JP2007206625A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光入力部から光検出素子に入射する光の減光を抑え、光入力部の光強度を高く変更しなくても、光検出素子に対する光の入射光量の低下を防止することができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置1において、複数の光検出素子11及び複数の画素トランジスタ12Aを有する第1基板2と、光を出射する光入力部Nにより出射された光(例えば赤色の光)の透過率が他の領域に比べ高い高透過領域(例えば赤色の各着色層18b)を有するカラーフィルタ18を具備し、第1基板2に対し離間させて設けられた第2基板19と、第1基板2と第2基板19との間に設けられた表示層20とを備え、複数の光検出素子11は、高透過領域に対向する位置にそれぞれ設けられている。
【選択図】図2
【解決手段】表示装置1において、複数の光検出素子11及び複数の画素トランジスタ12Aを有する第1基板2と、光を出射する光入力部Nにより出射された光(例えば赤色の光)の透過率が他の領域に比べ高い高透過領域(例えば赤色の各着色層18b)を有するカラーフィルタ18を具備し、第1基板2に対し離間させて設けられた第2基板19と、第1基板2と第2基板19との間に設けられた表示層20とを備え、複数の光検出素子11は、高透過領域に対向する位置にそれぞれ設けられている。
【選択図】図2
Description
本発明は、画像を表示する表示装置に関し、特に、光検出素子及び画素トランジスタを有する表示装置に関する。
液晶ディスプレイ等の表示装置は、薄型かつ軽量であり低消費電力であるという大きな利点を持ち、コンピュータや携帯電話等のディスプレイとして広く用いられている。さらに、これらの表示装置にタッチパネルやペン入力等の入力機能を付加することにより、表示装置の用途の拡大が進んでいる(例えば、特許文献1参照)。
このような表示装置では、画像を表示する表示機能に加え、画素内に内蔵した光検出素子(光センサ素子)、例えば光電変換素子により光ペンからの直接光やバックライト光の対象物による反射光を検出し、様々な用途の読み取り機能を実現している。ところが、それらの機能を表示装置に付加するためには、それに伴う部品を追加する必要があるので、表示装置のトータルコストが上昇してしまう。
一方、この種の表示装置では、通常、画素トランジスタを集積した透光性基板、例えばガラス基板の一主面である表面に外付け部品である駆動回路を取り込み、表示装置のトータルコストを低減させる技術が開発されている。この技術を利用し、ガラス基板の表面に読み取り機能を取り込むことよって、表示装置のトータルコストを抑えることができ、同時に、付加価値の向上を実現することができる。
特開2005−10690号公報
しかしながら、光ペン等の光入力部から出射された光は偏光板やカラーフィルタ等を介して光検出素子により受光されるため、その光は偏光板やカラーフィルタ等により減光し、光検出素子への入射光量が減少してしまう。このため、光入力部の光強度を高くする必要が生じるが、光入力部の光強度を高くすることには限界がある。
また、光検出素子を集積したガラス基板の背面に配置されるバックライトからの光(バックライト光)が光検出素子に直接入射するので、高いSN比(Signal to Noise rate)を得るためには、光入力部の光強度をバックライト光よりも高くする必要がある。この場合にも、光入力部の光強度を高くすることには限界がある。
一方、光検出素子への入射光量を稼ぐため、光検出素子を集積したガラス基板を表示面、すなわち外光にさらされる側に配置することがある。この場合には、戸外での使用時、光検出素子は強い外光にさらされるため、光入力部の光強度をバックライト光よりも高くする必要がある。この場合にも、光入力部の光強度を高くすることには限界がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、光入力部から光検出素子に入射する光の減光を抑え、光入力部の光強度を変更することなく、光検出素子に対する光の入射光量の低下を防止することができる表示装置を提供することである。
本発明の実施の形態に係る特徴は、表示装置において、複数の光検出素子及び複数の画素トランジスタを有する第1基板と、光を出射する光入力部により出射された光の透過率が他の領域に比べ高い高透過領域を有するカラーフィルタを具備し、第1基板に対し離間させて設けられた第2基板と、第1基板と第2基板との間に設けられた表示層とを備え、複数の光検出素子は、高透過領域に対向する位置にそれぞれ設けられていることである。
本発明の実施の形態に係る特徴では、カラーフィルタの高透過領域に対向する位置に複数の光検出素子をそれぞれ設けることによって、光入力部から出射された光が減光されずにカラーフィルタを通過するので、光検出素子に入射する光の減光が抑えられる。これにより、光入力部の光強度を高く変更しなくても、光検出素子に対する光の入射光量の低下が防止される。
本発明によれば、光入力部から光検出素子に入射する光の減光を抑え、光入力部の光強度を変更することなく、光検出素子に対する光の入射光量の低下を防止することができる。
本発明の実施の一形態について図面を参照して説明する。
図1に示すように、本発明の実施の形態に係る表示装置1は、ガラス基板等の透光性基板である第1基板2上に設けられた表示部3及びその表示部3を駆動する駆動回路4、5等を備えている。
表示部3は、映像データに基づいて画像を表示する表示機能と、光ペン等の光入力部Nからの直接光や表示画面に接近してきた物体により反射された反射光等を検出する入力機能(読み取り機能)とを有している。駆動回路4、5は、外部から供給される制御信号に応じて各種の信号を表示部3に供給し、表示部3を駆動する回路である。
図2に示すように、表示部3は、第1基板2上にそれぞれ設けられた複数の光検出素子11及び画素毎に第1基板2上にそれぞれ設けられた複数の画素トランジスタ12A等を備えている。また、駆動回路4、5は、第1基板2上に各種のスイッチ素子としてそれぞれ設けられた複数の駆動トランジスタ12B等を備えている。
光検出素子11としては、例えばPIN型の光ダイオード等の光電変換素子を用いる。また、画素トランジスタ12A及び駆動トランジスタ12Bとしては、例えば薄膜トランジスタ(TFT)を用いる。なお、光入力部Nは、例えば光ペン等の入力装置であり、レーザ光等の光を出射する。本実施の形態では、例えば赤色のレーザ光を出射する光入力部Nを用いる。
表示部3には、複数本の走査線と複数本の信号線とが互いに交差するように例えば格子状に設けられている。さらに、表示部3には、複数の制御線が各走査線に平行に設けられている。走査線と信号線との交差部には、画素トランジスタ12A及び画素電極13が配置されている。画素トランジスタ12Aのゲートは走査線に接続されており、そのソースは信号線に接続されており、そのドレインは画素電極13及び補助容量に接続されている。また、制御線には、制御用のスイッチ素子を介して光検出素子11が接続されている。
なお、駆動回路4は、各走査線に走査信号をそれぞれ出力する走査線駆動回路及び各制御線に制御信号をそれぞれ出力する制御線駆動回路等を備えている。また、駆動回路5は、各信号線に映像信号をそれぞれ出力する信号線駆動回路及び各光検出素子11からのセンサ出力信号を受信する検出回路等を備えている。
第1基板2と各光検出素子11との間には、光を遮る第1遮光層14Aが各光検出素子11にそれぞれ対応させて設けられている。同様に、第1基板2と各画素トランジスタ12Aとの間には、光を遮る第2遮光層14Bが各画素トランジスタ12Aにそれぞれ対応させて設けられている。さらに、第1基板2と各駆動トランジスタ12Bとの間にも、光を遮る第3遮光層14Cが各駆動トランジスタ12Bにそれぞれ対応させて設けられている。
詳しくは、各第1遮光層14Aは各光検出素子11にそれぞれ対向させて第1基板2上に設けられており、各第2遮光層14Bは各画素トランジスタ12Aにそれぞれ対向させて第1基板2上に設けられており、各第1遮光層14Cは各駆動トランジスタ12Bにそれぞれ対向させて第1基板2上に設けられている。
第1遮光層14Aは第1基板2側から光検出素子11に光が直接入射することを防止し、第2遮光層14Bは第1基板2側から画素トランジスタ12Aに光が直接入射することを防止する。さらに、第3遮光層14Cも第1基板2側から駆動トランジスタ12Bに光が直接入射することを防止する。
第1基板2上には、電気絶縁性を有する絶縁層15が各光検出素子11、各画素トランジスタ12A及び各駆動トランジスタ12Bを覆うように設けられている。また、第1基板2の外側の面上には、偏光板16が設けられている。
コモン電極等の対向電極17及びカラーフィルタ18を有する第2基板19が第1基板2に対し離間させて設けられている。ここで、第2基板19としては、例えばガラス基板等の対向基板を用いる。第1基板2と第2基板19との間には、液晶材料により構成された液晶層等の表示層20が設けられている。また、第2基板19の外側の面上には、偏光板21が設けられている。
カラーフィルタ18は、格子状に形成されたブラックマトリクス18aと、そのブラックマトリクス18aによりそれぞれ隔てられた赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)の各着色層18bとから構成されている。なお、この着色層18bは画素毎に設けられている。
各光検出素子11は、用いる光入力部Nの出射光に応じた色の各着色層18bにそれぞれ対応させて、すなわち対向する位置に設けられている。本実施の形態では、赤色のレーザ光を出射する光入力部Nを用いているため、出射光が赤色である。この場合には、各光検出素子11は、赤色の各着色層18bにそれぞれ対向させて設けられている。ここで、赤色の各着色層18bからなる領域(赤色領域)が他の領域、すなわち緑色の着色層18b及び青色の各着色層18bからなる領域(緑色領域及び青色領域)に比べ、光入力部Nの出射光の主成分波長である赤色波長の透過率が高い高透過領域となる。
なお、出射光が緑色である場合には、各光検出素子11は緑色の各着色層18bにそれぞれ対向させて設けられる。この場合には、緑色の各着色層18bからなる領域(緑色領域)が他の領域、すなわち赤色の着色層18b及び青色の各着色層18bからなる領域(赤色領域及び青色領域)に比べ、光入力部Nの出射光の主成分波長である緑色波長の透過率が高い高透過領域となる。
また、出射光が青色である場合には、各光検出素子11は青色の各着色層18bにそれぞれ対向させて設けられる。この場合には、青色の各着色層18bからなる領域(青色領域)が他の領域、すなわち赤色の着色層18b及び緑色の各着色層18bからなる領域(赤色領域及び緑色領域)に比べ、光入力部Nの出射光の主成分波長である青色波長の透過率が高い高透過領域となる。
光検出素子11は、光が光入力部Nから出射された場合、第2基板19の外面(表示画面)から表示層20に向かって入射し、偏光板21、第2基板19、対向電極17及びカラーフィルタ18を通過した光を受光する。このとき、光入力部Nから出射された光はカラーフィルタ18の赤色の着色層18bを通過するので、カラーフィルタ18により減光されず、光検出素子11に入射する。
第1基板2の外側(図2中の下方)には、バックライト等の光源22が配置されている。この光源22は、第1基板2の外面から表示層20に光を照射するように第1基板2に対向させて設けられている。なお、光源22から第1基板2に入射した光(バックライト光)の一部は各第1遮光層14A、各第2遮光層14B及び各第3遮光層14Cにより遮られるので、光源22からの光が各光検出素子11、各画素トランジスタ12A及び各駆動トランジスタ12Bに直接入射することは防止される。
次に、光検出素子11の構造について説明する。
図3に示すように、光検出素子11はPIN型の光ダイオードである。この光検出素子11は、略透明な矩形平板状の絶縁基板、例えばガラス基板の第1基板2上に形成されている。この第1基板2の主面である表面上には、例えば第1金属(第1メタル)により構成された第1遮光層14Aが光検出素子11に対向させて成膜されている。この第1遮光層14Aは光検出素子11に光源22からの直接光が入射しないようにその光を遮光する。
第1遮光層14Aの上には、シリコン窒化膜(SiNx)や酸化シリコン膜(SiOx)等により構成されたアンダーコート層41が成膜されて積層されている。このアンダーコート層41は、第1基板2上に形成される各種の素子に対する不純物の拡散を防止する。
光検出素子11は、多結晶半導体であるポリシリコンにより形成されたチャネル部42及びソース/ドレイン部43を備えている。チャネル部42はp−領域により構成されており、ソース/ドレイン部43はn+領域及びp+領域により構成されている。チャネル部42の両端には、ソース/ドレイン部43が電気的に接続されている。これらのチャネル部42及びソース/ドレイン部43がアンダーコート層41上に積層されている。
チャネル部42及びソース/ドレイン部43が積層されたアンダーコート層41上には、第1絶縁層としてゲート絶縁膜45が成膜されて積層されている。チャネル部42に対向するゲート絶縁膜45上の一部には、ゲート電極46が積層されている。このゲート電極46は、チャネル部42であるp−領域の幅寸法より小さい幅寸法を有しており、例えば第2金属(第2メタル)により構成されている。
ゲート電極46が積層されたゲート絶縁膜45上には、電気絶縁性を有する酸化シリコン膜である第2絶縁層として層間絶縁膜47が成膜されて積層されている。ゲート絶縁膜45及び層間絶縁膜47には、それらのゲート絶縁膜45及び層間絶縁膜47をそれぞれ貫通する導通部として複数のコンタクトホール48が開口されて設けられている。これらのコンタクトホール48は、ソース/ドレイン部43上に設けられおり、ソース/ドレイン部43に連通している。
ソース/ドレイン部43に連通したコンタクトホール48には、第3金属(第3メタル)により構成されたソース/ドレイン電極49が積層されて設けられている。このソース/ドレイン電極49は、コンタクトホール48を介してソース/ドレイン部43に電気的に接続されている。
ソース/ドレイン電極49が積層された層間絶縁膜47上には、窒化シリコン膜により構成された保護膜としてパッシベーション膜50がソース/ドレイン電極49を覆うように成膜されて積層されている。
ここで、光検出素子11は、前述したようにシリコン層により形成されている。このため、図4に示すように、光検出素子11のセンサ感度は、シリコン層の吸収係数が大きい程高くなる(青色>緑色>赤色)。なお、本実施の形態では、赤色のレーザ光を出射する光入力部Nを用いているため、青色や緑色のレーザ光を出射する光入力部Nを用いた場合に比べ、光検出素子11のセンサ感度が低くなっている。これにより、光検出素子11は外光による変動を受け難くなり、光入力部Nの出射光の誤検出を抑えることができる。なお、赤色のレーザ光を用いた場合でも、光検出素子11は光入力部Nの出射光を精度良く検出することができる十分なセンサ感度を有している。
次いで、画素トランジスタ12A及び駆動トランジスタ12Bの構造について説明する。
図5に示すように、画素トランジスタ12Aは、nチャンネル型の薄膜トランジスタ(以降、nチャンネルTFTとする)であり、図5及び図6に示すように、駆動トランジスタ12Bは、nチャンネルTFT又はpチャンネル型の薄膜トランジスタ(以降、pチャンネルTFTとする)である。
図5に示すように、nチャンネルTFTは、略透明な矩形平板状の絶縁基板、例えばガラス基板の第1基板2上に形成されている。この第1基板2の主面である表面上には、例えば第1金属(第1メタル)により構成された第2遮光層14BがnチャンネルTFTに対向させて成膜されている。この第2遮光層14BはnチャンネルTFTに光源22からの直接光が入射しないようにその光を遮光する。
第2遮光層14Bの上には、シリコン窒化膜(SiNx)や酸化シリコン膜(SiOx)等により構成されたアンダーコート層41が成膜されて積層されている。このアンダーコート層41は、第1基板2上に形成される各種の素子に対する不純物の拡散を防止する。
nチャンネルTFTは、多結晶半導体であるポリシリコンにより形成されたチャネル部42、ソース/ドレイン部43及びLDD(Lightly Doped Drain)部44を備えている。チャネル部42はp−領域により構成されており、ソース/ドレイン部43はn+領域により構成されており、LDD部44はn−領域により構成されている。チャネル部42の両端には、LDD部44が電気的に接続されており、LDD部44の外側には、ソース/ドレイン部43が電気的に接続されている。これらのチャネル部42、ソース/ドレイン部43及びLDD部44がアンダーコート層41上に積層されている。
チャネル部42、ソース/ドレイン部43及びLDD部44が積層されたアンダーコート層41上には、第1絶縁層としてゲート絶縁膜45が成膜されて積層されている。チャネル部42に対向するゲート絶縁膜45上の一部には、ゲート電極46が積層されている。このゲート電極46は、チャネル部42であるp−領域の幅寸法に略等しい幅寸法を有しており、例えば第2金属(第2メタル)により構成されている。
ゲート電極46が積層されたゲート絶縁膜45上には、電気絶縁性を有する酸化シリコン膜である第2絶縁層として層間絶縁膜47が成膜されて積層されている。ゲート絶縁膜45及び層間絶縁膜47には、それらのゲート絶縁膜45及び層間絶縁膜47をそれぞれ貫通する導通部として複数のコンタクトホール48が開口されて設けられている。これらのコンタクトホール48は、ソース/ドレイン部43上に設けられており、ソース/ドレイン部43に連通している。
ソース/ドレイン部43に連通したコンタクトホール48には、第3金属(第3メタル)により構成されたソース/ドレイン電極49が積層されて設けられている。このソース/ドレイン電極49は、コンタクトホール48を介してソース/ドレイン部43に電気的に接続されている。
ソース/ドレイン電極49が積層された層間絶縁膜47上には、窒化シリコン膜により構成された保護膜としてパッシベーション膜50がソース/ドレイン電極49を覆うように成膜されて積層されている。
同様に、図6に示すように、pチャンネルTFTは、略透明な矩形平板状の絶縁基板、例えばガラス基板の第1基板2上に形成されている。略透明な矩形平板状の絶縁基板、例えばガラス基板の第1基板2上に形成されている。この第1基板2の主面である表面上には、例えば第1金属(第1メタル)により構成された第3遮光層14Cが成膜されている。この第3遮光層14CはpチャンネルTFTに光源22からの直接光が入射しないようにその光を遮光する。
第3遮光層14Cの上には、シリコン窒化膜(SiNx)や酸化シリコン膜(SiOx)等により構成されたアンダーコート層41が成膜されて積層されている。このアンダーコート層41は、第1基板2上に形成される各種の素子に対する不純物の拡散を防止する。
pチャンネルTFTは、多結晶半導体であるポリシリコンにより形成されたチャネル部42及びソース/ドレイン部43を備えている。チャネル部42はp−領域により構成されており、ソース/ドレイン部43はp+領域により構成されている。チャネル部42の両端には、ソース/ドレイン部43が電気的に接続されている。これらのチャネル部42及びソース/ドレイン部43がアンダーコート層41上に積層されている。
チャネル部42及びソース/ドレイン部43が積層されたアンダーコート層41上には、第1絶縁層としてゲート絶縁膜45が成膜されて積層されている。チャネル部42に対向するゲート絶縁膜45上の一部には、ゲート電極46が積層されている。このゲート電極46は、チャネル部42であるp−領域の幅寸法に略等しい幅寸法を有しており、例えば第2金属(第2メタル)により構成されている。
ゲート電極46が積層されたゲート絶縁膜45上には、電気絶縁性を有する酸化シリコン膜である第2絶縁層として層間絶縁膜47が成膜されて積層されている。ゲート絶縁膜45及び層間絶縁膜47には、それらのゲート絶縁膜45及び層間絶縁膜47をそれぞれ貫通する導通部として複数のコンタクトホール48が開口されて設けられている。これらのコンタクトホール48は、ソース/ドレイン部43上に設けられており、ソース/ドレイン部43に連通している。
ソース/ドレイン部43に連通したコンタクトホール48には、第3金属(第3メタル)により構成されたソース/ドレイン電極49が積層されて設けられている。このソース/ドレイン電極49は、コンタクトホール48を介してソース/ドレイン部43に電気的に接続されている。
ソース/ドレイン電極49が積層された層間絶縁膜47上には、窒化シリコン膜により構成された保護膜としてパッシベーション膜50がソース/ドレイン電極49を覆うように成膜されて積層されている。
次に、光検出素子11、nチャンネルTFT及びpチャンネルTFTを同一工程で製造する場合の製造工程(製造プロセス)について説明する。本実施の形態では、光検出素子11、nチャンネルTFT及びpチャンネルTFT、すなわち画素トランジスタ12A及び駆動トランジスタ12Bは同一工程により形成される。
まず、図7に示すように、ガラス基板等の絶縁基板である第1基板2上に、Mo−TaやMo−W等を用いて第1金属層(第1メタル層)51を成膜し、各光検出素子11、各nチャンネルTFT及び各pチャンネルTFTにそれぞれ対応するパターンに第1金属層51をパターニングする。この第1金属層51は第1遮光層14A、第2遮光層14B及び第3遮光層14Cとなる。
次に、図7に示すように、第1金属層51が形成された第1基板2上に、SiNxやSiOx等を用いてアンダーコート層41をCVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成する。これにより、第1基板2上に形成された素子に不純物が拡散することが防止される。次いで、PECVD(Plasma Enhanced CVD)法やスパッタリング法等により、第1基板2上にアモルファスシリコン膜52を500Å程度堆積する。その後、アモルファスシリコンを結晶化させるため、アモルファスシリコン膜52に対してレーザ光を照射する。これにより、アモルファスシリコン膜52がポリシリコン膜となる。
さらに、図8に示すように、そのポリシリコン膜の全面に低濃度のボロンをイオンドーピングし、p−層52aを形成する。このp−層52aが、光検出素子11のチャネル部42、nチャンネルTFTのチャネル部42及びpチャンネルTFTのチャネル部42になる。
次いで、図9に示すように、SiOx等を用いてp−層52aを覆うように第1絶縁層としてゲート絶縁膜45をPECVD法やECR−CVD(Electron cyclotron resonance CVD)法等により形成する。
さらに、図10に示すように、マスクとしてレジスト53を用いて、光検出素子11のソース/ドレイン領域及びnチャンネルTFTのソース/ドレイン領域に高濃度のリンをイオンドーピングし、n+層52bを形成する。このn+層52bが、光検出素子11のソース/ドレイン部43の片方となり、nチャンネルTFTの各ソース/ドレイン部43になる。
その後、図11に示すように、レジスト53を除去し、ゲート絶縁膜45上に、Mo−TaやMo−W等を用いて第2金属層(第2メタル層)54を成膜する。この第2金属層54が、光検出素子11のゲート電極46、nチャンネルTFTのゲート電極46及びpチャンネルTFTのゲート電極46になる。
次いで、図12に示すように、第2金属層54を光検出素子11のソース/ドレイン領域とpチャンネルTFTのソース/ドレイン領域とが開口するようにパターニングし、光検出素子11のソース/ドレイン領域とpチャンネルTFTのソース/ドレイン領域に高濃度のボロンをイオンドーピングし、p+層52cを形成する。
このとき、第2金属層54がマスクとなり、光検出素子11のソース/ドレイン領域とpチャンネルTFTのソース/ドレイン領域にp+層52cが形成される。このp+層52cが、光検出素子11のソース/ドレイン部43の片方となり、pチャンネルTFTの各ソース/ドレイン部43になる。また、pチャンネルTFTの第2金属層54がpチャンネルTFTのゲート電極46になる。
さらに、図13に示すように、第2金属層54を光検出素子11のp−層52aの一部及びn+層52bが開口し、さらに、nチャンネルTFTのLDD領域が開口するようにパターニングする。その後、光検出素子11のp−層52a、n+層52b及びp+層52cを覆うマスクとしてレジスト55をゲート絶縁膜45上に形成し、nチャンネルTFTのLDD領域に低濃度のリンをイオンドーピングし、n−層52dを形成する。
このとき、nチャンネルTFTでは、第2金属層54がマスクとなり、nチャンネルTFTのLDD領域にn−層52dが形成される。このn−層52dがnチャンネルTFTのLDD部44になる。また、光検出素子11の第2金属層54が光検出素子11のゲート電極になり、nチャンネルTFTの第2金属層54がnチャンネルTFTのゲート電極46になる。
次に、注入した不純物を活性化するため、前述の積層状態の第1基板2を500℃程度でアニールした後に(熱活性化工程)、水素のプラズマ中にさらす水素化を行う(水素化工程)。次いで、図14に示すように、レジスト55を除去し、再び同じCVD装置中で、SiOx等を用いて第2絶縁層として層間絶縁膜47をゲート絶縁膜45上に成膜する。
さらに、図15に示すように、ゲート絶縁膜45及び層間絶縁膜47に各コンタクトホール48を設け、光検出素子11のn+層52b及びp+層52cを露出させ、同様に、nチャンネルTFTの各n+層52bを露出させ、さらに、pチャンネルTFTの各p+層52cを露出させる。次いで、これらの露出領域に第3金属層(第3メタル層)56を成膜し、ソース/ドレイン電極49としてパターニングする。
これにより、第3金属層56が、光検出素子11のソース/ドレイン電極49、nチャンネルTFTのソース/ドレイン電極49及びpチャンネルTFTのソース/ドレイン電極49となる。また、光検出素子11では、p−層52aがチャネル部42となり、n+層52b及びp+層52cがソース/ドレイン部43となる。nチャンネルTFTでは、p−層52aがチャネル部42となり、各n+層52bがソース/ドレイン部43となり、各n−層52dがLDD部44となる。また、pチャンネルTFTでは、p−層52aがチャネル部42となり、各p+層52cがソース/ドレイン部43となる。
最後に、SiN等を用いて層間絶縁膜47上に保護膜としてパッシベーション膜50(図3、図5及び図6参照)を成膜し、光検出素子11、nチャンネルTFT及びpチャンネルTFTが完成する。これにより、図3に示すような光検出素子11、図5に示すようなnチャンネルTFT及び図6に示すようなpチャンネルTFTが得られる。
以上説明したように、本実施の形態に係る表示装置1によれば、カラーフィルタ18の高透過領域、すなわち赤色の各着色層18bに対向する位置に各光検出素子11をそれぞれ設けることによって、光入力部Nから出射された赤色の光が減光されずにカラーフィルタ18を通過するので、光検出素子11に入射する光の減光が抑えられる。これにより、光入力部Nの光強度を高く変更しなくても、光検出素子11に対する光の入射光量の低下を防止することができる。その結果として、高いSN比を得ることができる。
さらに、高透過領域が赤色の各着色層18bにより構成されていることから、赤色の光を出射する光入力部Nが用いられ、光検出素子11のセンサ感度が低くなるので(図4参照)、光検出素子11は外光による変動を受け難くなる。これにより、光入力部Nの出射光を精度良く検出可能なセンサ感度を維持しながら、光入力部Nの出射光の誤検出を抑えることができる。
また、各光検出素子11にそれぞれ対応させて各第1遮光層14Aを設けることによって、それらの第1遮光層14Aにより光源22からの直接光が遮光されるので、各光検出素子11に対する光源22からの直接光の入射を防止することが可能になる。これにより、光源22から入射する光を減らすことが可能になり、光源22の光強度に応じて光入力部Nの光強度を高く調整することを防止することができる。
さらに、各画素トランジスタ12Aにそれぞれ対応させて各第2遮光層14Bを設けることによって、それらの第2遮光層14Bにより光源22からの直接光が遮光されるので、各画素トランジスタ12Aに対する光源22からの直接光の入射を防止することが可能になる。これにより、各画素トランジスタ12Aの光リークによる画像に対する影響を抑えることができる。その結果として、画素に書き込んだ映像データを保持することが可能になり、高性能な読み取り機能と高品質な表示機能とを兼ね備えた表示装置1を実現することができる。
加えて、各駆動トランジスタ12Bにそれぞれ対応させて各第3遮光層14Cを設けることによって、それらの第3遮光層14Cにより光源22からの直接光が遮光されるので、各駆動トランジスタ12Bに対する光源22からの直接光の入射を防止することが可能になる。これにより、各駆動トランジスタ12Bの光リークによる画像に対する影響を抑えることができる。
また、光検出素子11は第1基板2上の表示層20側に設けられており、第1遮光層14Aは第1基板2と光検出素子11との間に設けられていることから、光検出素子11に対して第1基板2の外側の面から入射する直接光を確実に遮ることができる。さらに、第1基板2上に第1遮光層14Aを積層し、その第1遮光層14A上に光検出素子11を形成することにより、光検出素子11に対応させて第1遮光層14Aを容易に形成することができる。
さらに、画素トランジスタ12Aは第1基板2上の表示層20側に設けられており、第2遮光層14Bは第1基板2と画素トランジスタ12Aとの間に設けられていることから、画素トランジスタ12Aに対して第1基板2の外側の面から入射する直接光を確実に遮ることができる。さらに、第1基板2上に第2遮光層14Bを積層し、その第2遮光層14B上に画素トランジスタ12Aを形成することにより、画素トランジスタ12Aに対応させて第2遮光層14Bを容易に形成することができる。
加えて、駆動トランジスタ12Bは第1基板2上の表示層20側に設けられており、第3遮光層14Cは第1基板2と駆動トランジスタ12Bとの間に設けられていることから、駆動トランジスタ12Bに対して第1基板2の外側の面から入射する直接光を確実に遮ることができる。さらに、第1基板2上に第3遮光層14Cを積層し、その第3遮光層14C上に駆動トランジスタ12Bを形成することにより、駆動トランジスタ12Bに対応させて第3遮光層14Cを容易に形成することができる。
(他の実施の形態)
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
例えば、前述の実施の形態においては、各光検出素子11をカラーフィルタ18の赤色の各着色層18bに対向させてそれぞれ設けているが、これに限るものではなく、例えば、光入力部Nとして青色の光を出射する光ペン(青色の光ペン)を用いる場合には、各光検出素子11をカラーフィルタ18の青色の各着色層18bに対向させてそれぞれ設けるようにしてもよく、また、光入力部Nとして緑色の光を出射する光ペン(緑色の光ペン)を用いる場合には、各光検出素子11をカラーフィルタ18の緑色の各着色層18bに対向させてそれぞれ設けるようにしてもよい。なお、光検出素子11のセンサ感度は、図4に示すように、吸収係数が高い程高くなる(青色>緑色>赤色)。したがって、青色の光ペンや緑色の光ペンを用いた場合には、赤色の光ペンを用いた場合に比べ、光検出素子11のセンサ感度が向上する。
また、前述の実施の形態においては、第1基板2と光検出素子11との間に第1遮光層14Aを設けているが、これに限るものではなく、例えば、第1基板2中や第1基板2の外面に光検出素子11に対向させて第1遮光層14Aを設けるようにしてもよい。同様に、前述の実施の形態においては、第1基板2と画素トランジスタ12Aとの間に第2遮光層14Bを設けているが、これに限るものではなく、例えば、第1基板2中や第1基板2の外面に画素トランジスタ12Aに対向させて第2遮光層14Bを設けるようにしてもよい。さらに、前述の実施の形態においては、第1基板2と駆動トランジスタ12Bとの間に第3遮光層14Cを設けているが、これに限るものではなく、例えば、第1基板2中や第1基板2の外面に駆動トランジスタ12Bに対向させて第3遮光層14Cを設けるようにしてもよい。
また、前述の実施の形態においては、画素トランジスタ12AとしてnチャンネルTFTを用いているが、これに限るものではなく、例えばpチャンネルTFTを用いるようにしてもよい。
また、前述の実施の形態においては、表示層20を液晶材料により液晶層として形成しているが、これに限るものではなく、例えば発光体により形成し、表示装置1を有機ELディスプレイとして形成するようにしてもよい。
1 表示装置
2 第1基板
11 光検出素子
12A 画素トランジスタ
14A 第1遮光層
14B 第2遮光層
18 カラーフィルタ
18b 高透過領域(赤色の着色層)
19 第2基板
20 表示層
22 光源
N 光入力部
2 第1基板
11 光検出素子
12A 画素トランジスタ
14A 第1遮光層
14B 第2遮光層
18 カラーフィルタ
18b 高透過領域(赤色の着色層)
19 第2基板
20 表示層
22 光源
N 光入力部
Claims (7)
- 複数の光検出素子及び複数の画素トランジスタを有する第1基板と、
光を出射する光入力部により出射された光の透過率が他の領域に比べ高い高透過領域を有するカラーフィルタを具備し、前記第1基板に対し離間させて設けられた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた表示層と、
を備え、
前記複数の光検出素子は、前記高透過領域に対向する位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする表示装置。 - 前記高透過領域は複数の赤色の着色層により構成されていることを特徴とする請求項1記載の表示装置。
- 前記複数の光検出素子にそれぞれ対応させて設けられた複数の第1遮光層を備えることを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置。
- 前記複数の画素トランジスタにそれぞれ対応させて設けられた複数の第2遮光層を備えることを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置。
- 前記光検出素子は、前記第1基板上の前記表示層側に設けられており、
前記第1遮光層は、前記第1基板と前記光検出素子との間に設けられていることを特徴とする請求項3記載の表示装置。 - 前記画素トランジスタは、前記第1基板上の前記表示層側に設けられており、
前記第2遮光層は、前記第1基板と前記画素トランジスタとの間に設けられていることを特徴とする請求項4記載の表示装置。 - 前記第1基板側から前記表示層に光を照射するように前記第1基板に対向させて設けられた光源を備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006028514A JP2007206625A (ja) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006028514A JP2007206625A (ja) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | 表示装置 |
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JP2007206625A true JP2007206625A (ja) | 2007-08-16 |
Family
ID=38486118
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JP2006028514A Pending JP2007206625A (ja) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | 表示装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007206625A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009028624A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置および電子機器 |
US9086751B2 (en) | 2008-12-19 | 2015-07-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including a touch sensor |
WO2022032813A1 (zh) * | 2020-08-10 | 2022-02-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
WO2022082974A1 (zh) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 激光感应面板及其制作方法、显示装置 |
-
2006
- 2006-02-06 JP JP2006028514A patent/JP2007206625A/ja active Pending
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