JP2014154559A - 半導体発光素子、光源ヘッド、及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子100は、発光層108を含む半導体層と、半導体層を間に挟む上部反射面R1および下部反射面R2と、を含む。発光層108から発せられる光の半導体層内におけるピーク波長をλ、任意の正の整数をaとしたとき、上部反射面R1と下部反射面R2との間の距離Lが、0.20λ+0.5aλ≦L≦0.30λ+0.5aλを満たす。
【選択図】図6
Description
図6は、本発明の第1の実施形態に係る半導体発光素子100の断面図、図7は、半導体発光素子100の各層の構成を示す図である。図7には、半導体発光素子100を構成する各層のAl組成比、層厚およびドーパントなどが示されている。図7において示される層厚は、基準波長λの倍数で示されている。ここで、λは、発光層から出射される光の真空中でのピーク波長(すなわち、自然発光スペクトルのピーク波長)λ0を当該層の屈折率nで割った値(λ=λ0/n)である(以下同じ)。つまりλは、発光層から発せられる光が当該層内を伝搬する際のピーク波長である。
すなわち、上部反射面R1と下部反射面R2との間の距離Lは、自然発光スペクトルのピーク波長λ0に対する共振条件である0.5aλから0.25λだけシフトさせた値に設定されている。本実施形態では、上部反射面R1と下部反射面R2との間に挟まれた半導体層の層厚(発光層108、クラッド層110およびコンタクト層112の層厚の合計)は、5.75λ(a=11)とされており、上記式(1)を満たす。
絶縁体層114の層厚tiをこのように設定することで、絶縁体層114とコンタクト層112との界面で反射される光の位相と、絶縁体層114と空気との界面で反射される光の位相が0.5λずれるので、絶縁体層114による反射防止効果が最大となる。さらに、絶縁体層114の上面と下部反射面R2との距離(すなわち、発光層108、クラッド層110、コンタクト層112および絶縁体層114の層厚の合計)が波長λ0に対する共振条件を満たす0.5λの整数倍となる。本実施形態では、絶縁体層114の層厚は1.25λ(b=2)とされており、上記式(2)を満たす。
図9は、本発明の第2の実施形態に係る半導体発光素子の各層の構成を示す図である。図9には、本発明の第2の実施形態に係る半導体発光素子を構成する各層のAl組成比、層厚およびドーパントなどが示されている。図9において示される層厚は、基準波長λの倍数で示されている。なお、第2の実施形態に係る半導体発光素子の断面構造は、第1の実施形態に係る半導体発光素子100と同一であるので、図6も参照して本実施形態に係る半導体発光素子について説明する。
図11は、本発明の第3の実施形態に係る半導体発光素子100aの断面図、図12は、半導体発光素子100aの各層の構成を示す図である。図12には、半導体発光素子100aを構成する各層のAl組成比、層厚およびドーパントなどが示されている。図12において示される層厚は、基準波長λの倍数で示されている。
図13は、本発明の第4の実施形態に係る半導体発光素子100cの断面図、図14は、半導体発光素子100cの各層の構成を示す図である。図14には、半導体発光素子100cを構成する各層のAl組成比、層厚およびドーパントなどが示されている。図14において示される層厚は、基準波長λの倍数で示されている。
図15は、本発明の第5の実施形態に係る半導体発光素子100dの断面図、図16は、半導体発光素子100dの各層の構成を示す図である。図16には、半導体発光素子100dを構成する各層のAl組成比、層厚およびドーパントなどが示されている。図16において示される層厚は、基準波長λの倍数で示されている。
また、各実施形態では、上記の式(2)に示すように、反射防止層として機能する絶縁体層の層厚tiを、0.5λの整数倍(0.5bλ)から0.25λだけシフトさせた値に設定する場合を示したが、シフト量が0.25λから±0.1λずれたとしても、上記各実施形態に係る半導体発光素子によって奏される効果に実質的な影響はない。従って、絶縁体層の層厚tiを下記の範囲に設定することがし得る。
また、各実施形態では、反射防止層として機能する絶縁体層をSiO2、SiNxおよびこれらの積層膜で構成する場合を例示したが、屈折率が1.4以上且つ3以下の他の絶縁体を使用してもよい。絶縁体層による反射防止機能を高めるためには、絶縁体層の屈折率が1.8以上且つ2.2以下であることが好ましい。なお、SiO2相当の効果を得るためには、屈折率が1.45以上であることが好ましい。また、SiNxと相当の効果を得るためには、屈折率が1.8以上且つ2.2以下であることが好ましく、候補材料としてCeO2、HfO2、La2O3、Ta2O5、Y2O3、ZnO、ZrO等が挙げられる。
16 光源ヘッド
50 発光素子アレイ
100、100b、100c、100d 半導体発光素子
104、134 基板層
106、136 DBR層
108、138 発光層
110、140 クラッド層
112、142 コンタクト層
114、144 絶縁体層
114a 第1の絶縁体層
114b 第2の絶縁体層
R1 上部反射面
R2 下部反射面
Claims (9)
- 発光層を含む半導体層と、
前記半導体層を間に挟む上部反射面および下部反射面と、を含み、
前記発光層から発せられる光の前記半導体層内におけるピーク波長をλ、任意の正の整数をaとしたとき、前記上部反射面と前記下部反射面との間の距離Lが、
0.20λ+0.5aλ≦L≦0.30λ+0.5aλ
を満たす半導体発光素子。 - 前記半導体層の表面に設けられ且つ前記半導体層の屈折率と空気の屈折率との中間の屈折率を有する絶縁体層を更に含み、
前記半導体層と前記絶縁体層との界面が前記上部反射面を形成している請求項1に記載の半導体発光素子。 - 任意の正の整数をbとしたとき、前記絶縁体層の層厚t1が、
0.15λ+0.5bλ≦t1≦0.35λ+0.5bλ
を満たす請求項2に記載の半導体発光素子。 - 前記絶縁体層は、前記半導体層と接する相対的に屈折率の大きい第1の絶縁体層と、前記第1の絶縁体層上に設けられた相対的に屈折率の小さい第2の絶縁体層とを含む請求項2または3に記載の半導体発光素子。
- 前記第2の絶縁体層の層厚は、前記第1の絶縁体層の層厚よりも大である請求項4に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体層は、AlxGa1−xAsを含み、
前記絶縁体層は、屈折率が1.8以上且つ2.2以下の材料で構成されている請求項2乃至5のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 屈折率が互いに異なる複数の層を積層して構成され且つ前記半導体層と接する多層膜反射鏡を更に含み、
前記半導体層と前記多層膜反射鏡との界面が前記下部反射面を形成している請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体発光素子を複数含む発光素子アレイと、
前記半導体発光素子の各々から出射される光を露光面に集光する光学系と、
を含む光源ヘッド。 - 請求項8に記載の光源ヘッドと、
前記光源ヘッドから出射される光によって表面に静電潜像が形成される感光体と、
前記感光体に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像部と、
前記感光体に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写部と、
を含む画像形成装置。
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