JP2010014593A - 半導体装置の検査方法および製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ライン全体の装置稼働率を向上させることが可能な半導体装置の検査方法を提供すること。
【解決手段】ステップＳ１〜Ｓ６を経て製造された半導体装置に対して大ハンドラを用いてテストを行なう（Ｓ７）。不合格となった半導体装置に対しては小ハンドラを用いて再テストを行なう（Ｓ８）。また、ステップＳ７またはＳ８において合格となった半導体装置から抜き取った半導体装置に対して小ハンドラを用いてＱＡＴを行なう（Ｓ９）。したがって、ロットサイズが大きいロットに対しては大ハンドラを用いてテストを行ない、ロットサイズが小さいロットに対しては小ハンドラを用いてテストを行なうことができ、ライン全体の装置稼働率を向上させることが可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置を検査する技術に関し、特に、ロットサイズによって異なるハンドラで検査を行なう半導体装置の検査方法および製造方法に関する。

近年、半導体の生産において多品種少量生産化が進んできており、半導体の生産ラインにおける効率化の必要性が高まってきている。検査工程においても同様であり、ロットサイズの小さい半導体装置をいかに効率的に検査するかが重要である。

一方、自動車用の半導体装置などのように、ＱＡＴ（Quality Assurance Test：品質保証試験）が必要な半導体装置も増えてきている。このＱＡＴは、検査によって良品とされた半導体装置の中から抜き取られた半導体装置に対して行なわれるため、そのサイズは、たとえば数十個〜百数十個と小さい場合が多い。したがって、ＱＡＴをいかに効率的に行なうかも、半導体の生産ラインを効率化する上で重要となってくる。

下記の特許文献１〜４には、半導体装置の検査を行なう際に使用されるハンドラに関する開示がある。
特開２００１−１１６７９９号公報 特開２００７−０２４９０７号公報 特開２００７−２７１２７６号公報 特開平１０−１８５９９５号公報

上述のように、半導体装置のロットサイズが縮小する傾向にあり、またＱＡＴにおいて検査される半導体装置の数も小さい場合が多い。しかしながら、特許文献１〜４に開示されるような従来の中・大ロットサイズを前提としたハンドラを用いてロットサイズの小さい半導体装置を検査する場合、ロット総処理時間に占める段取替え時間の割合が増加してしまい、ライン全体の装置稼働率が低下するといった問題点があった。

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、ライン全体の装置稼働率を向上させることが可能な半導体装置の検査方法および製造方法を提供することである。

本発明の一実施例によれば、半導体装置の検査方法が提供される。半導体装置の検査方法は、第１のハンドラを用いて半導体装置をテストするステップと、この第１のハンドラを用いてテストされた半導体装置の一部を、第１のハンドラの有するチャンバよりも容量の小さいチャンバを有した第２のハンドラを用いてテストするステップとを含む。

この実施例によれば、大ハンドラを用いてテストされた半導体装置の一部を小ハンドラを用いてテストする。したがって、ロットサイズが大きいロットに対しては大ハンドラを用いてテストを行ない、ロットサイズが小さいロットに対しては小ハンドラを用いてテストを行なうことができ、ライン全体の装置稼働率を向上させることが可能となる。

以下、本発明の実施の形態における半導体装置の検査方法および製造方法について説明するが、まず、説明に用いる用語について説明する。ロットとは、１回のテスタ稼動時間内にテストされる同種類の半導体装置の集まりである。また、ロットサイズとは、ロットあたりの半導体装置の個数である。

大規模ハンドラ（以下、大ハンドラと呼ぶ。）とは、ロットサイズが２０００〜３０００個程度の、中・大ロットサイズの半導体装置を検査するハンドラであり、容量の大きなチャンバを有している。チャンバが大きいため温度切替えに時間がかかり、品種切替えなどを手動で行なう必要があるため、段取替え時間が大きい。

小規模ハンドラ（以下、小ハンドラと呼ぶ。）とは、大ハンドラに比べて、ロットサイズが数十個〜百数十個程度の、小ロットサイズの半導体装置を検査するハンドラであり、容量の小さいチャンバを有している。チャンバが小さいため温度切替えに必要となる時間が小さく、品種切替えなどを自動で行なうことができるため、段取替え時間が小さい。

小ハンドラのチャンバが大ハンドラのものに比べて容量が小さいとは以下の態様がある。小ハンドラは通常１個のチャンバを有する。大ハンドラは複数個のチャンバを有する場合、小ハンドラの１個のチャンバは、大ハンドラの少なくとも１個のチャンバの容量より小さく、言い換えれば、大ハンドラの複数個のチャンバの容量の合計よりも小さいものである。

さらに容量が小さい小ハンドラとしては、小ハンドラの１個のチャンバが、大ハンドラの複数個のチャンバのうち容量が最も小さいチャンバよりも容量が小さく、従って大ハンドラのチャンバ各々よりも容量が小さいものであってもよい。

大ハンドラが１個のみのチャンバを有する場合には、小ハンドラの１個のチャンバは大ハンドラの１個のチャンバよりも容量が小さいものである。

図１は、本発明の実施の形態における半導体装置の検査工程を含んだ製造工程の一例を示すフローチャートである。図２は、図１に示す製造工程で製造される半導体装置の一例を示す図である。図２に示すように、半導体装置は、ダイパッド１３と、このダイパッド１３上に載置された半導体チップ１４と、外部端子となるリード１５と、半導体チップ１４とリード１５とを電気的に接続するワイヤ１６と、ダイパッド１３、半導体チップ１４、リード１５（ただし外部端子となる部分を除く）、ワイヤ１６を樹脂封止するモールド樹脂１７とを含む。なお、半導体装置は、図２に示すＱＦＰ（Quad Flat Package）に限られるものではなく、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array package）などであってもよい。

以下、図１および図２を参照して、半導体装置の製造工程について説明する。まず、フレームを形成し（Ｓ１）、ダイパッド１３上に半導体チップ１４をダイボンドする（Ｓ２）。

次に、リード１５と半導体チップ１４とをワイヤ１６によりワイヤボンドする（Ｓ３）。そして、ダイパッド１３、半導体チップ１４、リード１５（ただし外部端子となる部分を除く）、ワイヤ１６を樹脂により封止する（Ｓ４）。

次に、Ｓｎ、半田などでモールド樹脂に露出しているリード１５による外装めっきを行ない、洗浄する（Ｓ５）。そして、リード１５をガルウィング状に成形する（Ｓ６）。

次に、製造された半導体装置の全数テストを行ない（Ｓ７）、不合格となった半導体装置に対しては再テストを行なう（Ｓ８）。ステップＳ７またはＳ８において合格となった半導体装置から抜き取ってＱＡＴを行なう（Ｓ９）。最後に、良品となった半導体装置が出荷される（Ｓ１０）。

図３および図４は、大ハンドラの一例を示す図である。図３は、大ハンドラに備えられる恒温槽の一例を示す図である。恒温槽２１の内部には、半導体装置が収納されたキャリア３０を予め冷却するプレクール部２２と、プレクール部２２で冷却された半導体装置を試験する測定部２３と、試験終了後のキャリア３０を加熱する乾燥室２４との３つの部屋（チャンバ）が隣接して配置される。なお大ハンドラの有するチャンバの数は３つに限らず１個又は複数個あってもよい。

低温環境下で半導体装置を試験する場合に、キャリア３０に収納された半導体装置はプレクール部２２で所定温度となるまで冷却される。所定温度に冷却された半導体装置はキャリア３０とともに測定部２３に搬送され、半導体装置の電気的特性が測定される。さらに、測定が終了した半導体装置はキャリア２３とともに乾燥室２４に搬送され、加熱乾燥されて恒温槽１の外部に搬送される。

図４は、大ハンドラの構成例を示す図である。大ハンドラは、内部が所定温度に制御される恒温槽２１と、恒温槽２１に液体窒素（冷却媒体）を取り入れる液体窒素取入部（以下、液窒取入部と呼ぶ。）２５と、液窒取入部２５から恒温槽２１の乾燥室２４上部まで連続して延在する配管カバー４０と、配管カバー４０に覆われるとともに恒温槽２１内に供給される液体窒素の流通管となる液体窒素外部配管（以下、外部配管と呼ぶ。）５０とを備える。

恒温槽２１は、所定温度まで加熱制御して温められる乾燥室２４を備える。なお、恒温槽２１は図３に示すように、乾燥室２４以外にプレクール部２２および測定部２３の部屋を有するが、図４においては省略している。

液窒取入部２５は、外部が二重のカバーで覆われた箱状構造を有し、恒温槽２１（プレクール部２２または測定部２３のうちの少なくとも一方）の上部に設けられる。液窒取入部２５の内部には３つの電磁弁、すなわち安全用電磁弁２７、プレクール部用電磁弁２８および測定部用電磁弁２９が備えられる。

恒温槽２１内に供給される液体窒素は、安全用電磁弁２７、プレクール部用電磁弁２８および測定部用電磁弁２９を介して、金属配管３２および３３を通ってプレクール部２２および測定部２３に供給される。

配管カバー４０は、液窒取入部２５に隣接して配置されるとともに、恒温槽２１の乾燥室２４上部まで延在する中空の直方体状の構造を有する。また、配管カバー４０の乾燥室２４上部に配置された部分の側面側には、接続口継手４３の先端が突出する接続孔４１が設けられる。

外部配管５０は、配管カバー４０に覆われるとともに液窒取入部２５と接続孔４１との間を繋ぐように配置される。外部配管５０の一方の端部は、二重のカバーを貫通して液窒取入部２５内の安全用電磁弁２７に接続される。外部配管５０の他方の端部には、継手４２を介して接続口継手４３（接続部）が取り付けられ、接続口継手４３の先端が接続孔４１から配管カバー４０の外部に突出し接続口４４が設けられる。外部配管５０は、恒温槽２１から離間して配置されており、配管カバー４０の内面側の壁面にも接することなく離間して配置される。

図５は、大ハンドラで半導体装置の検査を行なう場合のテスタ稼働時間と、テスタ稼働率およびロット比率との関係の一例を示す図である。テスタ稼働時間は、ロットサイズが大きくなるにしたがって大きくなり、ロットサイズにほぼ比例する。

従って図示するロット比率は、工場において種々のサイズを有したロットをテストした際に、テスト対象ロットの全数に対する、テスタ稼働時間の４ケース（〜３０分、３０〜６０分、６０〜９０分、９０分〜）の各々の時間内にテストが終了するロットの数の比率を示したものである。

ロット比率においては、テスタ稼働時間が３０分以下、すなわちロットサイズが小さいロットが６０％以上を占め（例えば６２％）、テスタ稼働時間が９０分以上、すなわちロットサイズが大きいロットが３０％弱を占めている（例えば２８％）。ロットサイズが中程度のロット比率は、数％となっている（テスタ稼働時間が３０分ないし６０分ではロット比率が６％、テスタ稼働時間が６０分ないし９０分では４％）。

図６は、テスタ稼働率を説明するための図である。テストを開始してから終了するまでの時間がテスタ稼働時間Ａであり、テストを終了してから次のテストを開始するまでの時間がロット間時間Ｂである。テスタ稼働時間Ａとロット間時間Ｂとの和をロット総処理時間Ｃとすると、テスタ稼働率はＡ／Ｃで表すことができる。なお、ロット間時間Ｂは、段取替え時間に対応している。

ロットサイズに関係なくロット間時間Ｂはほぼ一定であるため、図５に示すようにテスタ稼働時間が小さいほどテスタ稼働率が低くなり、テスタ稼働時間が大きいほどテスタ稼働率が高くなる。このように、ロットサイズが小さいロットの比率が高い反面、ロットサイズの小さいロットのテスタ稼働率が低いため、大ハンドラのみでは効率的に検査を行なえないことが分かる。

図７および図８は、小ハンドラの構成例を示す図である。図７は、小ハンドラの部分的な断面模式図であり、図８は、小ハンドラを上から見た概略図である。

図７および図８に示すように、小ハンドラは、開閉部としてのシャッタ５２を有する恒温槽５３と、恒温槽５３の内部で駆動可能な駆動アーム５４と、恒温槽５３に接続されて、恒温槽５３の内部にある半導体装置の電気的特性を試験するテスタを構成するテストボード５５と、試験前および試験後の半導体装置を収納する収納部５６とを有する。

また、恒温槽５３の中には、第１の治具５７を介して半導体装置５８が載置されるターンテーブル５９と、ターンテーブル５９にある半導体装置５８をテスタ５５に取り付けるための第２の治具６０を収納する収納部６１とが備えられている。ターンテーブル５９には、開口部６２が設けられており、開口部６２を通じて、テスタ５５のソケット６３が露出するようになっている。

この小ハンドラの恒温槽５３においては、小ハンドラの外部から導入される半導体装置を、導入前の半導体装置の温度（室温、例えば０℃から３５℃。温度調整された部屋では１５℃から２５℃）から所定の温度に予備加熱及び／又は予備冷却する部屋（チャンバ）及び半導体装置を試験（測定）する際に半導体装置を載置する部屋（チャンバ）は同じ部屋（チャンバ）で行なわれるといえる。なお、試験後の乾燥（特に冷却したとき）は、恒温槽５３外に設けたホットプレートに半導体装置を載置することで実現される。

この恒温槽５３のチャンバの容量は、大ハンドラのプレクール部２２、測定部２３、乾燥室２４の３つのチャンバの容量の合計よりも小さい。具体的には恒温槽５３のチャンバは、大ハンドラの３つのチャンバ各々よりも容量が小さい。

半導体装置５８は、たとえば、半導体素子が封止された樹脂の側面から外部リードが配された状態で試験される。具体的には、ＳＯＰ、ＤＩＰ、ＱＦＰ、ＢＧＡなどが選択可能である。

次に、小ハンドラの品種切り替え動作について説明する。
図７に示すように、ターンテーブル５９上にある第１の治具５７’を、第２の搬送装置６４によってシャッタ５２の開放部から恒温槽５３の外部に取り出す。次に、第１の治具５７’と同様の構造を有する、新たな第１の治具５７を第２の搬送装置６４で把持し、シャッタ５２を通じて恒温槽５３の内部のターンテーブル５９の図示しない設置部に組み付ける。なお、図７においては、第１の治具５７が組み付けられた後の様子を示している。第１の治具５７には、予備加熱や予備冷却が施されていないので、第１の治具５７と設置部との間には大きな温度差がある状態となっている。

次に、半導体装置５８の形状や大きさに応じた第２の治具６０を駆動アーム５４に組み付ける。なお、この組み付けは、通常、半導体装置５８を恒温槽５３の内部に搬送する前に行なわれる。

第１の治具５７および第２の治具６０を組み付けし、テストボード５５をソケット６３とともに交換することで、小ハンドラの品種切り替え作業が完了する。外形に互換性のある品種間の切り替え作業の場合、より限られた部品のみ交換することも可能である。品種切り替え作業完了後に、必要に応じて、恒温槽５３内部の温度の安定化を確認する。その後、以下の手順に従い、半導体装置５８の試験を開始する。

まず、吸着機構を利用した第１の搬送装置７４によって、収納部５６から恒温槽５３のシャッタ５２の上部に、半導体装置５８を搬送する。また、軸７３を中心にターンテーブル５９を回転させて、半導体装置５８の大きさや形状に対応した第１の治具５７がシャッタ５２の下部に位置するようにする。このとき、恒温槽５３の内部は、所定の温度に維持されているものとする。

加熱試験では、たとえば、恒温槽５３内の温度を１００℃以上、具体的には１５０℃から１６０℃とすることができる。一方、冷却試験では、たとえば、恒温槽５３内の温度を０℃より小さい温度、具体的には−４０℃から−５０℃とすることができる。なお、第１の搬送装置７４は、ロボット７５によって、図８のＸ方向およびＹ方向に駆動される。第２の搬送装置６４についても同様である。

次に、部材７２を駆動してシャッタ５２を開き、第１の搬送装置７４を恒温槽５３の内部に下降して、第１の治具５７に半導体装置５８を装着する。シャッタ５２によって開口される面積を最小限にすることにより、恒温槽５３の内部の温度が変化するのを抑制することができる。さらに、恒温槽５３の内部を、外気と比較して揚圧状態にしておくことにより、シャッタ５２開放時の恒温槽５３内部に対する外気の侵入と、それに伴う温度変化とを有効に防ぐことができる。

第１の治具５７は、テスタ５５の所定位置に半導体装置５８を装着するための大まかな位置決めをする役割を有し、ターンテーブル５９上に複数配置され得る。たとえば、３つの第１の治具５７を、互いに１２０°の角度をなすように配置することができる。ターンテーブル５９上に複数の半導体装置５８が載置されるようにすることで、試験前の半導体装置５８を予め恒温槽５３内の温度まで昇温または降温しておくことができる。

第１の治具５７への半導体装置５８の装着が終了したら、第１の搬送装置７４を恒温槽５３の外部に退避させてシャッタ５２を閉じる。次に、ターンテーブル５９を回転させて、第２の治具６０の下方に半導体装置５８が位置するようにする。そして、駆動アーム５４を下降させて、第２の治具６０に半導体装置５８を嵌合する。

第２の治具６０も、半導体装置５８の外部リード５８ａを押さえて、半導体装置５８がテスタ５５の所定位置に装着するように位置決めする役割を有している。つまり、半導体装置５８は、第１の治具５７によって大まかに位置決めされた後、第２の治具６０によって精密な位置決めを施されて、テスタ５５の所定位置に装着される。

第２の治具６０によって、半導体装置５８をテストソケット６３に対して位置決めす工程においては、テストソケット６３と半導体装置５８の外部端子とを確実に接触させるために、位置決めに要求される寸法精度は高くなる。これに比較して、半導体装置５８を第１の治具５７上に載置した状態では、テストソケット６３への接続は行なわないため、要求される寸法精度は、第２の治具６０に半導体装置５８を保持してテストソケット６３に接続する工程と比較して、より低くなる。このため、第１の治具５７に搭載された状態での、半導体装置５８の遊びは、第２の治具６０に吸着された状態と比較して、大きくなっている。

第２の治具６０を収納する収納部６１には、形状や大きさの異なる他の半導体装置に対応した第２の治具６０’も収納される。これにより、第２の治具６０’の温度を予め恒温槽５３内の温度にしておくことができるので、段取替え作業の際に、第２の治具６０’の昇温または降温を待たずに、第２の治具６０’を駆動アーム５４に組み付けることが可能となる。

第２の治具６０と第２の治具６０’との段取替えは、次のようにして行なわれる。まず、第２の治具６０の下方に着座部分６１ａが位置するように、収納部６１を軸６５を中心として回転させる。次に、駆動アーム５４の先端に設けられた着脱部６６のリング６６ａを、収納部６１に押圧する。これにより、第２の治具６０は、着脱部６６から切り離されて、収納部６１の着座部分６１ａに着座する。

次に、駆動アーム５４を上昇させてから、軸６５を中心として収納部６１を回動し、着座部分６１ｂに着座した第２の治具６０’が着脱部６６の下方に位置するようにする。そして、駆動アーム６４を下降させて、着脱部６６を第２の治具１０’に押し付ける。これにより、着脱部６６に第２の治具６０’が装着され、段取替えが完了する。

第２の治具６０に半導体装置５８を嵌合した後は、駆動アーム５４を上昇させる。これにより、半導体装置５８は第１の治具５７から外れる。次に、ターンテーブル５９を回転させて、開口部６２からソケット６３が露出する位置で停止させる。そして、駆動アーム５４を下降し、第２の治具６０をソケット６３に押し付けるようにして、半導体装置５８をテスタ５５に装着する。たとえば、半導体装置５８の外部リード５８ａをソケット６３に接続して、半導体素子とテスタ５５とを電気的に接続する。そして、テスタ５５を用いて半導体装置５８に対して必要な電気的特性の試験を行なう。

なお、テスタ５５は、図７の上下方向に移動可能である。すなわち、図７において、テスタ５５は恒温槽５３に接続しているが、クランプ６７を移動し、さらに、テスタ５５を図７の下方向に移動させれば、テスタ５５を恒温槽５３から離れた状態にすることができる。この操作は、たとえば、ソケット６３や、テスタ５５を構成するテストボードを交換するときなどに行なわれる。

このように、図７および図８に示す小ハンドラによれば、試験前の半導体装置５８についても恒温槽５３の内部に待機させておくことができる。そのため、テスタ５５に取り付ける半導体装置５８を交換する度に恒温槽５３を開く必要がなくなり、半導体装置５８を予め恒温槽５３内の温度まで昇温または降温しておくことができる。したがって、恒温槽５３や半導体装置５８の温度が所定温度に達する時間が短くなり、テスタ５５の休止時間が短縮される。

また、半導体装置５８をテスタ５５に取り付ける際の位置決めをする第２の治具６０を、半導体装置５８の形状や大きさに応じて、恒温槽５３の中に複数種類待機させておくことができる。したがって、段取替えの度に恒温槽５３を開く必要がなくなる。したがって、段取替えの際の昇温または降温に要する時間を最小限にすることができ、テスタ５５の休止時間も最小限にすることができるため、稼動効率を向上させることができる。

図５に示すように、ロットサイズが小さいロットを大ハンドラで検査する場合、テスタ稼働率が悪くなる。そこで、図１のテスト工程（Ｓ８）において、ロットサイズが大きい、たとえばロットサイズが２０００〜３０００個程度のロットに対しては、図３および図４に示す大ハンドラを用いて検査を行なう。また、ロットサイズが小さい、たとえばロットサイズが数十個〜百数十個程度のロットに対しては、図７および図８に示す小ハンドラを用いて検査を行なう。これによって、テスタ稼働率を向上させることができる。

また、図１の全数テスト工程（Ｓ８）においては、大ハンドラを用いて検査を行ない、ロットサイズが小さい再テスト工程（Ｓ９）およびＱＡＴ工程（Ｓ１０）においては、小ハンドラを用いて検査を行なうようにしてもよい。

以上説明したように、本実施の形態における半導体装置の検査方法においては、ロットサイズが大きいロットに対しては大ハンドラを用いて検査を行ない、ロットサイズが小さいロットに対しては小ハンドラを用いて検査を行なうようにしたので、ライン全体の装置稼働率を向上させることが可能となった。

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の実施の形態における半導体装置の検査工程を含んだ製造工程の一例を示すフローチャートである。 図１に示す製造工程で製造される半導体装置の一例を示す図である。 大ハンドラに備えられる恒温槽の一例を示す図である。 大ハンドラの構成例を示す図である。 大ハンドラで半導体装置の検査を行なう場合のテスタ稼働時間と、稼働率およびロット比率との関係の一例を示す図である。 テスタ稼働率を説明するための図である。 小ハンドラの部分的な断面模式図である。 小ハンドラを上から見た概略図である。

符号の説明

１２ ダイパッド、１３ 第１のチップ、１４ 第２のチップ、１５ リード、１６，１７ ワイヤ、１８ パッケージ、２１ 恒温槽、２３ プレクール部、２３ 測定部、２４ 乾燥室、２５ 液窒取入部、２７ 安全用電磁弁、２８ プレクール部用電磁弁、２９ 測定部用電磁弁、３０ キャリア、３２，３３ 金属配管、４０ 配管カバー、４１ 接続孔、４２ 継手、４３ 接続口継手、４４ 接続口、５０ 外部配管、５２ シャッタ、５３ 恒温槽、５４ 駆動アーム、５５ テストボード、５６ 収納部、５７，５７’ 第１の治具、５８ 半導体装置、５９ ターンテーブル、６０，６０’ 第２の治具、６１ 収納部、６１ａ，６１ｂ 着座部分、６２ 開口部、６３ ソケット、６４ 第２の搬送装置、６５ 軸、６６ 着脱部、６７ クランプ、７２ 部材、７３ 軸、７４ 第１の搬送装置、７５ ロボット。

Claims (10)

1. 第１のハンドラを用いて半導体装置をテストするステップと、
   前記第１のハンドラを用いてテストされた半導体装置の一部を、前記第１のハンドラの有するチャンバよりも容量の小さいチャンバを有する第２のハンドラを用いてテストするステップとを含む、半導体装置の検査方法。
2. 前記第２のハンドラを用いてテストするステップは、前記第１のハンドラを用いてテストされた半導体装置の再テストを行なうステップを含む、請求項１記載の半導体装置の検査方法。
3. 前記第２のハンドラを用いてテストするステップは、前記第１のハンドラを用いてテストされた半導体装置から抜き取られた半導体装置の品質保証試験を行なうステップを含む、請求項１記載の半導体装置の検査方法。
4. 前記第２のハンドラを用いて所定ロットサイズの半導体装置のテストを行なう場合におけるテスタ稼働率は、前記第１のハンドラを用いて前記所定ロットサイズの半導体装置のテストを行なう場合におけるテスタ稼働率よりも大きい、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の検査方法。
5. 第１のハンドラを用いて半導体装置をテストする第１テストステップと、
   前記第１テストステップでテストされた半導体装置の一部を第２のハンドラを用いてテストする第２テストステップとを含み、
   前記第２のハンドラは、その外部から導入される半導体装置を、その導入前の温度から０度よりも小さい温度に降温し又は１００度よりも高い温度に昇温するチャンバと、その導入された半導体装置を測定するために当該半導体装置が載置されるチャンバとが共通しているテストハンドラである、半導体装置の検査方法。
6. 前記第２テストステップは、前記第１テストステップでテストされた半導体装置の再テストを行なうステップを含む、請求項５記載の半導体装置の検査方法。
7. 前記第２テストステップは、前記第１テストステップでテストされた半導体装置から抜き取られた半導体装置の品質保証試験を行なうステップを含む、請求項５記載の半導体装置の検査方法。
8. 前記第１のハンドラは、各々が前記第２のハンドラの前記共通のチャンバよりも大きい複数のチャンバを有する、請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の検査方法。
9. フレームを形成するステップと、
   前記フレーム内においてダイパッド上にチップをダイボンドするステップと、
   前記チップとリードとをワイヤによってワイヤボンドするステップと、
   パッケージを樹脂により封止して半導体装置を形成するステップと、
   第１のハンドラを用いて前記半導体装置をテストするステップと、
   前記第１のハンドラを用いてテストされた半導体装置の一部を、前記第１のハンドラよりも容量の小さいチャンバを有する第２のハンドラを用いてテストするステップとを含む、半導体装置の製造方法。
10. フレームを形成するステップと、
    前記フレーム内においてダイパッド上にチップをダイボンドするステップと、
    前記チップとリードとをワイヤによってワイヤボンドするステップと、
    パッケージを樹脂により封止して半導体装置を形成するステップと、
    第１のハンドラを用いて前記半導体装置をテストする第１テストステップと、
    前記第１テストステップでテストされた半導体装置の一部を第２のハンドラを用いてさらにテストする第２テストステップとを含み、
    前記第２のハンドラは、その外部から導入される半導体装置を、その導入前の温度から０度よりも小さい温度に降温し又は１００度よりも高い温度に昇温するチャンバとその導入された半導体装置を測定するために当該半導体装置が載置されるチャンバとが共通しているテストハンドラである、半導体装置の製造方法。

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