CN105765731A - 用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 - Google Patents

Abstract

提出一种用于制造多个光电子半导体器件(100)的方法，所述方法具有下述步骤：a)提供辅助载体(2)；b)将多个半导体芯片(4)固定在所述辅助载体(2)上，其中所述半导体芯片(4)在横向方向上彼此间隔开；c)至少在所述半导体芯片(4)之间的区域(22)中构成反射层(6)；d)构成壳体本体复合件(8)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在所述半导体芯片(4)之间；e)移除所述辅助载体(2)；以及f)将所述壳体本体复合件(8)分割成多个光电子的半导体器件(100)，其中每个半导体器件(100)具有至少一个半导体芯片(4)、所述反射层(6)的一部分和作为壳体本体(82)的所述壳体本体复合件(8)的一部分。此外，提出一种光电子的半导体器件(100)。

Description

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件

技术领域

对于半导体器件如发光二极管而言如下结构形式是已知的，其中设置用于产生辐射的半导体芯片安装在预制的壳体中。对于制造特别紧凑的发光二极管而言，这种结构形式只能困难地进行小型化。

本专利申请要求德国专利申请102013112886.6的优先权，所述德国专利申请的公开内容就此通过参引并入本文。

背景技术

在现有技术中已知的对该问题的解决方案在于：构成一种壳体本体复合件，所述壳体本体复合件设置在矩阵状设置的半导体芯片之间。壳体本体复合件例如可以借助于浇注法制造。在接下来的方法步骤中，将壳体本体复合件分割为多个光电子半导体器件，使得每个被分割的半导体器件具有至少一个半导体芯片和作为壳体本体的壳体本体复合件的一部分。

在此出现如下问题：壳体本体复合件并且从而由壳体本体复合件构成的壳体本体是强吸收性的，也就是说，基本上是黑色的。这在使用经由其侧边沿发射大部分光的半导体芯片的情况下是不利的，因为该光射到壳体本体上并且被立即吸收。

此外不利的是，在具有设置在半导体芯片下游的转换层的半导体器件中，光通过在转换层中的散射而射到邻接的壳体本体上并且同样有相当大的份额被吸收。

所述问题的一个可行的解决方案在于：将通过金属化形成的连接元件设计得尽可能大面积，所述连接元件用于接触半导体芯片，并且以这种方式尽可能遮盖壳体本体的吸收光的区域。然而，在这种方法中必须使用适当的金属例如银，所述银是不耐腐蚀的。这需要构成附加的钝化层，例如通过沉积二氧化硅或者聚对二甲苯。此外，需要保持辐射出射面没有反射性的连接元件，这使得附加的结构化步骤是必要的。除了所描述的这种方法途径的困难外，这种金属化还无法解决在上文中所描述的问题：通过半导体芯片的侧边沿所发射的光被壳体本体吸收。

发明内容

目的在于：提出一种制造方法，通过所述制造方法能够制造具有紧凑结构形式和高耦合输出效率的光电子半导体器件。此外，要提出这种半导体器件。

尤其，目的是，通过在上文中所描述的机制尽可能阻止光的吸收。

这些目的尤其通过根据独立权利要求所述的方法或半导体器件实现。设计方案和有利方案是从属权利要求的主题。

提出一种用于多个光电子半导体器件的方法。根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法具有下述步骤，其中制造辅助载体。辅助载体可以柔性地构成，例如构成为薄膜，或者刚性地构成。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法具有如下步骤，其中将多个半导体芯片固定在辅助载体上。优选的光电子半导体芯片在此沿着横向方向彼此间隔开。在此并且在下文中将横向方向理解为平行于辅助载体的主延伸平面的方向。辅助载体例如可以构成为粘接薄膜，半导体芯片粘附在所述粘接薄膜上。然而，并不一定必须将多个半导体芯片直接设置在辅助载体上。半导体芯片例如设置在覆盖辅助载体的附着性的层上使得所述半导体芯片至少间接地固定在辅助载体上，这就足够了。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括下述步骤，其中至少在半导体芯片之间的区域中构成反射层。反射层在此在辅助载体的朝向半导体芯片的一侧上构成，优选直接在辅助载体上构成。优选地，反射层具有在10μm和150μm之间的厚度，特别优选在50μm和100μm之间。此外，优选的是，反射层包括散射颗粒。这些散射颗粒可以嵌入在基质中。反射层可以具有如下散射颗粒，所述散射颗粒例如由TiO₂、Al₂O₃或ZnO构成(例如具有在0.05μm和5μm之间的大小，优选在0.1μm和1μm之间的大小)。这些散射颗粒例如可以嵌入基质材料如硅酮或聚硅氧烷中，颗粒浓度在2％和50％之间、典型为20％左右。

半导体芯片尤其具有半导体本体，所述半导体本体具有设置用于产生辐射的有源区域。半导体本体、尤其有源区域例如包含III-V族化合物半导体材料。此外，半导体芯片尤其包括载体，半导体本体设置在所述载体上。载体例如是用于半导体本体的半导体层的生长衬底。替选地，载体与用于半导体本体的半导体层的生长衬底不同。在这种情况下，载体用于半导体本体的机械稳定，使得对此不需要生长衬底并且可以移除生长衬底。

移除生长衬底的半导体芯片也称为薄膜半导体芯片。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括下述步骤，其中构成壳体本体复合件，所述壳体本体复合件至少局部地设置在半导体芯片之间。以这种方式将反射层的至少一部分设置在辅助载体和壳体本体复合件之间，由此在制成的构件中阻止从辅助载体的背离半导体芯片的一侧射到壳体本体上的光的吸收。优选的是，构成在多个或者所有半导体芯片上连续的、尤其在多个或所有半导体芯片上延伸的壳体本体复合件。

壳体本体复合件尤其可以借助于浇注法来制造。在此，术语“浇注法”涵盖所有如下制造方法，其中将模塑料引入到预设的模具中并且尤其接下来使模塑料硬化。尤其，术语“浇注法”包括浇注(casting)、注射成型(injectionmolding)、转移成型(transfermolding)和模压成型(compressionmolding)。优选地，壳体本体复合件通过模压成型或者通过薄膜辅助的浇注法(薄膜辅助转移成型，Film-AssistedTransferMolding)构成。

壳体本体复合件可以具有填充的或者未填充的浇注树脂(例如环氧树脂或者硅酮)。填充度在此可以在70％和90％之间、优选在75％和85％之间，典型为80％。壳体本体复合件可以具有在50μm和500μm之间的厚度，优选在100μm和200μm之间的厚度，典型为150μm的厚度。

壳体本体复合件例如通过黑色材料形成。壳体本体复合件例如可以包含黑色的环氧化物材料(“blackepoxy”)或者由其构成。这种材料由于其在电子装置中的广泛使用而可成本特别适宜地提供并且特征在于良好的可加工性。

壳体本体复合件并在随后的方法步骤中由壳体本体复合件构成的壳体本体尤其对于在半导体器件运行时由半导体芯片待检测的或者发射的辐射以不透射辐射的方式构成并且尤其吸收性地构成。

在所描绘的方法步骤中，反射层形状配合地与在构成壳体本体复合件时所使用的浇注材料连接。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括下述步骤，其中移除辅助载体，例如通过使辅助载体脱层的方式。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括下述步骤，其中将壳体本体复合件分割成多个光电子的半导体器件，其中每个半导体器件具有至少一个半导体芯片、反射层的一部分和作为壳体本体的壳体本体复合件的一部分。

也就是说，在分割时并从而仅在半导体芯片已经位于壳体本体中的时刻，壳体本体才从壳体本体复合件中产生。分割壳体本体复合件的结果是，所产生的光电子半导体器件的侧面至少局部地未被反射层覆盖，也就是说，没有反射层。

根据所述方法的至少一个实施方式，将在构成壳体本体复合件时所使用的改型材料施加为，使得所述改型材料分别至少部分地、优选完全地覆盖半导体芯片的侧面和/或半导体芯片的后侧和/或反射层。在施加改型材料时，半导体芯片和反射层已经设置在辅助载体上。

在此并且在下文中将半导体芯片的侧面理解为半导体芯片的如下闭合面，所述闭合面沿着横向方向、即沿着平行于辅助载体的主延伸平面的方向对所述半导体芯片限界。将半导体芯片的后侧理解为半导体芯片的如下侧，所述侧背离辅助载体并且优选基本上平行于辅助载体的主延伸方向伸展。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括下述步骤，其中在移除辅助载体之后构成转换层并且被分割的半导体器件中的每一个都具有转换层的一部分。转换层优选在壳体本体复合件的一侧上构成，辅助载体在其移除之前曾设置在所述侧上。也就是说，转换层基本上取代辅助载体。

转换层尤其构成用于将在半导体芯片中产生的具有第一波长的初级辐射转换为具有不同于第一波长的更长波长的次级辐射。半导体器件例如设置用于产生混合光、尤其对于人眼而言显现为白色的混合光。

如在上文中所描述的那样，反射层至少在半导体芯片之间的区域中构成。根据所述方法的至少一个实施方式，半导体芯片的侧面和/或后侧基本上保持不被覆盖。这具有下述优点：通过反射层覆盖在半导体芯片之间的区域中的辅助载体就足够了。尽管如此由于反射层的部分例如可以与半导体芯片的侧边沿接触，所以这能够意味着：半导体芯片的侧面和后侧至少保持达到其10％的面积不被反射层覆盖。

根据至少一个实施方式，反射层也在半导体芯片的侧面和后侧上构成。由此实现：穿射半导体芯片的所提到的侧面的光也射到反射层上并且不被壳体本体吸收。即使当反射层至少覆盖所提到的侧的面积的80％、优选至少90％时，也出现这种所期望的效果。

根据所述方法的至少一个实施方式，反射层通过喷涂覆层(Spray-Coating)构成。在此，面状地沉积薄的、反射层，所述层具有基质材料如硅酮或者聚硅氧烷和嵌入在其中的尤其由二氧化钛构成的反射性的颗粒。在应用这种方法时，半导体芯片在其后侧上也被反射层覆盖。有利地，仅当壳体本体复合件通过模压成型构成时，选择借助于喷涂覆层施加反射层，因为在此必须向回磨削相对厚地施加的改型材料，以便露出半导体芯片的用于其接触的后侧。

根据所述方法的至少一个实施方式，反射层通过如下方式构成：将具有多个设置在其上的半导体芯片的辅助载体浸入到介质、尤其液体中，所述液体包括反射性的颜料或者颗粒。非金属的颗粒例如这种由二氧化钛构成的颗粒又是适合的。辅助载体优选仅以设置有半导体芯片的一侧浸入到介质中。过量的材料随后滴落。辅助载体的背离半导体芯片的一侧要么完全不浸入到介质中要么受保护以免与介质接触。

根据所述方法的至少一个实施方式，在固定半导体芯片之前，辅助载体至少局部地由能导电的种子层覆盖。反射层至少电泳沉积在种子层的子部段上，优选电泳沉积在整个种子层上。种子层可以包含金属或者由金属构成并且优选具有在20nm和100nm之间的厚度，优选在40nm和60nm之间的厚度，典型为50nm的厚度。

种子层例如可以整面地覆盖辅助载体。对此，优选种子层的厚度选择为小至使得辅助载体的粘接力不显著地受到影响。替选地，可以在使用掩模的情况下以由铝构成的种子层来覆层，其中种子层的留空部设置在如下区域中，半导体芯片要固定在所述区域中。该方法途径具有下述优点：辅助载体在半导体芯片的区域中保持其附着力。

如果半导体芯片对辅助载体足够绝缘，例如通过在半导体芯片的前侧上的钝化层、通过半导体芯片的绝缘性的载体材料或者特别是在使用具有由蓝宝石构成的载体的半导体芯片的情况下绝缘，那么在电泳覆层时，仅半导体芯片之间的区域中的辅助载体被覆层，然而半导体芯片在其侧边沿或者后侧上未被覆层。因为由此不必要从半导体芯片的后侧移除反射层，所以壳体本体复合件的构成不仅可以通过模压成型而且可以通过薄膜辅助的浇注法来实现。

而如果半导体芯片对辅助载体和施加在其上的种子层非足够绝缘(例如当在半导体芯片的前侧上缺少钝化层时)，那么在电泳覆层时由于与种子层的导电连接，所以半导体芯片的侧边沿和后侧也通过反射层覆盖。在这种情况下，通过模压成型构成壳体本体复合件是适合的，因为在此单独地使半导体芯片的后侧露出。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括下述步骤，其中仅在将半导体芯片固定在辅助载体上之后才构成种子层。种子层在此不仅覆盖半导体芯片之间的区域中的辅助载体而且覆盖半导体芯片的侧面和/或后侧。反射层再次至少电泳沉积在种子层的子部段上，优选电泳沉积在整个种子层上。

一般而言，在保持半导体芯片的后侧不被反射层覆盖的情况下，壳体本体复合件的构成不仅能够通过模压成型而且能够通过薄膜辅助的浇注法来实现。而在半导体芯片的后侧由反射层覆盖的情况下适合的是，应用薄膜辅助的浇注法，因为在此弃用壳体本体复合件的单独的向回磨削并从而不移除在半导体芯片的后侧上的反射层。例外在于，本来就可以弃用半导体芯片的后侧的接触部，因为随后以反射层来覆盖半导体芯片的后侧是无害的。然而需注意的是，以反射层在后侧覆盖半导体芯片引起热阻提高，所述热阻在许多情况下是所不期望的。

具有散射颗粒的反射层的使用相对于现有技术中已知的金属镜在反射率非常高的同时具有耐腐蚀性的优点。此外，省去了开始描述的在现有技术中所需要的附加的结构化步骤。

在电泳沉积反射层时，包含在其中的散射颗粒仅在构成壳体本体复合件时才被固定。此外，需注意的是，反射层的厚度必须设置为，使得改型材料的可能的侵入不引起反射性特性的降低。

根据所述方法的至少一个实施方式，移除半导体芯片的后侧上的不与壳体本体复合件接触的并从而未固定的反射层，例如通过清洗、擦拭或者水射束清洁来移除。

光电子半导体器件根据至少一个实施方式具有安装面和与安装面相对置的辐射出射面。此外，半导体器件具有设置用于产生和/或接收辐射的半导体芯片。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有壳体本体，所述壳体本体沿着横向方向围绕半导体芯片。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，在壳体本体上至少局部地设置有反射层，所述反射层具有尤其由二氧化钛构成的散射颗粒。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，壳体本体的侧面不被反射层覆盖。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有转换层，其中反射层至少局部地设置在转换层和壳体本体之间。

在上文中所描述的用于制造光电子半导体器件的方法特别适合于制造所述光电子半导体器件。结合所述方法所解释的特征因此也能够用于半导体器件，或者相反。

附图说明

其它特征、设计方案和适用性从接下来结合附图对实施例的描述中得出。

相同的、同类的或者起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。

附图和在附图中示出的元件彼此间的大小关系不应视为合乎比例的。更确切地说，各个元件并且尤其是层厚度为了更好的可视性和/或为了更好的理解会夸张大地示出。

附图示出：

图1A至1G、2A至2F、3A至3G、4A至4F、5A至5G、6A至6G、7A至7F和8A至8G分别根据相应在示意性的剖视图中示出的中间步骤示出用于制造光电子半导体器件的方法的实施例。

具体实施方式

在图1A至1G中示出用于制造多个光电子半导体器件的方法的第一实施例。如在图1A中所示出的那样，首先提供辅助载体2。对于辅助载体2而言，自粘薄膜例如是适合的。替选地，也可以借助于临时的粘胶来进行半导体芯片的固定。

在图1B中示出的方法步骤中，将多个半导体芯片4直接固定在辅助载体2上。半导体芯片4矩阵状地设置并且沿着横向方向、即沿着平行于辅助载体2的主延伸平面的方向彼此间隔开。

接下来的描述示例性地针对发射辐射的半导体器件进行。半导体芯片例如是冷光二极管半导体芯片，如发光二极管半导体芯片。但是与其不同的是，半导体器件也可以设置用于接收辐射并且例如具有构成为光电二极管的半导体芯片。

半导体芯片4沿着竖直方向在前侧42和后侧44之间延伸。此外，半导体芯片4具有侧面46。半导体芯片4设置在辅助载体2上，使得前侧42朝向辅助载体2。

在图1C中示出的方法步骤中，通过喷涂覆层将包含由二氧化钛构成的散射颗粒的反射层6施加到辅助载体2的固定有半导体芯片4的一侧上。反射层6不仅覆盖辅助载体2的位于半导体芯片4之间的区域22而且覆盖半导体芯片的侧面46和后侧44。

在接下来的在图1D中示出的方法步骤中，通过模压成型产生壳体本体复合件8，所述壳体本体复合件设置在反射层6上并且填充相邻的半导体芯片4之间的区域。

在接下来的在图1E中示出的方法步骤中，将壳体本体复合件8从背离辅助载体2的一侧起薄化，例如借助于机械方法如磨削来薄化，使得半导体芯片的后侧44露出。

在图1F中示出的方法步骤中，辅助载体2通过脱层来移除。在图1G中转换层10取代辅助载体，所述转换层局部地邻接于半导体芯片的前侧42以及通过其的剩余面邻接于反射层6。

为了分割成半导体器件100，可以沿着分割线12分开壳体本体复合件8。这例如能够以机械的方式如借助于锯割进行、以化学的方式例如借助于刻蚀进行，和/或借助于相干辐射如通过激光烧蚀进行。每个半导体芯片100具有至少一个半导体芯片4、反射层6的一部分和作为壳体本体42的壳体本体复合件的一部分。

在图2A至2F中示出的实施例基本上对应于结合图1A至1G所描述的实施例。与此不同的是，替代于半导体芯片4在其后侧44上的包覆成型(überformen)和接下来对壳体本体复合件8的薄化，壳体本体复合件8已经构成为，使得半导体芯片4的后侧44露出(参见图2D)。对此例如使用薄膜辅助的浇注法，所述薄膜辅助的浇注法引起：壳体本体复合件8和设置在半导体芯片的后侧44上的反射层6齐平地并排邻接。

图1A至1G以及2A至2F示出如下相同的方法步骤，即使在如下情况下也执行所述相同的方法步骤：反射层不是通过喷涂覆层而是通过将具有多个半导体芯片4的辅助载体2浸入到包括散射颗粒的液体中方式产生。

制成的光电子器件100的接触，例如通过金属的连接元件或者接合线实现的接触在附图中未详细示出。

在图3A至3G中示出所述方法的一个实施例，在所述实施例中，反射层6通过电泳构成。对此，将能导电的层14蒸镀到辅助载体2上，所述能导电的层具有在1nm和10nm之间的厚度，优选在4nm和7nm之间的厚度(图3A)。在图3B中示出的方法步骤中，将半导体芯片4固定到能传导的种子层14上。在当前的实施例中，半导体芯片4的侧面46对能传导的种子层14电绝缘。这要么可以归因于在半导体芯片4的前侧42上设置有钝化层(未示出)，所述钝化层作用为在种子层14和其余的半导体芯片4之间的绝缘层。此外，所述电绝缘可以归因于：半导体芯片4具有绝缘的载体元件，例如由蓝宝石构成的载体元件，使得，如果有的话，半导体芯片4的仅占据少量空间的区域与种子层14导电连接。

通过侧面46要么部分地要么完全地对种子层14电绝缘的方式，侧面46在图3C中所示出的通过电泳施加反射层6时保持不被覆盖。由此，反射层6仅设置在辅助载体2和壳体本体复合件8之间。在图3E中示出的方法步骤中，种子层14连同辅助载体2一起被移除，使得转换层10接下来直接在反射层6上构成。

在图4A至4F中示出所述方法的一个实施例，其中相对于在图3A至3G中所示出的实施例，使用薄膜辅助的浇注法，由此可以弃用在图3E中示出的磨削工艺。

图5A至5G示出所述方法的一个实施例，所述实施例基本上对应于在图3A至3G中示出的实施例并且同样包括下述方法步骤，其中反射层6通过电泳来施加(图5C)。不同于在图3A至3G中示出的实施例，半导体芯片4的侧面46与种子层14电连接，或者因为半导体芯片4完全不具有钝化层或者至少仅具有非常薄的钝化层，所述钝化层无法引起侧面46的充分的绝缘。由此，通过电泳施加的反射层6也覆盖半导体芯片4的侧面46和后侧44。

在这种情形下使用薄膜辅助的浇注法并非是有利的，因为在此不执行单独的薄化工艺，并且由于借助于反射层6来覆盖半导体芯片4的后侧44，仅从前侧42可接触半导体芯片4。

在图6A至6G中示出所述方法的另一实施例，其中反射层6同样通过电泳施加到种子层14上。然而不同于之前的实施例，仅当半导体芯片4已经固定在辅助载体14上(图6B)时，才施加种子层14。以这种方式，种子层14也覆盖半导体芯片4的侧面46和后侧44。因此，反射层6整面地覆盖种子层14(图6C)。在图6D和6E中，这两个所提到的层出于简化的原因未单独示出，而是显现为统一的层。在构成壳体本体复合件8以及将其薄化期间，如在上述实施例中所示出的那样进行，在图6F中示出的移除辅助载体2的方法步骤与之前的实施例的区别在于：种子层14仅在种子层邻接于辅助载体2的区域中连同辅助载体2一起被移除。在半导体芯片的侧面46的区域中，所述种子层继续被保留。如在图6G中所示出的那样，在接下来的方法步骤中，再次将转换层10构成为，使得所述转换层邻接于反射层6。

图7A至7F对应于在图6A至6F中示出的实施例，区别在于，使用薄膜辅助的浇注法，由此又可以弃用对壳体本体复合件8的向回磨削(参见图7D)。一般而言，在图7A和7F中示出的方法仅有利地应用在如下情形中，其中不需要从后侧电接触半导体芯片，因为反射层6绝缘地构成。

图8A至8G示出所述方法的另一实施例，所述实施例基本上类似于在图7A至7F中示出的实施例构成。区别在于，种子层14的和反射层6的在半导体芯片的后侧44的区域中的部分被移除(参见图8E)，其方式是：所提到的层例如通过水射束清洁分离出来。类似地，可以通过清洗或者擦拭壳体本体复合件8的背离辅助载体2的一侧来进行移除。这也能够通过如下方式变得容易：反射层6在半导体芯片4的后侧44的区域中不像在图8D中所示出的那样与壳体本体复合件8齐平。更确切地说，反射层6和种子层14在这些区域中竖直地伸出于壳体本体复合件8，其中阶梯高度与半导体芯片压入到辅助载体2中的深度有关。

通过在半导体芯片的后侧44的区域中将反射层6分离出来之后从现在起使这些后侧露出的方式，可行的是，也从半导体芯片的后侧接触所述半导体芯片。在图8F和8G中示例性地示出前侧接触部54和后侧接触部52，所述前侧接触部和后侧接触部可以给半导体芯片4供给电流。

本发明并不受根据实施例所进行的描述限制。更确切地说，本发明包括任何新的特征以及特征的任意新的组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或该组合本身未详细地在权利要求或者实施例中说明时也是如此。

Claims (15)

1.一种用于制造多个光电子半导体器件(100)的方法，所述方法具有下述步骤：

a)提供辅助载体(2)；

b)将多个半导体芯片(4)固定在所述辅助载体上，其中所述半导体芯片在横向方向上彼此间隔开；

c)至少在所述半导体芯片之间的区域(22)中构成反射层(6)；

d)构成壳体本体复合件(8)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在所述半导体芯片之间；

e)移除所述辅助载体；以及

f)将所述壳体本体复合件分割成多个光电子半导体器件(100)，其中每个半导体器件具有至少一个半导体芯片、所述反射层的一部分和作为壳体本体(82)的所述壳体本体复合件的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在步骤e)之后构成转换层(10)，并且在步骤f)中被分割的所述半导体器件中的每一个都具有所述转换层的一部分。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述反射层(6)在步骤c)中仅在所述半导体芯片之间的区域中构成，并且所述半导体芯片的侧面(46)和后侧(44)保持至少达到其10％的面积不被所述反射层覆盖。

4.根据权利要求1或2所述的方法，

其中在步骤c)中，在所述半导体芯片的侧面(46)和后侧(44)上还构成所述反射层(6)，并且所述反射层(6)覆盖所述侧面和后侧的面积的至少80％。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中在步骤c)中通过喷涂覆层构成所述反射层(6)。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其中在步骤c)中将具有多个所述半导体芯片(4)的所述辅助载体(2)浸入到包括反射性的颜料或者颗粒的液体中。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其中至少局部地以能导电的种子层(14)来覆盖在步骤a)中提供的辅助载体(2)，并且在步骤c)中将所述反射层(6)至少电泳沉积在所述种子层的子部段上。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其中在所述步骤b)和c)之间构成种子层(14)，所述种子层覆盖所述半导体芯片之间的区域(22)中的所述辅助载体(2)以及所述半导体芯片的侧面(46)和后侧(44)，并且所述反射层在步骤c)中至少电泳沉积在所述种子层的子部段上。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体芯片(4)分别在所述半导体器件的与安装面相对置的辐射出射面上没有所述壳体本体复合件(8)的材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述半导体芯片分别在所述半导体器件的所述安装面上没有所述壳体本体复合件(8)的材料。

11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述壳体本体复合件(8)在步骤d)中通过模压成型或者通过薄膜辅助的浇注法构成。

12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中在步骤d)中将所述半导体芯片(4)包覆成型，并且接下来将所述壳体本体复合件(8)薄化，使得所述半导体芯片局部地露出。

13.一种光电子的半导体器件(1)，其中

-所述半导体器件具有设置用于产生和/或接收辐射的半导体芯片(4)；

-所述半导体器件具有壳体本体(82)，所述壳体本体沿着横向方向围绕所述半导体芯片；

-在所述壳体本体上设置有反射层(6)，所述反射层具有散射颗粒；和

-所述壳体本体的侧面不被所述反射层覆盖。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，

所述半导体器件具有转换层(10)，其中所述反射层至少局部地设置在所述转换层和所述壳体本体(82)之间。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的半导体器件，所述半导体器件根据权利要求1至11中任一项制造。