TWI413999B - 離子植入機以及離子植入方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於離子植入，尤其是有關於一種具有可變掃描頻率的離子植入機。
離子植入為一種將改變導電性的雜質注入半導體晶圓的標準技術。期望的雜質材料可在離子源中被離子化，離子可被加速以形成具有規定能量的離子束，且離子束可對準晶圓的正面。離子束中的能量離子滲入半導體塊材並嵌入半導體材料的晶格(crystalline lattice)以形成具有預期導電性的區域。
離子植入機可包括有掃描器，其沿至少一方向以一掃描頻率來偏折或掃描離子束，以將離子束分佈於晶圓正面。掃描器可以是習知的靜電掃描器(electrostatic scanner)或磁掃描器(magnetic scanner)。離子束可僅藉由使用離子束掃描或藉由結合使用離子束掃描及晶圓移動來分佈於晶圓表面區域。在離子植入機一實施例中，掃描器可沿一方向掃描離子束，而驅動系統可將晶圓沿與掃描方向垂直的方向傳送，以將離子束分佈於晶圓正面。
為確保製造的半導體裝置按規範操作，將晶圓按規定的深度及密度注入晶圓是很重要的，其深度及密度可能是均勻的。可能影響注入晶圓的離子劑量的均勻度的一個因素是離子束電流。離子束電流的意外波動(fluctuation)比如，短時脈衝干擾(glitch)，可能降低雜質劑量(impurity
dose)的最終均勻度。因此，各種離子束電流監測系統已被開發出來。
一習知離子束電流監測系統包括一個或多個靠近晶圓邊緣設置的法拉第感應器(Faraday sensor)，法拉第感應器用於當被掃描的離子束被掃過晶圓正面時監測離子束電流。當此種離子束電流監測系統應用於被掃描的離子束時，相較於較低的掃描頻率，相對較高的掃描頻率將會提供更頻繁的離子束電流測量。假設沿一方向掃描離子束，而沿與掃描方向垂直的方向以固定速率移動晶圓，相對較高的掃描頻率亦將提供更多的離子束通過晶圓正面。對於某些離子束而言，更多的離子束通過晶圓正面可協助達成劑量均勻度目標。
因此，習知離子植入機的掃描器使用相對較高的掃描頻率，大約1千赫茲(KHz)。為劑量均勻度目的，可以在大約1KHz的適度範圍內調整此較高的頻率。此相對較高的掃描頻率可對高能離子束提供以上提及的益處。惟，對於低能離子束，此較高的掃描頻率可能無法提供充分的時間用於離子中和(neutralization)。這可能繼而導致降低低能離子束的離子束電流及建立均勻度的成功率，且在離子束建立期間增加均勻度調整時間。
因此，需要提供一種具有可變掃描頻率的離子植入機，其能針對高能離子束使用較高的掃描頻率而針對低能離子束使用較低的掃描頻率。
根據本法明的一方面，提供了一離子植入機。離子植入機包括：離子束產生器，其產生離子束；掃描器，其沿至少一方向以一掃描頻率對所述離子束進行掃描；及控制器。所述控制器根據所述離子植入機的操作參數控制所述掃描頻率，所述操作參數至少部份取決於所述離子束的能量，若所述能量高於能量閥值，則所述掃描頻率高於掃描頻率閥值，若所述能量低於所述能量閥值，則所述掃描頻率低於所述掃描頻率閥值。
根據本法明的另一方面，提供了一方法。該方法包括：產生離子束；沿至少一方向以一掃描頻率掃描所述離子束；及根據操作參數控制所述掃描頻率，所述操作參數至少部份依賴於所述離子束的能量，若所述能量高於能量閥值，則所述掃描頻率高於掃描頻率閥值，若所述能量低於所述能量閥值，則所述掃描頻率低於所述掃描頻率閥值。
本發明將以離子植入機為例介紹如下。惟，本發明亦可用於其它使用高能帶電微粒束的系統及方法，例如電子束成像系統。因此，本發明將不會被限定於以下介紹的具體實施例。
圖1為離子植入機100的方塊圖，其包括離子束產生器102、掃描器104、掃描信號產生器122、角度修正器磁鐵106、終端站(end station)114、控制器120、用戶介面系統124。離子束產生器102可包括各種類型的元件或系統以產生具有期望特性的離子束130。離子束130可以是
點狀離子束(spot beam)且點狀離子束的橫截面可近似為圓形，該圓形橫截面的特定直徑是至少視離子束130的能量狀況而定。在低離子束能量情形下，因為空間電荷效應(space charge effects)，入射至晶圓110的離子束的橫截面尺寸可逐漸增大。離子束產生器102產生的離子束130可為任何類型的帶電微粒束。
掃描器104沿至少一方向在一掃描頻率下來偏折或掃描離子束，以將離子束分佈於晶圓110正面。掃描器104可以是靜電掃描器或磁掃描器。靜電掃描器可包括一組或多組掃描板(scan plate)形式的掃描電極，每組掃描板相互隔開以形成一間隙。離子束130可被導引通過此間隙且被此間隙中的電場加以偏折。電場可根據掃描信號產生器122提供至靜電掃描器的掃描板的電壓掃描信號而產生。靜電掃描器的掃描頻率可藉由控制提供至掃描板的電壓信號而加以改變。磁掃描器可包括構成一電磁鐵的磁極片(magnetic polepiece)及線圈。磁極片相互隔開以形成一間隙。離子束130可被導引通過此間隙且被此間隙中的磁場加以偏折。磁場可根據掃描信號產生器122提供至磁掃描器的線圈的電流掃描信號而產生。磁掃描器的掃描頻率可藉由控制提供至線圈的電流信號而加以改變。
掃描信號產生器122可提供掃描信號。在使用靜電掃描器的情況下，掃描信號可為電壓信號。在使用磁掃描器的情況下，掃描信號可為電流信號。控制器120可控制掃描信號產生器122提供的掃描信號。
角度修正器磁鐵106可偏折離子束130中所欲種類的離子以將從掃描器104開始的發散離子束路徑轉變為具有實質上平行離子路經軌跡的幾乎準直離子束。
終端站114可將一個或多個晶圓支撐於離子束130的路徑上，使得所欲種類的離子被植入於晶圓110中。晶圓110可由一平台112支撐。晶圓110可採用各種物理形狀比如常見的盤狀。晶圓110可以為任何半導體材質製成的半導體晶圓，此半導體材質例如是矽或待使用離子束130進行植入的其它材質。
終端站114可包括晶圓驅動系統(圖未示)以將晶圓110實體從等候區域移向平台112及從平台112移走。晶圓110可使用習知技術例如靜電晶圓固定法固定於平台112上。終端站114亦可包括平台驅動系統116以驅動平台112並因此沿期望的方向驅動固定於平台112上的晶圓110。例如，平台驅動系統116可包括習知的伺服驅動馬達、螺桿驅動機構、機械聯動裝置及任何其它元件。
在離子植入機一實施例中，掃描器104可沿一方向掃描離子束130，而平台驅動系統116可將晶圓110實體沿與掃描方向垂直的方向移動，以將離子束130分佈於晶圓110正面。在一示範例中，掃描方向可為圖1的座標系統所定義的水平X方向，而平台驅動系統116可沿圖1的坐標系統所定義的垂直Y方向傳送晶圓。
控制器120可從離子植入機100的各種系統及元件接收輸入資料及指令，並提供輸出信號以控制離子植入機
100的元件如掃描器104。為使說明清楚起見，在此僅說明控制器120提供輸出信號至掃描信號產生器122。熟悉此項技藝者當可認識到控制器120亦可提供輸出信號至離子植入機100的每一元件且從每一元件接收輸入信號。控制器120可以是或包括通用電腦或通用電腦網路，其可被程式化以執行期望的輸入/輸出功能。控制器120亦可包括其他電路或元件，例如特定應用積體電路(application specific integrated circuit)、其它硬體連接(hardwired)或可程式化電子裝置、分立元件電路(discrete element circuit)等。控制器120亦可包括通訊裝置、資料儲存裝置及軟體。
用戶介面系統124可包括但不限於以下裝置例如觸控螢幕、鍵盤、指向裝置、顯示器、列印機等，以供用戶經由控制器120輸入命令及/或資料，及/或監視離子植入機100。用戶可經由用戶介面系統124輸入植入所欲的離子束能量、離子束電流、離子種類等。
在操作中，離子束產生器102用於產生離子束130，且掃描器用於以一掃描頻率沿至少一方向掃描離子束。控制器120用於根據離子植入機的操作參數來控制掃描頻率。操作參數至少部分依賴於離子束的能量。在一種情形下，操作參數可以是期望的離子束能量，其是由用戶經由用戶介面系統124輸入至離子植入機100。在另一種情形下，操作參數可以是離子束的操作模式。例如，一種操作模式可以是減速模式，其是傳送高能離子束，然後在植入之前的離子束流線(beam line)的某個位置將離子束減速
成為低能離子束。如此，可避免長距離地傳送低能離子束，因此這種操作模式可為指示性的低能離子束。
在又一種情形下，操作參數可以是離子束的離子的電荷狀態。因為低能量束幾乎總是僅有單價離子運動，故離子束的電荷狀態可以是單價(singly charged)離子。因為離子束電流及密度是如此的低，雙價(doubly charged)及三價(triply charged)離子一般不需要額外的中和。在又一種情形下，操作參數可以是離子束電流密度。在又一種情形下，操作參數可以是取決於離子束的能量及束電流的組合。例如，低掃描頻率可能對具有高電流的低能離子束有利，但不會對具有低電流的低能離子束有利。
圖2為在一掃描頻率下離子束於晶圓110正面上的掃描圖案的示意圖。為將離子束均勻的分佈於晶圓110的表面，掃描器104可沿水平X方向掃描離子束130，同時平台驅動系統116沿垂直Y方向傳送晶圓110以形成繪示的Z形掃描圖案。若平台驅動系統116沿垂直Y方向均速傳送晶圓，則通過晶圓110正面的被掃描離子束的數目則依賴掃描器104的掃描頻率來確定。例如，掃描頻率越高，相對於較低掃描頻率，將會導致更多離子束的通過。
參照圖3，其繪示可作為圖1的掃描器104的靜電掃描器104a的一實施例。靜電掃描器104a可具有一組掃描板302、304形式的掃描電極，其設置於離子束130二相對側。另外亦可以在掃描板302、304的上游設置比如預掃描(prescan)電極之額外電極(圖未示)及在掃描板302、304
的下游設置後掃描(postscan)電極。在此，上游及下游是針對離子束傳送的方向而言。
掃描板302、304可相互隔開以形成間隙326。離子束130可被導引穿過間隙326，且離子束130的扇形束包(beam envelop)328的寬度隨著其通過間隙326而增大。掃描板302可連接至掃描放大器310，且掃描板304可連接至掃描放大器312。放大器310、312可從掃描信號產生器122接收電壓信號。掃描信號產生器122可由控制器120來控制。
為調整靜電掃描器104a的掃描頻率，掃描信號產生器122可從控制器120接收期望掃描頻率的數位描述。掃描信號產生器122可產生電壓信號，該電壓信號可被掃描放大器310、312放大且可施加於掃描板302、304以在間隙326中產生期望的電場以偏折或掃描離子束130。掃描信號產生器122產生的電壓信號可能具有不同的幅值、頻率及波形用以調整掃描頻率。在一實施例中，電壓信號可能具有鋸齒波形，掃描頻率的調整可藉由調整信號幅值及電壓信號的峰值與峰值之間的坡度來達成。
圖4為一實施例中掃描頻率對離子束能量的關係圖401，其繪示出圖1的掃描器104的掃描頻率如何隨離子束130的能量變化而變化。若離子束130的能量高於能量閥值(eth
)，則掃描頻率可能高於掃描頻率閥值(fth
)。另外，若離子束130的能量低於能量閥值(eth
)，則掃描頻率可能低於掃描頻率閥值(fth
)。在一實施例中，能量閥
值(eth
)可能位於大約1至50千電子伏特(KeV)之間。在另一情形下，能量閥值(eth
)大約為30KeV。在一實施例中，掃描頻率閥值(fth
)可能為大約500赫茲。
在圖4繪示的實施例中，離子束130能量高於能量閥值(eth
)時，掃描頻率可能為第一掃描頻率(f1)，離子束130能量低於能量閥值(eth
)時，掃描頻率為第二掃描頻率(f2)。雖然對於那些高於或低於能量閥值(eth
)的能量而言，第一掃描頻率(f1)及第二掃描頻率(f2)是固定的，但第一及第二掃描頻率亦可根據均勻度調整在一定範圍內變化，如箭頭402、404所示。
第二掃描頻率(f2)可能較第一掃描頻率(f1)小一個數量級(order of magnitude)。在一種情形下，第二掃描頻率(f2)可能至少小於第一掃描頻率(f1)三倍。在另一示範例中，第一掃描頻率可能為大約1千赫茲(KHz)，第二掃描頻率(f2)可能為大約250赫茲。
對於低能離子束，例如能量低於能量閥值(eth
)的離子束，將掃描器104的掃描頻率從較高掃描頻率降低一個數量級使離子植入機100的中和系統能夠具有相似的數量級以更長時間地中和低能離子束。例如，角度修正器磁鐵106可包含背景氣體(background gas)，當被離子化時可更有效地中和粒子束。若掃描頻率高於掃描頻率閥值，則背景氣體具有第一時間間隔，供所述角度修正器磁鐵在一路徑上中和所述離子束。若掃描頻率低於掃描頻率閥值，則背景氣體具有第二時間間隔以中和離子束。根據對應的
掃描頻率的降低，第二時間間隔可能長於第一時間間隔至少三倍。
圖5為另一實施例中掃描頻率對離子束能量的另一關係圖501，其繪示出圖1的掃描器104的掃描頻率如何隨離子束130的能量變化而變化。對於低於能量閥值(eth
)的能量，控制器120可能階梯式(step wise fashion)降低掃描器104掃描頻率。例如，對於低於能量閥值但高於第二能量(e2)的能量，掃描頻率可能為第二掃描頻率(f2)。對於低於第二能量(e2)但高於第三能量(e3)的能量，掃描頻率可能為第三掃描頻率(f3)，依次類推。雖然為介紹清楚起見，僅示出三個階梯，掃描頻率的階梯式遞減可具有任何數目的階梯，且每一階梯之間的程度變化(magnitude variations)不同。類似於圖4的實施例，雖然示出的相關能量範圍內的頻率是固定的，頻率水平可根據均勻度調整在一定範圍內變化。
參照圖6，其為掃描頻率對離子束能量的另一關係圖601。與圖5的實施例相較，控制器120可以線性方式降低針對低於能量閥值(eth
)的能量的掃描頻率。
參照圖7，其為離子植入機700一實施例的方塊圖。熟悉該項技藝者當可知悉本發明亦可以應用於其他離子植入機，而圖7的實施例僅用作示範來介紹本發明，因此並不意味著對本發明構成限定。圖7與圖1相似的元件將採用相似的標號，因此為描述清楚簡明，將省去重複性的說明。離子植入機700可包括離子源720、萃取電極(extraction
electrode)722、質量分析器(mass analyzer)724、鑑別孔隙(resolving aperture)726、掃描器104、角度修正器磁鐵706、終端站114、控制器120、掃描信號產生器122、用戶介面系統124。離子植入機700的掃描器104的控制方式與圖1中描述的情形相似。掃描器104亦可為圖3中介紹的靜電掃描器104a。
離子源720可產生離子。離子源720可包括離子腔及裝有待離子化氣體的氣體瓶(gas box)。氣體可供應至離子腔以進行離子化。如此形成的離子可從離子源720中萃取出。萃取電極722及萃取電源可加速從離子源萃取出的離子。萃取電源可在控制器120的控制下加以調整。離子源的結構及操作皆為習知技術。
質量分析器724可包括鑑別磁鐵，該鑑別磁鐵偏折離子使得期望種類的離子通過鑑別孔隙726，而使不期望的種類的離子不通過鑑別孔隙726。在一實施例中，質量分析器724可將期望種類的離子偏折90度。掃描器104可設置於鑑別孔隙726的上游以沿至少一方向掃描離子束。角度修正器磁鐵706可偏折期望種類的離子以將發散粒子束轉變成具有實質上平行離子軌跡的幾乎準直離子束。在一實施例中，角度修正器磁鐵706將期望種類的離子偏折45度。
圖8為離子束130於晶圓110上的另一掃描圖案的示意圖。對於能量低於能量閥值(eth
)的低能離子束，圖8的掃描圖案可能是在低於掃描頻率閥值(fth
)的掃描頻率
下掃描得到。在一實施例中，能量閥值可能為30keV。
在這些低能量水平，離子束130可能由於空間電荷效應而開始發散。離子束130可能初始具有近似圓形的橫截面，此橫截面可能在低能量情況開始變大。結果，入射至晶圓110的截面圖案可能因而近似地呈現具有軸808、809的橢圓形狀。基本上，隨著離子束能量降低，兩軸808、809皆變大。對於高能離子束，軸809可能為2釐米(cm)，而對於極低能離子束可能為10cm或更大。類似地，對於高能離子束，軸808可能為2釐米(cm)，而對於極低能離子束可能為10cm或更大。因為離子束的軸808對於低能離子束可能是足夠大，掃描器104的掃描頻率即使被降低亦能使離子束130充分覆蓋晶圓110正面，從而符合劑量均勻度要求。入射至晶圓110的離子束130的橫截面圖案亦可具有其它形狀，而這些形狀可能進一步受到離子束130於其路經上如何及何時被限幅(clipped)的影響。
較有利地，離子植入機的掃描器104的掃描頻率可以進行調整以對高能離子束保持較高的掃描頻率，且針對需要額外時間用於電荷中和的低能離子束掃描頻率可調整至較低的掃描頻率。此較高的掃描頻率使離子植入機可保持較高掃描頻率對高能離子束的益處，例如較佳的離子束電流偵測及額外的離子束到達晶圓正面以協助達成均勻度目標。另外，掃描頻率可針對一些低能離子束而降低，以使這些低能離子束有充分的時間間隔進行電荷中和。對於低能離子束，中和之後的中性離子束由於空間電荷效應而發
散，使得即使降低掃描頻率，均勻度目標仍然能夠達成，因此可增加為低能離子束建立均勻度的成功率及降低在離子束建立期間的均勻度調整時間。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧離子植入機
102‧‧‧離子束產生器
104‧‧‧掃描器
110‧‧‧晶圓
112‧‧‧平台
114‧‧‧終端站
116‧‧‧平台驅動系統
120‧‧‧控制器
122‧‧‧掃描信號產生器
124‧‧‧用戶介面系統
130‧‧‧離子束
104a‧‧‧靜電掃描器
302‧‧‧掃描板
304‧‧‧掃描板
310‧‧‧掃描放大器
312‧‧‧掃描放大器
326‧‧‧間隙
328‧‧‧離子束包
401‧‧‧關係圖
402‧‧‧箭頭
404‧‧‧箭頭
501‧‧‧關係圖
601‧‧‧關係圖
700‧‧‧離子植入機
706‧‧‧角度修正器磁鐵
720‧‧‧離子源
722‧‧‧萃取電極
724‧‧‧質量分析器
726‧‧‧鑑別孔隙
808‧‧‧軸
809‧‧‧軸
圖1為離子植入機的示意方塊圖。
圖2為圖1的晶圓上的掃描圖案的示意代表圖。
圖3為靜電掃描器的示意圖。
圖4為一實施例中掃描頻率對離子束能量的關係圖。
圖5為另一實施例中掃描頻率對離子束能量的關係圖，其繪示出在某些頻率範圍內掃描頻率呈階梯式降低。
圖6為又一實施例中掃描頻率對離子束能量的關係圖，其繪示出在某些頻率範圍內掃描頻率呈線性降低。
圖7為圖1的離子植入機一實施例的示意方塊圖。
圖8為晶圓上對於低能離子束的另一掃描圖案的示意代表圖。
100‧‧‧離子植入機
102‧‧‧離子束產生器
104‧‧‧掃描器
110‧‧‧晶圓
112‧‧‧平台
114‧‧‧終端站
116‧‧‧平台驅動系統
120‧‧‧控制器
122‧‧‧掃描信號產生器
124‧‧‧用戶介面系統
130‧‧‧離子束
Claims (22)
- 一種離子植入機，包括：離子束產生器，其產生離子束；掃描器，其沿至少一方向以一掃描頻率對所述離子束進行掃描；及控制器，其根據所述離子植入機的操作參數控制所述掃描頻率，所述操作參數至少部份取決於所述離子束的能量，若所述能量高於能量閥值，則所述掃描頻率高於掃描頻率閥值，若所述能量低於所述能量閥值，則所述掃描頻率低於所述掃描頻率閥值。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中所述掃描器包括靜電掃描器。
- 如申請專利範圍第2項所述之離子植入機，其中所述靜電掃描器包括一組掃描電極，所述掃描電極相互隔開形成間隙，所述離子束被導引通過所述間隙，所述控制器藉由改變提供至所述掃描電極的電壓信號來控制所述掃描頻率。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中所述能量閥值的範圍在大約1千電子伏特(keV)至大約50keV之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中所述掃描頻率閥值大約為500赫茲。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中，對於高於所述能量閥值的所述能量，所述掃描頻率為第一 掃描頻率；對於低於所述能量閥值的所述能量，所述掃描頻率為第二掃描頻率，所述第二掃描頻率至少低於所述第一掃描頻率三倍。
- 如申請專利範圍第6項所述之離子植入機，其中所述第一掃描頻率為大約1千赫茲(kHz)，且第二掃描頻率為大約250Hz。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中對於低於所述能量閥值的能量，所述控制器以階梯式降低所述掃描頻率。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中對於低於所述能量閥值的能量，所述控制器以線性方式降低所述掃描頻率。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中，若所述能量高於所述能量閥值，所述掃描頻率大約為1千赫茲(kHz)，若所述能量低於所述能量閥值，所述掃描頻率大約為250赫茲，所述能量閥值大約為30keV。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，進一步包括具有背景氣體的角度修正器磁鐵，若掃描頻率高於掃描頻率閥值，則背景氣體具有第一時間間隔，供所述角度修正器磁鐵在一路徑上中和所述離子束；若掃描頻率低於掃描頻率閥值，則背景氣體具有第二時間間隔，供所述角度修正器磁鐵在所述路徑上中和所述離子束，所述第二時間間隔長於第一時間間隔。
- 如申請專利範圍第11項所述之離子植入機，其中 所述第二時間間隔至少長於第一時間間隔三倍。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中所述操作參數包括所述離子植入機的操作模式。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中所述操作參數包括所述離子束的離子的電荷狀態。
- 如申請專利範圍第1項所述之離子植入機，其中所述操作參數亦至少部份取決於所述離子束的離子束電流。
- 一種離子植入方法，包括：產生離子束；沿至少一方向以一掃描頻率掃描所述離子束；及根據操作參數控制所述掃描頻率，所述操作參數至少部份取決於所述離子束的能量，若所述能量高於能量閥值，則所述掃描頻率高於掃描頻率閥值，若所述能量低於所述能量閥值，則所述掃描頻率低於所述掃描頻率閥值。
- 如申請專利範圍第16項所述之離子植入方法，其中所述能量閥值的範圍在大約1千電子伏特(keV)至大約50keV之間。
- 如申請專利範圍第16項所述之離子植入方法，其中所述掃描頻率閥值大約為500赫茲。
- 如申請專利範圍第16項所述之離子植入方法，其中所述控制所述掃描頻率包括對於低於所述能量閥值的能量，以階梯式降低所述掃描頻率。
- 如申請專利範圍第16項所述之離子植入方法，其中若所述能量高於所述能量閥值，所述掃描頻率大約為1 千赫茲(kHz)，若所述能量低於所述能量閥值，所述掃描頻率大約為250赫茲，所述能量閥值大約為30keV。
- 如申請專利範圍第16項所述之離子植入方法，其中對於高於所述能量閥值的所述能量，所述掃描頻率為第一掃描頻率；對於低於所述能量閥值的所述能量，所述掃描頻率為第二掃描頻率，所述第二掃描頻率至少低於所述第一掃描頻率三倍。
- 如申請專利範圍第21項所述之離子植入方法，其中在所述第一掃描頻率下，中和系統具有第一時間間隔，供角度修正器磁鐵在一路徑上中和所述離子束；在所述第二掃描頻率下，所述中和系統具有第二時間間隔，供所述角度修正器磁鐵在所述路徑上中和所述離子束，所述第二時間間隔至少長於第一時間間隔三倍。
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