JP2009505420A5 - - Google Patents
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- 中心波長(λ)でピーク状プロファイルを有する放射を放出することができる共振空洞発光ダイオード(RCLED)デバイスであって、
上面および底面をもつ平面形状を有し、1つまたは複数の量子井戸が内部に配置されており、前記1つまたは複数の量子井戸が、エネルギーを供給して前記RCLEDの放射出力を誘導するように構成され、また前記RCLEDの共振波に対して波腹の位置付近に配置される、第1の活性領域と、
前記第1の活性領域の上面に隣接し、前記第1の活性領域の中央から第1の距離延びるような厚さを有する第1のチャンバと、
前記第1の活性領域の底面に隣接し、クラッド層と、電子閉じ込めバリア層とトンネルダ イオードとを備える、第2のチャンバとを備え、
前記第1の活性領域、前記第1のチャンバ、および前記第2のチャンバが、赤外領域内に中心波長を有する電磁放射を生成する一次共振経路を形成するように構成され、前記第1の活性領域、前記第1のチャンバ、および前記第2のチャンバの厚さの合計が約2λ以下である、RCLEDデバイス。 - 前記第1の活性領域が1つ〜5つの量子井戸を含む、請求項1記載のデバイス。
- 前記量子井戸がInAsとInAsSbの交互層からなる、請求項1記載のデバイス。
- 前記第1の活性領域が3つの量子井戸を含む、請求項1記載のデバイス。
- 前記第2のチャンバの底部に隣接する第2の反射器をさらに備え、前記第2の反射器が4分の1波長の分布ブラッグ反射器(DBR)スタックを含む、請求項1記載のデバイス。
- 前記RCLEDが、空気中で約4.26ミクロンの中心波長を有する赤外放射を放出するように構成される、請求項1記載のデバイス。
- 前記第1の反射器が、相当量の放射を、前記第1の反射器の向こうへ通過させるように構成される、請求項1記載のデバイス。
- 前記RCLEDの中心波長および品質係数が、ある雰囲気中の二酸化炭素を検出するための使用に実質的に最適化される、請求項1記載のデバイス。
- 中心波長(λ)でピーク状プロファイルを有する放射を放出することができる共振空洞発光ダイオード(RCLED)デバイスであって、
1つまたは複数の量子井戸が内部に配置され、第1のチャンバに使用される主要材料がInAsである第1の活性領域と、
前記第1の活性領域に結合された第1のチャンバおよび第2のチャンバと、
前記第1および第2のチャンバにそれぞれ結合された第1および第2の反射器とを備え、 前記第2のチャンバが、電子閉じ込めバリア層とトンネルダイオードとを備える、RCLEDデバイス。 - 前記RCLED内の放射の一次共振経路が約1.5λ以下である、請求項9記載のデバイス。
- 前記RCLEDが、主にInAsからなり、かつ複数のエピタキシャル成長させた内部層を含む、請求項9記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/203,398 | 2005-08-15 | ||
US11/203,398 US7560736B2 (en) | 2005-08-15 | 2005-08-15 | Mid-infrared resonant cavity light emitting diodes |
PCT/US2006/029562 WO2007021509A2 (en) | 2005-08-15 | 2006-07-28 | Mid-infrared resonant cavity light emitting diodes |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009505420A JP2009505420A (ja) | 2009-02-05 |
JP2009505420A5 true JP2009505420A5 (ja) | 2011-09-22 |
JP5357542B2 JP5357542B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=37533258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008526956A Expired - Fee Related JP5357542B2 (ja) | 2005-08-15 | 2006-07-28 | 中赤外共振空洞発光ダイオード |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7560736B2 (ja) |
EP (1) | EP1935039B1 (ja) |
JP (1) | JP5357542B2 (ja) |
KR (1) | KR20080035696A (ja) |
CN (1) | CN101288184B (ja) |
CA (1) | CA2618695C (ja) |
WO (1) | WO2007021509A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7366071B2 (ja) | 2018-06-20 | 2023-10-20 | アルディア | ダイオードアレイを備えた光電子デバイス |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100631133B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2006-10-02 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물계 반도체 발광 다이오드 |
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US7642562B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-01-05 | Innolume Gmbh | Long-wavelength resonant-cavity light-emitting diode |
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KR102131599B1 (ko) | 2013-12-16 | 2020-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
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US10418517B2 (en) | 2016-02-23 | 2019-09-17 | Silanna UV Technologies Pte Ltd | Resonant optical cavity light emitting device |
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US10622514B1 (en) | 2018-10-15 | 2020-04-14 | Silanna UV Technologies Pte Ltd | Resonant optical cavity light emitting device |
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CN111785819B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-09-07 | 厦门大学 | 一种GaN基窄带发射共振腔发光二极管及其制作方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS61277818A (ja) | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Nissan Motor Co Ltd | 多段式タ−ボ過給エンジン |
EP0608674A1 (en) * | 1993-01-26 | 1994-08-03 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | InAsSb light emitting diodes |
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2005
- 2005-08-15 US US11/203,398 patent/US7560736B2/en active Active
-
2006
- 2006-07-28 KR KR1020087006179A patent/KR20080035696A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-07-28 CN CN2006800383820A patent/CN101288184B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-28 CA CA2618695A patent/CA2618695C/en active Active
- 2006-07-28 EP EP06800501.6A patent/EP1935039B1/en active Active
- 2006-07-28 WO PCT/US2006/029562 patent/WO2007021509A2/en active Application Filing
- 2006-07-28 JP JP2008526956A patent/JP5357542B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7366071B2 (ja) | 2018-06-20 | 2023-10-20 | アルディア | ダイオードアレイを備えた光電子デバイス |
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