CN102270708A - 发光装置的制造方法及发光装置 - Google Patents

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猪塚幸
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Abstract

本发明的发光装置的制造方法，包括：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；将半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；形成与半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；用第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜的工序；以及从基板的与第一主面相反一侧的第二主面一侧，向半导体层照射激光，从而从半导体层剥离基板的工序。第二绝缘膜的带隙能量和半导体层的带隙能量比激光的能量小，在第一绝缘膜中的覆盖半导体层的侧面的部分，激光不到达发光层的深度。

Description

发光装置的制造方法及发光装置
本发明基于2010年6月3日提交的日本专利申请(申请号：2010-127506号)，主张该在先专利申请的优先权，该在先专利申请的全部内容都包含于本申请的文件中。
技术领域
本发明涉及发光装置的制造方法及发光装置。
背景技术
发光装置的用途正在向照明装置、图像显示装置的背光源以及显示装置等扩大。
近年来，发光装置的小型化要求逐渐加强。此外，为了提高批量生产性能，考虑如下的制造方法：使包含发光层的半导体层在基板上结晶成长，通过照射激光，从半导体层剥离基板，并分割为多个。
但是，在通过照射激光来从半导体层剥离基板的情况下，该激光还进入到覆盖半导体层的绝缘膜内，通过激光的能量，半导体层的侧面和/或电极被加热。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够维持发光装置的发光特性，并能够抑制可靠性的降低的发光装置以及制造方法。
本发明的发光装置的制造方法包括：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；将上述半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；形成与上述半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；用第二绝缘膜覆盖上述第一绝缘膜的工序；以及从上述基板的与上述第一主面相反一侧的第二主面一侧，向上述半导体层照射激光，从而从上述半导体层剥离上述基板的工序，上述第二绝缘膜的带隙能量和上述半导体层的带隙能量比上述激光的能量小，在上述第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的上述侧面的部分，上述激光不到达上述发光层的深度。
本发明的发光装置具备：半导体层，包含发光层，并将基板作为支撑体来形成该半导体层，在形成后，通过照射激光来剥离了上述基板；第一电极部和第二电极部，设在上述半导体层的与被照射上述激光的第一主面相反一侧的第二主面上；第一绝缘膜，覆盖上述半导体层的至少侧面；以及第二绝缘膜，覆盖上述第一绝缘膜，上述第二绝缘膜及上述半导体层具有比上述激光的能量小的带隙能量，上述第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的上述侧面的部分抑制上述激光的前进，以使得上述激光不会从上述半导体层的上述第一主面侧到达上述侧面的上述发光层的深度。
通过上述的技术方案，抑制了激光侵入半导体层中的发光层，从而防止了半导体层中的发光层的劣化。由此，能够维持稳定的发光特性。此外，在半导体层的侧面和第一绝缘膜之间的界面，能够防止第一绝缘膜剥离。进而，对于与半导体层的侧面的第一绝缘膜接触的第二绝缘膜，能够抑制因激光的照射而引起的溶解等。由此，能够抑制可靠性的降低。
附图说明
图1是第一实施方式的覆盖制造的制造方法的流程图。
图2是晶片状态下的实施方式的覆盖装置的制造方法的示意平面图。
图3～图8是第一实施方式的覆盖制造的制造方法的示意截面图。
图9～图10是第一实施方式的发光装置的制造方法的其他例的示意截面图。
图11～图13是第二实施方式的发光装置的制造方法的示意截面图。
图14～图16是第三实施方式的发光装置的制造方法的示意截面图。
图17是第四实施方式的发光装置的示意截面图。
图18是图17的主要部分的放大截面图。
图19是第五实施方式的发光装置的示意截面图。
图20是第六实施方式的发光装置的示意截面图。
图21是第七实施方式的发光装置的示意截面图。
具体实施方式
本实施方式的发光装置的制造方法，包括：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；将上述半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；形成与上述半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；用第二绝缘膜覆盖上述第一绝缘膜的工序；以及从与上述基板的上述第一主面相反侧的第二主面的一侧向上述半导体层照射激光，从而从上述半导体层剥离上述基板的工序。上述第二绝缘膜的带隙能量和上述半导体层的带隙能量比上述激光的能量小。此外，在上述第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的上述侧面的部分，上述激光不到达上述发光层的深度。
此外，其他实施方式的发光装置具备：半导体层，包含发光层，并将基板作为支撑体来形成，在形成后，通过照射激光来剥离了上述基板；第一电极部和第二电极部，设在上述半导体层的与照射上述激光的第一主面相反侧的第二主面上；第一绝缘膜，覆盖上述半导体层的至少侧面；以及第二绝缘膜，覆盖上述第一绝缘膜。上述第二绝缘膜及上述半导体层具有比上述激光的能量小的带隙能量。上述第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的上述侧面的部分抑制上述激光的前进，以使得上述激光不会从上述半导体层的上述第一主面侧到达上述侧面的上述发光层的深度。
下面，根据附图说明本发明的实施方式。
此外，附图是示意性的或者是概念性的，各部分的厚度和宽度之间的关系，部分之间的大小比系数等则不一定与现实中的构件相同。此外，即使在表示相同部分的情况下，有时候不同附图相互的尺寸和比系数表示为不同。
此外，在本申请说明书和各附图中，对于图中的与前述的构件相同的要素标注了相同的附图标记并适当省略了详细说明。
(第一实施方式)
图1是用于说明第一实施方式的发光装置的制造方法的流程图。
如图1所示，本实施方式的发光装置的制造方法包括：在基板上形成半导体层的工序(步骤S110)；形成第一绝缘膜的工序(步骤S120)；形成第一电极部和第二电极部的工序(步骤S130)；形成第二绝缘膜的工序(步骤S140)；以及剥离基板的工序(步骤S150)。
在步骤S110中，在基板的第一主面上，形成含有发光层(活性层)的半导体层。
在步骤S120中，将形成于基板上的半导体层的至少上表面及侧面，用第一绝缘膜覆盖。
在步骤S130中，形成与半导体层导通的第一电极部和第二电极部。
在步骤S140中，用第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜。
在步骤S150中，从基板的与第一主面相反侧的第二主面一侧向半导体层照射激光，来从半导体层剥离基板。
在这样的制造方法中，在本实施方式，第二绝缘膜的带隙(band gap)能量及半导体层的带隙能量比激光的能量小。此外，在本实施方式中，在第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的上述侧面的部分，抑制在剥离基板时所照射的激光前进。即，在覆盖半导体层的侧面的第一绝缘膜中，激光不会从第一主面到达半导体层中的发光层的深度。
通过利用覆盖半导体层的侧面的第一绝缘膜来抑制在剥离基板时所照射的激光的前进，能够抑制激光的照射对半导体的侧面的影响。即，若在半导体层的侧面照射激光，则该部分被加热，导致特性劣化。在本实施方式中，由于在半导体层的侧面不照射激光，所以能够防止加热所导致的半导体层的劣化。特别是，能够防止半导体层中所含的发光层的劣化。因此，能够维持稳定的发光特性。此外，若向半导体层的侧面照射激光，则有可能在界面发生第一绝缘膜的剥离。在本实施方式中，还能够抑制在该界面发生第一绝缘膜的剥离。
在此，在第一绝缘膜中的覆盖半导体层的侧面的部分，为了抑制激光的前进，可以适用下面所述的事项中的一个。
(1)第一事项是，对覆盖半导体层的侧面的第一绝缘膜中的、从第一主面到发光层之间的至少一部分，使该第一绝缘膜的沿着垂直于侧面的方向的厚度小于激光波长。
(2)第二事项是，使第一绝缘膜的带隙能量小于激光的能量。
若应用这些(1)、(2)事项中的某一个，则激光不能在覆盖半导体的侧面的第一绝缘膜中前进，或者成为很难前进的状态。因此，激光不能从基板的第一主面到达半导体层的侧面的发光层的位置。
接着，参照图2～图8，对具体的发光装置的制造方法进行说明。
图2是示出晶片状态下的、实施方式的发光装置的制造方法的示意平面图。
图3～图8是按顺序说明发光装置的制造方法的示意截面图。
本具体例是应用了上述(1)第一事项的发光制造的制造方法。
首先，如图3(a)所示，在基板10的第一主面10a上形成第一半导体层11。在第一半导体层11中，基板10一侧的面与第一主面11a对应。接着，在第一半导体层11中与第一主面11a相反侧的第二主面11b上，形成第二半导体层12。例如，在发光层为氮化物类的半导体的情况下，能够使第一半导体层11和第二半导体层12的层叠体(半导体层5)在蓝宝石基板上进行结晶成长。作为一例，在第一半导体层11和第二半导体层12中使用氮化钙(GaN)。
接着，通过例如采用未图示的抗蚀剂的RIE(Reactive Ion Etching：反应离子蚀刻)法，有选择地除去第二半导体层12及第一半导体层11的一部分。由此，如图3(b)所示，在第一半导体层11的第二主面11b侧形成凹部和凸部。除去了第二半导体层12及第一半导体层11的一部分的部分成为凹部，剩下包含发光层的第二半导体层12的部分成为凸部。在凹部的底部，露出第一半导体层11的第二主面11b。
此外，贯通半导体层5而形成到达基板10的槽8。槽8将半导体层5在基板10上分离为多个。如图2所示，槽8例如在晶片面内形成为格子状。由此，各个半导体层5成为被槽8包围的状态。
接着，如图3(c)所示，用第一绝缘膜13覆盖第一半导体层11的第二主面11b、第二半导体层12的整面以及槽8的内面。例如通过CVD(chemical vapor deposition：化学气相沉积)来形成第一绝缘膜13。此外，作为第一绝缘膜13而例如应用氧化硅(SiO2)。由此，第一绝缘膜13成为覆盖半导体层5的至少上表面5a和侧面5b的状态。
在本实施方式中，第一绝缘膜13中的覆盖半导体层5的侧面的部分，被设置成到达基板10的第一主面10a。此外，在本实施方式中，在形成第一绝缘膜13时，将覆盖半导体层5的侧面5b的第一绝缘膜13的厚度t(沿着垂直于侧面5b的方向上的厚度)形成为小于进行基板10的剥离时所使用的激光的波长。
作为激光，例如，使用ArF激光(波长：193nm)，KrF激光(波长：248nm)，XeCl激光(波长：308nm)，XeF激光(波长：353nm)。第一绝缘膜13的厚度t形成为小于上述的激光的波长。
接着，第一绝缘膜13有选择地进行开口，如图4(a)所示，在凸部的第二半导体层12上形成p侧电极(第二电极)15，在凹部中的第一半导体层11的第二主面11b上形成n侧电极(第一电极部)14。
接着，如图4(b)所示，形成用于覆盖n侧电极14、p侧电极15及绝缘膜13的第二绝缘膜16。此外，将第二绝缘膜16嵌入槽8内。作为第二绝缘膜16例如使用氮化硅、氧化硅、聚酰亚胺等树脂。
在形成第二绝缘膜16之后，例如使用氟酸溶液，如图4(c)所示，在第二绝缘膜16上形成到达n侧电极14的开口16a、到达p侧电极15的开口16b。
接着，在第二绝缘膜16的上表面、开口16a、16b的内壁(侧面及底面)形成未图示的薄片金属，并形成未图示的电镀抗蚀剂膜，然后，进行以薄片金属作为电流路径的铜电镀。薄片金属例如包含铜。
由此，如图5(a)所示，在第二绝缘膜16的上表面(与第一半导体层11及第二半导体层12相对的相反侧的面)，有选择地形成n侧布线17和p侧布线18。n侧布线17还形成在开口16a内，与n侧电极14连接。P侧布线18还形成在开口16内，与p侧电极15连接。
接着，在利用药水除去在n侧布线17及p侧布线18的电镀中所使用的电镀抗蚀剂之后，这次形成金属柱形成用的其他电镀抗蚀剂，并进行以上述的薄片金属作为电流路径的电解电镀。由此，如图5(b)所示，在n侧布线17的上方形成n侧金属柱19，在p侧布线18的上方形成p侧金属柱20。
之后，利用药水除去用于形成金属柱形成用的电镀抗蚀剂，并除去薄片金属的露出部分。由此，截断经由n侧布线17和p侧布线18之间的薄片金属的电连接。
接着，如图6(a)所示，用树脂(第三绝缘膜)26覆盖n侧布线17、p侧布线18、n侧金属柱19、p侧金属柱20以及第二绝缘膜16。树脂26具有对半导体层5、n侧金属柱19及p侧金属柱20进行加强的作用。作为树脂26，例如应用环氧树脂、硅树脂以及氟树脂。此外，树脂26例如被着色为黑色，防止向外部漏光以及从外部入射不需要的光。
接着，如图6(b)～图7所示，实施激光剥离法，从半导体层5剥离基板10。此外，在图6(b)～图7中，示出了将图6(a)所示的构造体的上下翻过来的状态。
作为激光LSR，例如使用ArF激光(波长：193nm)，KrF激光(波长：248nm)，XeCl激光(波长：308nm)，XeF激光(波长：353nm)。
激光LSR从基板10的第二主面(第一主面10a的相反侧)10b向半导体层5照射。激光LSR透过基板10，到达半导体层5的下面5c。在此，第二绝缘膜(氮化硅、树脂中的任一种的情况)16和半导体层5吸收激光LSR。此外，第二绝缘膜16的带隙能量及半导体层5的带隙能量比激光LSR的能量小。由此，透过了基板10的激光LSR被半导体层5及第二绝缘膜16吸收。此时，在基板10和半导体层5之间的界面，由于激光LSR的吸收，半导体层5中的GaN成分例如按以下的反应式进行热分解。
GaN→Ga+(1/2)N2↑
其结果，如图7所示，基板10从半导体层5剥离。
在本实施方式中，覆盖半导体层5的侧面5b的第一绝缘膜13的厚度t形成为小于激光LSR的波长。由此，激光LSR因光的衍射极限，而不会从覆盖半导体层5的侧面5b的第一绝缘膜13的下面5c侧的端面侵入到内部(第一绝缘膜13的内部)。
即，若第一绝缘膜13的厚度t为激光LSR的波长以上，则激光LSR侵入第一绝缘膜13。另一方面，若第一绝缘膜13的厚度t小于激光LSR的波长，则激光LSR因光的衍射极限而被急剧抑制进入第一绝缘膜13。
若如上激光LSR的侵入被抑制，则防止了半导体层5、尤其是第二半导体层12的发光层的劣化。由此，能够维持稳定的发光特性。此外，在半导体层5的侧面5b和第一绝缘膜13之间的界面，能够防止第一绝缘膜剥离。进而，即使对于与侧面5b的第一绝缘膜13接触的第二绝缘膜16，也能够抑制因激光LSR的照射而引起的溶解等的影响。由此，能够抑制可靠性的降低。
此后，如图8所示，研磨树脂26的表面来露出n侧金属柱19及p侧金属柱20的端面。此外，在该露出面，根据需要而设置焊球、金属凸点等外部端子25。由此，完成发光装置110。
在这样的制造方法中，由于以晶片级组装发光装置110，所以使得发光装置110的大小接近裸芯片，能够容易地提供小型化CSP(芯片大小封装)。此外，也可以在以晶片级组装之后，通过切块法来进行个片化，来完成发光装置110。作为切断的方法采用采用金刚石刀片等的机械切削、通过激光照射的切断、基于高水压的切断等方式。
接着，对第一实施方式的发光装置的制造方法的其他例子进行说明。
图9～图10是按顺序说明第一实施方式的发光装置的制造方法的其他例子的示意截面图。
在本具体例中为应用了上述(2)第二事项的发光装置的制造方法。
即，作为第一绝缘膜13而使用带隙能量比激光LSR的能量小的材料。例如，作为第一绝缘膜13而采用包含氮化物的、更具体而言包含氮化硅的材料。
在本例中，从第一半导体层11及第二半导体层12的形成到激光剥离位置的工序与图3～图6所示的例子相同。
通过作为第一绝缘膜13而采用带隙能量小于激光LSR能量的材料，由此半导体层5的侧面5b的第一绝缘膜13的厚度t没有限制。若第一绝缘膜13的带隙能量小于激光LSR的能量，则激光LSR的透射率显著降低。由此，能够抑制在进行激光剥离时所照射的激光LSR侵入第一绝缘膜13。
在此，激光LSR的能量按照下面的公式计算。
E＝h×(c/λ)
在上述公式中，E为能量，h为普朗克常数，c为光速，λ为波长。
例如，若作为激光LSR而采用KrF激光(波长：248nm)，则能量为大致5.0eV。在该情况下，作为所适用的第一绝缘膜13而采用带隙能量小于5.0eV的材料例如氮化硅(SiN)。此外，氮化硅(SiN)的带隙能量根据Si和N的分量比来发生变化，所以只要使用带隙能量成为比5.0eV小的分量比的SiN就可以。
图9中作为例子示出了通过激光剥离而剥离了基板的状态。
如图9所示，若作为第一绝缘膜13而采用氮化硅(SiN)，则激光LSR不侵入覆盖的半导体层5的侧面5b的第一绝缘膜13a中，抑制半导体层5的侧面5b及第二绝缘膜16的劣化。
另一方面，在位于与基板10的界面的第一绝缘膜13b的表面上，照射激光LSR。在此，第一绝缘膜13b的带隙能量小于激光LSR。由此，透光了基板10的激光LSR被第一绝缘膜13b吸收。通过该激光LSR的吸收，第一绝缘膜13b的SiN成分例如按照以下的反应式进行热分解。
SiN→Si+(1/2)N2↑
其结果，如图9所示，在基板10侧不附着第一绝缘膜13b的状态下，基板10容易剥离。
此后，如图10所示，对树脂26的表面进行研磨，来使n侧金属柱19和p侧金属柱20的端面露出。之后，在该露出面上，根据需要设置焊球、金属柱等外部端子25。由此，完成发光装置111。
在发光装置111的制造方法中，第一绝缘膜13的厚度没有限制，所以可靠地进行第一绝缘膜13的半导体层5的保护。此外，在进行激光剥离时，能够在基板10侧不附着第一绝缘膜13的状态下容易剥离基板10。
(第二实施方式)
接着，对第二实施方式的发光装置的制造方法进行说明。
图11～图13是按照顺序说明第二实施方式的发光装置的制造方法的示意截面图。
在本实施方式中，从第一半导体层11及第二半导体层12的形成到第一绝缘膜13的形成为止的工序与图3(a)～(c)所示的例子相同。
在本实施方式中，在形成第一绝缘膜13之后，如图11(a)所示，除去形成于槽8的底部的第一绝缘膜13。作为第一绝缘膜13使用氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)。在作为第一绝缘膜13而使用氧化硅(SiO2)的情况下，将第一绝缘膜13的厚度t形成为小于激光LSR的波长。此外，在作为第一绝缘膜13而使用氮化硅(SiN)的情况下，对厚度t没有限制。
为了处于槽8的底部的第一绝缘膜13，在与用于形成n侧电极14和p侧电极15的开口的形成同一工序中进行。例如利用氟酸溶液，通过蚀刻法来有选择地除去第一绝缘膜13。除去槽8底部的第一绝缘膜13，直到基板10的第一主面10a露出为止。
接着，如图11(b)所示，形成第二绝缘膜16，该第二绝缘膜16用于覆盖n侧电极14、p侧电极15以及绝缘膜13。此外，第二绝缘膜16嵌入槽8内。槽8内的第二绝缘膜16被嵌入到直至接触基板10的第一主面10a。例如，作为第二绝缘膜16而使用聚酰亚胺。
在形成第二绝缘膜16之后，例如使用氟酸溶液，如图11(c)所示，形成到达n侧电极14的开口16a、到达p侧电极15的开口16b和第二绝缘膜16。
之后，n侧金属柱19及p侧金属柱20的形成、树脂26的形成、基于激光剥离的基板10的剥离，与图5～图6所示的例子相同。
图12示出了通过激光剥离来剥离基板10的状态的例子。
在本实施方式中，由于预先除去了槽8底部的第一绝缘膜13，所以在激光剥离时，在基板10侧不会附着第一绝缘膜13而容易剥离基板10。
剥离了基板10的半导体层5的下面5c和第二绝缘膜16的下面16c变成平坦。
之后，如图13所示，研磨树脂26的表面来露出n侧金属柱19及p侧金属柱20的端面。此外，在该露出面，根据需要而设置焊球、金属凸点等外部端子25。由此，完成发光装置110。
根据发光装置120的制造方法，由于除去了与基板10接触的第一绝缘膜13，所以在激光剥离时，能够从半导体层5的下面5c容易剥离基板10。
(第三实施方式)
接着，对第三实施方式的发光装置的制造方法进行说明。
图14～图16是按照顺序说明第三实施方式的发光装置的制造方法的示意截面图。
在本实施方式中，从第一半导体层11及第二半导体层12的形成到第一绝缘膜13的形成为止的工序与图3(a)～(c)所示的例子相同。
在本实施方式中，在形成第一绝缘膜13之后，如图14(a)所示，除去形成于槽8的底部的第一绝缘膜13。并且，除去槽8的底部附近的第一绝缘膜13的一部分，设置厚度较薄的部分13c。
在本实施方式中，作为第一绝缘膜13使用氧化硅(SiO2)。除了厚度较薄的部分13c的第一绝缘膜13的厚度大于激光LSR的波长。另一方面，使厚度较薄的部分13c的厚度形成为小于激光LSR的波长。即，形成在半导体层5的侧面5b上的第一绝缘膜13的只有一部分(部分13c)的厚度形成为小于激光波长LSR的波长。
在本实施方式中，如图14(a)所示，在除去槽8的底部的第一绝缘膜13时，考虑到蚀刻率，与其他部分相比，只对底部附近的第一绝缘膜13的部分更多地进行蚀刻。此外，使得蚀刻后剩下的部分13c的厚度小于激光LSR的波长。
接着，如图14(b)所示，形成用于覆盖n侧电极14、p侧电极15及绝缘膜13的第二绝缘膜16。此外，将第二绝缘膜16嵌入槽8内。槽8内的第二绝缘膜16嵌入到直至接触到基板10的第一主面10a。作为第二绝缘膜16例如使用氮化硅、氧化硅以及聚酰亚胺等树脂。
在形成第二绝缘膜16之后，例如使用氟酸溶液，如图14(c)所示，形成到达n侧电极14的开口16a、到达p侧电极15的开口16b和第二绝缘膜16。
之后，n侧金属柱19及p侧金属柱20的形成、树脂26的形成、基于激光剥离的基板10的剥离，与图5～图6所示大的例子相同。
图15示出了通过激光剥离来剥离基板10的状态的例子。
在本实施方式中，由于槽8底部附近的第一绝缘膜13的部分13c形成为小于激光LSR的波长的厚度，所以通过该部分13c抑制从半导体层5的下表面5c一侧照射的激光LSR的前进。
因此，能够防止半导体层5、尤其是第二半导体层12的发光层的劣化。由此，能够维持稳定的发光特性。此外，在半导体层5的侧面5b和第一绝缘膜13之间的界面，能够防止第一绝缘膜剥离。
进而，即使对于与侧面5b的第一绝缘膜13接触的第二绝缘膜16，也能够抑制激光LSR的照射带来的溶解等的影响。由此，能够抑制可靠性降低。此外，由于预先除去了槽8底部的第一绝缘膜13，所以在激光剥离时，在基板10侧不会附着第一绝缘膜13而容易剥离基板10。
剥离了基板10的半导体层5的下表面5c和第二绝缘膜16的下表面16c变成平坦。
之后，如图16所示，研磨树脂26的表面来露出n侧金属柱19及p侧金属柱20的端面。此外，在该露出面，根据需要而设置焊球、金属凸点等外部端子25。由此，完成发光装置110。
此外，在本实施方式中，在槽8的底部附近设置了小于激光LSR的波长的厚度的部分13c，但是若在从基板10的第一主面10a到第二半导体层12的发光层为止的之间设置部分13c，能够得到同样的效果。
(第四实施方式)
下面，对第四实施方式的发光装置进行说明。
图17是示出第四实施方式的发光装置的例子的示意截面图。
本实施方式的发光装置110具备：半导体层5，包含发光层，并将基板10作为支撑体来形成，在形成后，通过照射激光来剥离了基板10；n侧电极14(第一电极部)和p侧电极15(第二电极部)，设在半导体层5的与照射激光的下表面5c相反侧的上表面；第一绝缘膜13，覆盖半导体层5的至少侧面5b；以及第二绝缘膜16，覆盖第一绝缘膜13。第二绝缘膜(包含为氮化硅、树脂中任一种的情况下)16及半导体层5吸收上述的激光。此外，第二绝缘膜16及半导体层5具有比上述的激光的能量小的带隙能量。
此外，第一绝缘膜13中的覆盖半导体层5的侧面5b的部分抑制激光的前进，以使得激光不会从半导体层5的下表面5c侧到达侧面5b的发光层的深度。
在发光装置110中，半导体层4的侧面5b上所设置的第一绝缘膜13的厚度t被设置为比从半导体层5剥离基板10的激光剥离时所照射的激光LSR的波长小。
作为激光，例如，使用ArF激光(波长：193nm)，KrF激光(波长：248nm)，XeCl激光(波长：308nm)，XeF激光(波长：353nm)。第一绝缘膜13的厚度t形成为小于上述的激光的波长。
根据具有这样的厚度的第一绝缘膜13的发光装置110，在激光剥离时所照射的激光LSR不会侵入半导体层5的侧面5b上所形成的第一绝缘膜13中，防止半导体层5、尤其是第二半导体层12的发光层的劣化。由此，维持稳定的发光特性。此外，在半导体层5的侧面5b和第一绝缘膜13之间的界面，防止第一绝缘膜剥离。进而，即便对于与侧面5b的第一绝缘膜13接触的第二绝缘膜16，也能够抑制因激光LSR的照射而引起的溶解等的影响。由此抑制可靠性降低。
本实施方式的发光装置110，与前面说明的第一实施方式的制造方法相比，以晶片状态一次性地形成。半导体层5具有第一半导体层11和第二半导体层12。第一半导体层11例如为n型的GaN层，起到电流的横向路径的功能。在此，第一半导体层11的导电型不限于n型，也可以是p型。
在发光制造110中，从第一半导体层11的第一主面11a(半导体层5的下表面5c)主要向外部发出光。第二半导体层12被设置在第一半导体层11的与第一主面11a相反侧的第二主面11b上。
第二半导体层12具有包含发光层(活性层)的多个半导体层的层叠结构。图18示出该结构的一例。此外，图18与图17相比上下颠倒。
在第一半导体层11的第二主面11b上设有n型的GaN层31。在GaN层31上设有发光层33。发光层33例如具有包含InGaN的多量子井构造。在发光层33上设有p型的GaN层34。
如图17所示，在第一半导体层11的第二主面11b侧，设有凸部和凹部。第二半导体层12被设置于凸部的表面。因此，凸部具有第一半导体层11和第二半导体层12的层叠结构。
凹部的底面是第一半导体层11的第二主面11b，其凹部的第二主面11b上设有n侧电极14来作为第一电极。
在第二半导体层12的与第一半导体层11接触的面的相反面上，设有p侧电极15来作为第二电极。
第一半导体层11的第二主面11b例如被氧化硅的第一绝缘膜13所覆盖。第一绝缘膜13中的覆盖半导体层5的侧面5b的部分，到达第一半导体层11的第一主面11a。n侧电极14及p侧电极15从第一绝缘膜13露出。n侧电极14及p侧电极15被第一绝缘膜13绝缘，成为相互电独立的电极。此外，第一绝缘膜13还覆盖包含第二半导体层12的凸部的侧面。
以覆盖第一绝缘膜13、n侧电极14的一部分以及p侧电极15的一部分的方式，在第二主面11b侧设置了第二绝缘膜16。第二绝缘膜16例如为氧化硅或树脂。
在第二绝缘膜16中，与第一半导体层11及第二半导体层12相对的相反侧的面成为平坦，在该面上设有作为第一布线的n侧布线17和作为第二布线的p侧布线18。
n侧布线17还设置在开口16a内而与n侧电极14电连接，该开口16a到达n侧电极14而形成于第二绝缘膜16上。p侧布线18还设置在开口16b内而p侧电极15电连接，该开口16b到达p侧电极15而形成于第二绝缘膜16上。
n侧电极14、p侧电极15、n侧布线17以及p侧布线18均设在第一半导体层11的第二主面11b上，构成用于向发光层供电的布线层。
在n侧布线17的与n侧电极14相对的相反侧的面上，作为第一金属柱而设有n侧金属柱19。在p侧布线18的与p侧电极15相对的相反侧的面上，作为第二金属柱而设有p侧金属柱20。n侧金属柱19的周围、p侧金属柱20的周围、n侧布线17以及p侧布线18被树脂(第三绝缘膜)26所覆盖。此外，树脂26还覆盖第一半导体层11的侧面11c，第一半导体层11的侧面11c被树脂26所保护。
第一半导体层11经由n侧电极14及n侧布线17，与n侧金属柱19电连接。第二半导体层12经由n侧电极15及n侧布线18，与p侧金属柱20电连接。在从n侧金属柱19和p侧金属柱20中的树脂26露出的下端面上，例如设有焊球、金属柱等的外部端子25，通过其外部端子25，发光装置110与外部电路电连接。
n侧金属柱19的厚度(图17中的上下方向厚度)比包括半导体层5、n侧电极14、p侧电极15、绝缘膜13、16、n侧布线17及p侧布线18的层叠体的厚度厚。同样，p侧金属柱20的厚度也比上述层叠体的厚度厚。只要满足该条件，各金属柱19、20的高宽比(相对于平面大小的厚度比)不限定于1以上，其比也可以比1小。即，厚度也可以比金属柱19、20的平面尺寸小。
根据本实施方式的结构，即使半导体层5较薄，通过使得n侧金属柱19、p侧金属柱20及树脂26较厚，来确保机械强度。此外，在将发光装置110安装在电路基板等上的情况下，通过外部端子25施加在半导体层5上的应力被n侧金属柱19和p侧金属柱20吸收。因此，施加到半导体层5上的应力缓和。起到对n侧金属柱19和p侧金属柱20进行加强的作用的树脂26最好使用其热膨胀率与电路基板等相同或相近的材料。作为这样的树脂26，例如能够应用环氧树脂、硅树脂、氟树脂。此外，树脂26例如被着色为黑色，防止光向外部泄露、以及从外部侵入不需要的光。
此外，作为n侧布线17、p侧布线18、n侧金属柱19、p侧金属柱20的材料，使用铜、金、镍、银等。其中，具有良好的热传导性、较高的耐迁移性以及与绝缘膜之间的优良的密贴性的铜最好。
在发光装置110的放光面，根据需要设有荧光体层27。例如，在发光层发出蓝光的情况下，若直接发射蓝光，则不需要荧光体层27。另一方面，在发出白色等不同于发光的光的波长的光的情况下，设置含有荧光体的荧光体层27，该荧光体吸收发光的光的波长、并变换为发出光的波长。
此外，也可以在发光装置110的放光面，根据需要来设置透镜(未图示)。透镜的形状可以应用凸型、凹型、非球面等各种形态。此外，也可以适当设置透镜的个数和配置。
根据本实施方式的发光装置110，防止半导体层5的劣化，抑制第一绝缘膜13剥离以及第二绝缘膜16的溶解等。由此，能够维持发光装置110的发光特性，并抑制可靠性的降低。
(第五实施方式)
下面，对第五实施方式的发光装置进行说明。
图19是示出第五实施方式的发光装置的例子的示意截面图。
如图19所示，在第五实施方式的发光装置111中，作为第一绝缘膜13而使用大小能量比激光LSR的能量小的材料。
第五实施方式的发光装置111通过前面说明的第一实施方式的制造方法的其他例子被一起形成为晶片状态。在此，在作为激光剥离中的激光LSR而例如使用KrF激光(波长：248nm)的情况下，作为第一绝缘膜13例如使用了氮化硅(SiN)。此外，作为第一绝缘膜13，使用含有氮化物的材料。若第一绝缘膜的带隙能量小于激光LSR的能量，则激光LSR的透射率显著降低。由此，抑制在激光剥离时所照射的激光LSR向第一绝缘膜13侵入。
根据本实施方式的发光装置111，能够防止半导体层5的劣化，抑制第一绝缘膜13剥离以及第二绝缘膜16的溶解等。由此，能够维持发光装置111的发光特性，并抑制可靠性的降低。
(第六实施方式)
下面，对第六实施方式的发光装置进行说明。
图20是示出第六实施方式的发光装置的例子的示意截面图。
如图20所示，在第六实施方式的发光装置120中，与图19所示的发光装置111不同，在半导体层5的周边设有第一绝缘膜13。
第六实施方式的发光装置120通过前面说明的第二实施方式的制造方法被一起形成为晶片状态。
作为第一绝缘膜13使用氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)。在作为第一绝缘膜13而使用氧化硅(SiO2)的情况下，将第一绝缘膜13的厚度t形成为小于激光LSR的波长。此外，在作为第一绝缘膜13而使用氮化硅(SiN)的情况下，对厚度t没有限制。
在第六实施方式的发光装置120中，由于除去了半导体层5周围的第一绝缘膜13，所以在进行激光剥离时在基板10侧不会附着第一绝缘膜13而容易剥离基板10。
此外，剥离了基板10的半导体层5的下表面5c及第二绝缘膜16的下表面16c成为平坦。
(第七实施方式)
下面，对第七实施方式的发光装置进行说明。
图21是示出第七实施方式的发光装置的例子的示意截面图。
如图21所示，在第七实施方式的发光装置130中，在覆盖半导体层5的侧面5b的第一绝缘膜13的一部分设有较薄厚度的部分13c。
第七实施方式的发光装置130通过前面说明的第三实施方式的制造方法被一起形成为晶片状态。
第一绝缘膜13的厚度薄的部分13c被设置在从半导体层5的下表面5c到第二半导体层12上所设置的发光层之间。该部分13c的厚度t1被设置为小于激光LSR的波长的厚度。另一方面，该部分13c以外的部分的厚度t2形成为激光LSR的波长以上的厚度。
在本实施方式中，第一绝缘膜13的部分13c的厚度形成为漏光LSR的波长，因此通过该部分13c抑制从半导体层5的下表面5c一侧照射的激光LSR前进。因此，能够防止半导体层5的劣化，抑制第一绝缘膜13的剥离和第二绝缘膜16的溶解等。由此，能够维持发光装置130的发光特性，并抑制可靠性的降低。
如以上说明，根据本实施方式，在使用了结构剥离的发光主张110、11、120及130的制造中，能够抑制激光LSR在覆盖半导体层5的侧面5b的第一绝缘膜13内前进。因此，减少激光LSR照射引起的半导体层5的劣化、第一绝缘膜13的剥离、以及第二绝缘膜16的溶解的影响，能够实现提高发光装置110、111、120及130的动作稳定性，提高可靠性。
以上参照具体例来说明了实施方式。但是实施方式不限定于上述的具体例。例如，本领域的技术人员对上述各实施方式或其变形例进行适当的构成要素的追加、删除、设计变更的实施方式，以及适当组合各实施方式的特征的实施方式，只要具备本发明的主旨，则包含在本发明的范围内。此外，即使是本领域的技术人员对基板、半导体层、电极、布线、金属柱、绝缘膜、树脂材料、大小、形状以及布局等进行各种设计变更之后的实施方式，只要没有脱离本发明的主旨，就包含在本发明的范围内。
虽然上面说明了特定的实施方式，但是这些实施方式仅仅是作为例子，并不用于限定本发明的范围。事实上，针对在此说明的新的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，能够以各种其他方式、进行各种删除、置换以及变更的方式来实施。

Claims (19)

1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；
将上述半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；
形成与上述半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；
用第二绝缘膜覆盖上述第一绝缘膜的工序；以及
从上述基板的与上述第一主面相反一侧的第二主面一侧，向上述半导体层照射激光，从而从上述半导体层剥离上述基板的工序，
上述第二绝缘膜的带隙能量和上述半导体层的带隙能量比上述激光的能量小，
在上述第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的上述侧面的部分，上述激光不到达上述发光层的深度。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
对于上述第一绝缘膜中的覆盖上述侧面的上述第一绝缘膜中的、从上述第一主面到上述发光层之间的至少一部分，该一部分的沿着垂直于上述侧面的方向上的厚度形成为小于上述激光的波长。
3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
上述激光的波长为248nm，上述第一绝缘膜的上述一部分的厚度小于248nm。
4.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
上述第一绝缘膜含有氧化硅。
5.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
上述第一绝缘膜的带隙能量小于上述激光的能量。
6.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
上述第一绝缘膜含有氮化硅。
7.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
上述第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的上述侧面的部分到达上述基板的第一主面。
8.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
上述第二绝缘膜及上述半导体层吸收上述激光。
9.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在形成了上述第一绝缘膜后且照射上述激光之前，除去与上述基板接触的上述第一绝缘膜的部分。
10.一种发光装置，其特征在于，具备：
半导体层，包含发光层，并将基板作为支撑体来形成该半导体层，在形成后，通过照射激光来剥离了上述基板；
第一电极部和第二电极部，设在上述半导体层的与被照射上述激光的第一主面相反一侧的第二主面上；
第一绝缘膜，覆盖上述半导体层的至少侧面；以及
第二绝缘膜，覆盖上述第一绝缘膜，
上述第二绝缘膜及上述半导体层具有比上述激光的能量小的带隙能量，
上述第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的上述侧面的部分抑制上述激光的前进，以使得上述激光不会从上述半导体层的上述第一主面侧到达上述侧面的上述发光层的深度。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
在上述第一绝缘膜中的覆盖上述侧面的部分中，从上述第一主面到上述发光层之间的至少一部分的沿着垂直于上述侧面的方向上的厚度形成为小于上述激光的波长。
12.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
上述第一绝缘膜的上述一部分的厚度小于248nm。
13.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
上述第一绝缘膜含有氧化硅。
14.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
上述第一绝缘膜的材料是带隙能量小于上述激光的能量的材料。
15.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
上述第一绝缘膜含有氮化硅。
16.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
上述第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的侧面的部分到达上述半导体层的第一主面。
17.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
上述第二绝缘膜及上述半导体层的材料是吸收上述激光的材料。
18.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
还具备：
覆盖上述第一绝缘膜的第二绝缘膜；
贯通上述第二绝缘膜并与上述第一电极部导通的第一布线；以及
贯通上述第二绝缘膜并与上述第二电极部导通的第二布线。
19.根据权利要求18所述的发光装置，其特征在于，
还具备：
设在上述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；
贯通上述第三绝缘膜并与上述第一布线导通的第一金属柱；以及
贯通上述第三绝缘膜并与上述第二布线导通的第二金属柱。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105765746A (zh) * 2013-11-29 2016-07-13 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置以及发光装置用基板的制造方法
WO2021196008A1 (zh) * 2020-03-31 2021-10-07 京东方科技集团股份有限公司 无机发光二极管芯片及其制造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011233783A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 半導体発光素子、半導体発光素子の保護膜及びその作製方法
JP5537446B2 (ja) 2011-01-14 2014-07-02 株式会社東芝 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
US9093332B2 (en) * 2011-02-08 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Elongated bump structure for semiconductor devices
JP5603793B2 (ja) 2011-02-09 2014-10-08 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5603813B2 (ja) 2011-03-15 2014-10-08 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光装置
JP5535114B2 (ja) 2011-03-25 2014-07-02 株式会社東芝 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
JP5642623B2 (ja) 2011-05-17 2014-12-17 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5662277B2 (ja) 2011-08-08 2015-01-28 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光モジュール
JP2013065726A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP5832956B2 (ja) * 2012-05-25 2015-12-16 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2014139999A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
US10811575B2 (en) * 2018-07-30 2020-10-20 Facebook Technologies, Llc Laser lift-off masks

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246687A1 (en) * 2003-01-31 2006-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a semiconductor component
US20080149953A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III-V semiconductor device and method for producing the same
US20080210955A1 (en) * 2007-01-29 2008-09-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III-V semiconductor device and method for producing the same
US20090101929A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Robust led structure for substrate lift-off
US20090200568A1 (en) * 2006-05-02 2009-08-13 Hideyoshi Horie Semiconductor light-emitting device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI257714B (en) * 2004-10-20 2006-07-01 Arima Optoelectronics Corp Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode
US7964884B2 (en) * 2004-10-22 2011-06-21 Seoul Opto Device Co., Ltd. GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same
TWI294694B (en) * 2005-06-14 2008-03-11 Ind Tech Res Inst Led wafer-level chip scale packaging
TWI350563B (en) * 2007-07-10 2011-10-11 Delta Electronics Inc Manufacturing method of light emitting diode apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246687A1 (en) * 2003-01-31 2006-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a semiconductor component
US20090200568A1 (en) * 2006-05-02 2009-08-13 Hideyoshi Horie Semiconductor light-emitting device
US20080149953A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III-V semiconductor device and method for producing the same
US20080210955A1 (en) * 2007-01-29 2008-09-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III-V semiconductor device and method for producing the same
US20090101929A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Robust led structure for substrate lift-off

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105765746A (zh) * 2013-11-29 2016-07-13 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置以及发光装置用基板的制造方法
WO2021196008A1 (zh) * 2020-03-31 2021-10-07 京东方科技集团股份有限公司 无机发光二极管芯片及其制造方法
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