JP2009534858A - 光学マーキングを用いた素子、製造方法、及び使用 - Google Patents

Abstract

【解決手段】マーキングを備えた層組み合わせが、例えば小型電子素子用に、提案される。層組み合わせは第１層及びその上に設けられる別の剥離層を含み、パターンは剥離されたパターンのような領域によって生成される。剥離領域は、無機の、半導性の、絶縁材料から形成され、それにより剥離領域に生成されたパターンは機械で読み取り可能である。
【選択図】図１

Description

現代のマイクロエレクトロニクスでは、電子素子はしばしば識別のためにラベル付けされる。しかしながら、いくつかの素子は、素子ケーシングの外層として、低コントラスト又は透過層、例えば、充填反応樹脂（グロブトップ）、ガラス、石英、などを提示する。レーザ照射後のそのような素子の表面は、共通の光学システムを用いて認識される、十分なコントラストを示さないので、そのような素子にレーザでテキストを書き付けるのは非常に難しい。

さらに、成型又はグロブトップ組織への従来のレーザラベリングは、１５μｍよりも大きな、およそ７０μｍまでの侵入深さを有する。これは、ラベル付けされるチップへの、レーザによって引き起こされる損傷を防ぐために、アブレーションし得る又は刻み付け可能な材料の厚さが７０μｍより大きくなければならないことを意味している。従って、最低限必要な素子の高さは７０μｍより大きい値まで達する。

この問題を回避するためには、追加のラベリングフィルムはしばしばラミネーションによって素子の表面に設けられ、このフィルムがレーザラベリング後の高いコントラスト値を示す。コントラスト層に加えて、そのようなフィルムは通常、接着層も示し、結果として全体の厚さは２０μｍより大きくなり、小型素子における素子の全体の厚さ（高さ）に対し多大なる貢献をすることになる。

（小さい）素子の高さに対して非常に厳しい要求を有する素子の場合では、従ってこの方法は最適な解決方法ではない。加えて、いくつかの素子には、フィルムラミネーション及び関連する工程によって、不可避な問題がある程度起こる。従って、例えば、同時に及び並列にウエハー上に生成された素子を分離するための切断工程の後は、特に、接着フィルムは遊離する可能性がある。フィルムと素子基板との間で、調節できない熱膨張係数を示す材料の場合では、基板及びケーシングにおいて強く附加的な応力が生じ得、それは素子の寿命を制限し、初期故障及び機能不良に至り得る。

レーザラベリングの他の可能性は、表面が互いの間及び基板に関してコントラストを示すような素子の表面に１つ以上の薄い導電性金属層を設けること及びアブレーションによってレーザでそれらをラベル付けすることにある。しかし、そのようなラベル付けされたコーティングはＳＡＷ及びＦＢＡＲ素子のような電磁的に敏感な素子には使用できない。なぜなら、素子の活性構造との容量結合の結果として、使用される金属層はそのような素子の機能にかなり干渉するためである。

一形態において、本発明は、簡単な方法及び小さい高さを用いて十分に良好な光学コントラストを生成するラベル付けのようなマーキングのためのシステムを提示する。

第１の実施形態は、第１層又は第１の材料から作られる本体と、及び前者とは異なり、その上に設けられる少なくとも１つの剥離層とを備えた素子を含む。剥離層は剥離領域で少なくとも部分的に剥離され、剥離領域はパターンを形成する。剥離層は無機材料を有し、電気的に非導電性又は半導性である。剥離されない又は少なくとも部分的に剥離された剥離層で形成されたパターンは機械で読み取ることができる。

例えば、第１層又は第１本体、及び第１層とは異なり、その上に設けられる少なくとも１つの剥離層を含む層組み合わせが提示される。剥離層は、剥離領域において、部分的に剥離され、又はアブレーションされ、結果として機械で読み取ることができるパターンとなる。剥離層には、電気的に非導電性又は半導性の無機材料が使用される。

提案された層組み合わせは、パターンがレーザラベリング又は機械での自動獲得による簡単な方法で生成可能であるという利点を有する。剥離層に使用される非導電性又は半導性の材料は、後者を電磁的に敏感な従来の素子との組み合わせに適するようにするので、層組み合わせは、特に、小型の電気的な及び電子回路の素子のラベリング又はマーキングに対して有利に適する。

剥離層に適当な材料は半導体技術から知られているので、剥離層の簡単な製造及び素子の高い互換性は可能である。さらに、これらの適当な材料は、薄い厚さの層に生成でき、部分的なアブレーションによって、光学的に簡単に検出可能な、機械で読み取ることが可能なパターンが、すでに薄い層の厚さを有する層に生成されることが可能であるという利点を有する。層組み合わせの最小の層厚さの場合、パターンを備える電気的素子の全体の高さは最小値まで減少させることが可能である。剥離層の厚さは１μｍよりも小さくなるように選択することが可能であり、それは、例えば、０．００５〜０．５０μｍ、好ましくは０．０２５〜０．１５０μｍである。

既知の剥離手法と比較すると、より穏やかな状況下で第１層又は第１本体の材料よりもそれぞれより早く又はそれ故良好に剥離し得る材料を備えた剥離層を生成するのに有利である。これは、剥離層において選択的に吸収されることが可能であり、吸収される、適切な波長のレーザによって達成され得る。

剥離層は非常に薄くなることが可能なので、この層組み合わせを有する素子において、後者によって生成された付加的な張力を防ぐことが可能である。

スタンピング、接着ラベルの添付、インクジェットプリント、及び他のプリント方法のような他のラベリング方法（素子上のパターンを製造するための方法）と比較すると、前述の剥離層のレーザラベリングは最も高い柔軟性及び効率を示し、それはラベリングのための最も小さい素子表面領域を使用し、そしてラベル付けされていないものと比較して最小の付加的な層厚さを必要とする。しかし、他の剥離方法も使用され得る。素子チップ又はそれらに設けられた素子構造が損傷を受けない剥離方法を選択することが好ましい。これは特に、剥離層が直接素子チップに設けられる場合に該当する。

剥離層は有利にシリコン又はゲルマニウムを有する。これら２つの材料は簡単に、既知の方法で、薄く、同質の層上に、多数の異なる表面の材料に強い粘着力を有して、設けられる。それらは最小の電気導電性を有して設けられ、可視スペクトルにおいて十分な吸収を提供する。従って、それらに生成されるパターンは検出器を用いた適切なパターン認識によって可視スペクトルにおいて読み取ることが可能である。これらの剥離層は多くの第１層を備えた層組み合わせを可能とし、結果として生成されたパターンを機械で読み取るための困難はなく、厳密に透明又は低いコントラストであり得る。

層組み合わせが電気的な素子のマーキングに使用される場合、第１層は素子自体から、例えば素子チップ、その最上部の機能層、カバー又はケーシングから形成されることが可能である。従来のラベル付けされていない素子では、剥離層は唯一の他の適用層であり、パターンはその上に生成される。多くの素子はプラスチックでカプセル化され、それらはプラスチック、例えばエポキシドに基づいた樹脂反応成型材料で作られた表面を示す。そのような表面上で、前述の誘電層は強力な粘着力を備えて設けられることが可能である。非常に薄い層においてであっても、それらは、プラスチックと良好な光学コントラストをすでに示す。

素子の最小高さを有するべき素子、及び層組み合わせの第１層又は第１本体に対して、機能層が例えば素子のカバー又はケーシング層のように使用される場合、カバー又はケーシング層の厚さは最小化され得る。従って、パターンの準備において剥離層の部分的剥離の最中に全体的に又は少なくとも大部分に、下位の最上部の素子層（第１層又は第１本体）に対してのいかなる損傷も防ぐ必要がある。このため、剥離工程は第１層の表面まで全体的に実施されず、又は第１層及び剥離層を有する適当な材料の組み合わせは、剥離層を剥離するのに適したレーザと関連する十分に異なる剥離特性を示し、選択される。例えば、剥離層では、レーザと比較して高い吸収係数を提供する材料が選択される。後者はレーザ光線を良好に吸収するので、材料は結果として急激に熱せられ、照射された領域の剥離層の弾き飛ばし又は蒸発が可能となる。

適切な材料の組み合わせを使用することに加え、第１層又は第１本体の表面、すなわち、通常素子自体の表面を、レーザビームが散乱される又はよく反射されるような方法で、設計することも可能である。第１層の表面の散乱効果を改善するための１つの可能性は、剥離層の設置の前に、それを粗くすることである。これは、例えばガラス、クリスタル、及び類似の材料を使用したレーザの波長に対して透明な、それらの第１層に対して、特に有利である。このようにして、レーザビームは透明な第１層を通って、レーザにより損傷し得る素子構造まで達する及び前進することを妨げられる。

剥離層に対して、シリコン及びゲルマニウム、同様にいずれかの比率のそれらの合金は特に適している。シリコン又はゲルマニウムを有する剥離層は、層の光学特性を改善することによってレーザラベリングを容易にする要素でもドープ塗装され得る。そのような要素は、剥離層のより高い又は高い導電性に至らないような方法で、選択される。さらに、剥離層に対して、例えば、ガリウム砒素、炭化ケイ素、リン化インジウム、及びその他のような化合物半導体は適している。適切な蒸着方法はこれらの材料に対して同様に存在する。剥離に使用されるレーザは既知の剥離材料に対する波長に関して適応されることが可能である。

有利に、剥離層はＣＶＤ又はＰＶＤによって生成される。これらの方法は均一な層の製造を可能にする。溶液から、又は電気化学的方法によってどの第１層にもそのような層を生成することも可能である。

均一な層に加えて、ナノ粒子及び特に集合体、すなわち、ナノ粒子の高密度に充填された層を有する剥離層も適している。そのような剥離層はナノ粒子を含む懸濁液のスプレー塗布により簡単に得ることが可能である。懸濁液は、溶媒及び有利には水において実施され得、任意に結合剤又は分散剤からも構成され得る。層のスプレー塗布の後に溶媒を取り除くことにより、後者は所望の賢固に粘着した状態に変換されることが可能である。

結合剤が使用された場合、それは任意に燃え尽くされる。しかし、ナノ粒子層の安定性と、それによる磨耗に対する耐性を改善する、熱的に交互結合された結合剤を使用することも可能である。

剥離層は少なくとも２つの異なる材料のナノ粒子から構築されることが可能である。このようにして、ある層の特性を最適化すること、又はそれらを第１層の既知の材料に適応することが可能である。ここで、電気的導電性及び非導電性の粒子の組み合わせを使用することも可能であり、混合率は、剥離層全体が非導電性の状態にあるように調節される。非導電性のナノ粒子は好ましくは、可視光線または少なくとも可視光線のスペクトル範囲に対して高い又は理想的な屈折率を提供するような方法で選択されるので、剥離層に対して、高いラベリングコントラストが薄い層厚さですでに可能である。高いコントラストは、剥離領域において、剥離層がまだ完全に除去されていない及びそれぞれ基本となる第１層がまだ覆われていない場合に、すでに達成されることが可能である。

ナノ粒子の剥離層は剥離工程により、例えばレーザの直接書き込みによるレーザアブレーションによって、直接取り除かれることが可能である。しかし、機械で読み取り可能なパターンを間接的に、例えば、全表面の分解方法と比較して耐久性を有するようになる方法で、ナノ粒子を有する剥離層をレーザによって圧縮又は凝固させることにより製造することも可能であるので、剥離層の唯一圧縮された又は固定された領域は残り、パターンを形成する。

他の可能性は、剥離層におけるサーモクロミック又はフォトクロミックナノ粒子を提供することであり、それらは適切な波長のレーザを伴って照射された後、色変換を示す。このようにして、レーザ放射によって直接書き込まれることが可能な層は生成され得、層は剥離を全く、又はほんの少しだけしか必要としない。

剥離層はまた蛍光材料、特に蛍光材料に敏感なナノ粒子を有することも可能である。剥離によって生成されたパターンは、剥離層が活発に照射される場合に、明らかになる。蛍光材料は、可視光線の蛍光がＵＶ光線の照射の際に生成されるように選択されることが可能であり、従って、パターンの可読性は改善される。

剥離層はいくつかの層を示すことが可能であり、それらの少なくとも１つは前記の所望の特性を示さなければならない。例えば、剥離層に、基底層組み合わせ及びその上部の付加的なレーザ吸収層の組み合わせを使用することが可能である。基底層は、レーザ吸収層よりも、レーザ放射に対して小さい吸収性を示す場合、生成されたパターンの深さは、この結合された剥離層にうまく制限される。これは第１層及び、特に、レーザ放射に敏感で特に高い吸収性及び透過性を示す素子表面に適している。最上部の層が剥離され、基底層が覆われなくなった後、例えば第１層と剥離される層の組み合わせに対しての場合よりもより良いコントラストが生成されるような方法で、剥離層の部分層を選択することも可能である。

使用されたレーザ波長より高いアブレーション閾値を示す基底層の材料は、レーザビームによって引き起こされる損傷から素子を守るために、レーザアブレーションの停止層として機能し得る。

基底層は、また、レーザ放射に対し高い散乱性又は高い反射性を示し、アブレーション率の減少にも至る。

提示された層組み合わせは、音響表面波又はバルク波と連動する素子、すなわち、例えばＳＡＷ素子又はＦＢＡＲ素子をマーキング又はラベリングするのに特に適している。

以下、本発明をより詳細に実施形態及び関連した図を参照して説明する。本発明を説明するためのみの役割を果たす図は、単に概略的に作成され、原寸に比例してはいない。

図１は本発明の単純な実施形態を示し、剥離層ＡＳは第１層ＦＳに設けられている。くぼみで作られたパターンＭＲは剥離層ＡＳ上に生成され、剥離層は少なくとも部分的に取り除かれる。図では、剥離層ＡＳは、パターンを示す剥離領域において完全に取り除かれる。

第１層ＦＳは、例えば素子チップ自体（例えば、タンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）のような圧電性の材料）のような、いずれの層又はいずれの本体でもあり得る。好ましくは、それは素子の機能層であり得、結果として、素子カバー又は素子ケーシングの最上部層に相当し得る。従って、第１層ＦＳは、共通のチップ又は小型素子のケーシングに使用される水晶、セラミック、又は半導体層であり得る。

第１層ＦＳは、包まれていない素子（例えばむき出しのダイ）のポリマーカバー、例えば、グロブトップで覆われるチップでもあり得る。第１層ＦＳはまた、その表面が異なる材料で形成されたいくつかの領域を示す。第１層ＦＳは、電気的な及び電子回路の素子、及び、例えば、半導体素子または音響波と協働する素子のために使用される素子基板でもあり得る。従って、第１層ＦＳはマイクロ電子素子のためのシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、リン化インジウム、或いは他の半導体から作られる基板又は例えばクオーツ、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、窒化アルミニウム又は酸化亜鉛から作られる、音響波と協働する素子のために使用される圧電基盤であり得る。しかし、第１層ＦＳの表面は金属構造も示す。

カバー層ＡＳは、ＣＶＤ又はＰＶＤのような半導体技術の層蒸着法で生成され得る絶縁又は半導体層のような、電気的に絶縁した無機材料から作られた、均一に構造化された層であり得る。剥離層は酸化ケイ素、炭化ケイ素、又はその他の絶縁成分、例えば、金属酸化物、シリコン、ゲルマニウムのような半導体、又は化合物半導体、を有し得る。剥離層はドープ塗装され、合金化され、又は前述の材料の他の均一な混合を示し得る。

しかし、十分なアブレーション耐性を有する層において、前記ナノ粒子から剥離層を生成することも可能である。ナノ粒子は１つの材料から一様に作られ、その材料は前述の材料から選択される。しかし、異なるナノ粒子の混合物を含む剥離層ＡＳの組成を使用することも可能であり、導電性ナノ粒子を非導電性又は電気的に絶縁したナノ粒子から作られるマトリクスに埋め込むことも可能である。

ラベル付けにおいて、直接レーザラベリングを使用することは好ましく、その場合には剥離層の選択的な部位は剥離される。Ｓｉ又はＧｅから作られた剥離層にとって、例えば５３３ｎｍの波長を有する、例えばグリーンレーザを使用することは可能であり、下にあるポリマー（第１層ＦＳ）は透明であるので、剥離されることはできず、下層として適している。しかし、他の材料、及び剥離層及び下層の最上部素子層の他の組み合わせにおいて、他の選択的に働く波長も使用し得る。

図２は、剥離層ＡＳは、例えば、レーザビームによって剥離され得る層に加えて、例えばレーザビームと比較してアブレーション率の低下を示す基底層ＧＳからも構成される、追加の層組み合わせを示す。基底層ＧＳは第１層ＦＳ上に直接設けられる。

図３は、パターンを備えた層組み合わせの上面図を示す。ここでパターンは、例えば電気的な素子の種類番号のラベリングの形式をとる。パターンＭＲは、レーザビームを走査することによって書かれ、剥離層ＡＳを剥離することによってパターン／ラベルを生成する。

剥離層ＡＳは、特に可視光線を吸収し、例えば、可視スペクトルにおける、少なくとも１つの吸収帯域を示す。これとは関係なく、光領域において検知可能なパターンＭＲは、覆われていない、より深い層、例えば基底層ＧＳ又は第１層ＦＳの表面から生成され得る。レーザ書き込みによって覆われていない、このより深い層は、剥離されていない、無傷の剥離層ＡＳと光学コントラストを形成する。そのようなコントラストは、剥離層ＡＳが完全に取り除かれてなく、パターン領域においてのみ層厚さの縮小を示す場合にも、形成され得、その場合層厚さの縮小は剥離層ＡＳの光学特性において変化をもたらす。

しかし、剥離層ＡＳの領域の位相変換によって、剥離層ＡＳに生成され、レーザによって刻まれたパターンＭＲを生成することも可能である。そのような位相変換は化学的な又は物理的な種類のもので、例えば変更された結晶構造であり得る。化学的／物理的変換は、少なくともサーモクロミック又はフォトクロミック粒子を含む剥離層によって実施され得る。

図４は、層上に生成されたパターンを備えた層組み合わせを製造する第１の可能性を示す。このため、カバー層は第１層ＦＳに、例えば気相を介した、或いは、例えばＰＶＤ又はＣＶＤ方法によるプラズマにおける蒸着によって、最初に設けられる。図４Ａに例を示したように、多層構造のカバー層ＡＳは、従って２段階で生成される。

カバー層の生成の後、レーザビームＬＳを生成するレーザソースＬＱを用いて、カバー層ＡＳの表面は所定のパターンＭＲに従って払い落とされる。レーザビームＬＳはカバー層ＡＳの最上部層及び放射領域において吸収され、それによって、図４Ａで示されるように、蒸発又は層領域の払い落としに至る。放射は連続的な又はパルス状のビームと共に起こり得、アブレーション又は十分なコントラストを生成する他の層の変形が実施されるまで続く。コントラストが、下位層、ここではカバーの基底層ＧＳと関連して生成された場合、材料のアブレーションは、基底層ＧＳ又は下位の第１層ＦＳの表面が覆われなくなるまで、続く。図４ＢはサンプルＭＲの製造後の層組み合わせを示す。

図５Ａは、追加の、原理的な可能性を示し、素子はマーキングを備え、マーキングを使用してパターンは素子から分離して生成される。このため、最初に層組み合わせは、図１又は図２で示されるように、及び例えば図４に関連して示されるように生成される。しかし、第１層ＦＳとして、素子の機能層、特にカバーするために使用される機能層がここで使用される。この機能層（第１層）ＦＳに、前述のとおり、カバー層ＡＳは設けられ、その中にパターンＭＲが生成される。

機能層ＦＳは、通常は結晶構造の、例えば半導性の又は圧電性の又は単純に機械的にのみ安定な基板の、素子チップＢＣを示す素子のカバー層として提供され、素子構造ＢＳはその上に配置される。カバーを必要とするこれらの素子構造ＢＳは、それ自体においてパターンＭＲを備えた機能層ＦＳで知られる方法で、直ちに覆われる。機能層ＦＳは、例えばプラスチックフィルムである場合、カバーリングは機能層のラミネーションによる簡易な方法で実行され得、剥離層ＡＳ及びその上のパターンＭＲと一緒に、機能層ＦＳは層組み合わせを示す。図５Ｂは、完成した素子ＢＥを示し、それ自体の中で知られる機能層ＦＳにおいてパターンＭＲを備えた、独創的な剥離層ＡＳを付加的に示す。

この方法は、ウエハー平面上で、すなわち単体ウエハーで並列に生成される素子の多数の個別化の前に、実施され得る。素子構造ＢＳを備えた素子チップＢＣは、機能層ＦＳを有する、パターンを備えた層構造に並列に製造され得るので、パターンのこのタイプの製造は完成した素子ＢＥの上で、特に費用効率が高い及び時間が節約される方法で、実施される。機能層ＦＳをすでに示し、パターンを備えたカバー層ＡＳを示さない既知の素子と比較して、素子の全体の高さは大幅ではなく増加する。そのような組み合わせにおいて、剥離層ＡＳは、例えば５〜５００ｎｍの厚さを示し、例えば、シリコンで作られた剥離層ＡＳの場合、１００ｎｍの層の厚さは、ポリマーフィルムに対して良好なコントラストを達成するために、剥離層ＡＳにとって完全に十分である。

剥離層は、マグネトロンスパッタリングによる簡易な方法で製造され得る。

そのような剥離層において、例えば素子の種類を示すラベリングは、５３２ｎｍのグリーンレーザ及び例えば０．２ｍｍの刻み高さを備えたパターンＭＲが生成され得る。

図１又は図２、及び図５Ｂに記載の実施形態はすべて、剥離層が“完成された”素子の上に直接設けられるか否か、又は剥離層が素子チップ、例えばカバーフィルムから分離して処理され得、素子チップＢＣの上に層組み合わせとしてそのときのみ設けられる、カバー層に設けられるか否かにかかわらず、その上に生成されたパターンを備えた追加の剥離層の結果として、素子高さは大幅ではなく増加することを特徴とする。すべての場合において、高コントラスト、従って簡単に読み取りができ、特に機械で読み取り可能な、素子のラベリングが可能であり、それらの低いコントラスト表面のため、本発明の実施形態がもたらした、素子の全体の構造高さの容認できない増加なく直接ラベル付けすることに影響を受けにくい。

パターン、パターンを備えた剥離層はそれぞれ電磁気的に中性であるので、本発明は特に電磁的に敏感な素子構造を有する素子に適している。

さらに、素子、素子のカバー、又は素子ケーシングのすべての表面に事実上設けることが可能なので、本発明はすべての素子、特に小型素子にも当然ながら適している。

層の上に生成されたパターンを伴った、簡易な層組み合わせを示す。 附加的な層組み合わせを示す。 層組み合わせで生成されたパターンを上面図で示す。 層組み合わせの製造方法を示す。 層組み合わせの製造方法を示す。 マーキングを備えた素子の製造方法の他の方法を示す。 マーキングを備えた素子の製造方法の他の方法を示す。

符号の説明

ＧＳ 基底層
ＭＲ マーキング、パターン
ＦＳ 第１層
ＡＳ 剥離層
ＢＥ 素子
ＬＳ レーザビーム
ＬＱ レーザ源
ＢＣ 素子チップ
ＦＳ 機能層
ＢＳ 素子構造

Claims (27)

1. 第１の材料を有する第１層（ＦＳ）と、前記第１層は前記第１の材料から作られた層又は本体であり、
   前記第１層に設けられる少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）と、前記少なくとも１つの剥離層は前記第１の材料とは異なる第２の材料を有し、
   前記少なくとも１つの剥離層は、剥離領域で少なくとも部分的に剥離され、
   前記剥離領域ではパターンが形成され、
   前記少なくとも１つの剥離層は、電気的に非導電性又は半導性の無機材料を有し、
   前記少なくとも１つ剥離層の前記少なくとも部分的に剥離された領域において形成される前記パターンは、機械で読み取り可能である、
   ことを有する、マーキングを用いた層組み合わせ。
2. 前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）の前記少なくとも部分的に剥離された領域は光学的に検知可能なコントラストを形成する、
   請求項１に記載の層組み合わせ。
3. 前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）及び前記第１層（ＦＳ）は異なる吸収又は反射特性を示す、
   請求項１又は２に記載の層組み合わせ。
4. 前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）は約０．００５と約０．５０μｍの間の厚さを有する、
   請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の層組み合わせ。
5. 前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）はシリコン又はゲルマニウムを有する、
   請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の層組み合わせ。
6. 前記本体は、電気的又は電子回路の素子を有し、
   素子チップ（ＢＣ）の上の前記第１層（ＦＳ）又は前記本体は、素子カバー又は素子ケーシングに相当し得る、
   請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の層組み合わせ。
7. 前記第１層（ＦＳ）の表面は、前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）と比較して、その上に向けられたレーザビーム（ＬＳ）の散乱の増加を生成し得る、
   請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の層組み合わせ。
8. 前記第１層（ＦＳ）の前記表面は粗面化される、
   請求項７に記載の層組み合わせ。
9. 前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）は、ＣＶＤ又はＰＶＤによって生成された均一な層を有する、
   請求項１ないし８のうちいずれか１項に記載の層組み合わせ。
10. 前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）は、ナノ粒子の集合体を有する、
    請求項１ないし８のうちいずれか１項に記載の層組み合わせ。
11. 前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）は、少なくとも２つの異なる材料のナノ粒子の集合体を有する、
    請求項１０に記載の層組み合わせ。
12. 前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）は、電気的に導電性及び非導電性のナノ粒子を有する、
    請求項１１に記載の層組み合わせ。
13. ナノ粒子はサーモクロミック又はフォトクロミック材料を有する、
    請求項１０ないし１２のうちいずれか１項に記載の層組み合わせ。
14. 前記層組み合わせは、音響表面波と又はバルク波と協働する素子の表面に設けられる、
    請求項６ないし１３のうちいずれか１項に記載の層組み合わせ。
15. 前記素子の最上部の機能層（ＦＳ）として第１層を含む素子チップ（ＢＣ）を有し、
    前記少なくとも１つの剥離層（ＡＳ）は前記素子の前記最上部の機能層の上に配置される、
    請求項１ないし１４のうちいずれか１項に記載の層組み合わせを用いたモジュール。
16. 前記第１層の前記表面への、少なくとも１つの電気的に絶縁の又は半導性の剥離層（ＡＳ）の設置と、
    その次に、前記剥離層の剥離領域にパターンを形成するためにレーザビーム（ＬＳ）を用いて、前記剥離層の少なくとも部分的な剥離により形成されるパターン（ＭＳ）と、
    を有する、
    第１層（ＦＳ）の表面に機械で読み取り可能なパターン（ＭＳ）を生成する方法。
17. 前記剥離層（ＡＳ）の設置は、気相又はプラズマから剥離層を蒸着することを含む、
    請求項１６に記載の方法。
18. 前記剥離層（ＡＳ）の設置は、ナノ粒子の懸濁液のスプレー塗布を行うことを含む、
    請求項１６に記載の方法。
19. 前記剥離層（ＡＳ）を設置は、０．００５〜０．５０μｍの層厚さのシリコン又はゲルマニウム層の設置を含み、
    レーザビームの使用はグリーンレーザの使用を含む、
    請求項１７に記載の方法。
20. 前記剥離層（ＡＳ）又は前記レーザビーム（ＬＳ）は、前記剥離層内のレーザ吸収が第１層においてよりも大きくなる方法で、選択される、
    請求項１６ないし１９のうちいずれか１項に記載の方法。
21. 前記レーザビーム（ＬＳ）の散乱を増加させるために剥離層（ＡＳ）を設ける前に、前記第１層の前記表面を粗面化することを含む、
    請求項１６ないし２０のうちいずれか１項に記載の方法。
22. 前記レーザビームの使用は、前記第１層（ＦＳ）の前記表面が覆われなくなるまで、前記剥離層（ＡＳ）を取り除くことを含む、
    請求項１６ないし２１のうちいずれか１項に記載の方法。
23. 前記剥離層（ＡＳ）は、弾性表面波又はバルク波と協働する、覆われた又は包まれた素子の表面に設けられる、
    請求項１６ないし２２のうちいずれか１項に記載の方法。
24. 前記剥離層（ＡＳ）はカバーフィルムの前記表面に設けられ、
    前記カバーフィルムは覆うために及び弾性表面波又はバルク波と協働する、素子の保護フィルムとして設けられ、
    前記パターン（ＭＳ）は次に形成される、
    請求項１６ないし２２のうちいずれか１項に記載の方法。
25. 小型化した電気的又は電子回路の素子を提供する、
    請求項１ないし１４のうちいずれか１項に記載の層組み合わせの応用法。
26. 前記素子は５００μｍよりも小さい高さの弾性表面波又はバルク波素子を有する、
    請求項１ないし１４のうちいずれか１項に記載の層組み合わせの応用法。
27. 前記素子は、１５００μｍよりも小さい高さの弾性表面波又はバルク波素子を有する、
    請求項１ないし１４のうちいずれか１項に記載の層組み合わせの応用法。
    

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