチング工程と、前記第２スルーホール及び前記第３スルーホールを介して前記遮光層と前記遮光層用電極とを電気的に接続すると共に、前記電気光学物質に対して電界を印加するための電界印加用電極（本実施形態において画素電極９ａ）を形成する電界印加用電極形成工程とを備える。

本発明の電気光学装置の第１の製造方法によれば、一対の基板間に電気光学物質が挟持されると共に、一対の基板のうちの一方の基板上に光（例えば、当該電気光学装置の外部からの光である環境光であって、例えば太陽光等の外光等）を受光する受光素子を備える電気光学装置を製造することができる。尚、本発明の第１の製造方法により製造される電気光学装置は、受光素子により受光される光に基づいて、バックライト等の光源の光量（或いは、輝度等）を調整可能に構成されることが好ましい。加えて、受光素子は、電気光学装置が備えるバックライト等の光源からの光の照射が遮断される（つまり、遮光される）ことが好ましい。従って、本発明の第１の製造方法により製造される電気光学装置は、例えば受光素子とバックライトとの間の基板上に、例えば金属膜等の遮光層を備えていることが好ましい。以下、このような電気光学装置を製造する第１の製造方法についてより詳細に説明する。

第１の製造方法によれば、まず、遮光層形成工程において、一方の基板（例えば、ＴＦＴ基板）のうち例えば電気光学物質に対向する側に、例えば金属膜等の遮光層が形成される。この遮光層は、上述したように、例えば、受光素子に対するバックライト等の光源からの光の照射を遮断する機能を有している。

続いて、第１絶縁層形成工程において、遮光層を覆うように、一方の基板上に第１絶縁層が形成される。第１絶縁層は、例えば、受光素子の動作の安定化のために、遮光層と受光素子とを一定距離（具体的には、一方の基板上に形成される積層構造の厚み方向（言い換えれば、一方の基板の面の法線方向）における一定距離）離すために形成される層である。

続いて、受光素子形成工程において、第１絶縁層上に、例えばフォトダイオード等を含む受光素子が形成される。特に、受光素子は、遮光層に対向する領域（より具体的には、一方の基板の法線方向において遮光層と重なる領域）に形成されることが好ましい。受光素子は、上述したように、環境光を検出可能に構成されていてもよい。或いは、２つの受光素子を形成すると共に、一方の受光素子に環境光が照射され且つ他方の受光素子に環境光が照射されないように構成してもよい。この場合は、一方の受光素子における受光結果と他方の受光素子における受光結果との差分に基づいて、環境光が検出されることが好ましい。尚、上述したように、遮光層によって、受光素子には、バックライト等の光源からの光が照射されないことが好ましい。

続いて、第２絶縁層形成工程において、受光素子を覆うように、第１絶縁層上に第２絶縁層が形成される。第２絶縁層は、例えば受光素子の端子間の絶縁や受光素子と他の電気的構成要素との間の絶縁を確保する機能を有する層である。

続いて、第１エッチング工程において、第２絶縁層が積層された一方の基板に対してエッチングが行われる。第１エッチング工程において行われるエッチングにより、第２絶縁層を貫通して受光素子に到達する第１スルーホールが形成される。同様に、第１エッチング工程において行われるエッチングにより、第２絶縁層及び第１絶縁層を貫通して遮光層に到達する第２スルーホールが形成される。ここで、第１スルーホールは第２絶縁層を貫通する必要がある一方で、第２スルーホールは第２絶縁層に加えて第１絶縁層をも貫通する必要がある。従って、第１スルーホールを形成するために必要な時間だけエッチングを行うだけでは、第２絶縁層に加えて第１絶縁層の全てを貫通する第２スルーホールを形成することは困難である。このため、第１エッチング工程では、本来第１絶縁層をも貫通するべき第２スルーホールのうち第２絶縁層を貫通し且つ第１絶縁層の一部が残留した（言い換えれば、第１エッチング工程におけるエッチングでは除去しきれなかった第１絶縁層の一部が残留した）一部のホール部分が形成される。

ここで、第１エッチング工程に続いて、第２スルーホールが形成されるべき領域のみをマスキングして（或いは、第２スルーホールが形成されるべき領域以外の領域のみをマスキングして）更にエッチングを行えば、第１エッチング工程におけるエッチングでは除去しきれずに残留してしまった第１絶縁層の一部を除去することができる。その結果、第２絶縁層及び第１絶縁層の夫々を貫通して遮光層に到達する第２スルーホールを形成することができる。しかしながら、本発明の電気光学装置の第１の製造方法では、後の工程で第３絶縁層が形成され且つ第３絶縁層に第３スルーホールを形成する必要があることに着目して、第１エッチング工程におけるエッチングに続いてすぐにエッチングを行うことなく他の工程が行われる。以下、第１エッチング工程に続く各工程について説明を続ける。

続いて、電極形成工程において、受光素子用電極及び遮光層用電極の夫々が、好ましくは同時に形成される。受光素子用電極は、例えば、受光素子における受光結果（つまり、受光電流）を取り出すための電極であって、受光素子の端子部に電気的に接続されることが好ましい。遮光層用電極は、例えば、遮光層における電位を安定化させるための電位が供給される電極である。尚、受光素子用電極は第１スルーホールに形成される。また、遮光層用電極は、第２絶縁層上に形成される。このとき、遮光層用電極は、第１スルーホール及び第２スルーホールが形成される領域以外の領域に形成されることが好ましい。

続いて、第３絶縁層形成工程において、受光素子用電極及び遮光層用電極を覆うように、第２絶縁層上に第３絶縁層が形成される。第３絶縁層は、いわゆる保護膜である。

続いて、第２エッチング工程において、第３絶縁層が積層された一方の基板に対してエッチングが行われる。第２エッチング工程において行われるエッチングにより、第３絶縁層を貫通して遮光層用電極に到達する第３スルーホールが形成される。同様に、第２エッチング工程において行われるエッチングにより、第３絶縁層、第２絶縁層及び第１絶縁層を貫通して遮光層に到達する第２スルーホールが形成される。ここで、上述した第１エッチング工程では、本来第１絶縁層をも貫通するべき第２スルーホールのうち第２絶縁層を貫通し且つ第１絶縁層の一部が残留したホール部分が形成される。従って、第２エッチング工程では、ホール部分に新たに形成された第３絶縁層及び第１エッチング工程におけるエッチングでは除去しきれなかった第１絶縁層の一部が除去される。その結果、第３絶縁層、第２絶縁層及び第１絶縁層の全てを貫通して遮光層に到達する第２スルーホールが形成される。

ここで、第２エッチング工程では、第２スルーホールと第３スルーホールとが好ましくは同時に形成される。従って、第２エッチング工程におけるエッチングでは、第２スルーホール及び第３スルーホールが形成されるべき領域のみを覆う（或いは、第２スルーホール及び第３スルーホールが形成されるべき領域以外の領域のみを覆う）マスクが用いられることが好ましい。従って、１度のエッチングで、第２スルーホールと第３スルーホールとを好ましくは同時に形成することができる。このため、本発明に係る電気光学装置の製造方法では、第１エッチング工程及び第２エッチング工程の夫々において、１度ずつエッチング（更には、例えばレジストの塗布に伴うフォトリソグラフィー等）を行えば足りる。つまり、第１スルーホール及び第２スルーホールのうちの一部のホール部分を形成するためのエッチングと、第２スルーホール及び第３スルーホールを形成するためのエッチングを行えば足りる。

他方で、仮に上述したように、第１エッチング工程に続いて、第２スルーホールが形成されるべき領域のみをマスキングして（或いは、第２スルーホールが形成されるべき領域以外の領域のみをマスキングして）更にエッチングを行うことで第２スルーホールを形成する場合であっても、第３絶縁層が形成された後に第３スルーホールを形成するためのエッチングを再度行う必要がある。このため、第１スルーホール及び第２スルーホールのうちの一部のホール部分を形成するためのエッチングと、第２スルーホールを形成するためのエッチングと、第３スルーホールを形成するためのエッチングを行う必要がある。つまり、本発明の電気光学装置の第１の製造方法において行われるエッチングの回数と比較して、エッチングをより多く行う必要がある。

しかるに、本発明の電気光学装置の第１の製造方法によれば、エッチング（更には、例えばレジストの塗布に伴うフォトリソグラフィー等）を行うべき回数を相対的に減らすことができる。より具体的には、第１スルーホール及び第２スルーホールのうちの一部のホール部分を形成するためのエッチングを行った後に、一部のホール部分に残留している第１絶縁層を除去することのみを目的とするエッチングを行う必要がなくなる。このため、電気光学装置を製造する際の工程を相対的には簡略化することができる。従って、第１の製造方法によれば、電気光学装置を製造する際のコストの上昇や歩留まりの悪化を相対的には抑制することができる。

その後、電界印加用電極形成工程において、電気光学物質に対して電界を印加するための画素電極が形成される。このとき、画素電極が第２スルーホール及び第３スルーホールを介して遮光層と遮光層用電極とを電気的に接続するように、画素電極が形成される。このように、一般的には平面状のパターンで形成される画素電極を介して遮光層と遮光層用電極とが電気的に接続されるため、断線等の悪影響を受けにくくなる。

この場合、遮光層が相対的に大きな平面状のパターンで形成され且つ１つの遮光層に対して複数個の第２スルーホールが形成されることが好ましい。これにより、仮に１つの第２スルーホールを介した遮光層と遮光層用電極との間の電気的な接続が切断された場合であっても、他の第２スルーホールを介した遮光層と遮光層用電極との間の電気的な接続が維持されるため、遮光層に電荷が蓄積される不都合をより好適に抑制することができる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置の第１の製造方法によれば、このため、電気光学装置を製造する際の工程を相対的には簡略化することができるため、電気光学装置を製造する際のコストの上昇や歩留まりの悪化を相対的には抑制することができる。従って、電気光学装置をより好適に製造することができる。

本発明の電気光学装置の第１の製造方法に係る一の態様では、少なくとも前記ホール部分及び前記遮光層用電極が形成される領域以外の領域に平坦化層を形成する平坦化層形成工程を更に備え、前記第２エッチング工程は、前記平坦化層をマスクとして用いることで前記エッチング処理を行う。

この態様によれば、平坦化層をマスクとして用いることができるため、第２エッチング工程におけるエッチングを行う際にマスクを別途用意する必要がなくなる。このため、電気光学装置を製造する際の工程を相対的には簡略化することができるため、電気光学装置を製造する際のコストの上昇を相対的には抑制することができる。従って、電気光学装置をより好適に製造することができる。

尚、平坦化層形成工程は、第３絶縁層形成工程が行われた後であって且つ第２エッチング工程が行われる前に行われることが好ましい。

（第２の製造方法）
本発明の電気光学装置の第２の製造方法は、一対の基板間に電気光学物質が挟持されると共に、前記一対の基板のうちの一方の基板上に光を受光する受光素子を備える電気光学装置の製造方法であって、前記一方の基板上に遮光層を形成する遮光層形成工程と、前記遮光層を覆うように前記一方の基板上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層上の領域であって且つ前記遮光層に対向する領域に前記受光素子を形成する受光素子形成工程と、前記受光素子を覆うように前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、(i)前記第２絶縁層を貫通して前記受光素子に到達する第１スルーホールを形成すると共に、(ii)前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達する第２スルーホールのうち前記第２絶縁層を貫通し且つ積層方向における前記第１絶縁層の一部が残留するホール部分を形成するようにエッチング処理を行う第１エッチング工程と、前記受光素子に接続される受光素子用電極を前記第１スルーホールに形成すると共に、前記遮光層における電位を安定化させる遮光層用電極を前記第２絶縁層上に形成する電極形成工程と、少なくとも前記ホール部分及び前記遮光層用電極が形成される領域以外の領域に平坦化層（本実施形態において平坦化層７６）を形成する平坦化層形成工程と、前記第２スルーホールが前記第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達するように、前記平坦化層をマスクとして用いながら前記ホール部分に残留している前記第１絶縁層の一部に対してエッチング処理を行う第２エッチング工程と、前記第２スルーホールを介して前記遮光層と前記遮光層用電極とを電気的に接続すると共に、前記電気光学物質に対して電界を印加するための電界印加用電極を形成する電界印加用電極形成工程とを備える。

本発明の電気光学装置の第２の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置の第１の製造方法と同様に、一対の基板間に電気光学物質が挟持されると共に、一対の基板のうちの一方の基板上に光を受光する受光素子を備える電気光学装置を製造することができる。

より具体的には、第２の製造方法によれば、上述した第１の製造方法と同様に、遮光層形成工程において遮光層が形成され、第１絶縁層形成工程において第１絶縁層が形成され、受光素子形成工程において受光素子が形成され、第２絶縁層形成工程において第２絶縁層が形成され、第１エッチング工程において、第１スルーホール及び第２スルーホールのうちの一部のホール部分が形成され、電極形成工程において受光素子用電極及び遮光層用電極の夫々が形成される。

第２の製造方法では特に、平坦化層形成工程が行われる。平坦化層形成工程では、ホール部分（つまり、第２スルーホール）及び遮光層用電極が形成される領域以外の領域（より具体的には、第２絶縁層上ないしは上述した第３絶縁層上の領域）に平坦化層が形成される。尚、平坦化層は、例えば積層構造の表面を平坦化させるための層である。

続いて、第２エッチング工程において、平坦化層が積層された一方の基板に対してエッチングが行われる。第２エッチング工程において行われるエッチングにより、第２絶縁層及び第１絶縁層を貫通して遮光層に到達する第２スルーホールが形成される。ここで、上述した第１エッチング工程では、本来第１絶縁層をも貫通するべき第２スルーホールのうち第２絶縁層を貫通し且つ第１絶縁層の一部が残留したホール部分が形成される。従って、第２エッチング工程では、第１エッチング工程におけるエッチングでは除去しきれなかった第１絶縁層の一部が除去される。

ここで、第２エッチング工程では、平坦化層がホール部分（つまり、第２スルーホール）及び遮光層用電極が形成される領域以外の領域に形成されていることを考慮して、平坦化層をマスクとして用いることでエッチングが行われる。従って、第２エッチング工程では、第２スルーホールが形成されるべき領域のみ（或いは、第２スルーホールが形成されるべき領域以外の領域のみ）にレジストを塗布するためのフォトリソグラフィーを行う必要はなくなる。

他方で、仮に上述したように、第１エッチング工程に続いてすぐに、第２スルーホールのみを形成するためのエッチングを行う場合には、第２スルーホールが形成されるべき領域のみ（或いは、第２スルーホールが形成されるべき領域以外の領域のみ）にレジストを塗布するためのフォトリソグラフィーを行う必要がある。このため、本発明の電気光学装置の第２の製造方法において行われるフォトリソグラフィーの回数と比較して、フォトリソグラフィーをより多く行う必要がある。

しかるに、本発明の電気光学装置の第２の製造方法によれば、エッチングを行うために必要なレジストの塗布に伴うフォトリソグラフィーを行うべき回数を相対的に減らすことができる。より具体的には、第１スルーホール及び第２スルーホールのうちの一部のホール部分を形成するためのエッチングを行った後に、一部のホール部分に残留している第１絶縁層を除去するためだけのエッチングを行うために必要なフォトリソグラフィーを行う必要がなくなる。このため、電気光学装置を製造する際の工程を相対的には簡略化することができる。従って、第２の製造方法によれば、電気光学装置を製造する際のコストの上昇や歩留まりの悪化を相対的には抑制することができる。

その後、電界印加用電極形成工程において、電気光学物質に対して電界を印加するための電界印加用電極が形成される。このとき、画素電極が第２スルーホールを介して遮光層と遮光層用電極とを電気的に接続するように、画素電極が形成される。このように、一般的には平面状のパターンで形成される画素電極を介して遮光層と遮光層用電極とが電気的に接続されるため、断線等の悪影響を受けにくくなる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置の第２の製造方法によれば、このため、電気光学装置を製造する際の工程を相対的には簡略化することができるため、電気光学装置を製造する際のコストの上昇や歩留まりの悪化を相対的には抑制することができる。従って、電気光学装置をより好適に製造することができる。

尚、上述した本発明の電気光学装置の第１の製造方法が採り得る各種態様に対応して、本発明の電気光学装置の第２の製造方法も各種態様を採ることができる。

（電気光学装置）
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される電気光学物質と、前記一対の基板のうちの一方の基板の前記電気光学物質に対向する側の面上に形成される遮光層と、前記遮光層を覆うように前記一方の基板上に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層上の領域であって且つ前記遮光層に対向する領域に形成される受光素子と、前記受光素子を覆うように前記第１絶縁層上に形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層を貫通して前記受光素子に到達する第１スルーホールと、前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達する第２スルーホールと、前記第１スルーホールに形成されると共に前記受光素子に接続される受光素子用電極と、前記第２絶縁層上に形成されると共に前記遮光層における電位を安定化させる遮光層用電極と、前記第２スルーホールを介して前記遮光層と前記遮光層用電極とを電気的に接続すると共に、前記電気光学物質に対して電界を印加するための電界印加用電極とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、上述した第１の又は第２の製造方法により製造される電気光学装置と概ね同様の構成を有している。このため、一般的には平面状のパターンで形成される画素電極を介して遮光層と遮光層用電極とが電気的に接続されるため、断線等の悪影響を受けにくくなる。

加えて、本発明の電気光学装置が上述した第１の又は第２の製造方法により製造されてもよい。この場合、上述した第１の又は第２の製造方法が享受することができる各種効果と同様の効果を享受することができる。より具体的には、コストの上昇や歩留まりの悪化が相対的には抑制されるという効果を享受することができる。

尚、上述した本発明の電気光学装置の第１の又は第２の製造方法が採り得る各種態様に対応して、本発明の電気光学装置も各種態様を採ることができる。

具体的には、本発明の電気光学装置の一の態様として、前記受光素子用電極及び前記遮光層用電極を覆うように前記第２絶縁層上に形成される第３絶縁層と、前記第３絶縁層を貫通して前記遮光層用電極に到達する第３スルーホールとを更に備え、前記第２スルーホールは、前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層に加えて前記第３絶縁層を貫通して前記遮光層に到達し、前記電界印加用電極は、前記第２スルーホール及び前記第３スルーホールを介して前記遮光層と前記遮光層用電極とを電気的に接続するように構成してもよい。

或いは、本発明の電気光学装置の他の態様として、少なくとも前記第２スルーホール及び前記遮光層用電極が形成される領域以外の領域に形成される平坦化層を更に備えるように構成してもよい。

（電子機器）
上記課題を解決するために、本発明の電子機器（本実施形態においてコンピュータ１２００、携帯電話１３００）は、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置（或いは、その各種態様）備えているため、上述した本発明の電気光学装置が享受する各種効果と同様の効果を享受することができる。つまり、このため、上述した本発明の電気光学装置が享受する各種効果と同様の効果を享受することができる投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現することができる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下では、本発明に係る電気光学装置の一例として、液晶装置を用いて説明を進める。

（１）液晶装置の基本構成
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１では、本発明における「一方の基板」の一具体例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されることで、液晶パネル１００が構成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材５２により互いに貼り合わされている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性金属膜等から形成された額縁遮光層５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。但し、データ線駆動回路１０１は、シール領域よりも内側に、データ線駆動回路１０１が額縁遮光層５３に覆われるようにして設けられていてもよい。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光層５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光層５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

また、シール領域よりも内側には、光センサ部１３０が、額縁遮光層５３に覆われるようにして設けられている。このため、額縁遮光層５３のうち光センサ部１３０が設けられる箇所は、環境光を光センサ部１３０に透過させることが可能に構成されている。尚、光センサ部１３０の詳細な構成については、後に詳述する（図３等参照）。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、光センサ部１３０の出力に基づいて環境光の光強度を算出する光強度算出回路１１０と、光強度算出回路１１０において算出された環境光の光強度に基づいてバックライト１４１の輝度を調整するバックライトコントローラ１２０とが形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜８が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、ブラックマトリクス６１が形成されている。ブラックマトリクス６１は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、ブラックマトリクス６１上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜８が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。従って、画素電極９ａが、本発明における電気光学物質に対して電界を印加するための「電界印加用電極」の一具体例を構成している。画素電極９ａは、電気光学物質である液晶に、電界を印加することで、液晶を駆動する駆動電極として機能する。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

加えて、液晶装置１は、画素電極９ａをＩＴＯ等から形成するなどにより、透過型表示を行うように構成されてもよい。或いは、画素電極９ａをアルミニウム等から形成するなどにより或いは画素電極９ａの背後に反射膜を配置するなどにより、画素電極９ａに反射領域及び透過領域の両者を設けた半透過反射型表示を行うように構成されてもよい。また本実施形態においては、上述したように、観察者から見た液晶パネルの背後にバックライト１４１が適宜配置された直視型であることが好ましい。

このため、本実施形態に係る液晶装置１は、バックライトモジュール１４０を備える。バックライトモジュール１４０は、ＴＦＴアレイ基板１０の下側から光を出射する。液晶装置１においては、バックライト１４０から出射された光の透過率が画像表示領域１０ａ内で画像信号に応じて制御されることで、画像の表示が行なわれる。

バックライトモジュール１４０は、光源を構成する一の又は複数の点光源でなる発光ダイオードからなるバックライト１４１を備える。バックライト１４１の側方であって、液晶パネル１００の画像表示領域１０ａの下方には、導光板１４２が設けられる。バックライト１４１は、導光板１４２の側面に配置され、導光板１４２内に光を出射することができるように構成されている。

導光板１４２は、略板形状を有し、その一側面（入射面）がバックライト１４１の出射面に対向するように配置される。導光板１４２は、例えば、透明なアクリル樹脂で成形されており、バックライト１４１に面した一側面以外の３つの側面は、例えば反射特性又は散乱特性を有する材料（例えば、白色印刷層等）の反射層が形成されている。バックライト１４１に面した導光板１４２の一側面からは、バックライト１４１から出射される光が入射して、導光板１４２の内部に導かれる。

尚、導光板１４２の材料としては、アクリル樹脂の他に、透明性もしくは透光性を有するポリカーボネート樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂などの各種樹脂、ガラスなどの無機材料、またはこれらの複合体を用いることができる。

導光板１４２は、底面及び側面の反射層によって、入射光を反射、散乱させ、上面から光を出射するように構成されている。導光板１４２の上面には、拡散シート及びプリズムシート等を含む光学シート１４３が形成される。光学シート１４３は、光学シート１４３上に画像表示領域１０ａが配置されるように、導光板１４２上に形成される。そして、光学シート１４３が、導光板１４２からの光を拡散して上方に出射することで、光学シート１４３からの光が、画像表示領域１０ａに入射する。

（２）光センサ部付近の構成
続いて、図３及び図４を参照して、液晶装置１のうちの光センサ部１３０付近のより具体的な構成について説明する。ここに、図３は、液晶装置１のうちの光センサ部１３０付近のより具体的な構成を概念的に示す断面図であり、図４は、光センサ部１３０付近の構成を概念的に示すブロック図である。

図３に示すように、液晶装置１のうちの光センサ部１３０が形成される部分では、ＴＦＴ基板１０のうち液晶層５０に対向する側の面に遮光層７１が形成されている。遮光層７１は、バックライト１４１から出射される光を遮光する。このため、遮光層７１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）等の金属薄膜であることが好ましい。この遮光膜７１が形成されることにより、バックライト１４１から出射される光は、光センサ部１３０（より具体的には、後述する受光素子１３１及び１３２）に照射されることはない。尚、遮光層７１の厚さは、例えば概ね１００ｎｍ程度であるが、厚さがこれに限定されるものではない。

更に、ＴＦＴ基板１０上には、遮光層７１を覆うようにバッファ層７２が形成されている。バッファ層７２は、光センサ部１３０における光の検出精度を向上させるために、遮光層７１と光センサ部１３０（より具体的には、後述する受光素子１３１及び１３２）とを、ＴＦＴ基板１０の厚み方向において一定距離だけ離すために形成される層である。バッファ層７２は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）等を含んでいる。また、バッファ層７２の厚さは、例えば概ね３００ｎｍから４００ｎｍ（ないしは、７００ｎｍ）程度であるが、厚さがこれに限定されるものではない。尚、バッファ層７２は、本発明における「第１絶縁層」の一具体例を構成している。

バッファ層７２上には、本発明における「受光素子」の一具体例を構成するフォトダイオード１３１と、本発明における「受光素子」の一具体例を構成するフォトダイオード１３２とが形成されている。

フォトダイオード１３１は、Ｐ型半導体層１３１ａと、半導体層１３１ｂと、ｎ型半導体層１３１ｃとがこの順に接合されたＰＩＮダイオードである。また、フォトダイオード１３２は、Ｐ型半導体層１３２ａと、半導体層１３１ｂと、ｎ型半導体層１３１ｃとがこの順に接合されたＰＩＮダイオードである。フォトダイオード１３１のＰ型半導体層１３１ａは、電極１３３を介して高位電源ＶＨＨに電気的に接続されており、フォトダイオード１３１のｎ型半導体層１３１ｃは、電極１３４を介してフォトダイオード１３２のＰ型半導体層１３２ａと電気的に接続されており、フォトダイオード１３２のｎ型半導体層１３２ｃは、電極１３５を介して低位電源ＶＬＬと電気的に接続されている（図４参照）。つまり、本実施形態では、フォトダイオード１３１とフォトダイオード１３２とは直列に接続されている。尚、電極１３３から１３５の夫々は、本発明における「受光素子用電極」の一具体例を構成している。

更に、バッファ層７２上には、受光素子１３１及び１３２を覆うようにゲート絶縁層７３が形成されている。加えて、ゲート絶縁層７３上には、層間絶縁層７４が形成されている。ゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４の夫々は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）等を含んでいる。また、ゲート絶縁層７３の厚さは、例えば概ね４０ｎｍから８０ｎｍ（ないしは、１２０ｎｍ）程度であるが、厚さがこれに限定されるものではない。また、層間絶縁層７４の厚さは、例えば概ね２００ｎｍから３００ｎｍ（ないしは、５００ｎｍ）程度であるが、厚さがこれに限定されるものではない。尚、ゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４の夫々は、本発明における「第２絶縁層」の一具体例を構成している。

また、上述した電極１３３から１３５を形成するために、ゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４中には、ゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４の夫々を貫通して受光素子１３１又は１３２に到達するスルーホール１３６が形成されている。より具体的には、受光素子１３１のＰ型半導体層１３１ａに到達すると共に電極１３３が形成されるスルーホール１３６と、受光素子１３１のｎ型半導体層１３１ｃに到達すると共に電極１３４が形成されるスルーホール１３６と、受光素子１３２のｐ型半導体層１３２ａに到達すると共に電極１３４が形成されるスルーホール１３６と、受光素子１３２のｎ型半導体層１３２ｃに到達すると共に電極１３５が形成されるスルーホール１３６とが形成される。尚、スルーホール１３６は、本発明における「第１スルーホール」の一具体例を構成している。

加えて、ゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４中には、ゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４の夫々を貫通して（更には、後述するパッシベーション層７５をも貫通して）遮光層７１に到達するスルーホール１３７が形成されている。尚、スルーホール１３７は、本発明における「第２スルーホール」の一具体例を構成している。但し、後に詳述する（図１８参照）が、スルーホール１３７は、更にスルーホール１３７ａを含んでいる。従って、スルーホール１３７が、本発明における「ホール部分」の一具体例を構成しており、スルーホール１３７及び後述のスルーホール１３７ａの組みが、本発明における「第２スルーホール」の一具体例を構成している。

層間絶縁層７４上には、画素電極９ａを介して遮光層７１と電気的に接続される電極７７が形成される。電極７７は、遮光層７１に蓄積する電荷を放出するための経路を提供する電極又は遮光層７１の電位を安定化させる電位を供給する電極である。尚、電極７７は、本発明における「遮光層用電極」の一具体例を構成している。

層間絶縁層７４上には、更に、電極７７、１３３、１３４及び１３５を覆うように、保護膜としてのパッシベーション層７５が形成されている。また、パッシベーション層７５は、スルーホール１３７の側面に形成されている。このため、スルーホール１３７がパッシベーション層７５で埋め尽くされることはない。従って、遮光層７１に到達するスルーホール１３７（１３７ａ）としての機能がパッシベーション層７５によって妨げられることはない。尚、パッシベーション層７５は、本発明における「第３絶縁層」の一具体例を構成している。

パッシベーション層７５中には、パッシベーション層７５を貫通して電極７７に到達するスルーホール１３８が形成されている。尚、スルーホール１３８は、本発明における「第３スルーホール」の一具体例を構成する。

また、パッシベーション層７５上には、積層構造の表面の平坦化を実現するための平坦化層７６が形成されている。但し、平坦化層７６は、スルーホール１３７及びスルーホール１３８が形成される部分には形成されないことが好ましい。従って、遮光層７１に到達するスルーホール１３７の機能及び電極７７に到達するスルーホール１３８の機能が平坦化層７６によって妨げられることはない。

平坦化層７６上には、画素電極９ａが形成されている。また、スルーホール１３７及びスルーホール１３８（特に、それらの側面及び底面）にも画素電極９ａが形成されている。このとき、画素電極９ａは、スルーホール１３７を介して遮光層７１と電気的に接続されており、且つスルーホール１３８を介して電極７７と電気的に接続されている。従って、遮光層７１と電極７７とは、画素電極９ａを介して導通している。

続いて、対向基板２０側の構成について説明する。本実施形態では、フォトダイオード１３１に対向する対向基板２０の領域部分には、液晶装置１の外部に開けた開口６３（つまり、額縁遮光層５３が形成されない開口６３）が形成されている。他方で、フォトダイオード１３２に対向する対向基板２０の領域部分には、額縁遮光層５３が形成されている。従って、フォトダイオード１３１には、外部から液晶装置１に対して入射してくる環境光が入射する一方で、フォトダイオード１３２には、外部から液晶装置１に対して入射してくる環境光が入射しない。

続いて、図４に示すように、フォトダイオード１３１とフォトダイオード１３２との間（つまり、配線１３４）には、光強度算出回路１１０の入力端子が電気的に接続されている。従って、光強度算出回路１１０には、フォトダイオード１３１に発生する電流とフォトダイオード１３２に発生する電流との差分が入力される。光強度算出回路１１０は、フォトダイオード１３１に発生する電流とフォトダイオード１３２に発生する電流との差分に基づいて、外部から液晶装置１に対して入射してくる環境光（より具体的には、バックライト光等以外の外光）の光強度を算出する。算出された環境光の光強度は、バックライトコントローラ１２０へ出力される。

バックライトコントローラ１２０は、光強度算出回路１１０により算出される環境光の光強度に基づいて、バックライト１４１の輝度を調整する。

ここで上述したように、フォトダイオード１３１には、開口６３を介して入射してくる環境光が入射する。また、遮光層７１の存在により、フォトダイオード１３１には、バックライト光が入射することはない。従って、フォトダイオード１３１には、フォトダイオード１３１自身の発熱に応じて生ずる熱電流及び環境光を受光することで生ずる受光電流の夫々が生ずる。

他方で、額縁遮光層５３の存在により、フォトダイオード１３２には、環境光が入射することはない。同様に、遮光層７１の存在により、フォトダイオード１３２には、バックライト光が入射することはない。従って、フォトダイオード１３２には、フォトダイオード１３１自身の発熱に応じて生ずる熱電流が生ずる。

従って、光強度算出回路１１０には、フォトダイオード１３１における受光結果（つまり、熱電流及び受光電流）と、フォトダイオード１３２における受光結果（つまり、熱電流）との差分である「環境光を受光することで生ずる受光電流」が出力される。従って、本実施形態に係る液晶装置１によれば、フォトダイオード１３１及び１３２自身の発熱によって生じ得る熱電流の影響を排除しながら、環境光を高精度に検出することができる。従って、バックライト１４１の輝度を好適に調整することができる。

尚、上述の説明では、光強度算出回路１１０及びバックライトコントローラ１２０の詳細な構成及び動作については、説明の簡略化のためにその詳細な説明を省略している。しかしながら、光強度算出回路１１０及びバックライトコントローラ１２０として、既存の液晶装置１等に用いられている任意の構成を採用してもよいことは言うまでもない。例えば、光強度算出回路１１０及びバックライトコントローラ１２０の一例として、特開２００７−２０５９０２号公報に開示されている構成を採用しても良い。

また、上述した実施形態では液晶パネルとして、ＴＮ（ツイスト・ネマティック）、ＥＣＢ（複屈折電界効果）、ＶＡ（垂直配向）などの縦電界の構成として記載しているが、ＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）及びＦＦＳ（フリンジ・フィールド・スイッチング）等の横電界の構成としても、上述した各種効果を享受できる。例えば、ＦＦＳの構成において、基板側から画素電極、共通電極の順で、間に絶縁層を挟んで配置する場合には、電界印加用電極として画素電極を採用することができる。

また、上述した実施形態では、電界印加用電極として、画素電極の構成として記載しているが、共通電極の構成としても、上述した各種効果を享受できる。例えば、ＦＦＳの構成において、基板側から共通電極、画素電極の順で、間に絶縁層を挟んで配置する場合には、電界印加用電極として共通電極を採用することができる。尚、この場合でも、第２スルーホール、第３スルーホールの位置に共通電極を配置しない等することで、画素電極を電界印加用電極とすることも可能である。

（３）液晶装置の製造方法
続いて、図５から図２０を参照して、上述した液晶装置１の製造方法（特に、液晶装置１のうちの光センサ部１３０付近の製造方法）について説明する。ここに、図５から図１３は夫々、本実施形態に係る液晶装置１の製造方法における一工程を示す断面図であり、図１４及び図１５は夫々、本実施形態に係る液晶装置１の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図、並びに比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図であり、図１６及び図１７は夫々、本実施形態に係る液晶装置１の製造方法における一工程を示す断面図、並びに比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図であり、図１８及び図１９は夫々、本実施形態に係る液晶装置１の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図、並びに比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図である。尚、図５から図１９は、光センサ部１３０のうちフォトダイオード１３１が形成される工程を具体的に示しているが、フォトダイオード１３２についても同様の製造方法を用いて形成することができることは言うまでもない。

図５に示すように、ガラス基板等のＴＦＴ基板１０が用意される。ＴＦＴ基板１０に対しては、まず、例えば希フッ酸（ＤＨＦ）等を用いた洗浄が行われる。

その後、図６に示すように、ＴＦＴ基板１０のうち液晶層５０に対向する側の面に、モリブデン（Ｍｏ）等の金属薄膜である遮光層７１が形成される。ここでは、例えばスパッタリング法によって、例えば１００ｎｍ程度の厚さを有する遮光層７１が形成される。

続いて、図７に示すように、遮光層７１を覆うようにバッファ層７２が形成される。更に、バッファ層７２上に、アモルファスシリコン層８１が形成される。ここでは、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、例えば３６０℃程度の温度環境下で、例えば４００ｎｍ程度の厚さのバッファ層７２と、例えば４３ｎｍ程度の厚さのアモルファスシリコン層８１が形成される。尚、バッファ層７２は、概ね１００ｎｍ程度の厚さを有する窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）と概ね３００ｎｍ程度の厚さを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）とを積層させることで形成される。

その後、図７に示すＴＦＴ基板１０に対して、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法及びＥＬＡ（Excimer Laser Annealing）法を用いた脱水素処理を行うことでアモルファスシリコン層８１を結晶化させる。その結果、アモルファスシリコン層８１からポリシリコン層が形成される。

その後、図８に示すように、ポリシリコン層が形成されたＴＦＴ基板１０に対してフォトリソグラフィーを用いたパターニングを行った後にドライエッチングを行うことで、フォトダイオード１３１の大きさと概ね同一の大きさを有するポリシリコンアイランド８２が形成される。

続いて、図９に示すように、ポリシリコンアイランド８２が形成されたＴＦＴ基板１０に対して、ボロンイオンのドーピングが行われる。

続いて、図１０に示すように、図９に示すＴＦＴ基板１０に対して、フォトリソグラフィーを用いたパターニングが行われる。その結果、フォトダイオード１３１のうちＰ型半導体層１３１ａ及び半導体層１３１ｂに相当する領域にレジスト８３が塗布され、且つフォトダイオード１３１のうちｎ型半導体層１３１ｃに相当する領域にはレジスト８３が塗布されない。その後、レジスト８３が塗布されたＴＦＴ基板１０に対して、リンイオンのドーピングが行われる。その結果、ポリシリコンアイランド８２の一部（具体的には、レジスト８３が塗布されていない領域）に対してリンイオンがドーピングされるため、フォトダイオード１３１のうちのｎ型半導体層１３１ｃが形成される。尚、リンイオンのドーピングが行われた後に、レジスト８３は除去される。

続いて、図１１に示すように、ポリシリコンアイランド８２を覆うように、バッファ層７２上にゲート絶縁層７３が形成される。ここでは、必要に応じてＴＦＴ基板１０を洗浄した後に、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、例えば１２０ｎｍ程度の厚さのゲート絶縁層７３が形成される。尚、ゲート絶縁層７３は、概ね８０ｎｍ程度の厚さを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）と概ね４０ｎｍ程度の厚さを有する窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）とを積層させることで形成される。

続いて、図１２に示すように、図１１に示すＴＦＴ基板１０に対して、フォトリソグラフィーを用いたパターニングが行われる。その結果、フォトダイオード１３１のうちｎ型半導体層１３１ｃ及び半導体層１３１ｂに相当する領域にレジスト８４が塗布され、且つフォトダイオード１３１のうちｐ型半導体層１３１ａに相当する領域にはレジスト８４が塗布されない。その後、レジスト８４が塗布されたＴＦＴ基板１０に対して、ボロンイオンのドーピングが行われる。その結果、ポリシリコンアイランド８２の一部（具体的には、レジスト８４が塗布されていない領域）に対してボロンイオンがドーピングされるため、フォトダイオード１３１のうちのｐ型半導体層１３１ａが形成される。加えて、ポリシリコンアイランド８２のうち図１０におけるリンイオンのドーピング及び図１２におけるボロンイオンのドーピングが行われなかった部分は、フォトダイオード１３１のうちの半導体層１３１ｂを構成する。その結果、フォトダイオード１３１が形成される。尚、ボロンイオンのドーピングが行われた後に、レジスト８４は除去される。

尚、図１２では、レジスト８４をマスクとして用いることでボロンイオンのドーピングを行う例について説明している。しかしながら、図１２に示す工程は、ＴＦＴ基板１０上に形成される画素スイッチング用ＴＦＴのゲート電極等を形成する工程と同時に行われる場合があることを考慮して、レジスト８４の代わりにゲート電極をマスクとして用いてもよい。これにより、ゲート電極の塗布とは別個独立にレジスト８４を塗布する工程を省略することができる。従って、製造方法を相対的には簡略化することができる。

続いて、図１３に示すように、ゲート絶縁層７３上に、層間絶縁層７４が形成される。ここでは、必要に応じてＴＦＴ基板１０を洗浄した後に、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、例えば５００ｎｍ程度の厚さの層間絶縁層７４が形成される。尚、層間絶縁層７４は、概ね３００ｍ程度の厚さを有する窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）と概ね２００ｎｍ程度の厚さを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）とを積層させることで形成される。

続いて、図１４（ａ）に示すように、ゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４の夫々を貫通して受光素子１３１に到達するスルーホール１３６が形成される。より具体的には、受光素子１３１のＰ型半導体層１３１ａに到達するスルーホール１３６と、受光素子１３１のｎ型半導体層１３１ｃに到達するスルーホール１３６とが形成される。更に、ゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４の夫々を貫通し且つバッファ層７１の一部が除去されたスルーホール１３７が形成される。ここでは、例えば、フォトリソグラフィーによるパターニング（つまり、スルーホール１３６及び１３７の形状に応じたパターニング）を行った後にウェットエッチングを行うことで、スルーホール１３６及び１３７が形成される。

尚、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示すＴＦＴ基板１０を、対向基板２０の側から観察した場合の平面図を示している。但し、図１４（ｂ）では、図面の見易さを重視して、図１４（ａ）に示す各種積層構造のうちＴＦＴ基板１０、遮光層７１、フォトダイオード１３１、スルーホール１３６及びスルーホール１３７のみを選択的に示している。

ここで、スルーホール１３７は、本来はゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４のみならずバッファ層７２をも貫通して遮光層７１に到達するべきスルーホールである。しかしながら、スルーホール１３７は、ゲート絶縁層７３及び層間絶縁層７４のみを貫通すれば足りるスルーホール１３６と同時に1回のエッチングで形成されるため、バッファ層７２を貫通させるに至るまでのエッチングを行うことができない。従って、図１４（ｃ）の断面図及び図１４（ｄ）の平面図に示すように、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）におけるエッチングが行われた後にすぐ、スルーホール１３７が形成されるべき領域のみをマスキングして（或いは、スルーホール１３７が形成されるべき領域以外の領域のみをマスキングして）、スルーホール１３７に対して更にエッチングを行うことが一つの方法として考えられる。これにより、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）におけるエッチングでは除去しきれずに残留してしまったバッファ層７２の一部を除去することができ、その結果、スルーホール１３７中にバッファ層７２を貫通するスルーホール１３７ａが更に形成される。

しかしながら、本実施形態では、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）におけるエッチングが行われる工程よりも更に後の工程でパッシベーション層７５が形成され且つパッシベーション層７５にもスルーホール１３８を形成する必要があることに着目して、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）におけるエッチングに続いてすぐにスルーホール１３７ａを形成するためのエッチングは行われない。以下、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示す本実施形態の製造方法と、図１４（ｃ）及び図１４（ｄ）に示す比較例の製造方法とを対比させながら、スルーホール１３６及び１３７を形成した後に続けて行われる各工程について説明を進める。

図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、本実施形態の製造方法では、例えばスパッタリング法によって、受光素子１３１のＰ型半導体層１３１ａに到達するスルーホール１３６に電極１３３が形成され、受光素子１３１のｎ型半導体層１３１ｃに到達するスルーホール１３６に電極１３４が形成され、層間絶縁層７４上（特に、層間絶縁層７４のうちスルーホール１３６及び１３７が形成されない領域上）に、電極７７が形成される。電極１３３、１３４及び７７は、例えばモリブデン（Ｍｏ等）の金属を含んでいる。

他方で、図１５（ｃ）及び図１５（ｄ）に示すように、比較例の製造方法では、例えばスパッタリング法によって、受光素子１３１のＰ型半導体層１３１ａに到達するスルーホール１３６に電極１３３が形成され、受光素子１３１のｎ型半導体層１３１ｃに到達するスルーホール１３６に電極１３４が形成され、スルーホール１３７及び１３７ａ並びに層間絶縁層７４上（特に、スルーホール１３７に続く層間絶縁層７４の領域上）に、電極７７が形成される。

続いて、図１６（ａ）に示すように、本実施形態の製造方法では、電極１３３、１３４及び７７を覆い且つスルーホール１３７の側面及び底面を覆うように、層間絶縁層７４上にパッシベーション層７５が形成される。特に、スルーホール１３７が形成される部分に対しては、スルーホール１３７がパッシベーション層７５で埋め尽くされないように、パッシベーション層７５が薄膜状に又は薄い層状に形成されることが好ましい。

他方で、図１６（ｂ）に示すように、比較例の製造方法では、電極１３３、１３４及び７７を覆うように、層間絶縁層７４上にパッシベーション層７５が形成される。

続いて、図１７（ａ）に示すように、本実施形態の製造方法では、パッシベーション層７５上に平坦化層７６が形成される。このとき、平坦化層７６は、パッシベーション層７５のうちスルーホール１３７及び電極７７が形成される領域以外の領域に形成される。つまり、平坦化層７６は、ＴＦＴ基板１０の法線方向において、スルーホール１３７及び電極７７（或いは、それらの一部）と重ならないようにパッシベーション層７５上に形成される。

他方で、図１７（ｂ）に示すように、比較例の製造方法では、パッシベーション層７５上に平坦化層７６が形成される。このとき、平坦化層７６は、パッシベーション層７５のうち電極７７の一部が形成される領域以外の領域に形成される。つまり、平坦化層７６は、ＴＦＴ基板１０の法線方向において、電極７７の一部と重ならないようにパッシベーション層７５上に形成される。

続いて、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、本実施形態の製造方法では、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）におけるエッチングで除去されずに残留しているバッファ層７２の一部を貫通するスルーホール１３７ａが形成される。同時に、パッシベーション層７５を貫通して電極７７に到達するスルーホール１３８が形成される。ここでは、例えば、フォトリソグラフィーによるパターニング（つまり、スルーホール１３７ａ及び１３８の形状に応じたパターニング）を行った後にウェットエッチングを行うことで、スルーホール１３７ａ及び１３８が形成される。

他方で、図１８（ｃ）及び図１８（ｄ）に示すように、比較例の製造方法では、パッシベーション層７５を貫通して電極７７に到達するスルーホール１３８が形成される。ここでは、例えば、フォトリソグラフィーによるパターニング（つまり、スルーホール１３８の形状に応じたパターニング）を行った後にウェットエッチングを行うことで、スルーホール１３８が形成される。

ここで、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）における工程では、スルーホール１３７ａとスルーホール１３８とが同時に形成される。このため、本実施形態の製造方法では、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）における工程及び図１８（ａ）及び図１８（ｂ）における工程の夫々において、１度ずつエッチング（更には、フォトリソグラフィー等のパターニング等）を行えば足りる。つまり、スルーホール１３６、１３７、１３７ａ及び１３８を形成するために、合計２回のエッチング（更には、フォトリソグラフィー等のパターニング等）を行えば足りる。

他方で、比較例の製造方法では、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）における工程でエッチング（更には、フォトリソグラフィー等のパターニング等）を行った後、図１４（ｃ）及び図１４（ｄ）における工程でエッチング（更には、フォトリソグラフィー等のパターニング等）を行い、更に図１８（ｃ）及び図１８（ｄ）における工程でエッチング（更には、フォトリソグラフィー等のパターニング等）を行う必要がある。つまり、スルーホール１３６、１３７、１３７ａ及び１３８を形成するために、合計３回のエッチング（更には、フォトリソグラフィー等のパターニング等）を行う必要がある。従って、本実施形態の製造方法において行われるエッチング（更には、フォトリソグラフィー等のパターニング等）の回数と比較して、エッチング（更には、フォトリソグラフィー等のパターニング等）をより多く行う必要がある。

しかるに、本実施形態の製造方法によれば、スルーホール１３６、１３７、１３７ａ及び１３８を形成するために必要なエッチング（更には、フォトリソグラフィー等のパターニング等）が行われる回数を相対的に減らすことができる。より具体的には、スルーホール１３６及びスルーホール１３７を形成するためのエッチング（図１４（ａ）及び図１４（ｂ）参照）を行った後に、残留しているバッファ層７２の一部を除去することのみを目的とするエッチング（図１４（ｃ）及び図１４（ｄ）参照）を行う必要がなくなる。このため、液晶装置１を製造する際の工程を相対的には簡略化することができる。従って、本実施形態の製造方法によれば、液晶装置１を製造する際のコストの上昇や歩留まりの悪化を相対的には抑制することができる。従って、液晶装置１（特に、光センサ部１３０及び遮光層７１を備える液晶装置１）をより好適に製造することができる。

その後、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示すように、本実施形態の製造方法では、平坦化層７６の表面、並びにスルーホール１３７、１３７ａ及び１３８の側面及び底面を覆うよう画素電極９ａが形成される。このとき、画素電極９ａは、スルーホール１３７及び１３７ａを介して遮光層７１と接するように（或いは、電気的に接続されるように）形成される。同様に、画素電極９ａは、スルーホール１３８を介して電極７７と接するように（或いは、電気的に接続されるように）形成される。従って、遮光層７１と電極７７とは、画素電極９ａを介して導通している。

他方で、図１９（ｃ）及び図１９（ｄ）に示すように、比較例の製造方法では、平坦化層７６の表面、並びにスルーホール１３８の側面及び底面を覆うよう画素電極９ａが形成される。このとき、画素電極９ａは、スルーホール１３８を介して電極７７と接するように（或いは、電気的に接続されるように）形成される。従って、遮光層７１と画素電極９ａとは、電極７７を介して導通している。

ここで、本実施形態の製造方法によれば、遮光層７１と電極７７とは、典型的には平面状のパターンで形成される画素電極９ａを介して導通している。従って、断線等の悪影響を受けにくくなる。

尚、上述の説明では、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）における工程で、フォトリソグラフィーによるパターニング（つまり、スルーホール１３７ａ及び１３８の形状に応じたパターニング）を行っている。つまり、スルーホール１３７ａ及び１３８が形成される領域を覆う（或いは、スルーホール１３７ａ及び１３８が形成される領域以外の領域を覆う）レジストを塗布した後にウェットエッチングを行っている。しかしながら、平坦化層７６がパッシベーション層７５のうちスルーホール１３７及び電極７７が形成される領域以外の領域に形成されていることを考慮して、平坦化層７６をマスクとして用いてウェットエッチングを行ってもよい。このように構成しても、スルーホール１３７ａ及び１３８を形成することができる。更には、フォトリソグラフィー等のパターニングの回数を相対的に減らすことができるため、液晶装置１を製造する際の工程をより一層簡略化することができる。

また、上述の説明では、層間絶縁層７４上にパッシベーション層７５が形成される例について説明している。しかしながら、層間絶縁層７４上にパッシベーション層７５が形成されなくともよい。この場合、図１６（ａ）に示す工程が省略され、図１７（ａ）に示す工程で層間絶縁層７４上に平坦化層７６が直接形成される。この場合、図１７（ａ）に示す工程が行われた時点で電極７７が露出している（つまり、実質的にはスルーホール１３８が形成されている）ため、図１８（ａ）に示す工程では、スルーホール１３７ａのみを形成するためのエッチングが行われる。このため、比較例に係る製造方法と比較して、スルーホール１３６、１３７、１３７ａ及び１３８を形成するために行われるエッチングの回数が減ることはない。しかしながら、平坦化層７６をマスクとして用いてウェットエッチングを行うことでスルーホール１３７ａが形成されるのであれば、比較例に係る製造方法と比較して、スルーホール１３６、１３７、１３７ａ及び１３８を形成するために行われるフォトリソグラフィー等のパターニングの回数を減らすことはできる。このため、液晶装置１を製造する際の工程を相応に簡略化することができる。従って、本実施形態の製造方法によれば、液晶装置１を製造する際のコストの上昇や歩留まりの悪化を相応に抑制することができる。従って、液晶装置１（特に、光センサ部１３０及び遮光層７１を備える液晶装置１）を相応に好適に製造することができる。

また、上述の説明では、平坦化層７６を形成した後にスルーホール１３７ａ及び１３８を形成する例について説明している。しかしながら、スルーホール１３７ａ及び１３８を形成した後に平坦化層７６を形成してもよい。但し、スルーホール１３７ａ及び１３８を形成する際に用いられるマスクとして平坦化層７６を用いる場合には、平坦化層７６を形成した後にスルーホール１３７ａ及び１３８を形成することが好ましい。

或いは、平坦化層７６を形成しなくともよい。この場合、スルーホール１３７ａ及び１３８を形成するためのパターニングを行うために、フォトリソグラフィーを行う必要があるものの、スルーホール１３６、１３７、１３７ａ及び１３８を形成するために行われるエッチングの回数を減らすことができるという効果は変わらずに享受することができる。

（４）電子機器
続いて、図２０及び図２１を参照しながら、上述の液晶装置１を具備してなる電子機器の例を説明する。

図２０は、上述した液晶装置１が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図２０において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、上述した液晶装置１を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶装置１の背面にバックライトを付加することにより構成されている。

次に、上述した液晶装置１を携帯電話に適用した例について説明する。図２１は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図２１において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、半透過反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置１と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。

これらの電子機器においても、上述した液晶装置１を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。

尚、図２０及び図２１を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた直視型の液晶装置を備える装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に対して、上述した液晶装置１を適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ’断面図である。 光センサ部付近のより具体的な構成を概念的に示す断面図である。 光センサ部付近の構成を概念的に示すブロック図である。 液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図、並びに比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図である。 本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図、並びに比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図である。 本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図、並びに比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図、並びに比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図、並びに比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び平面図である。 本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図、並びに比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。 液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。

符号の説明

１…液晶装置、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、２０…対向基板、６１…ブラックマトリクス、６３…開口、７１…遮光層、７２…バッファ層、７３…ゲート絶縁層、７４…層間絶縁層、７５…パッシベーション層、７６…平坦化層、７７…電極、１１０…光強度検出回路、１２０…バックライトコントローラ、１３０…光センサ部、１３１…フォトダイオード、１３２…フォトダイオード、１３３…電極、１３４…電極、１３５…電極、１３６…スルーホール、１３７…スルーホール、１３７ａ…スルーホール、１３８…スルーホール、１４０…バックライトモジュール、１４１…バックライト

Claims (7)

1. 一対の基板間に電気光学物質が挟持されると共に、前記一対の基板のうちの一方の基板上に光を受光する受光素子を備える電気光学装置の製造方法であって、
   前記一方の基板上に遮光層を形成する遮光層形成工程と、
   前記遮光層を覆うように前記一方の基板上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、
   前記第１絶縁層上の領域であって且つ前記遮光層に対向する領域に前記受光素子を形成する受光素子形成工程と、
   前記受光素子を覆うように前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、
   (i)前記第２絶縁層を貫通して前記受光素子に到達する第１スルーホールを形成すると共に、(ii)前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達する第２スルーホールのうち前記第２絶縁層を貫通し且つ積層方向における前記第１絶縁層の一部が残留するホール部分を形成するようにエッチング処理を行う第１エッチング工程と、
   前記受光素子に接続される受光素子用電極を前記第１スルーホールに形成すると共に、前記遮光層における電位を安定化させる遮光層用電極を前記第２絶縁層上に形成する電極形成工程と、
   前記受光素子用電極及び前記遮光層用電極を覆うように前記第２絶縁層上に第３絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程と、
   (i)前記第２スルーホールが前記第３絶縁層及び第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達するように、前記ホール部分に残留している前記第１絶縁層の一部及び前記ホール部分に形成される前記第３絶縁層に対してエッチング処理を行うと共に、(ii)前記第３絶縁層を貫通して前記遮光層用電極に到達する第３スルーホールを形成するように前記エッチング処理を行う第２エッチング工程と、
   前記第２スルーホール及び前記第３スルーホールを介して前記遮光層と前記遮光層用電極とを電気的に接続すると共に、前記電気光学物質に対して電界を印加するための電界印加用電極を形成する電界印加用電極形成工程と
   を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 少なくとも前記ホール部分及び前記遮光層用電極が形成される領域以外の領域に平坦化層を形成する平坦化層形成工程を更に備え、
   前記第２エッチング工程は、前記平坦化層をマスクとして用いることで前記エッチング処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 一対の基板間に電気光学物質が挟持されると共に、前記一対の基板のうちの一方の基板上に光を受光する受光素子を備える電気光学装置の製造方法であって、
   前記一方の基板上に遮光層を形成する遮光層形成工程と、
   前記遮光層を覆うように前記一方の基板上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、
   前記第１絶縁層上の領域であって且つ前記遮光層に対向する領域に前記受光素子を形成する受光素子形成工程と、
   前記受光素子を覆うように前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、
   (i)前記第２絶縁層を貫通して前記受光素子に到達する第１スルーホールを形成すると共に、(ii)前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達する第２スルーホールのうち前記第２絶縁層を貫通し且つ積層方向における前記第１絶縁層の一部が残留するホール部分を形成するようにエッチング処理を行う第１エッチング工程と、
   前記受光素子に接続される受光素子用電極を前記第１スルーホールに形成すると共に、前記遮光層における電位を安定化させる遮光層用電極を前記第２絶縁層上に形成する電極形成工程と、
   少なくとも前記ホール部分及び前記遮光層用電極が形成される領域以外の領域に平坦化層を形成する平坦化層形成工程と、
   前記第２スルーホールが前記第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達するように、前記平坦化層をマスクとして用いながら前記ホール部分に残留している前記第１絶縁層の一部に対してエッチング処理を行う第２エッチング工程と、
   前記第２スルーホールを介して前記遮光層と前記遮光層用電極とを電気的に接続すると共に、前記電気光学物質に対して電界を印加するための電界印加用電極を形成する電界印加用電極形成工程と
   を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 一対の基板と、
   前記一対の基板間に挟持される電気光学物質と、
   前記一対の基板のうちの一方の基板の前記電気光学物質に対向する側の面上に形成される遮光層と、
   前記遮光層を覆うように前記一方の基板上に形成される第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の領域であって且つ前記遮光層に対向する領域に形成される受光素子と、
   前記受光素子を覆うように前記第１絶縁層上に形成される第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層を貫通して前記受光素子に到達する第１スルーホールと、
   前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を貫通して前記遮光層に到達する第２スルーホールと、
   前記第１スルーホールに形成されると共に前記受光素子に接続される受光素子用電極と、
   前記第２絶縁層上に形成されると共に前記遮光層における電位を安定化させる遮光層用電極と、
   前記第２スルーホールを介して前記遮光層と前記遮光層用電極とを電気的に接続すると共に、前記電気光学物質に対して電界を印加するための電界印加用電極と
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
5. 前記受光素子用電極及び前記遮光層用電極を覆うように前記第２絶縁層上に形成される第３絶縁層と、
   前記第３絶縁層を貫通して前記遮光層用電極に到達する第３スルーホールと
   を更に備え、
   前記第２スルーホールは、前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層に加えて前記第３絶縁層を貫通して前記遮光層に到達し、
   前記電界印加用電極は、前記第２スルーホール及び前記第３スルーホールを介して前記遮光層と前記遮光層用電極とを電気的に接続することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 少なくとも前記第２スルーホール及び前記遮光層用電極が形成される領域以外の領域に形成される平坦化層を更に備えることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置。
7. 請求項４から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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