JP2009543376A - 球状太陽電池と伸縮自在に連結したマイクロ集光器 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明のいくつかの典型的な態様を以下に説明する。これらの図面において、アセンブリーと配置におけるいくつかの変化を示す。図1において、スロットが、誘電性材料に切り込まれ又はソーダ石灰ガラスのような材料から注型される。ガラスのスロットは、1つの面に平面3に形成され、他方の面4の上で曲げられ、下記に図3関して示す側面溝付き半球の曲率に適合させる。スロット2は、半導体の小さな取り付け偏差を受け入れるために、平面3に僅かなテーパーを有して、スロット2に対する半導体球のきつい楔状適合を形成してもよい。
・ポリアラミドプラスチック(旭化成株式会社、アラミカ部、神奈川県川崎市川崎区夜光1−3−1)
・ポリイミドプラスチック(デュポンフィルムズ、HPFカスタマーサービス、ウィルミントン、デラゥエア州19880)
・シリコーンゴム(Sylgard(登録商標)184、シリコーン光結合接着剤、ダウコーニング社、オーバーンプラント、マイルロード530011、オーバーン、ミシガン州48611、米国)
・EVA Elvax(登録商標)(エチレン−酢酸ビニル、デュポン社、ウィルミントン、デラウェア州19880)
(1)電気接触が、伸縮性機械システムによって半導体物体に圧縮を維持する。
(2)半導体を配向させるのに、光ダイオード物体又は電極の形状を利用する。
(3)セルに適合するスロット又は穴を使用する。
(4)電気接続を保持、配向、及び移動させるのに球の平坦側面を利用する。
(5)スロットは電気接続でもある。
(6)スロットはミラーでもある。
(7)スロットもまた光を伝搬する。
(8)球上の電気接点の位置と寸法は、半導体の動作にとって有益であることができる。
(9)電気接点は、ヒューズと回路遮断の電気特性を提供する厚さを有する。
(10)電気接点はミラーであることができる。
(11)電気接点は透明であることができる。
(12)電気接点は、類似していない導電体又は金属であることができる。
(13)電気接点と半導体は、基本的に熱電気接合を形成することができる。
(14)電気接点と半導体は発光接合を形成することができる。
(15)スロットと電気接点は熱除去システムを形成する。
(16)電気接点とミラーは、光ダイオードから熱を除去するための熱導体である。
(17)アレイの背面上のコーティングは放射放出と熱除去を増進する。
(18)ミラー/レンズは熱除去システムである。
(19)ミラー/レンズは、機械的マウントと保護システムである。
(20)信頼性のある回路接続を提供するため、並直列の接続を使用する。
(21)接着剤を使用することができる。
(22)光インターフェースのブリッジ又は接着剤を使用することができる。
(23)光硬化接着剤を使用することができる。
(24)セルをスロットに固定するために粘着性材料を使用することができる。
(25)接触を形成するために球をスロットに押し込むことができる。
(26)接触を完成させるためにハンダ付けを利用することができる。
(27)電気接触の安定化を達成するために溶接を使用することができる。
(28)セルの溶接又は加熱のために電流を発生する光ダイオードとともに、電気接触の安定化を達成するためのストロボを使用することができる。
(29)ハンダ付け又は溶接を完成させるために超音波エネルギーを使用することができる。
(30)反射体又は電気回路のような光学部品を薄膜でコーティングすることができる。
(31)どちらかの側面に2つ以上の異なる接触を有する溝又は穴の中のビーズ。
(32)成形体を必ずしも使用しない(スロットに入る前に単に配向)。
(33)アレイが、レンズ/ミラーの別個の半導体牽引電気接点と黒色カバー又はミラーの構成部分のアセンブリーである。
(34)スロット又は穴は、誘電体に形成することができる。
(35)スロット又は穴は、誘電性コーティングを用いて金属に形成することができる。
(36)スロット又は穴は、誘電性コーティングと電子伝導性コーティングを用いて金属に形成することができる。
(37)成形キャビティの壁は、電気接触弾性を改良する構造を有することができる。
(38)成形キャビティの壁は、電気接触弾性のためのフルート、スリット、溝、隆起、台座、繊維を有する。
(39)キャビティの接触表面上の電気コーティングは、電気接触弾性のための繊維、粉末を有する。
(40)成形キャビティ上の接触は、伸縮性のある様々な表面である。
(41)コーティングは、真空蒸着、インクジェット印刷、粉末スプレー、スクリーン印刷、箔圧痕、ハンダ付け、スタンプ、又はラミネートのような多くの方法によって堆積又は形成することができる。
(42)シリコーンゴムを使用する。
(43)フッ素化炭化水素を使用する。
(44)ガラス、アルミニウム、銀、錫、酸化錫、鋼、銅、合金、シリコン球、Sphelar(登録商標)シリコン、電気接触を備えた球、ハンダペースト、カーボン充填塗料、TiO2、光触媒、又は白色コーティングを使用する。
(45)外側表面を清澄にするためにガラス外側表面に光触媒含浸又は屈折材料を使用し、高周波数光が光ダイオードに到着するのを阻止する。
(46)堆積を優先的に位置させるためのスロットのシャドウ又は電気回路の自己マスキングを使用する。
(47)電気接続と基材は、光ダイオードに対して光収集システムを形成することができる。
(48)光ダイオードのアレイを光濃縮光学部品に連結することができる。
(49)電気接続システムは光学構成成分であることもできる。
(50)黒色プロテクターシートは光コレクターであることもできる。
(51)光散乱を光学部品に使用することもできる。
(52)光のシンチレーション又は変換を使用することができる。
(53)電気接触と締め付けスロットの半導体ロッドは、有効な太陽電池としても作用する。
(54)逆電流の保護を組み入れる。
(55)バッテリー変換器と電力グリッドに対する変換。
(56)太陽追跡システムを使用する。
(57)スペクトル分割又はろ過を使用する。
(58)アレイの後ろに煙道又は流体チャンネルを配置し、光ダイオードのアレイを冷却するために流体又は空気の流れを使用することができる。
(59)光ダイオードのアレイの後ろに相変化材料を熱的に結合し、太陽電池アレイからの熱を吸収・蓄積することができる。
(60)太陽電池アレイの電気出力を操作するために電子機器を取付けることができる。
(61)太陽電池アレイに電池を取付け、電気エネルギーを蓄えることができる。
(62)電気接触の下に伸縮性層を使用し、電気接触を確保し、熱膨張・収縮の補償器とすることができる。
(63)太陽照準又は追跡システムに太陽電池アレイを取付ける。
(64)クランプは伸縮性であり、半導体を受け入れるために開き、接触を形成するために閉じることができる。
(65)静電学を利用して半導体を移動・保持する。
(66)磁気学を利用して半導体を移動・保持する。
(67)重力を利用して半導体を移動・保持する。
(68)付着性表面を利用して半導体を保持する。
(69)付着性表面を利用して、凹部の底で半導体を保持する。
(70)滑りやすい面を利用して、半導体の非回転接触運動を可能にする。
(71)重力を利用してガラスカバーとレンズミラーをセルと電極の中に押し込み、半導体と接点の間に圧縮を維持することができる。
2 スロット
3 平坦面
4 曲面
10 外側表面上の電子導体
11 誘電性基材
12 平坦面上の第1電子導体コーティング
13 スロット
14 スロットの丸い空間側面上の第2電子導体
15 材料の外側平坦面上の電子導体
16 成形ホールの底
17 伸縮性基材皮膜
20 第1外側電子導体
21 誘電性基材
22 スロットの第1導電体
23 球体の内側ドーピング領域上の接触
24 外側ドーピング層
25 球体のドーピングされた内側部分
26 球体の外側ドーピング領域上の電気接触
27 スロットの外側曲面区域上の電気接触
28 誘電性基材の外側表面上の電気接触
29 球形半導体の反射防止コーティング
30 スロット接着剤又はシリコーンコーティングの底
31 スロット又はコーティングの底
32 平坦な側面又はビーズ
33 平坦な側面又はスロット
35 導体コーティング
36 ホールの平坦スロット上の導体コーティング
37 誘電性基材内のホール
38 電気開路
39 外側表面上の導電体
40 ホールの球形面上の電気コネクタ導体
49 透明な誘電性シーラント
50 透明なレンズ/ミラーの光学部品2D又は3D
51 ミラー位置の導電体
52 半導体
53 半導体上の第2接触
54 導電体と外側シリーズのアレイ接触
55 反対面電気接触上の導電体
56 保護バックプレート
57 誘電性シーラント
58 反射防止コーティングとガラス保護剤
59 誘電性シーラント
60 屈折媒体材料
61 上側レンズ
62 下側ミラー
63 光ダイオードのカップ
64 外側導電体
65 半導体
66 誘電性基材
67 反射体又は散乱体であることができるバックプレート
68 裏側コーティングの反射体又は散乱体
69 成型されたスロット
85 シリコーンゴムのシーラント
70 上側レンズの横断面
71 電気コネクタとミラーの横断面
72 透明な材料の横断面
73 半導体球体に対する電気接触
74 半導体球体
75 球体に対する丸い側面の電気接触
76 球体に対する複数の電気接触の横断面
77 電気接触のコーティング
78 PN接合と電気接触を備えた半導体球体
79 電気的開路
80 第2電気接触
81 セル間の六角形の分離。このセルは四角形の装填であってもよい。
90 鋳造された誘電性基材
91 導電性皮膜
92 平坦面と内側材料上の電気接触
93 内側のドーピングされた半導体
94 外側のドーピングされた層
95 外側のドーピングされた表面上の接触
96 曲面接触
97 接触電極
98 ホールの鋭い四角面に適合しない逆半導体
99 外側表面のドーピング層
100 内側ドーピング層
101 平坦面の電気接触
102 平坦面の接触
103 平坦面のホール誘電体を備えた鋳造半球体。シンチレーターであることもできる。
104 曲面の電気接触
105 静電的導電性皮膜
106 外側表面を黒くした裏側反射体又は散乱体
107 黒くした外側表面
108 鋳造したスロット又はホール
110 形成された透明なレンズとミラー
111 電気接続タブ
112 電子伝導コーティング
113 誘電性基材
114 黒い金属板
115 半導体球体
116 電気出力接続
117 反射防止コーティングTiO2及び/又は引掻き防止又は磨耗防止又は他の最適な濃縮策又は紫外線フィルタ
118 電子部品又はバッテリー
119 熱的相変化材料
120 絶縁された容器又はボックス
121 ファンモーター又はアクチュエータ
122 空気の流れ
123 ファン又はバルブ
124 ヒートパイプ又は熱循環システム
125 黒くした背面
126 光結合とシール材料
109 空気の隙間
127 誘電性基材層
128 伸縮性層
129 レンズ表面で低角度の光線
130 レンズ
131 光線
132 光ダイオード
133 光ダイオード基材表面と電極
134 電気的開路
125 第2電極と光反射体
136 光線
137 フレネルレンズ
138 光ダイオード
139 誘電性基材
140 第1電気接触と反射体
141 透明な誘電体窓
142 光ダイオード
143 光線
144 電気接触
145 放物線反射体
162 空気又は透明媒体
164 透明電極
146 透明窓
147 第2反射体
148 光線
149 第1反射体
150 光ダイオード
151 導電体
152 誘電性基材
153 空気又は透明媒体
155 高屈折率層
156 次の高屈折率層
157 三番目の高屈折率層
158 光線
159 導電体
160 光ダイオード
161 最小屈折率
165 光線
166 高い色収差の屈折率材料(又は干渉格子)
167 電気接触と反射体
168 緑の光ダイオード
169 青の光ダイオード
170 赤の光ダイオード
171 赤の光線
172 緑の光線
173 青の光線
174 反射防止コーティング
175 光線
176 レンズ
177 青色光線
178 赤色光線
179 赤色光線の焦点
180 青色光ダイオード層上の青色光のスポット又はゾーン
181 赤色光の光ダイオード層
182 中央電気接触
183 外側層接触
184 緑色光吸収層
199 緑色光の光子
270 外側リム接触
271 外側光ダイオード層
272 中間光ダイオード層
273 中央電気接触
274 中央光ダイオード層
275 中央電気接触
280 電気接触
281 リムの電気接触
282 外側光ダイオード層
283 中間光ダイオード層
284 中央光ダイオード
285 中央電気接触
286 中央電気接触
287 電気接触
288 誘電性基材
289 裏側電気接触
290 中間光ダイオード層
291 外側光ダイオード層
292 外側リム電気接触
293 鋳造ガラスのカバーレンズ又はミラー
294 伸縮性の透明な界面材料
295 誘電性材料のスロット又はキャビティ
185 音源
186 音波
187 テフロン(登録商標)表面
188 成形された半導体ビーズ
189 ビーズの平坦面
190 裏側電極表面
191 高電圧源
192 電気接地
193 プッシャー板又はグリッドの接地表面
200 プッシャー板
201 板上の配列した球体
202 プッシャー板上の成形されたスロット
203 プッシャー板上の半球形の成形された凹部
204 テフロン(登録商標)表面の誘電体
205 金属板
210 誘電性基材クランプ
211 電気接触とミラー
212 成形されたキャビティ
213 非対称光ダイオードのビード
214 電気接触
215 成形されたプッシャーの底のシリコーンゴムの接触表面
216 プッシャー板
217 テフロン(登録商標)皮膜
218 バックプレート
219 誘電性成形基材とミラーの上の第2電極
220 ビーズの平坦面上の第2接触
221 ビーズの平坦面
222 プッシャー板上の成形されたキャビティ
230 外側の透明な反射防止・保護コーティング
231 屈折性誘電性材料のレンズミラー
232 誘電性の光学的透明接着剤又は光結合材料
233 半導体の光ダイオード
234 光学的透明接着剤又は光結合材料
235 低摩擦係数を有することができる誘電性コーティング
236 低摩擦係数を有することができる誘電性コーティング
237 リムの接触電極
238 リムの接触電極
239 裏側誘電性基材と電気接触セパレーター
240 中央の導電性中央接触
241 裏側誘電性基材
242 光ダイオードの中央接触に対する電気接触と回路
243 光ダイオードの中央接触と隣接光ダイオードのリム接触の間のビア電気接続
250 出力接続、操作上は性の極性
251 ブス電気接続
252 光ダイオード
253 誘電性絶縁体のサーミスタ又はバリスター上の細い線又は金属皮膜
254 逆電流チェックダイオード
255 ブス電気接続
256 操作上は負の電気接続
257 バイパスダイオード
258 誘電体又はバリスター上の薄膜導電体
Claims (82)
- 直接的又は間接的光子コンバータ又は発生器、並びに、
繰返しの成形された顆粒の半導体物体、該半導体物体を保持するためのスロット、穴、複数スロット又は複数穴、該半導体物体又は複数物体への光導管、及び該スロット又は穴の一部である少なくとも2つの電極であって弾性圧縮を伴って各半導体物体に接触する電極、
を含んでなる装置。 - 該光導管が、ミラー、レンズ、透明材料、シンチレーター、ケイ光体、散乱表面、又は回折もしくは干渉構造体をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 該光導管が、光を光子コンバータに濃縮するミラー、屈折媒体、レンズ、シンチレーター、ケイ光体、散乱表面、又は干渉構造体をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 該成形された半導体物体の一面に適合するように成形されて該半導体物体に光を濃縮する平坦でない透明で屈折性のカバーをさらに備え、該物体は電気接続されて太陽電池アレイを形成する、請求項1に記載の装置。
- 該穴、スロット、複数穴又は複数スロットが、該半導体物体の形状に適合するように成形される、請求項1に記載の装置。
- 各半導体物体がある形状を有し、各スロット又は穴がある形状を有することで、不適切な電気接続を形成する方向の組み立てを許容しない、請求項1に記載の装置。
- 各半導体物体がある形状と構造を有し、各スロット又は穴がある形状と構造を有することで、半導体物体への弾性圧縮をもたらす、請求項1に記載の装置。
- 各半導体物体がある形状と構造を有し、各スロット又は穴がある形状と構造を有することで、光ダイオード又は熱電対を形成する各半導体物体の2つの異なる領域に、少なくとも2つの電極の弾性圧縮をもたらす、請求項1に記載の装置。
- 各半導体物体が、各スロット又は穴の形状と構造に適合する特定の繰返し形状の構造を有し、該半導体物体が、該スロット又は穴と光透過性カバーの間に配置されたとき、光ダイオードを形成する各半導体物体の2つの異なる領域に、少なくとも2つの電極の弾性圧縮又は弾性抑制をもたらす、該半導体物体の一面に配置された光透過性カバーをさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 各半導体物体が、ある形状と構造を有して光透過性誘電性カバーを備え、各スロット又は穴は、ある形状と構造を有することで、光ダイオードを形成する各半導体物体の2つの異なる領域に、少なくとも2つの電極の弾性圧縮又は弾性抑制をもたらす、請求項1に記載の装置。
- 各半導体物体が、ある形状と構造を有して光透過性誘電性カバーを備え、各スロット又は穴は、ある形状と構造を有することで、光ダイオードを形成する各半導体物体の2つの異なる領域に、少なくとも2つの電極の弾性圧縮又は弾性抑制をもたらし、
該光ダイオードは、該光透過性誘電性カバーを通って屈折、回折、散乱、干渉、ケイ光発光、又は反射した、及び/又は該電極から反射、屈折、散乱、回折、干渉、又はケイ光発光した光を濃縮する、請求項1に記載の装置。 - 各成形された半導体物体が、該穴又はスロットの一部として2つ又はそれ以上の電極を有する各スロット又は穴を用いることによって電気接続され、
各スロット又は穴は、ある形状と構造を有することで、電気接触をして光ダイオードを形成する各半導体物体の2つの異なる領域に2つの電極の弾性圧縮又は弾性抑制をもたらし、
光透過性誘電性カバーを通って屈折、回折、散乱、干渉、ケイ光発光、又は反射した、及び/又は該電極から反射、屈折、散乱、回折、干渉、又はケイ光発光した光を濃縮する成形された光透過性誘電性カバーをさらに備える、請求項1に記載の装置。 - 各成形された半導体物体が、該穴又はスロットの一部として2つ又はそれ以上の電極を有する各スロット又は穴を用いることによって電気接続され、
各スロット又は穴は、ある形状と構造を有することで、電気接触をして光ダイオードを形成する各半導体物体の2つの異なる領域に少なくとも2つの電極の弾性圧縮又は弾性抑制をもたらし、
さらに、光透過性誘電性カバーを通って屈折、回折、散乱、干渉、ケイ光発光、又は反射した、及び/又は該電極から反射、屈折、散乱、回折、干渉、又はケイ光発光した光を濃縮する成形された光透過性誘電性カバー、該電極と外側伸縮性カバーの間の伸縮性誘電性材料、及び該光透過性誘電性カバーと該半導体物体及び/又は該外側伸縮性カバーの間の光透過性誘電性材料を備える、請求項1に記載の装置。 - 各穴又はスロットが弾性構造体であり、弾性的にこじ開けて半導体を受け入れた後、こじ開ける力を緩めることができ、又は半導体物体を穴又はスロットに押し込んで、該半導体物体が該弾性構造体からの圧縮力下に維持される、請求項1に記載の装置。
- 各半導体物体が、ある形状と構造を有し、光透過性誘電性カバーをさらに備え、各スロット又は穴は、ある形状と構造を有することで、光ダイオードを形成する各半導体物体の2つの異なる領域に2つの電極の弾性圧縮をもたらし、該電極は、一緒に溶接、拡散、ハンダ付け、又はロウ付けされ、該光透過性誘電性カバーとスロット又は穴構造体は互いに固定される、請求項1に記載の装置。
- 光子コンバータによって変換される光が、太陽光、熱放射、放射光発光、電気的光源からのケミカルライト発光、又はレーザー光である、請求項1に記載の装置。
- 光導管と該スロット又は穴構造体が、接着剤、ハンダ付け、溶接、クランプ、ファスナー、又は連結構成成分を用いて互いに固定される、請求項8に記載の装置。
- 該電極が、真空蒸着、粉末堆積、インクジェット印刷、ラミネート、箔エンボス加工、プラズマ溶射、電気メッキ、接着剤、又は混和によってスロット、複数スロット、穴、又は複数穴に固定される、請求項1に記載の装置。
- 各成形された半導体物体が、該半導体物体をスロット又は穴の中で配向させるために用いられる平坦領域を有する、請求項1に記載の装置。
- 少なくとも1つの半導体物体がドーピングされ、電子過剰領域と正孔過剰領域を形成して数勾配を形成し、該少なくとも2つの電極が、該電子過剰領域と接触する導電体、該正孔過剰領域と接触する導電体、及び光ダイオードを形成する外部電圧勾配を備える、請求項1に記載の装置。
- 少なくとも1つの半導体物体が、該半導体物体に対する2つの異なる材料の電子伝導性接点を用い、熱電気接合、複数の熱電気接合、電子トンネル接合、複数の電子トンネル接合、熱イオン接合、又は複数の熱イオン接合を形成する、請求項1に記載の装置。
- 太陽電池、発光体、電気変換器への熱エネルギー、又は冷却装置として使用される、請求項1に記載の装置。
- 光反射体、屈折性反射体、散乱体、シンチレーター、又はケイ光体のいずれかの集光システムでもある電気接続をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 該光導管が、形成された光ダイオードに連結される光濃縮光学部品である、請求項1に記載の装置。
- 該形成されたスロットもしくは穴又は複数スロットもしくは複数穴が、該光導管の一部である、請求項1に記載の装置。
- 該形成されたスロットもしくは穴又は複数スロットもしくは複数穴が、光収集構成成分としても役立つ電気キャリアを有する、請求項1に記載の装置。
- 誘電性材料に囲まれ又はその上に存在し、少量の導電体を有することによってヒューズとしても機能する電気接続をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 該電極が、導電性の箔、薄膜、繊維、マトリックス、台座、毛状物、布帛、メッシュ、粉末、伸縮性の多様な表面、又は表面上の皮膜からなる、請求項1に記載の装置。
- 該電極が、スパッタリング、蒸着、プラズマスプレー、粉末スプレー、インクジェット印刷、スクリーン印刷、電気メッキ、又は箔ラミネートの技術によって誘電性基材上に堆積される、請求項1に記載の装置。
- 該電極が、別の伸縮性電子伝導性材料の上の伸縮性誘電性材料によって支持される、請求項1に記載の装置。
- 電極の弾性圧縮が、弾性的に、異なる熱膨張の寸法成分の相違を橋渡しする又は和らげる、請求項1に記載の装置。
- 該電極が、電気接点を有し、光導管、光学構成成分、電気接点、及び界面材料の構造が、折り曲げ、ディンプル、多形表面、曲面、又は屈曲に形成され、材料間の熱膨張応力を方向変更又は消散させる、請求項1に記載の装置。
- 該光学構成成分、該電気接点、及び該界面材料が、折り曲げ、ディンプル、多形表面、曲面、又は屈曲に形成され、該弾性抑制に隣接する流体への放射伝熱又は熱伝達を改良する、請求項32に記載の装置。
- 該接点の1つの外側表面に、放射放出又は対流を促進する伝熱構造又は材料コーティングをさらに備える、請求項33に記載の装置。
- 該成形された半導体が、穴又はスロットの中に配置される前に、低摩擦面の上で配向され、移動され、保持される、請求項1に記載の装置。
- 該スロット又は穴が、該電極の一部の上にコーティングされた誘電性皮膜を有する、請求項1に記載の装置。
- 該スロット又は穴が、穴の一部に堆積したフッ化炭素又はシリコーン潤滑剤の低摩擦係数の誘電体を有する、請求項1に記載の装置。
- 重力、帯電、電界、又は磁場をさらに使用し、半導体の配向又は半導体の保持をすることができる、請求項1に記載の装置。
- 形成されたスロット又は穴の中に配置され、一時的保持面として、成形されたスロット又は穴の中で成形された半導体を保持するために使用される付着性面をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 該成形された半導体物体が、光ダイオードであって、1つ又は複数の面で研磨、切削、成形、又は平滑化された球であり、少なくとも1つの電極が該平坦面に取り付けられる、請求項1に記載の装置。
- 該成形された半導体物体が、1つ又は複数の面で研磨、切削、成形、又は平滑化された半導体の球又は顆粒体から光ダイオードを形成し、電極の少なくとも1つが該研磨面に取り付けられ、もう1つの電極が、電極を互いに接触させないようにして、成形された半導体物体の別な領域に取り付けられる、請求項1に記載の装置。
- 該成形された半導体が、ドーパント又は材料の層を用いて形成され、複数の光ダイオードを形成する、請求項1に記載の装置。
- 該光導管が、スペクトルを分割し、該成形された半導体物体の異なる領域に該分割したスペクトルを最適に配置する、請求項1に記載の装置。
- 該電極が該半導体から熱を除去する、請求項1に記載の装置。
- 光源から遮蔽されたコンバータの表面上にコーティングをさらに備え、該コーティングは、該表面からの放射熱放出又は対流を促進し、該コーティングは、隆起、繊維、フィン、ディンプル、尾根、二酸化チタン粒子、グラファイト粒子、又はカーボンブラック粒子を充填したポリマー又はゴム皮膜をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 該光導管が該半導体に熱的に連結される、請求項1に記載の装置。
- 該光導管が、該半導体を部分的又は全体的に囲むカバーもまた形成する、請求項1に記載の装置。
- 該半導体への該電気接続が、並列と直列の接続回路のアレイを形成する、請求項1に記載の装置。
- 該半導体への該電気接続が、導電体であって、該導電体が過度に高温になる、溶融する、又は蒸発したときに回路を開ける作用をするより多量の絶縁体に隣接する、請求項1に記載の装置。
- 該半導体への該電気接続が、並列と直列の接続回路のアレイを形成し、半導体間の並列電気接続が、電流フローとともに増加する抵抗を有する導電体である、請求項1に記載の装置。
- 該半導体又は電極が接着剤を用いて保持される、請求項1に記載の装置。
- 該光導管が、接着剤を用いて光ダイオードに保持される、請求項1に記載の装置。
- 該半導体又は電極が、該光導管と該半導体の間の光反射の低減をもまたする接着剤を用いて保持される、請求項1に記載の装置。
- 外側と該半導体との界面の該光導管が、相殺的干渉コーティング又は屈折率変化によって光反射を低減する表面処理を有する、請求項1に記載の装置。
- 該半導体又は電極が、光、熱、温度変化、湿度、化学物質の接触、化学物質の拡散、振動、又は輻射によって硬化を開始する接着剤を用いて保持される、請求項1に記載の装置。
- 該半導体が、スロット又は穴の中の半導体を固定する付着性材料を用いて保持される、請求項1に記載の装置。
- 該半導体と電極が、ハンダ付け、溶接、拡散、ロウ付け、又は熱伝導、高温ガスの接触、閃光の吸収、レーザー光の吸収、振動エネルギー、もしくは電流からの加熱による合金化によって電気接触を固定する、請求項1に記載の装置。
- 該電極が薄膜の電気回路である、請求項1に記載の装置。
- 該電極が、屈折性の光学部品の上に堆積した薄膜の電気回路である、請求項1に記載の装置。
- 該電極が、半導体に対して光の反射もまたする屈折性の光学部品の上に堆積した薄膜の電気回路である、請求項1に記載の装置。
- 第2の成形されたスロット、穴、又は複数穴が、該半導体を保持して位置づけるために使用され、該半導体を、形成されたスロット、穴、複数スロット、又は複数穴の中に配置する、請求項1に記載の装置。
- 多数の半導体物体、穴、及びスロットが、電気回路ネットワークを有するアレイの中に形成される、請求項1に記載の装置。
- 多数の半導体物体、穴、及びスロットが、各半導体に電気接触をする光濃縮光学部品及び該半導体と電気接触する回路ネットワークを持つアレイの中に形成される、請求項1に記載の装置。
- 多数の半導体物体、穴、及びスロットが、光変換回路を形成し、複数の半導体が並列に電気接続され、該並列に電気接続された半導体が、別の並列に電気接続された半導体に直列に電気接続され、電気マトリックスを形成する、請求項1に記載の装置。
- 多数の半導体物体、穴、及びスロットが、光変換回路を形成することができ、複数の半導体が並列に電気接続され、該並列に電気接続された半導体が、別の並列に電気接続された半導体に直列に電気接続され、電気マトリックスを形成し、該電気マトリックスは、格子を変換する並列接続半導体の周りで高電圧状態のバイパスダイオードとして作用する並列に電気接続された、スロット、複数穴、又は複数スロットに配置された半導体物体を有する、請求項1に記載の装置。
- 多数の半導体物体、穴、及びスロットが、光変換回路を形成し、複数の半導体が並列に電気接続され、該並列に電気接続された半導体が、別の並列に電気接続された半導体に直列に電気接続され、電気マトリックスを形成し、該電気マトリックスは、逆電流状態を阻止するダイオードとして作用する、スロット、複数穴、又は複数スロットの中に配置された半導体を備える、請求項1に記載の装置。
- 該スロット又は穴が誘電性材料に形成される、請求項1に記載の装置。
- 該スロット又は穴が、導電性材料をコーティングする誘電性材料から作成される、請求項1に記載の装置。
- 該スロット、穴、又は電極が、表面模様、隆起、粒子、尾根、フルート、フィン、毛状物、又は伸縮性のある多様な表面を有する、請求項1に記載の装置。
- 該半導体物体が、ヒ素をドーピングしたシリコン、リンをドーピングしたシリコン、SiC、InAs、CuInSe2、Cu(InGa)Se2、CuInS、GaAs、InGaP、CdTe、AlGaAs、AlGaP、Geの半導体、又はこれらの層から作成される、請求項1に記載の装置。
- 該スロット又は穴が、ガラス、ポリイミドプラスチック、ポリアラミドプラスチック、ポリエステル、フッ素化炭化水素、セラミックス、シリコーンゴムをコーティングした鋼又はアルミニウム、シリコーンフッ化炭素をコーティングした鋼又はアルミニウム;ガラスをコーティングした鋼、銅、真鍮、もしくはアルミニウム;セラミックをコーティングした鋼;又はプラスチックをコーティングした鋼もしくはアルミニウムの誘電体に作成される、請求項1に記載の装置。
- 該電極が、金、白金、パラジウム、銀、錫、アルミニウム、アンチモン、鉛、銅、亜鉛、チタン、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、ニッケル、炭素、ケイ素、鉄、クロム、バナジウム、ニオブ、ジルコニウム、インジウム、もしくはこれらの材料の1つを含む合金の導電体、又は酸化錫、酸化亜鉛、もしくはホウ素をドーピングしたダイアモンドのような導電性化合物から作成される、請求項1に記載の装置。
- ガラス、光透過性プラスチック、フッ化炭素プラスチック、又はシリコーンフッ化炭素から作成された誘電性カバーをさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 該散乱体が二酸化チタンの粒子からなる、請求項2に記載の装置。
- 該シンチレーターがアントラセンをドーピングしたプラスチック又はゴムからなる、請求項2に記載の装置。
- 該ケイ光体が、銅もしくは銀をドーピングした硫酸亜鉛、又はイットリウムアルミニウムガーネットからなる、請求項2に記載の装置。
- 該半導体が、少なくとも1つの平坦面を持つドーピングしたシリコン球からなる、請求項1に記載の装置。
- 該半導体が、ドーピングされたシリコン球、該球の内側をドーピングする1つのキャリア、及び該球の表面層をドーピングする別のキャリアを含んで作成され、該内側のドーピングされた領域を露出するのに十分な少なくとも1つの切削又は研磨された平坦面、及び内側のドーピングされた領域の露出した平坦領域に取り付けられた導電体材料のスポットを備える、請求項1に記載の装置。
- 該半導体物体が、別の同様な半導体のアレイに並列に、及び同様な半導体に直列に電気接続され、ワイヤー、ダイオード、スイッチ、ヒューズ、コンデンサー、バッテリー、燃料電池、フライホイール、DC−DCコンバータ、又はDC−ACコンバータに電気接続される、請求項1に記載の装置。
- 集光光学部品が、太陽ディスクに向く又は追跡し、光を光ダイオードに濃縮する、請求項1に記載の装置。
- 該アレイが、光源に向かないアレイ表面を覆う囲いを有し、該表面に流体を通過させ、対流、ポンプによる流体輸送、又は蒸発によって熱を除去する、請求項4に記載の装置。
- 該アレイが、光源に向かないアレイ表面を覆う囲いを有し、光ダイオードから熱を吸収して熱相転移をする材料を保持する、請求項4に記載の装置。
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