JP2009544366A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 植え込み型医療機器であって、
   ハウジングと、
   前記ハウジングの一部分に接続され、前記ハウジングの内部に配置された超音波トランスデューサであって、該トランスデューサは伝搬周波数を有し、前記ハウジングは前記伝搬周波数で共振する、前記超音波トランスデューサと、
   前記ハウジングに接続され、前記超音波トランスデューサを覆って配置される包装体とを備え、前記包装体は、前記超音波トランスデューサの変形を曲げモードで増幅し、曲げモーメントを前記ハウジングに伝達するように適合されている、植え込み型医療機器。
2. パルス発生器を備える、請求項１記載の植え込み型医療機器。
3. 前記超音波トランスデューサは圧電材料を含む、請求項１記載の植え込み型医療機器。
4. 前記圧電材料は二フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）材料を含む、請求項３記載の植え込み型医療機器。
5. 前記超音波トランスデューサはマグネシウムニオブ酸−チタン酸鉛（ＰＭＮ−ＰＴ）を含む、請求項３記載の植え込み型医療機器。
6. 前記圧電材料はジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）材料を含む、請求項３記載の植え込み型医療機器。
7. 前記超音波トランスデューサは円形形状と、約２５．４ミリメートル以下の直径と、約３ミリメートル以下の厚さとを有する、請求項６記載の植え込み型医療機器。
8. 前記包装体は、約２５．４ミリメートル超の直径と、約４ミリメートル未満の高さと、約０．２〜１ミリメートルの表層厚さと、約３〜６ミリメートル未満の壁厚とを有する、請求項１記載の植え込み型医療機器。
9. 前記超音波トランスデューサは、約２０キロヘルツ超の機械共振周波数を有する、請求項１記載の植え込み型医療機器。
10. 前記超音波トランスデューサは、約４０キロヘルツの機械共振周波数を有する、請求項１記載の植え込み型医療機器。
11. 前記ハウジングは、ハウジングのほとんどの部分よりも薄い断面を有する薄厚化領域を含み、前記超音波トランスデューサは薄厚化領域に隣接して配置される、請求項１記載の植え込み型医療機器。
12. 前記薄厚化領域は環状形を有する、請求項１１記載の植え込み型医療機器。
13. 前記薄厚化領域は波形状または皺形状を有する、請求項１１記載の植え込み型医療機器。