JP2009531831A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. イオンビームを発生するイオンビーム発生器と、
   前記イオンビームを、ある走査周波数で少なくとも１つの方向に走査する走査器と、
   前記走査周波数を、イオン注入装置の動作パラメータに応じて制御する制御器と、
   を備え、
   前記動作パラメータは、前記イオンビームのエネルギーに少なくとも部分的に依存し、
   前記走査周波数は、前記エネルギーがエネルギー閾値より大きい場合に走査周波数閾値より大きく、
   前記走査周波数は、前記エネルギーが前記エネルギー閾値より小さい場合に前記走査周波数閾値より小さい、イオン注入装置。
2. 前記走査器は、静電走査器である、請求項１に記載のイオン注入装置。
3. 前記静電走査器は、離間されて空隙を画定する一組の走査電極を含み、
   前記イオンビームは、前記空隙の中を導かれ、
   前記制御器は、前記一組の走査電極に供給される電圧信号を変化させて前記走査周波数を制御する、請求項２に記載のイオン注入装置。
4. 前記エネルギー閾値は、１キロ電子ボルト（ｋｅＶ）から５０ｋｅＶである、請求項１から３の何れか１項に記載のイオン注入装置。
5. 前記走査周波数閾値は、５００ヘルツである、請求項１から４の何れか１項に記載のイオン注入装置。
6. 前記走査周波数は、前記エネルギー閾値より大きい前記エネルギーについては第１の走査周波数であり、前記エネルギー閾値より小さい前記エネルギーについては第２の走査周波数であり、
   前記第２の走査周波数は、高くても前記第１の走査周波数の３分の１未満である、請求項１から５の何れか１項に記載のイオン注入装置。
7. 前記第１の走査周波数は、１キロヘルツ（ｋＨｚ）であり、
   前記第２の走査周波数は、２５０Ｈｚである、請求項６に記載のイオン注入装置。
8. 前記制御器は、前記エネルギー閾値より小さいエネルギーについて、前記走査周波数をステップ状に低減する、請求項１から７の何れか１項に記載のイオン注入装置。
9. 前記制御器は、前記エネルギー閾値より小さいエネルギーについて、前記走査周波数を線形に低減する、請求項１から８の何れか１項に記載のイオン注入装置。
10. 前記走査周波数は、前記エネルギーが前記エネルギー閾値より大きい場合に、１キロヘルツ（ｋＨｚ）であり、
    前記走査周波数は、前記エネルギーが前記エネルギー閾値より小さい場合に、２５０ヘルツであり、
    前記エネルギー閾値は、３０ｋｅＶである、請求項１から９の何れか１項に記載のイオン注入装置。
11. 背景ガスを有する角度補正磁石を更に備え、
    前記背景ガスは、前記走査周波数が前記走査周波数閾値より大きい場合に、前記角度補正磁石を通る経路に沿って前記イオンビームを中性化する第１の時間間隔を有し、
    前記背景ガスは、前記走査周波数が前記走査周波数閾値より小さい場合に、前記経路に沿って前記イオンビームを中性化する第２の時間間隔を有し、
    前記第２の時間間隔は、前記第１の時間間隔より大きい、請求項１から１０の何れか１項に記載のイオン注入装置。
12. 前記第２の時間間隔は、前記第１の時間間隔より少なくとも３倍大きい、請求項１１に記載のイオン注入装置。
13. 前記動作パラメータは、前記イオン注入装置の動作モードを含む、請求項１から１２の何れか１項に記載のイオン注入装置。
14. 前記動作パラメータは、前記イオンビームのイオンの荷電状態を含む、請求項１から１３の何れか１項に記載のイオン注入装置。
15. 前記動作パラメータは、前記イオンビームのビーム電流にも少なくとも部分的に依存する、請求項１から１４の何れか１項に記載のイオン注入装置。
16. イオンビームを発生する段階と、
    前記イオンビームを、ある走査周波数で少なくとも１つの方向に走査する段階と、
    前記走査周波数を、動作パラメータに応じて制御する段階と、
    を含み、
    前記動作パラメータは、前記イオンビームのエネルギーに少なくとも部分的に依存し、
    前記走査周波数は、前記エネルギーがエネルギー閾値より大きい場合に走査周波数閾値より大きく、
    前記走査周波数は、前記エネルギーが前記エネルギー閾値より小さい場合に前記走査周波数閾値より小さい、方法。
17. 前記エネルギー閾値は、１ｋｅＶから５０ｋｅＶである、請求項１６に記載の方法。
18. 前記走査周波数閾値は、５００ヘルツである、請求項１６または１７に記載の方法。
19. 前記走査周波数を制御する段階は、
    前記エネルギー閾値より小さいエネルギーについて、前記走査周波数をステップ状に低減する段階を含む、請求項１６から１８の何れか１項に記載の方法。
20. 前記走査周波数は、前記エネルギーが前記エネルギー閾値より大きい場合に、１キロヘルツ（ｋＨｚ）であり、
    前記走査周波数は、前記エネルギーが前記エネルギー閾値より小さい場合に、２５０ヘルツであり、
    前記エネルギー閾値は、３０ｋｅＶである、請求項１６から１９の何れか１項に記載の方法。
21. 前記走査周波数は、前記エネルギー閾値より大きい前記エネルギーについては第１の走査周波数であり、前記エネルギー閾値より小さい前記エネルギーについては第２の走査周波数であり、
    前記第２の走査周波数は、高くても前記第１の走査周波数の３分の１未満である、請求項１６から２０の何れか１項に記載の方法。
22. 中性化システムは、前記第１の走査周波数において、角度補正磁石を通る経路に沿って前記イオンビームを中性化する第１の時間間隔を有し、
    前記中性化システムは、前記第２の走査周波数において、前記角度補正磁石を通る前記経路に沿って前記イオンビームを中性化する第２の時間間隔を有し、
    前記第２の時間間隔は、前記第１の時間間隔より少なくとも３倍大きい、請求項２１に記載の方法。