JP2010010617A - 電子部品用の蓋体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コバール、SUS、鉄ニッケル合金のいずれかから選択されてなる基板部材10と、コバール、SUS、鉄ニッケル合金のいずれかから選択されてなる複数の枠部材20と、を備え、それぞれの枠部材20の厚みと幅の値が基板部材10の厚みの値と同じであり、基板部材10と複数の枠部材20とが重ねられた状態で拡散接合されて凹部を形成している。この拡散接合された基板部材10と複数の枠部材20とにニッケル(Ni)又はクロム(Cr)がメッキ処理され、さらに、金(Au)がメッキ処理されて構成しても良い。
【選択図】図2
Description
このような電子機器に搭載される電子部品には、カバーとなる蓋体を設けて保護する必要がある部品がある。この蓋体により、保護が必要な部品を異物や外部環境からの影響を防ぐことができる。
この保護が必要な電子部品の一つの例として圧電振動素子がある。
この圧電振動素子は、例えば、基板体に搭載された後に凹部を有する蓋体で気密封止して保護される(例えば、特許文献1参照)。又は、圧電振動素子は、凹部を有する基板体内に搭載され、平板状の蓋体で気密封止されて保護される(例えば、特許文献2参照)。
また、凹部を有する蓋体の場合、金属片をプレス加工することにより形成される。
また、蓋体を構成する基板部材と複数の枠部材のそれぞれの厚みとは同一の厚みで構成されるため、従来よりも薄く、また、幅が狭く形成されていても容易に接合することができるので、生産性が向上し、製品のコストダウンに貢献することができる。
また、複数の枠部材は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術により容易に製作でき、また、基板部材と複数の枠部材とは、拡散接合により容易に接合できる。そのため、生産性が向上し、製品のコストダウンに貢献することができる。
また、さらに前記基板部材と前記複数の枠部材とに金(Au)がメッキ処理されているので、ニッケル(Ni)又はクロム(Cr)との結合が良好なため、接合部分の機密性を向上させることができる。
枠部材に、さらに、金スズ(Au−Sn)からなる第二の枠部材を接合することにより、塞がれる側の部品との接合を容易にさせることができる。
また、電子部品を圧電振動子として説明する。
図1は本発明の実施形態に係る電子部品用の蓋体の一例を概念的に示す斜視図である。図2は図1の分解斜視図である。
圧電振動子は、例えば、励振電極を両主面に設けた圧電振動素子と、圧電振動素子を搭載するための搭載パッドとこれと電気的に接続する外部端子とが設けられている平板状のベース部と、このベース部に接合されて圧電振動素子を覆いつつ気密封止する蓋体とから構成されている。
この圧電振動子に用いられる本発明の実施形態に係る電子部品用の蓋体101は、図1及び図2に示すように、基板部材10と、3つの枠部材(複数の枠部材)20とから構成されている。
この基板部材10は、図2に示すように、平面視矩形形状となるように平板状に形成されており、その厚みt1は、例えば、0.05mmとなっている。
このような基板部材10は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて製造される。
この枠部材20は、図2に示すように、基板部材10の縁を沿うように、かつ、基板部材10の主面内に収まるように形成される環状の部材である。
この枠部材20の幅の値は、基板部材10の厚みの値と同じとなっている。例えば、基板部材10の厚みt1が0.05mmの場合、枠部材20の幅の値w1は、0.05mmとなる。なお、枠部材20の厚みt2を基板部材10の厚みt1と同じ厚みとしてもよい。
なお、枠部材20の材質を基板部材10と同じ材質とすれば、より良好な接合状態とすることができる。
枠部材20は、基板部材10と同様に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて製造される。
ここで、拡散接合とは、母材を密着させた状態で母材の融点以下の温度条件で、塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を接合する方法をいう(「JIS工業用語大辞典第5版」、財団法人日本規格協会発行、P331)。
これにより、基板部材10の一方の主面に3つの枠部材20が接合されて凹部Kが形成される。
また、複数の枠部材20は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術により、厚みが従来よりも薄い部材から従来より幅を狭くして製造することできる。また、枠部材20は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術により幅が従来よりも狭く形成できるため、圧電振動素子(図示せず)を気密封止する空間を確保しつつ、蓋体101の全体を従来よりも小さくすることができる。
また、基板部材10と複数の枠部材20とは、拡散接合により容易に接合できる。そのため、従来よりも薄く、また、幅が狭く形成されていても容易に接合することができるので、生産性が向上し、製品のコストダウンに貢献することができる。
図3は、接合された基板部材と複数の枠部材とにNi又はCrがメッキ処理された状態の一例を示す概念図である。
本発明の第二の実施形態に係る電子部品用の蓋体102は、接合された基板部材10と3つの枠部材20の表面にニッケル(Ni)又はクロム(Cr)がメッキ処理されている点で第一の実施形態と異なる。
図4は、Ni又はCrのメッキ処理された層NCの上にAuがメッキ処理された状態の一例を示す概念図である。
本発明の第三の実施形態に係る電子部品用の蓋体103は、接合された基板部材10と3つの枠部材20の表面に設けられたニッケル(Ni)又はクロム(Cr)の層NCの上に金(Au)がメッキ処理されている点で第二の実施形態と異なる。
これにより、接合された基板部材10と3つの枠部材20の表面に設けられたニッケル(Ni)又はクロム(Cr)の層NCの上に金(Au)の層Gを設けることができる。なお、従来周知のスパッタ技術を用いて、ニッケル(Ni)又はクロム(Cr)の層NCの上に金(Au)の層Gを設けても良い。
図5は、Auがメッキ処理された枠部材に第二の枠部材を接合した状態の一例を示す概念図である。
本発明の第四の実施形態に係る電子部品用の蓋体104は、金(Au)がメッキ処理された枠部材20に第二の枠部材30を接合した点で第三の実施形態と異なる。
この第二の枠部材30は、複数の枠部材20と同様に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて製造される。
なお、この第二の枠部材30は、例えば、その厚さが30〜100μmで形成されている。また、第二の枠部材30の厚みを、例えば、ベース部の平面形状が2.5mm×2.0mmの場合に20μmとすることもでき、また、ベース部の平面形状が2.0mm×1.6mmの場合に15μmとすることもできる。
このような厚さの第二の枠部材30を、基板部材10から最も離れている枠部材20と重ね合わせ、拡散接合又は熱圧着により接合する。
また、圧電振動素子は、例えば、STカットやATカットされた水晶振動素子、音叉型の水晶振動素子又はセンサ、ベベル加工やコンペックス加工やプラノコンベックス加工された水晶振動素子、SAWデバイスに用いられる水晶板などであっても良い。
また、圧電発振器の蓋体としても良い。
10 基板部材
20 枠部材
30 第二の枠部材
G 金(Au)
K 凹部
NC ニッケル(Ni)又はCr(クロム)
Claims (5)
- コバール、SUS、鉄ニッケル合金のいずれかから選択されてなる基板部材と、コバール、SUS、鉄ニッケル合金のいずれかから選択されてなる複数の枠部材と、を備え、
前記基板部材と前記複数の枠部材とが重ねられた状態で拡散接合されて凹部を形成していることを特徴とする電子部品用の蓋体。 - それぞれの前記枠部材の厚みと幅の値が前記基板部材の厚みの値とが同じとなっていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品用の蓋体。
- 拡散接合された前記基板部材と前記複数の枠部材とにニッケル(Ni)又はクロム(Cr)がメッキ処理されて構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子部品用の蓋体。
- ニッケル(Ni)又はクロム(Cr)がメッキ処理された前記基板部材と前記複数の枠部材とに金(Au)がメッキ処理されて構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の電子部品用の蓋体。
- 金(Au)がメッキ処理された前記複数の枠部材に金スズ(Au−Sn)からなる第二の枠部材が接合されて構成されていることを特徴とする請求項4に記載の電子部品用の蓋体。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010011373A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Kyocera Kinseki Corp | 電子部品用の蓋体及び圧電振動子並びに圧電発振器 |
JP2013520022A (ja) * | 2010-02-16 | 2013-05-30 | テールズ | 低線量率での感度を低下させた電気的、電子的、電気機械的または電気光学的構成要素を含むデバイス |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6351661A (ja) * | 1986-03-17 | 1988-03-04 | コミンコ・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレーテッド | 半導体装置用パツケ−ジのカバ−およびその製造方法 |
JPH0217662A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 耐腐食性ハーメチックシールカバー及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-06-30 JP JP2008171280A patent/JP5123079B2/ja active Active
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