JP2009531840A - マイクロ構造および/またはナノ構造の構造基板をコーティングするためのデバイスおよび方法、ならびにコーティングされた構造基板 - Google Patents
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Abstract
Description
2 噴霧チャンバ
3 真空チャンバ
4 中間チャンバ
5 連結ライン
6 遮断弁
7 フラップ
8 構造基板
8v 凹部(バイア)
9 キャリアユニット
10 真空溝
11 加熱−冷却素子
12 モータ
13 真空ライン
14 (噴霧)ノズル
14a アーム
15 加熱素子
16 ステップ部
17 折り畳み式ベローズ
18 床板
19 アクチュエータ
20 噴霧ノズル
21 可撓性連結ライン
22 連結具
23 可撓性排液ライン
24 コーティング物質
Claims (26)
- 構造基板(8)のための真空チャンバ(3)内に配置されたキャリアユニット(9)を有し、コーティング物質リザーバから前記真空チャンバ(3)内にコーティング物質を導入するための導入手段(14、5)を有し、前記真空チャンバ(3)内の圧力レベルを変更するための手段(5、6、2)を有するマイクロ構造および/またはナノ構造の構造基板(8)をコーティングするためのデバイスにおいて、前記コーティング物質は、前記真空チャンバ(3)と前記コーティング物質リザーバとの間の圧力差を調節することによって導入することが可能であることを特徴とするデバイス。
- 前記導入手段(14)は、注入ラインおよび/または噴霧ノズルおよび/またはアトマイザノズルおよび/または超音波アトマイザとして実装されることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記キャリアユニット(9)は、前記構造基板(8)を加熱および/または冷却するための加熱および/または冷却素子(11)を有することを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載のデバイス。
- 前記構造基板(8)は、前記キャリアユニット(9)を使用して回転可能であることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記コーティング物質を噴霧するための噴霧手段(20)を有しており、遮断弁(6)を有する少なくとも1つの連結ライン(5)により前記真空チャンバ(3)に連結された噴霧チャンバ(2)が、連結導入および圧力変更手段として提供されることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか一項に記載のデバイス。
- 少なくとも1つの加熱素子(15)が、前記噴霧チャンバ(2)を加熱するために提供されたことを特徴とする、請求項5に記載のデバイス。
- 前記噴霧チャンバ(2)は、容積変更可能なものとして実装されたことを特徴とする、請求項5または6のいずれか一項に記載のデバイス。
- 少なくとも1つのセンサが、前記コーティング物質の濃度を検知するために前記噴霧チャンバ(2)の内部に提供されたことを特徴とする、請求項5ないし7のいずれか一項に記載のデバイス。
- 特に請求項1ないし8のいずれか一項に記載のデバイス(1)を使用して、マイクロ構造および/またはナノ構造の構造基板(8)をコーティングするための方法であって、
構造基板(8)を真空チャンバ(3)に装填するステップと、
前記真空チャンバ(3)を真空にするステップと、
前記真空チャンバ(3)が真空にされる前に、および/またはその間に、および/またはその後に、前記真空チャンバ(3)とコーティング物質リザーバとの間の圧力差によって、前記コーティング物質リザーバから前記真空チャンバ(3)内にコーティング物質を導入するステップと、
前記コーティング物質が導入される間に、および/またはその後に、前記真空チャンバ(3)内の圧力を上昇させるステップと
を含む方法。 - 特に前記真空チャンバ(3)の真空化の後に、前記コーティング物質は、前記真空チャンバ内に液体の形態で導入される、および/または前記真空チャンバ(3)内で噴霧されることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 前記構造基板(8)は、好ましくは所定の時間間隔にわたって前記真空チャンバ(3)内で加熱されることを特徴とする、請求項9または10の一項に記載の方法。
- 前記構造基板(8)は、特に前記構造基板(8)を加熱した後に、好ましくは前記コーティング物質が導入される前に冷却されることを特徴とする、請求項9ないし11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記コーティング物質は、噴霧チャンバ(2)内で噴霧され、前記コーティング物質は、好ましくは前記噴霧チャンバ(2)内で所望のコーティング物質の濃度に達した後に、前記噴霧チャンバ(2)と前記真空チャンバ(3)との間の少なくとも1つの遮断弁(6)および少なくとも1つの連結ライン(5)を開くことによって、前記真空チャンバ(3)内に導入されることを特徴とする、請求項9ないし12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記遮断弁(6)が開かれる前の前記噴霧チャンバ(2)内の圧力レベルが、前記真空にされた真空チャンバ(3)の圧力レベルよりも高く、好ましくは前記噴霧チャンバ(2)内の圧力レベルは、大気圧に一致することを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- 前記噴霧チャンバ(2)は、前記コーティング物質が噴霧される前に、および/またはその間に加熱されることを特徴とする、請求項13または14のいずれか一項に記載の方法。
- 約10nmから約400μmの深さを有する凹部(8v)、好ましくはピットまたはホールを有しており、半導体基板、またはエンボス加工されるかもしくは成形されたプラスチック材料、またはガラスの基板、好ましくはウェーハから作られた構成基板(8)が使用されることを特徴とする、請求項9ないし15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記凹部(8v)の幅または直径がその深さ未満であることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 前記コーティング物質として、フォトレジストおよび/または表面活性剤および/または溶剤および/または接着促進剤が使用されることを特徴とする、請求項9ないし17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記真空チャンバ(3)に前記構造基板(8)を装填した後の方法ステップが、好ましくは種々のコーティング物質を使用して複数回反復されることを特徴とする、請求項9ないし18のいずれか一項に記載の方法。
- マイクロ構造および/またはナノ構造の構造基板(8)をコーティング物質でコーティングするための請求項1ないし8のいずれか一項に記載のデバイスの使用。
- 請求項9ないし19のいずれか一項に記載の方法によりコーティングが塗布されたマイクロ構造および/またはナノ構造の構造基板。
- 請求項1ないし8のいずれか一項に記載のデバイスによりコーティングが塗布されたマイクロ構造および/またはナノ構造の構造基板。
- 前記凹部(8v)の開口直径と前記凹部(8v)の深さに対する比が1:2と1:20との間、好ましくは1:4と1:20との間である前記凹部(8v)は、コーティング物質(24)でほぼ均一な層厚に均質にコーティングされた請求項21ないし22のいずれか一項に記載の構造基板(8)。
- チャンバ内に配置される構造基板(8)用のキャリアユニット(9)を有し、及び好ましくは液体ジェットとして液体の形態で、少なくとも25体積%の、特に少なくとも40体積%の、好ましくは少なくとも60体積%の、最も好ましくは少なくとも70体積%の含有量の溶剤を有するコーティング物質(24)をコーティング物質リザーバから前記チャンバ内に導入するための導入手段(14、5)を有し、及び前記真空チャンバ(3)内の圧力レベルを変更するための手段(5、6、2)を有するマイクロ構造および/またはナノ構造の構造基板(8)をコーティングするためのデバイスにおいて、前記コーティング物質は、前記真空チャンバ(3)と前記コーティング物質リザーバとの間の圧力差を調節することによって導入することが可能であることを特徴とするデバイス。
- 特に請求項24に記載のデバイス(1)によってマイクロ構造および/またはナノ構造の構造基板(8)をコーティングするための方法であって、
前記構造基板(8)をチャンバに装填するステップと、
前記真空チャンバ(3)と前記コーティング物質リザーバとの間の圧力差によって、少なくとも25体積%の、特に少なくとも40体積%の、好ましくは少なくとも60体積%の、最も好ましくは少なくとも70体積%の含有量の溶剤を有する、前記コーティング物質リザーバからのコーティング物質(24)を、好ましくは液体ジェットとして液体の形態で前記チャンバ内に導入するステップと
を含む方法。 - 特に好ましくは液体ジェットとして液体の形態でコーティング物質(24)を塗布することによって、マイクロ構造および/またはナノ構造の構造基板(8)をコーティングするために、少なくとも60体積%の、特に少なくとも70体積%の含有量の溶剤を有する前記コーティング物質(24)の使用。
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