JP2009538863A - アミンの製造法 - Google Patents

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Abstract

アルデヒド及び/又はケトンと、水素と、1級アミン及び2級アミンの群から選択された窒素化合物とを、不均一系触媒の存在で反応させることによって、アミンを製造するための方法において、反応を、不均一系触媒としての懸濁触媒の使用下に行い、かつ、セミバッチ運転方式で実施し、その際、窒素化合物を一方の反応パートナーとして反応容器中に装入し、かつアルデヒド及び/又はケトンを他方の反応パートナーとして反応の過程で添加し、かつ反応の過程で、窒素化合物の達成された変換率に依存して、アルデヒド及び/又はケトンを、窒素化合物の変換率が少なくとも95%となるまで少量ずつ又は連続的に反応混合物に添加し、かつ、触媒を、完全にか又は部分的に、反応バッチの後に、次の反応バッチで再利用するために反応容器中に残留させ、かつ再利用することを特徴とする方法。

Description

本発明は、アルデヒド及び/又はケトンと、水素と、1級アミン及び2級アミンの群から選択された窒素化合物とを、不均一系触媒の存在で反応させることによって、アミンを製造するための方法に関する。
なかでも該方法生成物は、燃料添加剤(US−A−3,275,554;DE−A−2125039及びDE−A−3611230)、界面活性剤、薬剤及び植物保護剤、エポキシ樹脂用硬化剤、ポリウレタン用触媒の製造に際しての中間生成物、4級アンモニウム化合物、可塑剤、腐食抑制剤、合成樹脂、イオン交換体、繊維助剤、染料、加硫促進剤及び/又は乳化剤を製造するための中間生成物として使用される。
アルデヒド又はケトンと水素と窒素化合物との反応によってアミンを製造するために、例えば高圧法が公知である。この場合、水素化アミノ化は触媒固定床で行われ、その際、例えば、担体上にNi、Pd、Pt助触媒を有する金属触媒が使用される。
DE−A−2118283(BASF AG)は、Pd/Ag固定床触媒の使用下での、2級又は3級の脂肪族又は脂環式のアミンの製造法に関する。担体材料は、殊にSiO2である。
EP−A1−7093(BASF AG)は、Pd/Ag固定床触媒上での、N−アラルキル−2,6−ジメチルモルホリン、例えばフェンプロピモルフの製造に関する。
EP−A1−1020424(BASF AG)は、所定の酸化担体材料(例えばZrO2)を有する固定床触媒上での、N−エチル−ジイソプロピルアミンの製造に関する。
2006年3月21日の欧州特許出願番号06111505.1(BASF AG)は、アルデヒド及び/又はケトンと水素と窒素化合物とを、不均一系触媒の存在で反応させることによって、アミンを製造するための方法に関し、その際、固定床触媒は特定のシェル触媒である。
水素化アミノ化によるアミンの製造に関しては、低圧法も公知である。ここで、例えば貴金属触媒が懸濁運転法で使用される。例えば、Pd/C上でのジメチルシクロヘキシルアミン(DMCHA)の製造に関して:US−A−4,521,624(1985)(圧力範囲3.4〜40バール、温度70〜135℃)及びCN−A−1092061(1994)(圧力範囲10〜50バール)。
JP2851274B2として特許付与されたJP10081650A2(Koei Chem.)並びにJP2740828B2として特許付与されたJP02180854A2(Koei Chem.)には、特に、アセトアルデヒドとジイソプロピルアミンとから、又はアセトンとエチルアミンとから、Pd/C懸濁触媒上で、セミバッチ運転方式で、20〜200℃で、かつ有利に5〜60atmでのエチルジイソピロピルアミンの製造が記載されている。前記刊行物には、反応の終了後の反応容器からの触媒の除去が教示されており、かつ使用されるアミンの変換率の制御に関しては何ら記載されていない。
EP−A−611137(Sumitomo Chem.Comp.)は、環状ケトンの還元的アミノ化に関し、その際、後に続けて水素化される相応するイミノ化合物が第一の工程で製造される。
EP−A2−312253(Kao Corp.)には、アルコール又はアルデヒドからのN置換アミンの製造に際しての特定の銅触媒の使用が記載されている。
本発明の課題は、従来技術の1つ以上の欠点の克服下に、改善された経済的なアミンの製造法を見出すことであった。殊に該方法は、方法条件の的確な選択により、高い選択率を反応において示し、かつ繰り返し再利用可能である、高い活性の触媒を含むのが望ましい。方法生成物は、高い収率、特にまた空時収率(RZA)で生じるのが望ましい。
これに応じて、アルデヒド及び/又はケトンと、水素と、1級アミン及び2級アミンの群から選択された窒素化合物とを、不均一系触媒の存在で反応させることによって、アミンを製造するための方法において、
反応を、不均一系触媒としての懸濁触媒の使用下に行い、かつ、
セミバッチ運転方式で実施し、その際、窒素化合物を一方の反応パートナーとして反応容器中に装入し、かつアルデヒド及び/又はケトンを他方の反応パートナーとして反応の過程で添加し、かつ反応の過程で、窒素化合物の達成された変換率に依存して、アルデヒド及び/又はケトンを、窒素化合物の変換率が少なくとも95%となるまで少量ずつ又は連続的に反応混合物に添加し、かつ、
触媒を、完全にか又は部分的に、反応バッチの後に、次の反応バッチで再利用するために反応容器中に残留させ、かつ再利用することを特徴とする方法が見出された。
なかでも本発明による方法の利点には、セミバッチ運転方式で反応の過程でわずかな濃度のみの未反応のアルデヒド/ケトンが存在するに過ぎず、従って少量のみの副生成物が、例えば塩基性接触アルドール反応から形成されるに過ぎないことが含まれる。特に未反応の使用物質、水及び場合により副生成物の蒸留による分離はしばしば困難であるため、試験の過程での変換率の測定、及び高い特定の最低変換率に達するまでのアルデヒド/ケトンの意図的な添加によって、未反応の窒素成分の返送を省略することができる。
反応の運転開始は、有利に以下の順序:
(a)反応器に、反応させるべき窒素化合物及び触媒を充填する
(b)反応器を窒素でフラッシュする
(c)水素圧を、後の反応圧よりも低くなるように調節する、例えば、反応が50バールの最終圧力で行われるのが望ましい場合には10バールの圧力に調節する
(d)反応器を反応温度に加熱する
(e)水素圧を反応圧に高める
(f)カルボニル化合物を少量ずつ又は連続的に反応混合物に添加する
で行われる。
アルデヒド及び/又はケトンは、本発明による方法において、有利に、反応温度及び反応圧で、触媒と共に装入された窒素化合物に添加される。
添加は、有利に0.5〜24時間以内に、更に有利に1〜15時間以内に、連続的にか又は少量ずつ行われる。連続的な時点で、例えば30分おき又は15分おきに、又は連続的に、例えばオンライン−ガスクロマトグラフィー又はオンライン−分光法によって、変換率が試験される。変換率は、例えば、少量の試料を反応器から採取し、例えばガスクロマトグラフィーを用いて組成を分析することにより試験される。変換率(U)は、以下の式により、使用された窒素化合物から形成された生成物の量割合を、窒素化合物から形成された生成物の量割合と未反応の窒素化合物の量割合との総和で除した商から算出される:
Figure 2009538863
ここで、
2は窒素化合物から形成された生成物の物質量であり、かつ
1は未反応の窒素化合物の物質量である。
アルデヒド及び/又はケトンは、使用された窒素化合物に対してそれぞれ、少なくとも95%、有利に少なくとも96%、特に有利に少なくとも97%、例えば97.5〜99.8%の変換率に達するまでの間、供給される。
これは、反応の選択率に応じて、アルデヒド及び/又はケトンが等モル又は過剰で使用されることを意味する。使用された窒素化合物に対するアルデヒド及び/又はケトンのモル使用物質比は、有利に1.0〜3.5の範囲内、特に1.01〜1.50の範囲内、極めて特に有利に1.02〜1.25の範囲内である。
本発明の特に有利な実施態様において、アルデヒド及び/又はケトンの添加速度は、反応のそれぞれの所望の最高温度(有利に70〜180℃の範囲内)を超えないように選択される。(添加の速度は、例えば、30分当たりのアルデヒド及び/又はケトンのモルで)
アルデヒドないしケトンを窒素化合物に添加する際に、反応が生じ、その際、熱が放出される:発熱反応において水の脱離下に、中間生成物であるイミン(装入された窒素化合物が1級アミンである場合)、ないしはエナミン(装入された窒素化合物が2級アミンである場合)が形成される。その後、該中間生成物はもう1つの発熱反応において水素及び水素化触媒の存在下に反応し、生成物へと変換される(二重結合の水素化)。アルデヒド及び/又はケトンの添加を、予め定められた最高温度に達する前に遅くするか、又は、反応混合物が反応容器の熱放射により、又は外部冷却の適用下に再度冷却されるまで短時間中断することによって、反応温度を極めて容易に制御及び制限することができる。
反応の終了後、触媒を反応容器中に沈下させ、その際、 − 製造されたアミンに応じて − 場合により2つの相(有機相及び水相)が反応混合物中に生じる。その後、有機相、及び有利に場合により水相の一部が、有利にフィルターを介して反応器から搬出される。
驚異的にも、触媒が、反応の終了後に − 有利に場合により、形成された水相又は反応搬出物の形成された水相の一部と一緒に − 完全にか又は少なくとも部分的に反応容器(反応器)中に残留する場合、該触媒が極めて高い触媒活性を保持することが見出された。本発明により、再度窒素化合物を反応器中に添加し、水素を混合物に添加し、該混合物を反応温度に加熱し、次いでアルデヒド及び/又はケトンを添加することによって、後続の反応バッチを、有利に、他の触媒洗浄又は別の触媒活性化(再生)なしに反応させることができる。本発明の特別な実施態様の場合、後続の反応バッチにおいて、窒素化合物は、上記のフィルターを同じ窒素化合物で洗浄して、場合によりフィルター中に存在する触媒粒子を再度反応器中に移すという方法で、反応器中に添加される。
反応容器中での水相の部分的な残留により、後続の反応バッチにおける反応混合物中の水含分は高められる。驚異的にも、先行する平衡反応(水脱離下でのエナミンないしイミンの形成)が高められた水濃度により不利な影響を受けるのにもかかわらず、比較的多量の水の存在は、全体として反応に不利な影響を与えないことが判明した。触媒が高い活性を保持するという利点は、高められた水濃度に関する欠点に勝っているため、触媒返送における前記の手順は全体として有利である。
「反応容器中での触媒の部分的な残留」とは、特に、最初に使用された触媒の少なくとも30質量%、特に少なくとも50質量%、更に有利に少なくとも70質量%、極めて特に有利に少なくとも90質量%が、反応の実施及び有機反応生成物の分離後に反応容器中に残留することであると解釈される。
「反応容器中での水相の部分的な残留」とは、特に、反応の実施後に形成された水相の少なくとも20質量%、特に少なくとも30質量%、更に有利に少なくとも40質量%、極めて特に有利に少なくとも50質量%が、反応容器中に残留することであると解釈される。
従って、本発明による方法のもう1つの利点は、触媒の一部が空気と接触し得るか又はフィルター上に残留(材料損失)する複雑な触媒排出なしに、個々のバッチが連続的に極めて容易にかつ迅速に進行することである。複雑な触媒の取扱いなしに、方法をより確実に運転することができ、それと同時に、触媒消費を最小化し、かつ方法を迅速に(既存の装置内での性能の向上)かつより低い作業コスト(人件費の低下)で実施し得るようにすることによって、製造コストは削減される。
本発明による方法により、同様に、例えば、低下された反応速度/延長されたバッチ時間の場合、例えば少量の新鮮な触媒を添加することによって、反応を一定の触媒活性で実施することが可能となり、それにより、経時的に絶対的に不変の製品品質が可能となる。粗生成物の後処理及び精製は、それによって決定的に簡素化される。プロセスの過程で、全てのバッチにおいて例外なく、十分に同一の粗搬出物が後処理される。有用生成物(方法生成物)及び/又は副生成物の割合は十分に不変である。後続の後処理における分離処理、例えば蒸留は、経時的に不変であるか又は本質的に不変である。
本発明による方法の懸濁触媒において、触媒活性金属又はその化合物中の金属は、有利に、元素の周期律表の第8族及び/又は第9族及び/又は第10族及び/又は第11族の元素から選択されている(IUPAC表記法1985)。
本発明による方法は、有利に、懸濁触媒としての担持された遷移金属触媒の存在で実施される。本発明によれば、有利な遷移金属触媒は、特に、活性成分として、金属Pd、Pt、Ag、Ru、Rh、Ni及びPdの群から選択された1以上の金属を含有する触媒である。Pdは少なくとも1、特に唯一の活性成分として特に有利である(活性成分=触媒活性成分)。
本発明により使用することのできる触媒の担体材料として、例えば、活性炭、酸化アルミニウム、シリカゲル、CaCO3、BaSO4、ZrO2、TiO2、有利に活性炭及び酸化アルミニウム、特に有利に活性炭が挙げられる。
本発明の範囲内で特に有利な触媒は、活性炭上のPd(Pd/C)である。
上記の触媒は、有利に、(それぞれ、還元された金属、ないし、完成した触媒の還元された金属に対して、及び乾燥した触媒の全質量に対して)0.1〜25質量%、有利に0.5〜15質量%、特に有利に4〜11質量%の金属含分、特に貴金属含分を有する。このような触媒は市販されており、例えばDegussa E1002、Degussa E101、Degussa E105、Degussa E106、Engelhard C3630、Heraeus K201、Heraeus K202、Heraeus K203、Heraeus K204、Heraeus K219の商品名で入手可能である。
選択された触媒は、有利に、該触媒の量が(水不含で算出して)、反応させるべき1級アミン又は2級アミンの量に対して0.1〜20.0質量%の範囲内、特に0.5〜5.0質量%の範囲内であるような量で使用される。
懸濁触媒は、特に、1〜70質量%の範囲内、更に有利に30〜60質量%の範囲内の水含分を有する。
有利な実施態様において、本発明による方法における反応は、触媒への助触媒の添加、例えば亜鉛の供給又は助剤、例えば一酸化炭素の添加なしに実施される。
本発明による方法により、アルデヒド及びケトンを高選択率かつ高収率で相応する2級アミン及び3級アミンに変換することができる。
アルデヒド及び/又はケトンのアミノ化は、有利に液相中で実施される。
本発明の実施態様によれば、反応は、液相中か、又は、液相中に反応混合物の少なくとも50質量%を含有する液/気混合相中で実施される。
反応器として、例えば撹拌槽、オートクレーブ、ループ型反応器又は充填気泡塔が使用されてよい。有利な反応器は撹拌槽である。
液相の形成を保証するために、適当な温度−及び圧力パラメータを上記の範囲内で選択しなければならず、これはその都度使用される材料混合物に依存する。
本発明による方法は、有利に、1〜120バール、有利に5〜100バール、特に有利に10〜80バールの範囲内の絶対圧(=反応圧)で実施される。所定の温度でのアミノ化剤、アルデヒド−及び/又はケトン成分及び形成された反応生成物の部分圧の総和からなる反応器中の圧力は、有利に水素の圧入により所望の反応圧に高められる。
アルデヒド−及び/又はケトンアミノ化の本発明による方法は、有利に15〜180℃、有利に30〜170℃、とりわけ有利に70〜160℃の範囲内の温度で実施される。
有利に、0.1〜400標準立方メートル/h/(反応体積リットル)、殊に1〜20標準立方メートル/h/(反応体積リットル)の排ガス量で運転される。
より高い温度、より高い全圧及びより高い触媒量を適用することが可能である。
反応搬出物が適切に放圧された後、この反応搬出物から過剰の水素及び場合によりなおも痕跡量で存在するアミノ化剤が除去され、かつ得られた反応粗生成物は、例えば分別精留によって精製される。適した後処理法は、例えばEP−A−1312600及びEP−A−1312599(共にBASF AG)に記載されている。
本発明による方法を用いて製造可能なのは、例えば式I
Figure 2009538863
[式中、
、Rは、水素(H)、アルキル、例えばC1〜20−アルキル、シクロアルキル、例えばC3〜12−シクロアルキル、アルコキシアルキル、例えばC2〜30−アルコキシアルキル、ジアルキルアミノアルキル、例えばC3〜30−ジアルキルアミノアルキル、アリール、アラルキル、例えばC7〜20−アラルキル、及びアルキルアリール、例えばC7〜20−アルキルアリール、又は一緒になって−(CH−X−(CH−を表し、
、Rは、水素(H)、アルキル、例えばC1〜20−アルキル、シクロアルキル、例えばC3〜12−シクロアルキル、ヒドロキシアルキル、例えばC1〜20−ヒドロキシアルキル、アミノアルキル、例えばC1〜20−アミノアルキル、ヒドロキシアルキルアミノアルキル、例えばC2〜20−ヒドロキシアルキルアミノアルキル、アルコキシアルキル、例えばC2〜30−アルコキシアルキル、ジアルキルアミノアルキル、例えばC3〜30−ジアルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキル、例えばC2〜30−アルキルアミノアルキル、R−(OCRCR−(OCR)、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、例えばC7〜20−アラルキル、ヘテロアリールアルキル、例えばC4〜20−ヘテロアリールアルキル、アルキルアリール、例えばC7〜20−アルキルアリール、アルキルヘテロアリール、例えばC4〜20−アルキルヘテロアリール、及びY−(CH−NR−(CH又は一緒になって−(CH−X−(CH−を表すか、又は、
及びRは、一緒になって−(CH−X−(CH−を表し、
、R10は、水素(H)、アルキル、例えばC1〜4−アルキル、アルキルフェニル、例えばC7〜40−アルキルフェニルを表し、
、R、R、Rは、水素(H)、メチル又はエチルを表し、
Xは、CH、CHR、酸素(O)、硫黄(S)又はNRを表し、
Yは、N(R10、ヒドロキシ、C2〜20−アルキルアミノアルキル又はC3〜20−ジアルキルアミノアルキルを表し、
nは、1〜30の整数を表し、かつ
j、k、l、m、qは、1〜4の整数を表す]のアミンである。
それゆえ、本発明による方法は有利に、式VIもしくはVII
Figure 2009538863
のアルデヒド及び/又はケトンを、式III
Figure 2009538863
[上記式中、
、R、R及びRは、上で挙げられた意味を有する]の窒素化合物と反応させることによる、アミンIの製造に用いられる。
基R及びRの定義から明らかであるように、反応は相応するアミノケトン又はアミノアルデヒド中で分子内でも行われうる。
従って、アミンIの製造のために、純粋に形式的に、窒素化合物IIIの水素原子が、水1モル当量の脱離下にR(R)CH−基によって置換される。
化合物I、III、VI及びVIIにおける置換基R〜R10、変項X、Y及び係数j、k、l、m、n及びqは、互いに無関係に以下の意味を有する:
、R、R、R、R、R、R、R、R、R10
−水素(H)、(R及びRは、両方同時にHではない)、
、R
−アルキル、例えばC1〜20−アルキル、有利にはC1〜14−アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、s−ペンチル、ネオペンチル、1,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシル、イソヘキシル、s−ヘキシル、シクロペンチルメチル、n−ヘプチル、イソヘプチル、シクロヘキシルメチル、n−オクチル、イソオクチル、2−エチルヘキシル、n−デシル、2−n−プロピル−n−ヘプチル、n−トリデシル、2−n−ブチル−n−ノニル及び3−n−ブチル−n−ノニル、
−ヒドロキシアルキル、例えばC1〜20−ヒドロキシアルキル、有利にはC1〜8−ヒドロキシアルキル、とりわけ有利にはC1〜4−ヒドロキシアルキル、例えばヒドロキシメチル、1−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシエチル、1−ヒドロキシ−n−プロピル、2−ヒドロキシ−n−プロピル、3−ヒドロキシ−n−プロピル及び1−(ヒドロキシメチル)エチル、
−アミノアルキル、例えばC1〜20−アミノアルキル、有利にはC1〜8−アミノアルキル、例えばアミノメチル、2−アミノエチル、2−アミノ−1,1−ジメチルエチル、2−アミノ−n−プロピル、3−アミノ−n−プロピル、4−アミノ−n−ブチル、5−アミノ−n−ペンチル、N−(2−アミノエチル)−2−アミノエチル及びN−(2−アミノエチル)アミノメチル、
−ヒドロキシアルキルアミノアルキル、例えばC2〜20−ヒドロキシアルキルアミノアルキル、有利にはC3〜8−ヒドロキシアルキルアミノアルキル、例えば(2−ヒドロキシエチルアミノ)メチル、2−(2−ヒドロキシエチルアミノ)エチル及び3−(2−ヒドロキシエチルアミノ)プロピル、
−R−(OCRCR−(OCR)、有利にはR−(OCHRCHR−(OCR)、とりわけ有利にはR−(OCHCHR−(OCR)、
−アルキルアミノアルキル、例えばC2〜30−アルキルアミノアルキル、有利にはC2〜20−アルキルアミノアルキル、とりわけ有利にはC2〜8−アルキルアミノアルキル、例えばメチルアミノメチル、2−メチルアミノエチル、エチルアミノメチル、2−エチルアミノエチル及び2−(イソプロピルアミノ)エチル、(R)HN−(CH
−Y−(CH−NR−(CH
−ヘテロアリールアルキル、例えばC4〜20−ヘテロアリールアルキル、例えばピリド−2−イルメチル、フラン−2−イルメチル、ピロール−3−イルメチル及びイミダゾール−2−イルメチル、
−アルキルヘテロアリール、例えばC4〜20−アルキルヘテロアリール、例えば2−メチル−3−ピリジニル、4,5−ジメチル−イミダゾール−2−イル、3−メチル−2−フラニル及び5−メチル−2−ピラジニル、
−ヘテロアリール、例えば2−ピリジニル、3−ピリジニル、4−ピリジニル、ピラジニル、ピロール−3−イル、イミダゾール−2−イル、2−フラニル及び3−フラニル、
、R、R、R
−シクロアルキル、例えばC3〜12−シクロアルキル、有利にはC3〜8−シクロアルキル、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル及びシクロオクチル、とりわけ有利にはシクロペンチル及びシクロヘキシル、
−アルコキシアルキル、例えばC2〜30−アルコキシアルキル、有利にはC2〜20−アルコキシアルキル、とりわけ有利にはC2〜8−アルコキシアルキル、例えばメトキシメチル、エトキシメチル、n−プロポキシメチル、イソプロポキシメチル、n−ブトキシメチル、イソブトキシメチル、s−ブトキシメチル、t−ブトキシメチル、1−メトキシエチル及び2−メトキシエチル、とりわけ有利にはC2〜4−アルコキシアルキル、
−ジアルキルアミノアルキル、例えばC3〜30−ジアルキルアミノアルキル、有利にはC3〜20−ジアルキルアミノアルキル、とりわけ有利にはC3〜10−ジアルキルアミノアルキル、例えばN,N−ジメチルアミノメチル、(N,N−ジブチルアミノ)メチル、2−(N,N−ジメチルアミノ)エチル、2−(N,N−ジエチルアミノ)エチル、2−(N,N−ジブチルアミノ)エチル、2−(N,N−ジ−n−プロピルアミノ)エチル及び2−(N,N−ジ−イソプロピルアミノ)エチル、3−(N,N−ジメチルアミノ)プロピル、(RN−(CH
−アリール、例えばフェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、1−アントリル、2−アントリル及び9−アントリル、有利にはフェニル、1−ナフチル及び2−ナフチル、とりわけ有利にはフェニル、
−アルキルアリール、例えばC7〜20−アルキルアリール、有利にはC7〜12−アルキルフェニル、例えば2−メチルフェニル、3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、2,4−ジメチルフェニル、2,5−ジメチルフェニル、2,6−ジメチルフェニル、3,4−ジメチルフェニル、3,5−ジメチルフェニル、2,3,4−トリメチルフェニル、2,3,5−トリメチルフェニル、2,3,6−トリメチルフェニル、2,4,6−トリメチルフェニル、2−エチルフェニル、3−エチルフェニル、4−エチルフェニル、2−n−プロピルフェニル、3−n−プロピルフェニル及び4−n−プロピルフェニル、
−アラルキル、例えばC7〜20−アラルキル、有利にはC7〜12−フェニルアルキル、例えばベンジル、p−メトキシベンジル、3,4−ジメトキシベンジル、1−フェネチル、2−フェネチル、1−フェニルプロピル、2−フェニルプロピル、3−フェニルプロピル、1−フェニルブチル、2−フェニルブチル、3−フェニルブチル及び4−フェニルブチル、とりわけ有利にはベンジル、1−フェネチル及び2−フェネチル、
−R及びR又はR及びRは一緒になって−(CH−X−(CH−基、例えば−(CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH)−O−(CH−、−(CH)−NR−(CH−、−(CH)−CHR−(CH−、−(CH−O−(CH−、−(CH−NR−(CH−、−(CH−CHR−(CH−、−CH−O−(CH−、−CH−NR−(CH−、−CH−CHR−(CH−、
、R
−アルキル、例えばC1〜20−アルキル、有利にはC1〜8−アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、s−ペンチル、ネオペンチル、1,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシル、イソヘキシル、s−ヘキシル、n−ヘプチル、イソヘプチル、n−オクチル、イソオクチル、2−エチルヘキシル、とりわけ有利にはC1〜4−アルキル、又は
−R及びRは一緒になって−(CH−X−(CH−基、例えば−(CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH)−O−(CH−、−(CH)−NR−(CH−、−(CH)−CHR−(CH−、−(CH−O−(CH−、−(CH−NR−(CH−、−(CH−CHR−(CH−、−CH−O−(CH−、−CH−NR−(CH−、−CH−CHR−(CH−、
、R10
−アルキル、有利にはC1〜4−アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル及びt−ブチル、有利にはメチル及びエチル、とりわけ有利にはメチル、
−アルキルフェニル、有利にはC7〜40−アルキルフェニル、例えば2−メチルフェニル、3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、2,4−ジメチルフェニル、2,5−ジメチルフェニル、2,6−ジメチルフェニル、3,4−ジメチルフェニル、3,5−ジメチルフェニル、2−、3−、4−ノニルフェニル、2−、3−、4−デシルフェニル、2,3−、2,4−、2,5−、3,4−、3,5−ジノニルフェニル、2,3−、2,4−、2,5−、3,4−及び3,5−ジデシルフェニル、殊にC7〜20−アルキルフェニル、
、R、R、R
−メチル又はエチル、有利にはメチル、
X:
−CH、CHR、酸素(O)、硫黄(S)又はNR、有利にはCH及びO、
Y:
−N(R10、有利にはNH及びN(CH
−ヒドロキシ(OH)、
−C2〜20−アルキルアミノアルキル、有利にはC2〜16−アルキルアミノアルキル、例えばメチルアミノメチル、2−メチルアミノエチル、エチルアミノメチル、2−エチルアミノエチル及び2−(イソプロピルアミノ)エチル、
−C3〜20−ジアルキルアミノアルキル、有利にはC3〜16−ジアルキルアミノアルキル、例えばジメチルアミノメチル、2−ジメチルアミノエチル、2−ジエチルアミノエチル、2−(ジ−n−プロピルアミノ)エチル及び2−(ジイソプロピルアミノ)エチル、
j、l:
−1〜4の整数(1、2、3又は4)、有利には2及び3、とりわけ有利には2、
k、m、q:
−1〜4の整数(1、2、3又は4)、有利には2、3及び4、とりわけ有利には2及び3、
n:
−1〜30の整数、有利には1〜8の整数(1、2、3、4、5、6、7又は8)、とりわけ有利には1〜6の整数。
本発明による方法において使用可能なケトンとして、上で挙げられた前提下で、実質的に全ての脂肪族及び芳香族のケトンが適している。脂肪族ケトンは直鎖状、分岐鎖状又は環状であってよく、該ケトンはヘテロ原子を含有してよい。そのうえ該ケトンは、水素化アミノ化の条件下で不活性に挙動する置換基又は官能基、例えばアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基、又は場合によっては水素化アミノ化の条件下で水素化される置換基又は官能基、例えばCC−二重結合又はCC−三重結合を含有してよい。多価ケトンがアミノ化されるべき場合、反応条件の制御を介して、アミノケトン、アミノアルコール、環状アミン又は数回アミノ化された生成物を得ることができる。
有利には、例えば以下のケトンがアミノ化して水素化される:
アセトン、エチルメチルケトン、メチルビニルケトン、イソブチルメチルケトン、ブタノン、3−メチルブタン−2−オン、ジエチルケトン、テトラロン、アセトフェノン、プロピオフェノン、p−メチルアセトフェノン、p−メトキシアセトフェノン、m−メトキシアセトフェノン、1−アセチルナフタリン、2−アセチルナフタリン、1−フェニル−3−ブタノン、シクロブタノン、シクロペンタノン、シクロペンテノン、シクロヘキサノン、シクロヘキセノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロドデカノン、アセチルアセトン、メチルグリオキサール及びベンゾフェノン。
本発明による方法において使用可能なアルデヒドとして、上で挙げられた前提下で、実質的に全ての脂肪族及び芳香族のアルデヒドが適している。脂肪族アルデヒドは直鎖状、分岐鎖状又は環状であってよく、該アルデヒドはヘテロ原子を含有してよい。そのうえ該アルデヒドは、水素化アミノ化の条件下で不活性に挙動する置換基又は官能基、例えばアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基、又は場合によっては水素化アミノ化の条件下で水素化される置換基又は官能基、例えばCC−二重結合又はCC−三重結合を含有してよい。多価アルデヒド又はケトアルデヒドがアミノ化されるべき場合、反応条件の制御を介して、アミノアルコール、環状アミン又は数回アミノ化された生成物を得ることができる。
有利には、例えば以下のアルデヒドがアミノ化して水素化される:
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、n−ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、ピバリンアルデヒド、n−ペンタナール、n−ヘキサナール、2−エチルヘキサナール、2−メチルペンタナール、3−メチルペンタナール、4−メチルペンタナール、グリオキサール、ベンズアルデヒド、p−メトキシベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、(p−メトキシフェニル)アセトアルデヒド、(3,4−ジメトキシフェニル)アセトアルデヒド、4−ホルミルテトラヒドロピラン、3−ホルミルテトラヒドロフラン、5−ホルミルバレロニトリル、シトロネラール、リスメラル、アクロレイン、メタクロレイン、エチルアクロレイン、シトラール、クロトンアルデヒド、3−メトキシプロピオンアルデヒド、3−アミノプロピオンアルデヒド、ヒドロキシピバリンアルデヒド、ジメチロールプロピオンアルデヒド、ジメチロールブチルアルデヒド、フルフラール、グリオキサール、グルタルアルデヒド並びにヒドロホルミル化オリゴマー及びポリマー、例えばヒドロホルミル化ポリイソブテン(ポリイソブテンアルデヒド)又は1−ペンテンとシクロペンテンとのメタセシスによって得られかつヒドロホルミル化されたオリゴマー。
水素の存在下でアルデヒド及び/又はケトンの水素化アミノ化に際してのアミノ化剤として、1級又は2級の、脂肪族又は脂環式又は芳香族のアミンが使用されうる。
ジアルデヒド又はオリゴアルデヒドもしくはジケトン又はオリゴケトンもしくはケトアルデヒドから、分子内水素化アミノ化によって、環状アミン、例えばピロリジン、ピペリジン、ヘキサメチレンイミン、ピペラジン及びモルホリンが製造されうる。
有利には、1級アミン又は2級アミンがアミノ化剤として、非対称に置換されたジアルキルアミン又はトリアルキルアミン、例えばエチルジイソプロピルアミン及びエチルジシクロヘキシルアミンの製造のために使用される。
例えば、以下のモノアルキルアミン及びジアルキルアミンがアミノ化剤として使用される:メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、n−プロピルアミン、ジ−n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジメチルモルホリン、イソプロピルエチルアミン、n−ブチルアミン、ジ−n−ブチルアミン、s−ブチルアミン、ジ−s−ブチルアミン、イソブチルアミン、n−ペンチルアミン、s−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、n−ヘキシルアミン、s−ヘキシルアミン、イソヘキシルアミン、ビス(2−エチルヘキシル)アミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、トルイジン、ピペリジン、モルホリン及びピロリジン。
本発明による方法によりとりわけ有利に製造されるアミンは、例えばN,N−ジ(C1〜4−アルキル)シクロヘキシルアミン(シクロヘキサノンとジ(C1〜4−アルキル)アミンとから)、ジシクロヘキシルアミン(シクロヘキサノンとシクロヘキシルアミンとから)、N,N−ジメチル−N−プロピルアミン(n−プロパナールとジメチルアミンとから)、N,N−ジメチル−N−イソプロピルアミン(アセトンとDMAとから)、N−エチル−N,N−ジイソプロピルアミン(アセトアルデヒドとN,N−ジイソプロピルアミンとから)、トリス(2−エチルヘキシル)アミン(2−エチルヘキサナールとビス(2−エチルヘキシル)アミンとから)、及びシス−4−[3−(4−t−ブチルフェニル)−2−メチルプロピル]−2,6−ジメチルモルホリン(リスメラルとシス−2,6−ジメチルモルホリンとから)である。
極めて特に有利な本発明による方法は、以下の通りである:
a)アセトアルデヒドとジイソプロピルアミンとを、有利にPd/C懸濁触媒の使用下に反応させることによって、N−エチル−N,N−ジイソプロピルアミン(ヒューニッヒ塩基)を製造するため、その際、該反応は有利に20〜100バール、特に25〜80バール、更に有利に40〜75バールの範囲内の絶対圧で、かつ有利に70〜170℃、特に80〜140℃、更に有利に90〜120℃の範囲内の温度で実施される、及び
b)2−エチルヘキサナールとビス(2−エチルヘキシル)アミンとを、有利にPd/C懸濁触媒の使用下に反応させることによって、トリス(2−エチルヘキシル)アミンを製造するため、その際、該反応は有利に20〜100バール、特に25〜80バール、更に有利に40〜75バールの範囲内の絶対圧で、かつ有利に100〜170℃、特に120〜160℃の範囲内の温度で実施される。
本願明細書中で、全てのppm表示は質量に関する。
実施例
N−エチル−N,N−ジイソプロピルアミン(EDIPA)の合成に関する実験室試験
実験室試験をBuechi社製の500ml撹拌式オートクレーブ中で実施した。ジイソプロピルアミン(DIPA)を、それぞれの懸濁触媒が組み込まれたオートクレーブ中に装入した。反応器を窒素でフラッシュした。低い水素圧を圧入し、混合物を反応温度に加熱した。水素圧を反応温度に達した後に所望の反応圧に高めた。アセトアルデヒドを試験の過程で1〜5時間以内にポンプを用いて反応圧で添加した(セミバッチ運転方式)。規則的に試料を反応器から採取し、かつガスクロマトグラフィーにより分析した。添加するアルデヒド量を、少なくとも95%のDIPA変換率が達成されるように計量し、全体で20%のアセトアルデヒドのモル過剰が生じた。撹拌機回転数は300〜1200r.p.m.であった。反応温度は100℃であり、反応圧は25バールであった。触媒として、炭素上に5%のPdを有する、炭素担持されたパラジウム含有懸濁触媒(水含分約50%)を使用した。0.03g(触媒、100%として算出)/(ジイソプロピルアミン)gの特定の触媒量、つまりDIPAに対して6質量%の水湿潤触媒を用いた。
反応搬出物をガスクロマトグラフィーを用いて分析した。測定プログラムとして、以下のものを使用した:分離カラムDB1、長さ60m;内径0.32mm;キャリアガス ヘリウム;温度プログラム:80℃、その後5℃/分で260℃へ、最終的に260℃で10分間等温。
第1表に、種々の試験の結果を示す(GC面積%での有機相の組成)。触媒活性の顕著な低下なしに、繰り返しの触媒の返送に成功した(第1表中の記述項4〜6)。
Figure 2009538863
N−エチル−N,N−ジイソプロピルアミンの工業的合成
試験を撹拌式オートクレーブ中で実施した。ジイソプロピルアミン(DIPA)2170〜4100kgを、炭素上に5%のPdを有する、炭素担持されたパラジウム含有懸濁触媒(水含分約50%)140kgが組み込まれた反応器中に装入した。反応器を窒素でフラッシュした。低い水素圧を調節し、次いで反応温度に加熱した。反応温度に達した後すぐに、水素圧を所望の反応圧に高めた。アセトアルデヒド(1130〜2233kg)を試験の過程で120〜300kg/hの供給速度で添加した。試験の過程でDIPAの変換率を測定し、少なくとも95%の変換率が達成されるようにアルデヒド量を計量した。それにより、20〜64%のアルデヒドのモル過剰が生じた。
第2表に、13の反応バッチの結果を示す(反応パラメータ及びGC面積%での有機相の組成)。触媒活性の顕著な低下なしに、12回の触媒返送に成功した。
Figure 2009538863
トリス(2−エチルヘキシル)アミン(トリス−EH)の工業的合成
試験を撹拌式オートクレーブ中で実施した。ビス(2−エチルヘキシル)アミン(ジ−EH)4000kgを、炭素上に5%のPdを有する、炭素担持されたパラジウム含有懸濁触媒(水含分約50%)40〜150kgが組み込まれた反応器中に装入した。反応器を窒素でフラッシュした。低い水素圧を調節し、次いで反応温度に加熱した。反応温度に達した後すぐに、水素圧を所望の反応圧に高めた。アルデヒド2−エチルヘキサナール(2−EH、2120〜2320kg)を引き続き連続的に添加した。試験の過程でジ−EHの変換率を測定し、少なくとも95%の変換率が達成されるようにアルデヒド量を計量した。それにより、0.1〜9%のアルデヒドのモル過剰が生じた。主な副生成物として、少量のエチルヘキサノール(E−ol)が形成された。
第3表に、33の反応バッチの結果を示す(反応パラメータ及びGC面積%での有機相の組成)。第1番目、第3番目、第8番目及び第15番目のバッチの後に、新鮮な触媒を反応器中に添加し、それにより、触媒量を最終的に150kgに高めた。バッチ16から、触媒活性の顕著な低下なしに、17回の触媒返送を実施した。
Figure 2009538863

Claims (31)

  1. アルデヒド及び/又はケトンと、水素と、1級アミン及び2級アミンの群から選択された窒素化合物とを、不均一系触媒の存在で反応させることによって、アミンを製造するための方法において、
    反応を、不均一系触媒としての懸濁触媒の使用下に行い、かつ、
    セミバッチ運転方式で実施し、その際、窒素化合物を一方の反応パートナーとして反応容器中に装入し、かつアルデヒド及び/又はケトンを他方の反応パートナーとして反応の過程で添加し、かつ反応の過程で、窒素化合物の達成された変換率に依存して、アルデヒド及び/又はケトンを、窒素化合物の変換率が少なくとも95%となるまで少量ずつ又は連続的に反応混合物に添加し、かつ、
    触媒を、完全にか又は部分的に、反応バッチの後に、次の反応バッチで再利用するために反応容器中に残留させ、かつ再利用することを特徴とする方法。
  2. 触媒を、完全にか又は部分的に、反応バッチの後に、形成された水相又は形成された水相の一部と一緒に、再利用のために反応容器中に残留させ、かつ再利用する、請求項1記載の方法。
  3. 触媒を、完全にか又は部分的に、反応バッチの後に、再利用のために反応容器中に残留させ、かつ洗浄又は再生なしに再利用する、請求項1又は2記載の方法。
  4. 反応の過程で、窒素化合物の達成された変換率に依存して、アルデヒド及び/又はケトンを、窒素化合物の変換率が少なくとも96%となるまで少量ずつ又は連続的に反応混合物に添加する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
  5. 反応を15〜180℃の範囲内の温度で実施する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
  6. 反応において、窒素化合物及び触媒を装入し、かつ、アルデヒド及び/又はケトンを、反応の所望の最高温度を超えないように選択された速度で添加する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
  7. 反応の運転開始を、以下の順序:
    (a)反応器に窒素化合物及び触媒を充填する
    (b)反応器を窒素でフラッシュする
    (c)水素圧を、後の反応圧よりも低くなるように調節する
    (d)反応器を反応温度に加熱する
    (e)水素圧を反応圧に高める
    (f)アルデヒド及び/又はケトンを少量ずつ又は連続的に反応混合物に添加する
    で行う、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
  8. 反応を液相中で実施する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
  9. 反応を、液相中か、又は、液相中に反応混合物の少なくとも50質量%を含有する液/気混合相中で実施する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
  10. 反応を1〜120バールの範囲内の絶対圧(=反応圧)で実施する、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。
  11. アルデヒド及び/又はケトンを、窒素化合物に対して1.0〜3.5倍のモル量で使用する、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
  12. 触媒活性金属又は懸濁触媒中のその化合物中の金属が、元素の周期律表の第8族及び/又は第9族及び/又は第10族及び/又は第11族の元素(IUPAC表記法1985)から選択されている、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。
  13. 懸濁触媒が、触媒活性金属としてPdを含有する担持された遷移金属触媒である、請求項1から12までのいずれか1項記載の方法。
  14. 担持された遷移金属触媒が担体としての活性炭を有する、請求項13記載の方法。
  15. 担持された遷移金属触媒が担体としての酸化アルミニウムを有する、請求項13記載の方法。
  16. 懸濁触媒が、(水なしで、触媒の全質量に対して)0.1〜25質量%の範囲内の貴金属含分を有する、請求項1から15までのいずれか1項記載の方法。
  17. 懸濁触媒が、(水なしで、触媒の全質量に対して)0.5〜15質量%の範囲内の貴金属含分を有する、請求項1から15までのいずれか1項記載の方法。
  18. 懸濁触媒が1〜70質量%の範囲内の水含分を有する、請求項1から17までのいずれか1項記載の方法。
  19. 触媒を、触媒の量が(水不含で算出して)、反応させるべき1級アミン又は2級アミンの量に対して0.1〜20.0質量%の範囲内であるような量で使用する、請求項1から18までのいずれか1項記載の方法。
  20. 反応を助触媒又は助剤の添加なしに実施する、請求項1から19までのいずれか1項記載の方法。
  21. アセトアルデヒドとジイソプロピルアミンとの反応によって、N−エチル−N,N−ジイソプロピルアミン(ヒューニッヒ塩基)を製造するための、請求項1から20までのいずれか1項記載の方法。
  22. 反応をPd/C懸濁触媒の使用下に実施する、請求項21記載の方法。
  23. 反応を、20〜100バールの範囲内の絶対圧で、かつ70〜170℃の範囲内の温度で実施する、請求項21又は22記載の方法。
  24. 2−エチルヘキサナールとビス(2−エチルヘキシル)アミンとの反応によって、トリス(2−エチルヘキシル)アミンを製造するための、請求項1から20までのいずれか1項記載の方法。
  25. 反応をPd/C懸濁触媒の使用下に実施する、請求項24記載の方法。
  26. 反応を、20〜100バールの範囲内の絶対圧で、かつ100〜170℃の範囲内の温度で実施する、請求項24又は25記載の方法。
  27. リスメラルとシス−2,6−ジメチルモルホリンとの反応によって、シス−4−[3−(4−t−ブチルフェニル)−2−メチルプロピル]−2,6−ジメチルモルホリンを製造するための、請求項1から20までのいずれか1項記載の方法。
  28. シクロヘキサノンとジメチルアミンとの反応によって、N,N−ジメチルシクロヘキシルアミンを製造するための、請求項1から20までのいずれか1項記載の方法。
  29. アセトンとジメチルアミンとの反応によって、N,N−ジメチル−N−イソプロピルアミンを製造するための、請求項1から20までのいずれか1項記載の方法。
  30. シクロヘキサノンとシクロヘキシルアミンとの反応によって、ジシクロヘキシルアミンを製造するための、請求項1から20までのいずれか1項記載の方法。
  31. プロパナールとジメチルアミンとの反応によって、N,N−ジメチル−N−n−プロピルアミンを製造するための、請求項1から20までのいずれか1項記載の方法。
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