JP2009536911A5

JP2009536911A5 -

Info

Publication number: JP2009536911A5
Application number: JP2008558433A
Authority: JP
Filing date: 2007-03-09
Publication date: 2010-04-30

Claims

固体カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）組成物であって、
カーボンナノチューブと、
少なくとも０．５重量％のＳ及び少なくとも０．５重量％のＣｌと
を含み、ラマンスペクトルにおいて１５９３〜１６０５ｃｍ^-1のピーク最大値を有する接線モード（ＴＭ）を示す、ＣＮＴ組成物。
３００Ｓ／ｃｍを超えるバルク導電率を有する、請求項１に記載のＣＮＴ組成物。
３００Ｓ／ｃｍ〜５０，０００Ｓ／ｃｍの範囲のバルク導電率を有する、請求項１又は２に記載のＣＮＴ組成物。
２０００〜５０００Ｓ／ｃｍの範囲のバルク導電率を有する、請求項１〜３のいずれかに記載のＣＮＴ組成物。
前記組成物がネットワークフィルムである、請求項１〜４のいずれかに記載のＣＮＴ組成物。
０．４０を超えるＣＮＴの体積分率を有する、請求項１〜５のいずれかに記載のＣＮＴ組成物。
５００ｎｍ未満のフィルム厚を有する、請求項１〜６のいずれかに記載のＣＮＴ組成物。
８を超えるＧ／Ｄを有する、請求項１〜７のいずれかに記載のＣＮＴ組成物。
８〜４０の範囲のＧ／Ｄを有する、請求項１〜８のいずれかに記載のＣＮＴ組成物。
１４〜１８の範囲のＧ／Ｄを有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＣＮＴ組成物。
ＣＮＴの処理方法であって、
ＣＮＴを準備し、そして
該ＣＮＴとドープ剤とを接触させること
を含み、そして、次の少なくとも一つ：
該ＣＮＴにＵＶ処理を施すこと；又は
ドープ剤を添加する前に約１４〜約２２の範囲のＧ／Ｄ比を示すように該ＣＮＴに複数の欠陥を導入すること；又は
該ドープ剤を添加する前に若しくは添加すると同時に該ＣＮＴに酸化プラズマ処理を施すこと；又は
該ドープ剤を添加する前に若しくは添加すると同時に該ＣＮＴに電子線を照射すること；又は
ドーピング触媒を使用して該ドーピング工程を触媒すること
をさらに特徴とする、ＣＮＴの処理方法。
前記ＣＮＴをＵＶオゾン処理することを含む、請求項１１に記載の方法。
異なるドーパントで連続的に処理して、異なるバンドギャップを有するナノチューブにおいて好ましいデプレッションレベルを達成することを含む、請求項１１又は１２に記載の方法。
前記ＣＮＴが５００ｎｍ未満の厚さを有するフィルムの形態にある、請求項１１〜１３のいずれかに記載の方法。
前記ＣＮＴを液状ドープ剤で処理することを含む、請求項１１〜１４のいずれかに記載の方法。
前記ＣＮＴを少なくとも６０％のドープ剤を含有する溶液で処理することを含む、請求項１１〜１４のいずれかに記載の方法。
前記ＣＮＴと液体塩化チオニルとを接触させることを含む、請求項１５に記載の方法。
前記ＣＮＴを酸素の存在下でＵＶ光により処理する、請求項１１に記載の方法。
Ｇ／Ｄ比が８〜３０の範囲になるようにＣＮＴに欠陥を導入する、請求項１１〜１８のいずれかに記載の方法。
基材と、ストレージ層と、該ストレージ層に直接接触するドープＣＮＴ層とを備える多層構造体。
前記基材がＮＩＲ又はＩＲにおいて透明である、請求項２０に記載の多層構造体。
前記基材がＺｎＳ、ＺｎＳｅ、サファイア、Ｇｅ、Ｓｉ又はそれらの組み合わせを含む、請求項２０に記載の多層構造体。
前記ドープＣＮＴ層が塩化チオニルを含む、請求項２０〜２２のいずれかに記載の多層構造体。
前記ストレージ層が塩化チオニルを含む、請求項２０〜２３のいずれかに記載の多層構造体。
前記ストレージ層が０．０１重量％未満のドーパントを含む、請求項２０〜２４のいずれかに記載の多層構造体。
前記ストレージ層が重合体を含む、請求項２０〜２５のいずれかに記載の多層構造体。