JP2009504426A - 表面織り目加工微小孔性研磨パッド - Google Patents

表面織り目加工微小孔性研磨パッド Download PDF

Info

Publication number
JP2009504426A
JP2009504426A JP2008526988A JP2008526988A JP2009504426A JP 2009504426 A JP2009504426 A JP 2009504426A JP 2008526988 A JP2008526988 A JP 2008526988A JP 2008526988 A JP2008526988 A JP 2008526988A JP 2009504426 A JP2009504426 A JP 2009504426A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing pad
polishing
foam
range
textured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008526988A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009504426A5 (ja
JP5009914B2 (ja
Inventor
プラサド,アバネシュワー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CMC Materials Inc
Original Assignee
Cabot Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Microelectronics Corp filed Critical Cabot Microelectronics Corp
Publication of JP2009504426A publication Critical patent/JP2009504426A/ja
Publication of JP2009504426A5 publication Critical patent/JP2009504426A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5009914B2 publication Critical patent/JP5009914B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • B24D18/0063Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for by extrusion
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B24D3/32Resins or natural or synthetic macromolecular compounds for porous or cellular structure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C44/00Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles
    • B29C44/34Auxiliary operations
    • B29C44/3469Cell or pore nucleation
    • B29C44/348Cell or pore nucleation by regulating the temperature and/or the pressure, e.g. suppression of foaming until the pressure is rapidly decreased
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C44/00Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles
    • B29C44/34Auxiliary operations
    • B29C44/56After-treatment of articles, e.g. for altering the shape
    • B29C44/5627After-treatment of articles, e.g. for altering the shape by mechanical deformation, e.g. crushing, embossing, stretching
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24496Foamed or cellular component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24496Foamed or cellular component
    • Y10T428/24504Component comprises a polymer [e.g., rubber, etc.]
    • Y10T428/24512Polyurethane
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249976Voids specified as closed
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249976Voids specified as closed
    • Y10T428/249977Specified thickness of void-containing component [absolute or relative], numerical cell dimension or density

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)

Abstract

化学機械研磨用に適する表面織り目加工研磨パッドは、60μm以下の範囲にある平均孔気泡径を有する多孔質高分子フォームを含む。フォーム中の少なくとも75%の孔は平均孔気泡径の30μm内の孔気泡径を有する。該パッドは、25μm〜1150μm範囲内の深さ、0.25μm〜380μm範囲内の幅、および1〜1000の長さ対幅アスペクト比を有する窪みを含む少なくとも一つの織り目加工表面を有する。加えて、該パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、表面積の平方センチメートル当り少なくとも10個の窪みを含み、少なくとも5μmの平均表面粗さを有する。好ましくは、少なくとも一つの織り目加工表面は、その上に刻まれる、少なくとも一つの間隙を介した平行な溝のパターンを有する。

Description

本発明は、均一な孔径分布および織り目加工表面を有する多孔質フォームを含む化学機械研磨用の研磨パッドに関する。
化学機械研磨(「CMP」)法は、半導体ウエハー、電界放出ディスプレイ、および多くの他のマイクロ電子基板上に平坦な表面を形成するためにマイクロ電子デバイスの製造において用いられる。例えば、半導体デバイスの製造は、一般に、種々の処理層、それらの層部分の選択的な除去またはパターン化、および半導体基板表面上のさらなる追加の処理層の堆積の形成を含んで半導体ウエハーを形成する。処理層には、一例として、絶縁層、ゲート酸化膜層、導電層、および金属またはガラス層などを挙げることができる。処理層の最上層表面が、次の層の堆積のために平面である、すなわち平坦であることは、一般に、ウエハープロセスの一部の段階において望ましい。CMPは、次の処理段階用にウエハーを調製するために、ウエハーから導電または絶縁材料などの堆積材料の一部を研磨し除去するために用いられる。
一般的なCMP法において、ウエハーはCMP工具中の担体上に逆さまにはめこまれる。力をかけて担体およびウエハーを研磨パッドに向けて下に押す。担体およびウエハーはCMP工具の研磨テーブル上の回転研磨パッド上で回転する。研磨組成物(研磨スラリーとも呼ばれる)は、一般に、研磨工程の間に回転ウエハーと回転研磨パッド間に導入される。研磨組成物は、一般的に、最上層ウエハー層(複数を含む)部分と相互作用するか、またはそれらを溶解する化学物質、および層(複数を含む)の部分を物理的に除去する研削材を含有する。ウエハーおよび研磨パッドは、どちらでも行おうとする特定の研磨法にとって望ましいように、同じ方向かまたは反対方向に回転することができる。担体は、また、研磨テーブル上の研磨パッドにわたって振動することができる。
化学機械研磨法において用いられる研磨パッドは、ポリマー含浸布地、微小孔性フィルム、発泡型ポリマーフォーム、非多孔質ポリマーシート、および焼結熱可塑性粒子を含む軟質および硬質両方のパッド材料を用いて製造される。ポリエステル不織布中に含浸されるポリウレタン樹脂を含有するパッドは、ポリマー含浸布地研磨パッドの例証である。微小孔性研磨パッドには、多くの場合含浸布地パッドである基材上に被覆される微小孔性ウレタンフィルムが挙げられる。これらの研磨パッドは独立気泡の多孔質フィルムである。発泡型ポリマーフォーム研磨パッドは、あらゆる立体形態中で不規則におよび均一に分布する独立気泡構造を含有する。
非多孔質ポリマーシート研磨パッドには、スラリー粒子を輸送する固有の能力を全く持たない固体ポリマーシート製の研磨表面が挙げられる(例えば、米国特許第5,489,233号明細書を参照すること)。これらの固体研磨パッドの研磨表面は、化学機械研磨の間にスラリー通路用のチャンネルを提供するためと言われているパッド表面中に切り込まれる大きなおよび/または小さな溝により、外部から修正される。こうした非多孔質ポリマー研磨パッドは米国特許第6,203,407号明細書に開示されており、研磨パッドの研磨表面は、化学機械研磨における選択性を改善すると言われているようなやり方で方向付けられる溝を含む。
加えて、米国特許第6,022,268号明細書、第6,217,434号明細書、および第6,287,185号明細書には、スラリー粒子を吸収するか、または輸送するための固有の能力を全く持たない親水性研磨パッドが開示されている。研磨表面は、10μm以下の寸法を有し、研磨表面を凝固させることにより形成されるミクロ開口部、および25μm以上の寸法を有する表面中に切り込まれるマクロ欠陥(またはマクロ織り目)を含む不規則な表面地形を有すると言われている。多孔質開放気泡型構造を含む焼結研磨パッドは、熱可塑性ポリマー樹脂から調製することができる。例えば、米国特許第6,062,968号明細書および第6,126,532号明細書には、焼結性熱可塑性樹脂により製造される開放気泡型微小孔性基材による研磨パッドが開示されている。得られる研磨パッドは、好ましくは、25〜50%間の空隙容量および0.7〜0.9g/cm3の密度を有する。同様に、米国特許第6,017,265号明細書、第6,106,754号明細書、および第6,231,434号明細書には、望ましい最終パッド寸法を有する金型中に689.5kPa(100psi)を超える高圧で熱可塑性ポリマーを焼結させることにより製造される、均一で連続相互連結した孔構造を有する研磨パッドが開示されている。
溝パターンに加えて、研磨パッドは、研磨パッドの表面に織り目を提供するための他の表面態様を有することができる。例えば、米国特許第5,609,517号明細書には、すべて異なる硬度を有する支持体層、ノード、および上層を含む複合研磨パッドが開示されている。米国特許第5,944,583号明細書には、交互圧縮性の環状リングを有する複合研磨パッドが開示されている。米国特許第6,168,508号明細書には、物理的特性の第1値(例えば、硬度、比重、圧縮率、摩損性、高さなど)を有する第1研磨面、および物理的特性の第2値での第2研磨面を有する研磨パッドが開示されている。米国特許第6,287,185号明細書には、熱成形法により生成される表面地形を有する研磨パッドが開示されている。研磨パッド表面は圧力または応力下で加熱され、表面態様の形成をもたらす。
微小孔性フォーム構造を有する研磨パッドは、一般的に技術上公知である。例えば、米国特許第4,138,228号明細書には、微小孔性および親水性である研磨物品が開示されている。米国特許第4,239,567号明細書には、シリコンウエハーを研磨するための平坦な微小発泡型ポリウレタン研磨パッドが開示されている。米国特許第6,120,353号明細書には、9%未満の圧縮率および150孔/cm2以上の高い孔密度を有するスエード様フォームポリウレタン研磨パッドを用いる研磨法が開示されている。EP1108500A1号明細書には、1000μm未満の平均径の独立気泡を有する少なくとも80のミクロゴムAタイプ硬度、および0.4〜1.1g/ml密度の研磨パッドが開示されている。
いくつかの上述の研磨パッドは、一般に、それらの使用目的に適するが、特に化学機械研磨による基板研磨における有効な平坦化を提供する改善された研磨パッドに対する必要性が残ったままである。加えて、改善された研磨効率、研磨パッドにわたると共にその内部の改善されたスラリー流、腐食液に対する改善された耐性、および/または改善された研磨均一性を有する研磨パッドに対する必要性が存在する。最後に、比較的低コストの方法を用いて製造することができると共に、使用前にほとんどまたは全く調整を必要としない研磨パッドに対する必要性が存在する。
本発明は、こうした改善された研磨パッドを提供する。本発明のこれらのおよび他の利点、ならびに追加の本発明の態様は、本明細書において提供される本発明の説明から明白である。
本発明は、化学機械研磨用途における使用に適する表面織り目加工研磨パッドを提供する。本発明の表面織り目加工研磨パッドは、フォーム中の少なくとも75%の孔が平均孔気泡径から30μm内の孔気泡径を有する、60マイクロメートル(μm)以下の範囲にある平均孔気泡径を有する多孔質フォームを含む。該パッドは、25μm(1ミル)〜1150μm(45ミル)範囲内の深さ、0.25μm(0.01ミル)〜380μm(15ミル)範囲内の幅、および1〜1000のアスペクト比(すなわち、長さ対幅の比)を有する窪みを含む少なくとも一つの織り目加工表面を有する。該パッドの織り目加工表面は、表面積の平方センチメートル当り少なくとも10個の窪みを含み、少なくとも5μmの平均表面粗さを有する。好ましくは、フォームは立方センチメートル当り少なくとも104気泡の孔気泡密度を有する。
多孔質フォームは、化学機械研磨法における使用に適するあらゆる材料を含むことができる。好ましくは、多孔質フォームは熱可塑性ポリウレタンを含む。好ましい熱可塑性ポリウレタンフォームは、60ミクロン以下、さらに好ましくは50μm以下の範囲にある平均孔径を有する。好ましい熱可塑性ポリウレタンは、20以下のメルト・フロー・インデックス(MFI)、20,000g/モル〜600,000g/モル範囲にある分子量、および1.1〜6範囲内の多分散性指数を有する。
一つの実施形態において、パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、25μmを超え(すなわち、1ミルを超え)、好ましくは60μm(2.4ミル)以下の平均表面粗さ(Ra)を有する。別の実施形態において、パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、5〜25μm(0.2ミル〜1ミル)、さらに好ましくは8〜15μm(0.3ミル〜0.6ミル)範囲にある平均表面粗さを有する。
別の好ましい実施形態において、研磨パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、その上に刻まれる溝の織り目加工パターンを有する。好ましくは、溝の織り目加工パターンは、間隙を介した平行な溝の第1パターン、および間隙を介した平行な溝の第1パターンを横切る間隙を介した平行な溝の第2パターンを含むメッシュパターンである。こうした溝のパターンは、パッドを調製するために用いられる押出成形工程の間に表面中に刻むことができる。溝は、好ましくは、3ミル(75μm)〜7ミル(175μm)範囲にある幅を有する。好ましくは、溝は1ミル(25μm)〜5ミル(125μm)範囲にある深さを有する。溝の第1および第2パターンの平行溝は、好ましくは、10ミル(250μm)〜40ミル(1000μm)範囲にある距離分相互に間隙を空ける。パッドの織り目加工表面は、必要ならば、その上に刻まれる溝のパターンをなお保存しながら、表面粗さを減じるためにバフ研磨することができる。
好ましくは、パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、ショアA75〜ショアD75、さらに好ましくはショアA85〜ショアD55範囲の硬度を有する。
本発明は、さらに、ポリマー樹脂を超臨界ガスと混合して単相溶液を生成することを含む表面織り目加工研磨パッドを製造するための方法を提供し、この方法は、ガスを高い温度および圧力にさらすことにより超臨界ガスを発生させ、(a)ポリマー樹脂をガスと混合して単相溶液を生成し、(b)単相溶液から高分子フォームのシートを押出成形し、(c)押出成形シートを圧縮し、および(d)高分子フォームの圧縮され押出成形されたシートから少なくとも一つの織り目加工表面を有する研磨パッドを形成することを含む。好ましい実施形態において、本方法は、研磨パッドを形成する前に高分子フォームの押出成形シートの少なくとも一つの織り目加工表面上に溝の少なくとも一つの織り目加工パターンを刻み込む追加の段階、および、任意に、その粗さを減少させるためにパッドの織り目加工表面をバフ研磨する追加の段階を含む。
本発明の研磨パッドは、CMPなどのウエハー研磨法において用いられる場合に、低いウエハー内非均一性(WIWNU)、高い研磨レート、および低欠陥性を有利に提供する。
化学機械研磨用途における使用に適する表面織り目加工研磨パッドは、フォーム中の少なくとも75%の孔が平均孔気泡径の30μm内の孔気泡径を有する、60μm以下の範囲にある平均孔気泡径を有する多孔質フォームを含む。好ましくは、フォームは立方センチメートル当り104気泡を超える孔気泡密度を有する。パッドは、表面積の平方センチメートル当り少なくとも10個の窪みを含む少なくとも一つの織り目加工表面を有し、該窪みは25μm(1ミル)〜1150μm(45ミル)範囲内の深さ、0.25μm(0.01ミル)〜380μm(15ミル)範囲内の幅、および1〜1000のアスペクト比(すなわち、長さ対幅の比)を有する。パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、少なくとも5μmの平均表面粗さを有する。
一つの実施形態において、パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、25μmを超え(すなわち、1ミルを超え)、好ましくは60μm(2.4ミル)以下の平均表面粗さ(Ra)を有する。別の実施形態において、パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、5〜25μm(0.2〜1ミル)、さらに好ましくは8〜15μm(0.3〜0.6ミル)範囲にある平均表面粗さを有する。
好ましい実施形態において、研磨パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、その上に刻まれる溝の織り目加工パターンを有する。好ましくは、溝の織り目加工パターンは、間隙を介した平行な溝の第1パターン、および間隙を介した平行な溝の第1パターンを横切る間隙を介した平行な溝の第2パターンを含むメッシュパターンである。こうした溝のパターンは、パッドを調製するために用いられる押出成形工程の間に表面中に刻むことができる。溝は、好ましくは、1ミル(25μm)〜20ミル(500μm)、例えば3ミル〜7ミル範囲にある幅を有する。好ましくは、溝は1ミル(25μm)〜20ミル(500μm)、例えば1ミル〜20ミル範囲にある深さを有する。溝の第1および第2パターンの平行溝は、好ましくは、10ミル(250μm)〜40ミル(1000μm)範囲にある距離分相互に間隙を空ける。パッドの織り目加工表面は、必要ならば、その上に刻まれる溝のパターンをなお保存しながら、表面粗さを減じるためにバフ研磨することができる。
好ましくは、パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、ショアA75〜ショアD75、さらに好ましくはショアA85〜ショアD55範囲の硬度を有する。一つの実施形態において、研磨パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、ショアA75〜ショアD90範囲の硬度を有する。
本発明の表面織り目加工研磨パッドは、60μm以下の平均孔気泡径(すなわち、孔径)を有する多孔質フォームを含む。好ましくは、多孔質フォームは、50μm以下、さらに好ましくは40μm以下(例えば、20μm以下)の平均孔径を有する。一般的に、多孔質フォームは少なくとも1μm(例えば、3μm以上、または5μm以上)の平均孔径を有する。好ましくは、多孔質フォームは1μm〜20μm、さらに好ましくは1μm〜15μm(例えば、1μm〜10μm)の平均孔気泡径を有する。
本明細書において記載される研磨パッドの多孔質フォームは、孔径(すなわち、気泡径)の高度に均一な分布を有する。一般的に、多孔質フォーム中の孔(すなわち、気泡)の少なくとも75%(例えば、80%以上または85%以上)は、平均孔径の±20μm内の(例えば±10μm、さらに好ましくは±5μm以下、最も好ましくは±2μmでの)孔径分布を有する。換言すれば、好ましくは多孔質フォーム中の孔の少なくとも75%(例えば、少なくとも80%または少なくとも85%)は、平均孔径から20μm内の孔径を有する。好ましくは、多孔質フォーム中の孔(すなわち、気泡)の少なくとも90%(例えば、少なくとも93%、少なくとも95%、または少なくとも97%)は、平均から±20μm内の(例えば±10μm、±5μm、または±2μmでの)孔径分布を有する。
一般的に、多孔質フォームは主に独立気泡を含むが、しかし、多孔質フォームは、また、開放気泡をも含むことができる。好ましくは、多孔質フォームは少なくとも5%(例えば、少なくとも10%)の独立気泡を含む。さらに好ましくは、多孔質フォームは少なくとも20%(例えば、少なくとも40%、または少なくとも60%)の独立気泡を含む。
多孔質フォームは、一般的に、0.5g/cm3以上(例えば、0.7g/cm3以上、またはさらに0.9g/cm3以上)の密度、および25%以下(例えば、15%以下、さらに5%以下)の空隙容量を有する。一般的に、多孔質フォームは105気泡/cm3以上(例えば、106気泡/cm3以上)の気泡密度を有する。気泡密度は、両方ともメディア・サイバーネティクス(Media Cybernetics)によるオプティマス(OPTIMAS)(登録商標)画像ソフトウエアおよびイメージプロ(IMAGEPRO)(登録商標)画像ソフトウエア、またはクレメックス・テクノロジーズ(Clemex Technologies)によるクレメックス・ビジョン(CLEMEX VISION)(登録商標)画像ソフトウエアなどの画像分析ソフトウエアプログラムにより、多孔質フォーム材料の断面画像(例えば、SEM画像)を分析することにより決定することができる。
多孔質フォームは、あらゆる適する材料、一般的にポリマー樹脂を含むことができる。多孔質フォームは、好ましくは、熱可塑性エラストマー、熱可塑性ポリウレタン、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ナイロン、エラストマー系ゴム、スチレン系ポリマー、多環芳香族、フルオロポリマー、ポリイミド、架橋ポリウレタン、架橋ポリオレフィン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアクリレート、エラストマー系ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアラミド、ポリアリーレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、それらのコポリマーおよびブロックコポリマー、およびそれらの混合物および配合物からなる群から選択されるポリマー樹脂を含む。好ましくは、ポリマー樹脂は熱可塑性ポリウレタンである。
ポリマー樹脂は、一般的に、予備成形ポリマー樹脂であるが、しかし、ポリマー樹脂は、また、それらの多くが技術上公知である(例えば、Szycher’s Handbook of Polyurethanes CRC Press:New York,1999,Chapter 3を参照すること)あらゆる適する方法により原位置で形成することができる。例えば、熱可塑性ポリウレタンは、イソシアネート、ジイソシアネート、およびトリイソシアネートプレポリマーなどのウレタンプレポリマーのイソシアネート反応部分を含有するプレポリマーとの反応により原位置で形成することができる。適するイソシアネート反応部分はアミンおよびポリオールを含む。
ポリマー樹脂の選択は、一つには、ポリマー樹脂のレオロジーに応じて決まる。レオロジーはポリマー・メルトの流動挙動である。ニュートン流体に対して、粘度は剪断応力(すなわち、接線応力σ)とずり速度(すなわち、速度勾配dγ/dt)間の比により規定される定数である。しかし、非ニュートン流体に対しては、ずり速度濃厚化(ダイラタンシー)またはずり速度減少(擬似塑性)が起こることが可能である。ずり速度減少の場合に、粘度はずり速度の増大と共に低下する。ポリマー樹脂が融解生成物成形加工(例えば、押出成形、射出成形)工程で用いられることを可能とするのはこの性質である。ずり速度減少の臨界領域を識別するために、ポリマー樹脂のレオロジーは測定されなければならない。レオロジーは、溶融ポリマー樹脂が特定長さの毛細管を通して固定圧力下で強制押し出しされる毛細管技術により測定することができる。各種温度での明らかなずり速度対粘度をプロットすることにより、粘度対温度間の関係は決定することができる。レオロジー・プロセシング・インデックス(RPI)は、ポリマー樹脂の臨界領域を識別するパラメータである。RPIは、固定ずり速度に対する基準温度粘度対20℃に等しい温度変化後の粘度の比である。ポリマー樹脂が熱可塑性ポリウレタンである場合に、RPIは、好ましくは、ずり速度150l/sおよび温度205℃での測定で2〜10(例えば、3〜8)である。
別のポリマー粘度測定は、固定時間帯にわたり所定の温度および圧力で毛細管から押し出される溶融ポリマー量(グラムでの)を記録するメルト・フロー・インデックス(MFI)である。例えば、ポリマー樹脂が、熱可塑性ポリウレタンまたはポリウレタンコポリマー(例えば、ポリカーボネートシリコン系コポリマー、ポリウレタンフッ素系コポリマー、またはポリウレタンシロキサンセグメント化コポリマー)である場合に、MFIは、好ましくは、温度210℃および荷重2160gで10分にわたり20以下(例えば、15以下)である。ポリマー樹脂が、エラストマー系ポリオレフィンまたはポリオレフィンコポリマー(例えば、エラストマー系または通常のエチレン−プロピレン、エチレン−ヘキセン、およびエチレン−オクテンなどのエチレンαオレフィン、メタロセン系触媒から製造されるエラストマー系エチレンコポリマー、またはポリプロピレン−スチレンコポリマー)である場合に、MFIは、好ましくは、温度210℃および荷重2160gで10分にわたり5以下(例えば、4以下)である。ポリマー樹脂がナイロンまたはポリカーボネートである場合に、MFIは、好ましくは、温度210℃および荷重2160gで10分にわたり8以下(例えば、5以下)である。
ポリマー樹脂のレオロジーは、ポリマー樹脂の分子量、多分散性指数(PDI)、長鎖分岐または架橋の程度、ガラス転移温度(Tg)、および融解温度(Tm)に応じて決まることができる。ポリマー樹脂が、熱可塑性ポリウレタンまたはポリウレタンコポリマー(上述のコポリマーなど)である場合に、質量平均分子量(Mw)は、PDI、1.1〜6、好ましくは2〜4で、一般的に20,000g/モル〜600,000g/モル、好ましくは50,000g/モル〜300,000g/モル、さらに好ましくは70,000g/モル〜150,000g/モルである。一般的に、熱可塑性ポリウレタンは、ガラス転移温度20℃〜110℃および融解転移温度120℃〜250℃を有する。ポリマー樹脂が、エラストマー系ポリオレフィンまたはポリオレフィンコポリマー(上述のコポリマーなど)である場合に、質量平均分子量(Mw)は、PDI、1.1〜12、好ましくは2〜10で、一般的に50,000g/モル〜400,000g/モル、好ましくは70,000g/モル〜300,000g/モルである。ポリマー樹脂がナイロンまたはポリカーボネートである場合に、質量平均分子量(Mw)は、PDI、1.1〜5、好ましくは2〜4で、一般的に50,000g/モル〜150,000g/モル、好ましくは70,000g/モル〜100,000g/モルである。
多孔質フォーム用に選択されるポリマー樹脂は、好ましくは、一定の機械的性質を有する。例えば、ポリマー樹脂が熱可塑性ポリウレタンである場合に、曲げ弾性率(ASTM・D790)は、好ましくは、350MPa(〜50,000psi)〜1000MPa(〜150,000psi)であり、平均圧縮率%は8以下であり、平均跳ね返り率%は35以上であり、ショアD硬度(ASTM・D2240−95)は40〜90(例えば、50〜80)である。
好ましい実施形態において、研磨パッドは、多孔質フォームが60μm以下(例えば、40μm以下、または25μm以下)の平均孔径を有すると共に、熱可塑性ポリウレタンがPDI、1.1〜6(例えば、2〜4)で、20以下のMFI、2〜10(例えば、3〜8)のRPI、および20,000g/モル〜600,000g/モルの分子量(MW)を有する多孔質熱可塑性ポリウレタンフォームを含む。好ましくは、熱可塑性ポリウレタンは350MPa(〜50,000psi)〜1000MPa(〜150,000psi)の曲げ弾性率、少なくとも8(例えば、7以下)の平均圧縮率%、少なくとも35%、さらに好ましくは少なくとも30%、最も好ましくは少なくとも20%の平均跳ね返り率%、およびショアA75〜ショアD90範囲、好ましくはショアA75〜ショアD55範囲の硬度を有する。こうした研磨パッドは、本発明の他の実施形態用に本明細書において記載される1以上の物理的特性(例えば、孔径およびポリマー特性)を有することができる。好ましくは、多孔質フォームは熱可塑性ポリウレタンを含む。好ましい熱可塑性ポリウレタンフォームは、60ミクロン以下、さらに好ましくは50ミクロン以下の範囲にある平均孔径を有する。
多孔質フォームが熱可塑性ポリウレタンを含む場合に、あらゆる外部生成表面織り目なし、および埋め込み研磨剤粒子なしでの研磨パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、担体下向き圧力0.028MPa(4psi)、スラリー流量100ml/分、プラテン回転速度60rpm、および担体回転速度55〜60rpmで、少なくとも600Å/分の研磨速度により二酸化ケイ素ウエハーを研磨することができる。この実施形態の研磨パッドは、好ましくは、金属酸化物粒子を含有する研磨組成物(すなわち、スラリー)、特に、キャボット・マイクロエレクトロニクス(Cabot Microelectronics Corporation)により市販されているセミ・スパース(SEMI−SPERSE)(登録商標)D7300研磨組成物と併せて用いられる。一般的に、研磨パッドは、上述の研磨パラメータを用いて少なくとも800Å/分、またはさらに少なくとも1000Å/分の研磨速度により二酸化ケイ素ウエハーを研磨することができる。研磨パッドは、25%以下の空隙容量を有し、50μm以下(例えば、40μm以下)の平均孔径を有する孔を含む。研磨パッドは、また、二酸化ケイ素ブランケットウエハーが2%〜4%のみの低いウエハー不均一性(WIWNU)値を有するように、二酸化ケイ素ブランケットウエハーを研磨することができる。こうした研磨パッドは、本発明の他の実施形態用に本明細書において記載される1以上の物理的特性(例えば、孔径およびポリマー特性)を有することができる。
研磨パッドは、また、孔径の多峰性分布を有する多孔質フォームを含むことができる。用語「多峰性」は、少なくとも2以上(例えば、3以上、5以上、またはさらに10以上)の孔径極大値を含む孔径分布を有することを意味する。一般的に、孔径極大値の数は20以下(例えば、15以下)である。孔径極大値は、その面積が全体孔数の5%以上の数を含む孔径分布中のピークとして定義される。好ましくは、孔径分布は二峰性である(すなわち、二つの孔径極大値を有する)。
多峰性孔径分布は、あらゆる適する孔径値で孔径極大値を有することができる。例えば、多峰性孔径分布は、50μm以下(例えば、40μm以下、30μm以下、または20μm以下)の第1孔径極大値、および50μmを超える(例えば、70μm以上、90μm以上、またはさらに120μm以上の)第2孔径極大値を有することができる。多峰性孔径分布は、代わりに、20μm以下(例えば、10μm以下、または5μm以下)の第1孔径極大値、および20μmを超える(例えば、35μm以上、50μm以上、またはさらに75μm以上の)第2孔径極大値を有することができる。
本明細書において記載される研磨パッドの表面織り目加工多孔質フォームは、任意に、さらに水吸収ポリマーを含む。水吸収ポリマーは、望ましくは、非晶質、結晶性、または架橋されたポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、それらの塩、およびそれらの組合せからなる群から選択される。好ましくは、水吸収ポリマーは、架橋ポリアクリルアミド、架橋ポリアクリル酸、架橋ポリビニルアルコール、およびそれらの混合物からなる群から選択される。こうした架橋ポリマーは、望ましくは、水吸収性であるが、しかし、通常の有機溶媒中には融解または溶解しない。むしろ、水吸収ポリマーは、水と接触すると膨潤する(例えば、研磨組成物の液体担体)。
本明細書において記載される研磨パッドの多孔質フォームは、任意に、パッド本体中に組み込まれる粒子を含有することができる。好ましくは、粒子は多孔質フォーム全体にわたって分散される。粒子は研磨剤粒子、ポリマー粒子、複合材粒子(例えば、カプセル化粒子)、有機粒子、無機粒子、清澄剤粒子、およびそれらの混合物であることができる。
研磨剤粒子はあらゆる適する材料製であることができる、例えば、研磨剤粒子は、シリカ、アルミナ、セリア、ジルコニア、クロミア、酸化鉄、およびそれらの組合せ、または炭化ケイ素、窒化ホウ素、ダイアモンド、ガーネット、またはセラミック研磨材料からなる群から選択される金属酸化物などの金属酸化物を含むことができる。研磨剤粒子は、金属酸化物およびセラミックスの混成物または無機および有機材料の混成物であることができる。物品は、また、それらの多くが、ポリスチレン粒子、ポリメタクリル酸メチル粒子、液晶ポリマー(LCP、例えば、チバ・ガイギー(Ciba Geigy)からのベクトラ(VECTRA)(登録商標)ポリマー)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK’s)、粒子状熱可塑性ポリマー(例えば、粒子状熱可塑性ポリウレタン)、粒子状架橋ポリマー(例えば、粒子状架橋ポリウレタンまたはポリエポキシド)、またはそれらの組合せなどの米国特許第5,314,512号明細書に記載されているポリマー粒子であることができる。多孔質フォームがポリマー樹脂を含む場合、次に、ポリマー粒子は、望ましくは、多孔質フォームのポリマー樹脂の融点よりも高い融点を有する。複合材粒子は、核および外側皮膜を含有するあらゆる適する粒子であることができる。例えば、複合材粒子は、固体核(例えば、金属酸化物、金属、セラミック、またはポリマー)および高分子殻(例えば、ポリウレタン、ナイロン、またはポリエチレン)を含有することができる。清澄剤粒子は、フィロシリケート、(例えば、フッ素化マイカなどのマイカ、およびタルク、カオリナイト、モンモリロナイト、ヘクトライトなどのクレー)、ガラス繊維、ガラスビーズ、ダイアモンド粒子、および炭素繊維などであることができる。
本明細書において記載される研磨パッドの多孔質フォームは、任意に、パッド本体中に組み込まれる可溶性粒子を含有する。好ましくは、可溶性粒子は、多孔質フォーム全体にわたって分散される。こうした可溶性粒子は、化学機械研磨の間に、研磨組成物の液体担体中に部分的にまたは完全に溶解する。一般的に、可溶性粒子は水溶性粒子である。例えば、可溶性粒子は、デキストリン、シクロデキストリン、マンニトール、ラクトース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、でんぷん、タンパク質、非晶質非架橋ポリビニルアルコール、非晶質非架橋ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリエチレン・オキシド、水溶性感光性樹脂、スルホン化ポリイソプレン、およびスルホン化ポリイソプレンコポリマーからなる群から選択される材料の粒子などのあらゆる適する水溶性粒子であることができる。可溶性粒子は、また、酢酸カリウム、硝酸カリウム、炭酸カリウム、重炭酸カリウム、塩化カリウム、臭化カリウム、リン酸カリウム、硝酸マグネシウム、炭酸カルシウム、および安息香酸ナトリウムからなる群から選択される材料の無機水溶性粒子であることができる。可溶性粒子が溶解する場合に、研磨パッドは可溶性粒子の径に対応する通気孔を残すことができる。
粒子は、好ましくは、発泡研磨基材中に形成される前にポリマー樹脂と混合される。研磨パッド中に組み込まれる粒子は、あらゆる適する寸法(例えば、径、長さ、または幅)または形状(例えば、球状、矩形)からなることができると共に、あらゆる適する量で研磨パッド中に組み込むことができる。例えば、粒子は、1nm以上および/または2mm以下(例えば、0.5μm〜2mm径)の粒子寸法(例えば、径、長さ、または幅)を有することができる。好ましくは、粒子は、10nm以上および/または500μm以下(例えば、100nm〜10μm径)の寸法を有する。粒子は、また、多孔質フォームのポリマー樹脂に共有結合することができる。
本明細書において記載される研磨パッドの多孔質フォームは、任意に、パッド本体中に組み込まれる固体触媒を含有する。好ましくは、固体触媒は多孔質フォーム全体にわたり分散される。触媒は金属、非金属、またはそれらの組合せであることができる。好ましくは、触媒は、Ag、Co、Ce、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Nb、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti、およびVを含む金属化合物に限定されないがそれらなどの多酸化状態を有する金属化合物から選択される。
本明細書において記載される研磨パッドの多孔質フォームは、任意に、キレート剤および/または酸化剤を含有する。好ましくは、キレート剤および酸化剤は多孔質フォーム全体にわたり分散される。キレート剤はあらゆる適するキレート剤であることができる。例えば、キレート剤は、カルボン酸、ジカルボン酸、ホスホン酸、高分子キレート剤、およびそれらの塩などであることができる。酸化剤は、鉄塩、アルミニウム塩、過酸化物、塩素酸塩、過塩素酸塩、過マンガン酸塩、および過硫酸塩などを含む酸化塩または酸化金属錯体であることができる。
本明細書において記載される研磨パッドは、任意に、さらに、研磨パッドの表面にわたる研磨組成物の横の輸送を容易にする溝、チャンネル、および/または穿孔を含む研磨表面を有する。こうした溝、チャンネル、または穿孔は、あらゆる適するパターンにあることができると共に、あらゆる適する深さおよび幅を有することができる。研磨パッドは、2以上の異なる溝パターン、例えば、米国特許第5,489,233号明細書に記載されているように大きな溝および小さな溝の組合せを有することができる。溝は、斜め溝、同心円溝、螺旋形または円形溝、XY斜行平行線模様の形態にあることができると共に、接続性において連続または非連続であることができる。好ましくは、研磨パッドは、標準パッド調整法により製造される少なくとも小さな溝を含む。
本明細書において記載される研磨パッドは、任意に、さらに、異なる密度、気孔率、硬度、弾性係数、および/または圧縮率の領域を含む研磨表面を有する。異なる領域はあらゆる適する形状または寸法を有することができる。一般的に、対照的な密度、気孔率、硬度、および/または圧縮率の領域は、原位置外の方法により(すなわち、研磨パッドが形成された後に)研磨パッド上に形成される。
本明細書において記載される研磨パッドは、任意に、さらに、1以上の開口部、透明領域、または半透明領域(例えば、米国特許第5,893,796号明細書に記載されているウインドウ)を含む。こうした開口部または半透明領域の包含は、研磨パッドが原位置CMP法監視技術と併せて用いることができる場合に望ましい。開口部はあらゆる適する形状を有することができるし、研磨表面上の過剰研磨組成物を最小化または排除するための水抜きチャンネルと組み合わせて用いることが可能である。半透明領域またはウインドウは、それらの多くが技術上公知であるあらゆる適するウインドウであることができる。例えば、半透明領域は研磨パッドの開口部中に挿入されるガラスまたはポリマー系プラグを含むことができるか、または研磨パッドの残部中に用いられる同じ高分子材料を含むことが可能である。
本発明の研磨パッドは、それらの多くが技術上公知であるあらゆる適する技術を用いて製造することができる。例えば、研磨パッドは、「ミューセル」法、位相反転法、スピノーダル/ビノーダル分解法、加圧ガス注入法により製造することができる。好ましくは、研磨パッドは、ミューセル法または加圧ガス注入法、などを用いて製造される。
ミューセル法は、(a)ポリマー樹脂を超臨界ガスと混合して単相溶液を生成し、および(b)単相溶液から本発明の研磨パッド基材を形成することを含む。ポリマー樹脂は、上述のポリマー樹脂のあらゆるものであることができる。超臨界ガスは、ガスが流体様に挙動する超臨界状態(すなわち、超臨界流体、SCF)を作り出すために十分な高い温度および圧力にガスをさらすことにより発生する。ガスは、炭化水素、クロロフルオロカーボン、ヒドロクロロフルオロカーボン(例えば、フレオン)、窒素、二酸化炭素、一酸化炭素、またはそれらの組合せであることができる。好ましくは、ガスは非可燃性ガス、例えばC−H結合を含有しないガスである。さらに好ましくは、ガスは窒素、二酸化炭素、またはそれらの組合せである。最も好ましくは、ガスは二酸化炭素を含むか、または二酸化炭素である。ガスはポリマー樹脂との混合前または後に超臨界ガスに変換することができる。好ましくは、ガスはポリマー樹脂との混合前に超臨界ガスに変換される。一般的に、ガスは、100℃〜300℃の温度および5MPa(〜800psi)〜40MPa(〜6000psi)の圧力にさらされる。ガスが二酸化炭素である場合に、温度は150℃〜250℃であり、圧力は7MPa(〜1000psi)〜35MPa(〜5000psi)(例えば、19MPa(〜2800psi)〜26MPa(〜3800psi))である。
ポリマー樹脂および超臨界ガスの単相溶液は、あらゆる適するやり方で調製することができる。例えば、超臨界ガスは、マシンバレル中で溶融ポリマー樹脂と混合して単相溶液を形成することができる。次に、単相溶液は、ガスが膨張して溶融ポリマー樹脂内に高均一性の孔径を有する孔構造を形成する金型中に注入することができる。単相溶液中の超臨界ガスの濃度は、一般的に、単相溶液の全体積の0.01%〜5%(例えば、0.1%〜3%)である。超臨界流体の濃度は、多孔質フォームおよび孔径の密度を決定する。超臨界ガスの濃度が増大するにつれて、得られる多孔質フォームの密度は増大し、平均孔径は減少する。超臨界ガスの濃度は、また、得られる多孔質フォーム中の開放気泡対独立気泡の比に影響を与えることができる。これらのおよび追加のプロセス態様は、米国特許第6,284,810号明細書にさらに詳しく記載されている。
研磨パッドは、溶液の105以上の核生成部位/cm3を作り出すために十分な単相溶液における熱力学的不安定性を作り出すことにより形成される。熱力学的不安定性は、例えば、温度の急激な変化、圧力の急激な降下、またはそれらの組合せから生じることができる。一般的に、熱力学的不安定性は、単相溶液を含有する金型またはダイの出口で誘起される。核生成部位は、超臨界ガスの溶解分子が、そこで、多孔質フォーム中の気泡がそれらから成長するクラスターを形成する部位である。核生成部位の数は、核生成部位の数がポリマーフォーム中に形成される気泡の数にほぼ等しくあることを想定することにより決定される。研磨パッドはあらゆる適する技術により単相溶液から形成することができる。例えば、研磨パッドは、ポリマーシートへの押出成形、多層シートの共押出成形、射出成形、圧縮成形、ブロー成形、ブロン・フィルム、多層ブロン・フィルム、キャスト・フィルム、熱成形、および積層からなる群から選択される技術を用いて形成することができる。好ましくは、研磨パッドは、ポリマーシートへの押出成形または射出成形により形成される。
位相反転法は、高度に攪拌された非溶媒中ポリマーの融解温度(Tm)またはガラス転移温度(Tg)を超えて加熱されたポリマー樹脂の極めて微細な粒子の分散液を含む。ポリマー樹脂は、上述のポリマー樹脂のあらゆるものであることができる。非溶媒に添加される微細ポリマー樹脂粒子の数が増大するにつれて、微細ポリマー樹脂粒子はつながれて初期は巻きひげを、最後には3次元高分子網目を形成する。非溶媒混合物は、次に、冷却され、非溶媒が3次元高分子網目内で個別液滴を形成することを引き起こす。得られる材料はサブミクロン孔径を有するポリマーフォームである。
スピノーダルまたはビノーダル分解法は、混合物を単相領域から2相領域に動かすために、ポリマー・ポリマー混合物、またはポリマー・溶媒混合物の温度および/または体積分率を制御することを含む。2相領域内で、ポリマー混合物のスピノーダル分解またはビノーダル分解のいずれかが起こることができる。分解は、それによりポリマー混合物が非平衡相から平衡相に変わる工程を指す。スピノーダル領域において、混合曲線のフリーエネルギーは、ポリマーの相分離(すなわち、2相材料の形成)、またはポリマーおよび溶媒の相分離が、体積分率の小さな変動に対応して自発的に起こるように負である。ビノーダル領域において、ポリマー混合物は、体積分率の小さな変動に対して安定であり、従って、相分離材料を達成するために核生成および成長を必要とする。2相領域(すなわち、ビノーダルまたはスピノーダル領域)内の温度および体積分率でのポリマー混合物の沈殿は、2相を有するポリマー材料の形成をもたらす。ポリマー混合物が溶媒またはガスにより積まれる場合、2相性ポリマー材料は相分離の界面でサブミクロン孔を含有する。ポリマーは、好ましくは、上述のポリマー樹脂を含む。
加圧ガス注入法は、超臨界流体ガスを、非晶質ポリマー樹脂を含む固体ポリマーシート中に押し込むための高い温度および圧力の使用を含む。ポリマー樹脂は上述のポリマー樹脂のあらゆるものであることができる。固体押出成形シートは、室温で圧力容器中に置かれる。超臨界ガス(例えば、N2またはCO2)は容器に添加され、容器は、適切な量のガスをポリマーシートの空隙中に押し入れるために十分なレベルまで加圧される。ポリマー中に溶解したガス量は、ヘンリーの法則により適用圧力に正比例する。ポリマーシートの温度を上げることは、ポリマー中へのガス拡散速度を増大させるが、しかし、また、ポリマーシート中に溶解することができるガス量を低下させる。一旦ガスがポリマーを十分に飽和させてしまうと、シートは加圧容器から除去される。望ましい場合、ポリマーシートは、気泡核生成および成長を促進するために必要ならば軟化または溶融状態に素早く加熱することができる。米国特許第5,182,307号明細書および第5,684,055号明細書には、加圧ガス注入法のこれらおよび追加の態様が記載されている。
好ましくは、本発明の表面織り目加工研磨パッドは、ミューセル法またはガス注入法、最も好ましくはミューセル法により調製される。
方法態様において、本発明は表面織り目加工研磨パッドを製造するための方法を提供する。本方法は、(a)ポリマー樹脂をガス、好ましくは高い温度および圧力にガスをさらすことにより発生する超臨界ガスと混合することにより単相溶液を生成し、(b)フォームシートを単相溶液から押出成形し、フォームの固化前に押出成形シートを圧縮してシートの少なくとも一つの表面上にパターンを刻むことを含む。好ましくは、押出成形フォームシートは、それらの少なくとも一つが織り目加工表面を有する少なくとも二つのニップ・ローラー間で圧縮される。好ましくは、表面織り目加工ニップ・ローラーは、ローラー表面上にエンボス加工されるメッシュパターン中の交差バーなどのバーのパターンを有する。ローラー上のエンボス加工された織り目は、好ましくは、離れるようにサイズ化されたバー、および折り目加工ローラーに接触したフォームシートの表面中のパターンの痕跡を含む。
本発明の研磨パッドは、特に、化学機械研磨(CMP)装置と併せた使用に適する。一般的に、装置は、使用中動いており、環状、線形、または円形の動きから生じる速度を有するプラテン、プラテンと接触し、動作中のプラテンと共に動く本発明の研磨パッド、および研磨しようとする基板に接触するように意図される研磨パッドの表面に対して接触し動くことにより研磨しようとする基板を保持する担体を含む。基板の研磨は、基板を研磨パッドと接触して置き、次に、研磨パッドを、一般的に基板を研磨するために基板の少なくとも一部を研磨するようにそれらの間の研磨組成物と共に基板に対して動かすことにより行われる。CMP装置は、それらの多くが技術上公知であるあらゆる適するCMP装置であることができる。本発明の研磨パッドは、また、線形研磨工具と共に用いることができる。
本明細書において記載される研磨パッドは、単独で用いることができるか、または、任意に多層重ね研磨パッドの一つの層として用いることができる。例えば、研磨パッドはサブパッドと組み合わせて用いることができる。サブパッドはあらゆる適するサブパッドであることができる。適するサブパッドには、ポリウレタンフォームサブパッド、含浸フェルトサブパッド、微小孔性ポリウレタンサブパッド、または焼結ウレタンサブパッドが挙げられる。サブパッドは、一般的に本発明の研磨パッドよりも柔らかく、従って、より圧縮性であり、本発明の研磨パッドよりも低いショア硬度値を有する。例えば、サブパッドは35〜50のショアA硬度を有することができる。一部の実施形態において、サブパッドはより硬く、圧縮性がより低く、研磨パッドよりも高いショア硬度を有する。サブパッドは、任意に、溝、チャンネル、中空断面、ウインドウ、および開口部などを含む。本発明の研磨パッドがサブパッドと組み合わせて用いられる場合に、一般的に、研磨パッドおよびサブパッドと同延でそれらの間にあるポリエチレンテレフタレートフィルムなどの中間裏当て層がある。あるいは、本発明の多孔質フォームは、また、従来型の研磨パッドと併せてサブパッドとして用いることができる。
本明細書において記載される研磨パッドは、多くのタイプの基板および基板材料を研磨することにおける使用に適する。例えば、研磨パッドは記憶装置デバイス、半導体基板、およびガラス基板を含む多様な基板を研磨するために用いることができる。研磨パッドにより研磨するための適する基板には、メモリ・ディスク、リジッド・ディスク、磁気ヘッド、MEMSデバイス、半導体ウエハー、電界放出ディスプレイ、および他のマイクロ電子基板、特に絶縁層(例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、または低誘電体)および/または金属含有層(例えば、銅、タンタル、タングステン、アルミニウム、ニッケル、チタン、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウムまたは他の貴金属)を含む基板が挙げられる。
以下の実施例は、さらに、本発明の種々の態様を説明するが、しかし、勿論、どの面からもその範囲を限定するものと見なされるべきではない。
実施例1
この実施例は、均一な孔径を有する微小孔性フォームロッドを製造するための方法を説明する。
熱可塑性ポリウレタン(TPU)フォームロッド(1Aおよび1B)を、押出成形法により製造した。各TPUフォームロッドを、PDI2.2〜3.3での質量平均分子量90,000g/モル〜110,000g/モルを有するTPUを用いて調製した。各ケースにおいて、TPUを、高い温度および圧力で押出成形機(ラベックス(Labex)IIプライマリ、6.35cm(2.5インチ)径、32/1L/D単軸押出成形機)中に置いて、ポリマー融解生成物を形成した。二酸化炭素ガスを、高い温度および圧力下でポリマー融解生成物中に注入し(P7トリムおよび4個の標準注射器を備えたトレキセル(Trexel)TR30−5000G送達システムを用いて)、ポリマー融解生成物と混合されて単相溶液を形成する超臨界流体CO2の形成をもたらした。CO2/ポリマー溶液を集束ダイ(0.15cm(0.060インチ)径、12.1°角)を通して押出成形して、多孔質フォームロッドを形成した。CO2の濃度は、ロッド1Aおよび1Bに対して、それぞれ1.51%および1.26%であった。
押出成形機の各領域用の温度、ゲート、ダイおよび融解温度、ダイ圧力、スクリュー速度、およびCO2濃度を表1にまとめる。ロッド試料1Bに対する走査型電子顕微鏡(SEM)画像を図1に示す。
Figure 2009504426
この実施例は、均一な気泡径を有する微小孔性フォーム材料が、超臨界流体微細気泡技術を用いて製造することができることを説明する。
実施例2
この実施例は、本発明の研磨パッドを調製するための方法を説明する。
一連の熱可塑性ポリウレタン(TPU)フォームシート(2A、2B、2Cおよび2D)を、押出成形法により製造した。各TPUシートを、PDI2.2〜3.3での質量平均分子量90,000g/モル〜110,000g/モルを有するTPUを用いて調製した。各ケースにおいて、TPUを、高い温度および圧力で押出成形機(ラベックスIIプライマリ、6.35cm(2.5インチ)径、32/1L/D単軸)中に置いて、ポリマー融解生成物を形成した。二酸化炭素ガスを高い温度および圧力下でポリマー融解生成物中に注入し、ポリマー融解生成物と混合されて単相溶液を形成する超臨界流体CO2の形成をもたらす。CO2/ポリマー溶液をフラットダイ(30.5cm(12インチ)幅、0.005〜0.0036cm(0.002〜0.0014インチ)フレックスギャップ、6°収束角)を通して押出成形して、多孔質フォームシートを形成した。CO2の濃度はシート2A、2B、2C、および2Dに対して、それぞれ0.50%、0.80%、1.70%、および1.95%であった。
押出成形機の各領域用の温度、ゲート、ダイおよび融解温度、ダイ圧力、スクリュー速度、CO2濃度、およびシート寸法を表2にまとめる。
Figure 2009504426
良好な均一性の気泡径(±25μm)を有する多孔質TPUフォームシートを、表2に示す各一連の押出成形パラメータを用いて製造した。試料2Aおよび2Bは大きな平均気泡径(>100μm)を有した。シート2Cおよび2Dは小さな平均気泡径(<100μm)を有した。
この実施例は、小さな気泡径を有する多孔質フォームシートが超臨界流体法により製造することができることを実証する。
実施例3
この実施例は、本発明の研磨パッドを調製するための方法を説明する。
一連の熱可塑性ポリウレタン(TPU)フォームシート(3A、3B、3Cおよび3D)を、押出成形法により製造した。各TPUシートを、PDI2.2〜3.3での質量平均分子量90,000g/モル〜110,000g/モルを有するTPUを用いて調製した。各ケースにおいて、TPUを、高い温度および圧力で押出成形機(ラベックスIIプライマリ、6.35cm(2.5インチ)径、32/1L/D単軸)中に置いて、ポリマー融解生成物を形成した。二酸化炭素ガスを高い温度および圧力下でポリマー融解生成物中に注入し、ポリマー融解生成物と混合されて単相溶液を形成する超臨界流体CO2の形成をもたらす。CO2/ポリマー溶液をフラットダイ(30.5cm(12インチ)幅、0.005〜0.0036cm(0.002〜0.0014インチ)フレックスギャップ、6°収束角)を通して押出成形して、多孔質フォームシートを形成した。CO2の濃度はシート3A、3B、3C、および3Dに対して、それぞれ1.38%、1.50%、1.66%、および2.05%であった。
押出成形機の各領域用の温度、ゲート、ダイおよび融解温度、ダイ圧力、スクリュー速度、およびCO2濃度を表3にまとめる。多孔質TPUフォームシート中に生成される平均気泡径は、CO2ガス濃度に応じて決まる。単相溶液中のCO2濃度対得られるシートの密度のプロットを図2に示す。
Figure 2009504426
良好な均一性の気泡径を有する多孔質TPUフォームシートを、表3に示す各一連の押出成形パラメータを用いて製造した。試料3Dの走査型電子顕微鏡(SEM)画像を、図3(断面)および4(上面)に示す。試料3Dの物理的特性を測定し、それらのデータを表4にまとめる。
研磨パッド密度をASTM・D795試験法に従って測定した。研磨パッドのショアA硬度をASTM2240試験法に従って測定した。研磨パッドのピーク応力をASTM・D638試験法に従って測定した。圧縮率%を、エームスメーターを用いて圧力0.031MPa(4.5psi)で測定した。エームス試験器のプローブを初期ゼロ化し(試料なしで)、次に、試料厚さを測定した(D1)。5ポンド質量(0.031MPa)をプローブ上に置き、試料厚さを1分後に測定した(D2)。圧縮率は、厚さの変化(D1−D2)対初期試料厚さ(D1)の比である。圧縮率%を、また、インストロン技術を用いて0.5MPa(72psi)圧力で測定した。跳ね返り率%を、ショア・レジリオメータ(Shore Resiliometer)(ショア・インスツルメント&MFG(Shore Instrument & MFG))を用いて測定した。跳ね返り率%を、それが0.031MPa(4.5psi)で予備成形された試料を跳ね返る際の金属小塊の行程高さを測定した。跳ね返り率%を5測定値にわたる平均値として報告する。曲げ弾性率をASTM・D790試験法に従って測定した。空気透過度をジェニュイン・ガーレー(Genuine Gurley)4340自動デンソメータを用いて測定した。
Tgを動的機械分析器(DMA)または熱機械分析(TMA)のいずれかにより測定した。DMAに対して、TA2980モデル機器を−25℃〜130℃の操作温度、3Hz周波数、および2.5℃/分の加熱速度で用いた。Tgを貯蔵弾性率対温度プロットの中間点から計算した。TMAに対して、ASTM・E831試験法に従って試験を行った。Tmを示差走査熱量計(DSC)により測定した。TA2920モデル機器を−50℃〜230℃の操作温度および10℃/分の加熱速度で用いた。Tm値を発熱波のピーク融点から計算した。貯蔵弾性率を25℃でDMAにより測定した。テーバー磨耗値は、1000サイクルの研磨において除去される多孔質フォームシートの量である。多孔質フォームシートの平均孔径および孔密度を、倍率50Xおよび100XでのSEM顕微鏡写真を用いて測定した。
平均孔径および孔径分布を、所定の単位領域中の独立気泡孔を計算し、次に、画像化ソフトウエア、クレメックス・テクノロジーズ(Clemex Technologies)から市販されているクレメックス・ビジョン(CLEMEX VISION)(登録商標)ソフトウエアを用いて孔径を平均化することにより測定した。孔に対する径(サイズ)および百分率については、試料中の孔の非球状特性を反映する幅および長さの両方に関して報告する。孔密度を以下の式により決定した:
気泡数/cm3=((ρ固体/ρパッド材料)−1)*(6/πd3
式中、ρ固体は1.2g/cm3に等しい固体熱可塑性ポリウレタンパッド(SCFガスなしでの)の密度であり、ρパッド材料は微細気泡熱可塑性ポリウレタンパッド(SCFガスによる)の密度であり、dは気泡径(球状と想定して、cm単位での)である。
Figure 2009504426
試料3Dの多孔質フォームの平均孔径および孔径分布を、また、5時間にわたり酸化ケイ素ブロックにより試料を調整した後に測定した。平均値(それぞれ7.7±9.3x13.2±15.5(wxl)および98%/91%(w/l))の±20mm内の寸法を有する孔の平均孔径および百分率に対する値は、実質的に調整および磨耗の前に得られる値と同じであった。これらの結果は、孔径および孔径分布が多孔質フォームシートの断面積を通して一定であったことを示す。
この実施例は、均一な孔径を有する微小孔性研磨パッドが本発明の方法を用いて調製することができることを実証する。
実施例4
この実施例は、本発明の微小孔性フォーム研磨パッドが良好な研磨特性を有することを説明する。
密度0.989g/mlおよび厚さ0.107cm(0.0423インチ)を有する、試料3Dに対して実施例3に記載される方法により製造される微小孔性フォームポリウレタン研磨パッドを、化学機械研磨ブランケット二酸化ケイ素ウエハーに対して用いた。研磨パッドを、いかなる調整(すなわち、ミクロ溝またはミクロ構造の形成)、バフ研磨、または外部のマクロ溝(すなわち、マクロ織り目)もなしで用いた。研磨レートおよびウエハー内非均一性を、研磨された二酸化ケイ素ウエハー数の関数として研磨パッド用に測定した。研磨レートを一列の4個のウエハーに対して測定し、次いで、それらに対する研磨レートが記録されない4個の「ダミー」二酸化ケイ素ウエハーを研磨した。研磨レート対研磨された二酸化ケイ素ウエハー数のプロットを図5に示す。研磨パラメータは、担体下向き圧力0.028MPa(4psi)、スラリー流量100ml/分、プラテン速度60rpm、担体速度55〜60rpmであった。
図5に表されるデータは、均一な気泡径分布を有する微小孔性フォームを含む研磨パッドが、さらにいかなる調整、バフ研磨、または溝マクロ織り目もなしで二酸化ケイ素ブランケットウエハーの実質的な研磨レートを生みだすことを示す。さらに、研磨パッドは極めて低いウエハー内非均一性を生みだす。
実施例5
この実施例は、本発明の微小孔性フォーム研磨パッドが良好な研磨特性を有することを説明する。
同じ研磨組成物(すなわち、キャボット・マイクロエレクトロニクス(Cabot Microelectronics)により市販されているセミ・スパース(SEMI−SPERSE)(登録商標)D7300研磨組成物)の存在下で二酸化ケイ素ブランケットウエハーを研磨するために、各種研磨パッドを用いた。研磨パッド5A(対照)は、ミクロ溝およびマクロ溝を有する固体の非多孔質ポリウレタン研磨パッドであった。研磨パッド5B(本発明)は、バフ研磨され、調整され(ミクロ溝を形成するために)、溝付け(マクロ溝)された、試料3Dに対して実施例3に記載される方法により製造される20±10μm以下の均一な孔径を有すると共に、密度0.989g/mlおよび厚さ0.107cm(0.0423インチ)を有する微小孔性フォームポリウレタン研磨パッドであった。研磨レートおよび非均一性を、研磨された二酸化ケイ素ウエハー数の関数として各研磨パッド用に測定した。研磨レート対研磨パッド5Aおよび5Bそれぞれに対して研磨された二酸化ケイ素ウエハー数のプロットを図6に示す。研磨パラメータは、担体下向き圧力0.028MPa(4psi)、スラリー流量100ml/分、プラテン速度60rpm、担体速度55〜60rpmであった。固体研磨パッド、および本発明の微小孔性フォーム研磨パッドの上部溝付き表面の走査型電子顕微鏡(SEM)画像をそれぞれ図7aおよび図7b〜7cに示す。
図6のプロットは、均一な気泡径分布を有する微小孔性フォーム研磨パッドが、固体非多孔質研磨パッドに較べて二酸化ケイ素ブランケットウエハーに対する優れた研磨レートを有することを示す。さらに、本発明の微小孔性研磨パッドは、20個以上のウエハーを研磨する過程にわたって、極めて一貫した研磨レートおよび低い非均一性を有し、研磨パッドが経時的に光沢化しないことを示した。図7a〜cにおけるSEM画像は、本発明の微小孔性フォーム研磨パッド(図7bおよび7c)が、従来型の研磨パッド(図7a)で見られるものよりも研磨の間に光沢化する傾向がより少ないことを示す。
実施例6
この実施例は、本発明の微小孔性フォーム研磨パッドが透過性であり、研磨の間に研磨組成物を輸送することができることを説明する。
固体ポリウレタン研磨パッド(パッド6A、比較)、微小孔性フォームポリウレタン研磨パッド(パッド6B、本発明)、および従来型の独立気泡ポリウレタン研磨パッド(パッド6C、比較)を、pH11での水性ヒュームド・シリカ研磨剤を用いる化学機械研磨実験に用いた。20個の二酸化ケイ素ウエハー研磨後、各研磨パッドをSEM・X線マッピング技術、エネルギー分散型X線(EDX)分光法により観察して、シリカ系研磨組成物の浸透程度を測定した。EDX画像を、パッド6A、6B、および6Cに対して、それぞれ図8a、8b、および8cに示す。
シリカ研磨剤の浸透程度は、図8aに示すように、固体研磨パッド(パッド6A)に対してパッド厚さの僅か10または15%であった。微小孔性フォーム研磨パッド(パッド6B)に対して、シリカ研磨剤はパッド厚さの少なくとも40%までに浸透した。従来型の独立気泡研磨パッド(パッド6C)に対して、シリカ研磨剤はパッド厚さの僅か20%〜25%までしか浸透しなかった。
この実施例は、本発明の微小孔性フォーム研磨パッドは、研磨組成物研磨剤粒子をうまく研磨パッド本体中に輸送することができるが、一方で、従来型の固体で独立気泡の研磨パッドは研磨組成物を研磨パッド本体中に輸送しないことを実証する。
実施例7
この実施例は、本発明の微小孔性フォーム研磨パッドが、従来型の独立気泡微小孔性研磨パッドに較べて優れた研磨レートを有することを示す。
類似のパターン化二酸化ケイ素ウエハーを、各種研磨パッド(研磨パッド7A、7B、および7C)を用いてpH11での水性ヒュームド・シリカ研磨剤により研磨した。研磨パッド7A(比較)は、固体の非多孔質ポリウレタン研磨パッドであった。研磨パッド7B(本発明)は、本発明の微小孔性フォームポリウレタン研磨パッドであった。研磨パッド7C(比較)は、従来型の微小孔性独立気泡ポリウレタン研磨パッドであった。各研磨パッドをバフ研磨し、調整し、溝付けした。8000Åの段高さを有する40%密度領域、および8000Åの段高さを有する70%密度領域に対する平坦化レートを各研磨パッドにより研磨し、形態の残留段高さを30、60、90、120、および150秒後に測定した。40%密度形態および70%密度形態に対する結果を、それぞれ、図9および10にプロットする。
図9および10に表される結果は、40%密度領域に対して、すべての研磨パッド(研磨パッド7A〜7C)が60秒後に1000Å未満の残留段高さを有することを示す。しかし、70%密度領域に対しては、研磨パッド7Aおよび7Bのみが90秒後に1000Å未満の残留段高さを有する。従って、本発明の微小孔性フォーム研磨パッドは、従来型の微小孔性フォーム独立気泡研磨パッドに較べて優れた研磨レートを有する。
実施例8
この実施例は加圧ガス注入法を用いて本発明の研磨パッドを調製するための方法を説明する。
固体押出成形TPUシートの二つの試料を、室温で30時間にわたり5MPaCO2ガスによる加圧容器中に置いた。固体TPUシートはそれぞれ5質量%のCO2を吸収した。次に、TPU試料(試料8Aおよび8B)を飽和圧力5MPaでそれぞれ50℃および97.6℃に加熱して、それぞれ0.1μmおよび4μm(合計99気泡、最小2μm、最大8μm、標準偏差1.5)の平均気泡径を有するシートを作り出した。画像分析ソフトウエアを用いて平均気泡径を測定した。未処理固体TPUシートのSEM画像を図11に示す。フォーム化TPUシート(試料8Aおよび8B、本発明)のSEM画像を図12〜15に示す。図12および13は、それぞれ、倍率7500Xおよび20000Xでのものである。図14および15は、それぞれ、倍率350Xおよび1000Xでのものである。
この実施例は、加圧ガス注入法が、20μm未満の平均孔径および高度に均一な孔径分布を有する多孔質フォーム研磨パッド材料を製造するために用いることができることを実証する。
実施例9
この実施例は、フォーム中の少なくとも75%の孔が平均孔気泡径の20μm以内の孔気泡径を有する、60μm以下の範囲にある平均孔気密径を有する本発明の研磨パッドの調製を説明する;該パッドは25μm〜1150μm範囲の深さ、0.25μm〜380μm範囲の幅、および1〜1000の長さ対幅アスペクト比を有する窪みを含む少なくとも一つの織り目加工表面を有し;該パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、表面積の平方センチメートル当り少なくとも10個の窪みを含み、少なくとも5μmの平均表面粗さを有する。
一連の熱可塑性ポリウレタン(TPU)フォームシート(9A、9B、および9C)を、押出成形法により製造した。各TPUシートを、PDI2.2〜3.3での質量平均分子量60,000g/モル〜170,000g/モルを有するTPUを用いて調製した。各ケースにおいて、TPUを、高い温度および圧力で押出成形機(8.89cm(3.5インチ)スクリュー径、32/1L/D単軸スクリュー)中に置いて、ポリマー融解生成物を形成した。二酸化炭素ガスを、高い温度および圧力下でポリマー融解生成物中に注入し、ポリマー融解生成物と混合されて単相溶液を形成する超臨界流体CO2の形成をもたらした。CO2/ポリマー溶液をフラットダイ(94cm(37インチ)幅)を通して押出成形して、多孔質フォームシートを形成した。シートを一対のニップ・ローラーに通して固化の前にシートを圧縮した。CO2の濃度は、シート9A、9B、および9Cに対して、それぞれ1.9%、1.67%および1.82%であった。
押出成形機の各領域用の温度、ゲート、ダイおよび融解温度、ダイ圧力、スクリュー速度、およびCO2濃度を表5にまとめる。パッドの物理的特性を表6にまとめる。
Figure 2009504426
Figure 2009504426
9A、9Bおよび9Cすべてのパッドは、平方センチメートル当り10個を超える窪みを有した。パッドを、それらの研磨特性を算定するために実施例4、5、および7において記載されるように評価した。パッドは低いWIWNU値、高い研磨レート、および低いゆがみを示した。
実施例10
この実施例は、フォーム中の少なくとも75%の孔が平均孔気泡径の20μm内の孔気泡径を有する、60μm以下の範囲にある平均孔気泡径を有する本発明の研磨パッドの調製を説明する;該パッドは25μm〜1150μm範囲の深さ、0.25μm〜380μm範囲の幅、および1〜1000の長さ対幅アスペクト比を有する窪みを含む少なくとも一つの織り目加工表面を有し;該パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、表面積の平方センチメートル当り少なくとも10個の窪みを含み、少なくとも5μmの平均表面粗さを有し、その上に刻まれる溝の織り目加工パターンを有する。
一連の熱可塑性ポリウレタン(TPU)フォームシート(10A〜10F)を、押出成形法により製造した。各TPUシートを、PDI2.2〜3.3およびRPI2〜10での質量平均分子量60,000g/モル〜170,000g/モルを有するTPUを用いて調製した。各ケースにおいて、TPUを、高い温度および圧力で押出成形機(8.89cm(3.5インチ)スクリュー径、32/1L/D単軸スクリュー)中に置いて、ポリマー融解生成物を形成した。二酸化炭素ガスを、高い温度および圧力下でポリマー融解生成物中に注入し、ポリマー融解生成物と混合されて単相溶液を形成する超臨界流体CO2の形成をもたらした。CO2/ポリマー溶液を、フラットダイ(37インチ幅)を通して押出成形して多孔質フォームシートを形成した。シートを、ローラーの一つの表面上にワイヤーメッシュパターンを有する一対のニップ・ローラーに通して、固化の前にシートを圧縮し、フォームの表面中にパターンを刻んだ。ワイヤーメッシュサイズは表7に示すように変わる。ローラー間の間隙は各ケースにおいて50〜55ミル程度であった。それぞれシート10A、10B、10C、10D、10E、および10Fに対して、CO2の濃度をすべての試料において同じ1.8%に保持した。パッド10A〜10Fの一部の試料の織り目加工表面をバフ研磨(2〜6回のいずれか)して、さらにそれらの表面粗さを減じた。予想されるように、バフ研磨回数が増大するにつれてRaは減少する。各パッドは30μm未満の平均気泡径を有した。
押出成形機の各領域用の温度、ゲート、ダイおよび融解温度、ダイ圧力、スクリュー速度、およびCO2濃度を表7および8にまとめる。パッドの物理的特性を表9および10にまとめる。
Figure 2009504426
Figure 2009504426
Figure 2009504426
Figure 2009504426
10A〜10Fのパッドを製造するために用いられるニップ・ローラー上のワイヤーメッシュスクリーンは以下の通りであった:30x30ワイヤーメッシュ、ワイヤー径6.5ミル(10A、10B、10C);80x80ワイヤーメッシュ、ワイヤー径3.7ミル(10D、10E)、および44x44ワイヤーメッシュ、ワイヤー径5.5ミル(10F)。図16は試料10A(上左)、10B(上右)、10E(下左)および10F(下右)の走査型電子顕微鏡写真を示し、織り目加工ニップ・ローラーにより織り目加工表面中に刻まれるメッシュパターンを表す。パッドの織り目加工表面上のメッシュパターンの刻み込みは、驚くことに、図17に示すようにパッドの織り目加工表面の表面粗さを有意に減じた。
CO2濃度1.26%および融解温度212℃(414°F)で生成される押出成形多孔質フォームロッド断面の走査型電子顕微鏡(SEM)画像(倍率100X)である。
ポリマー樹脂の単相溶液中のCO2濃度と、それから調製され得られる多孔質フォームの密度間の関係を説明する二酸化炭素濃度対密度のプロットである。
平均孔径8μm、密度0.989g/cm3、および106気泡/cm3を超える気泡密度を有する押出成形多孔質フォームシート断面の走査型電子顕微鏡(SEM)画像(倍率80X)である。
平均孔径15μm、密度0.989g/cm3、106気泡/cm3を超える気泡密度を有し、表面のマクロ織り目を全く持たない押出成形多孔質フォームシート上面の走査型電子顕微鏡(SEM)画像(倍率50X)である。
二酸化ケイ素研磨レート対微小孔性フォーム研磨パッドを用いて研磨される二酸化ケイ素ウエハーの数のプロットである。
研磨パッドが溝を付けられバフ研磨される、微小孔性フォーム研磨パッドと固体の非多孔質研磨パッドを比較しての、二酸化ケイ素研磨レート対研磨された二酸化ケイ素ウエハーの数のプロットである。
研磨パッドがバフ研磨され調整される、二酸化ケイ素ウエハー20個研磨後の研磨破片により光沢があり詰まった溝付きマクロ織り目を有する固体の非多孔質ポリマーシート上面の走査型電子顕微鏡(SEM)画像(倍率20X)である。
平均孔径15μm、密度0.989g/cm3、106気泡/cm3を超える気泡密度、ならびに二酸化ケイ素ウエハー20個研磨(バフ研磨され調整された)後の研磨破片のない溝付きマクロ織り目を有する押出成形多孔質フォームシート上面の走査型電子顕微鏡(SEM)画像(倍率20X)である。
平均孔径15μm、密度0.989g/cm3、106気泡/cm3を超える気泡密度、ならびに二酸化ケイ素ウエハー20個研磨(バフ研磨されるが調整なし)後の研磨破片のない溝付きマクロ織り目を有する押出成形多孔質フォームシート上面の走査型電子顕微鏡(SEM)画像(倍率20X)である。
二酸化ケイ素ブランケットウエハー20個研磨後の研磨パッドの厚さを通してのシリカ研磨剤の浸入の程度を示す、固体研磨パッドのエネルギー分散型X線(EDX)シリカマッピング画像である。
二酸化ケイ素ブランケットウエハー20個研磨後の研磨パッドの厚さを通してのシリカ研磨剤の浸入の程度を示す、微小孔性フォーム研磨パッドのエネルギー分散型X線(EDX)シリカマッピング画像である。
二酸化ケイ素ブランケットウエハー20個研磨後の研磨パッドの厚さを通してのシリカ研磨剤の浸入の程度を示す、従来型の独立気泡研磨パッドのエネルギー分散型X線(EDX)シリカマッピング画像である。
固体の非多孔質研磨パッド、微小孔性フォーム研磨パッド、および従来型の微小孔性独立気泡研磨パッドの使用を較べての、時間(s)対パターン化二酸化ケイ素ウエハーの40%密度態様に対する残留段高さ(Åでの)のプロットである。
固体の非多孔質研磨パッド、微小孔性フォーム研磨パッド、および従来型の微小孔性独立気泡研磨パッドの使用を較べての、時間(s)対パターン化二酸化ケイ素ウエハーの70%密度態様に対する残留段高さ(Åでの)のプロットである。
倍率350Xでの固体熱可塑性ポリウレタンシートのSEM画像である。
0.1μmの平均気泡径を有するフォームを製造するために加圧ガス注入により処理された倍率7500Xでの固体熱可塑性ポリウレタンシートのSEM画像である。
0.1μmの平均気泡径を有するフォームを製造するために加圧ガス注入により処理された倍率20000Xでの固体熱可塑性ポリウレタンシートのSEM画像である。
4μmの平均気泡径を有するフォームを製造するために加圧ガス注入により処理された倍率350Xでの固体熱可塑性ポリウレタンシートのSEM画像である。
4μmの平均気泡径を有するフォームを製造するために加圧ガス注入により処理された倍率1000Xでの固体熱可塑性ポリウレタンシートのSEM画像である。
本発明の表面織り目加工研磨パッドのSEM画像を示す。
表面織り目加工前(上)および後(下)の表面織り目加工研磨パッド10Fの視像を示す。

Claims (29)

  1. 60μm以下の範囲にある平均孔気泡径を有する多孔質高分子フォームを含む化学機械研磨用に適する表面織り目加工研磨パッドであって、該フォーム中の少なくとも75%の孔が該平均孔気泡径から±30μm内の孔気泡径を有し、該パッドは、25μm〜1150μm範囲内の深さ、0.25μm〜380μm範囲内の幅、および1〜1000の深さ対幅アスペクト比を有する窪みを含む少なくとも一つの織り目加工表面を有し、該パッドの少なくとも一つの織り目加工表面は、表面積の平方センチメートル当り少なくとも10個の窪みを含み、少なくとも5μmの平均表面粗さを有する、表面織り目加工研磨パッド。
  2. 多孔質高分子フォームが立方センチメートル当り少なくとも104気泡の孔気泡密度を有する請求項1に記載の研磨パッド。
  3. 多孔質高分子フォームが少なくとも0.5g/cm3の密度を有する請求項1に記載の研磨パッド。
  4. 多孔質高分子フォーム中で気泡の大部分が独立気泡である請求項1に記載の研磨パッド。
  5. 多孔質高分子フォームが熱可塑性ポリウレタンを含む請求項1に記載の研磨パッド。
  6. 熱可塑性ポリウレタンが20,000g/モル〜600,000g/モルの質量平均分子量(Mw)を有する請求項5に記載の研磨パッド。
  7. 熱可塑性ポリウレタンが20以下のメルト・フロー・インデックス(MFI)を有する請求項6に記載の研磨パッド。
  8. 熱可塑性ポリウレタンが1.1〜6の多分散指数(PDI)を有する請求項6に記載の研磨パッド。
  9. 熱可塑性ポリウレタンが2〜10のレオロジー・プロセシング・インデックス(RPI)を有する請求項6に記載の研磨パッド。
  10. 多孔質高分子フォームが8%以下の平均圧縮率%を有する請求項5に記載の研磨パッド。
  11. 熱可塑性ポリウレタンフォームが少なくとも20%の平均跳ね返り率%を有する請求項5に記載の研磨パッド。
  12. 少なくとも一つの織り目加工表面がショアA75〜ショアD90範囲にある硬度を有する請求項1に記載の研磨パッド。
  13. 少なくとも一つの織り目加工表面が、さらに、その上に刻まれる溝の織り目加工パターンを含む請求項1に記載の研磨パッド。
  14. 溝がそれぞれ25μm〜500μm範囲にある幅を有する請求項12に記載の研磨パッド。
  15. 溝が25μm〜500μm範囲にある深さを有する請求項12に記載の研磨パッド。
  16. 少なくとも一つの織り目加工表面がその上に刻まれる溝のメッシュパターンを含む請求項1に記載の研磨パッドであって、該メッシュパターンは、間隙を介した平行な溝の第1パターン、および間隙を介した平行な溝の第1パターンを横切る間隙を介した平行な溝の第2パターンを含む、研磨パッド。
  17. 溝がそれぞれ25μm〜500μm範囲にある幅を有する請求項15に記載の研磨パッド。
  18. 間隙を介した平行な溝の第1および第2パターンの平行な溝が、250μm〜1000μm範囲にある距離分相互に間隙を空ける請求項15に記載の研磨パッド。
  19. 溝が25μm〜500μm範囲にある深さを有する請求項15に記載の研磨パッド。
  20. 多孔質高分子フォームが1μm〜30μm範囲にある平均孔径を有する請求項1に記載の研磨パッド。
  21. (a)ガスを高い温度および圧力にさらすことにより超臨界ガスを発生させ、単相溶液を生成するために、ポリマー樹脂を該超臨界ガスと混合し、
    (b)単相溶液から高分子フォームのシートを押出成形し、
    (c)該シートを圧縮し、および
    (d)高分子フォームのそのように押出成形され圧縮されたシートから少なくとも一つの織り目加工表面を有する研磨パッドを形成すること、
    を含む請求項1に記載の研磨パッドを製造するための方法。
  22. ポリマー樹脂と混合される超臨界ガスの量が単相溶液の全体体積の0.01%〜5%である請求項20に記載の方法。
  23. さらに、研磨パッドを形成する前に、圧縮され押出成形された高分子フォームシートの表面上に、溝の少なくとも一つの織り目加工パターンを刻む追加の段階を含む請求項20に記載の方法。
  24. 溝がそれぞれ25μm〜500μm範囲にある幅を有する請求項20に記載の方法。
  25. 溝が25μm〜500μm範囲にある深さを有する請求項20に記載の方法。
  26. さらに、その表面粗さを低減するためにパッドの少なくとも一つの織り目加工表面をバフ研磨する追加の段階を含む請求項20に記載の方法。
  27. (a)回転するプラテン、
    (b)請求項1に記載の研磨パッド、および
    (c)被加工物を回転研磨パッドと接触させることにより研磨しようとする被加工物を保持する担体、
    を含む化学機械研磨装置。
  28. さらに原位置終点検出システムを含む、請求項27に記載の化学機械研磨装置。
  29. (a)請求項1に記載の研磨パッドを提供し、
    (b)被加工物を回転研磨パッドと接触させ、および
    (c)被加工物に対して研磨パッドを動かせて被加工物を薄く削り、それによって被加工物を研磨すること、
    を含む被加工物を研磨する方法。
JP2008526988A 2005-08-19 2006-08-08 表面織り目加工微小孔性研磨パッド Active JP5009914B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/207,964 US20050276967A1 (en) 2002-05-23 2005-08-19 Surface textured microporous polishing pads
US11/207,964 2005-08-19
PCT/US2006/030783 WO2007024464A1 (en) 2005-08-19 2006-08-08 Surface textured microporous polishing pads

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009504426A true JP2009504426A (ja) 2009-02-05
JP2009504426A5 JP2009504426A5 (ja) 2009-09-24
JP5009914B2 JP5009914B2 (ja) 2012-08-29

Family

ID=37491794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008526988A Active JP5009914B2 (ja) 2005-08-19 2006-08-08 表面織り目加工微小孔性研磨パッド

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20050276967A1 (ja)
JP (1) JP5009914B2 (ja)
KR (1) KR101281874B1 (ja)
CN (1) CN101282818A (ja)
TW (1) TWI308097B (ja)
WO (1) WO2007024464A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010000595A (ja) * 2008-05-22 2010-01-07 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの研磨層形成用組成物、化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
JP2017013149A (ja) * 2015-06-29 2017-01-19 株式会社クラレ 研磨パッド
JP2018531157A (ja) * 2015-09-25 2018-10-25 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 高い弾性率比率を有するポリウレタンcmpパッド

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3769581B1 (ja) * 2005-05-18 2006-04-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびその製造方法
US20070161720A1 (en) * 2005-11-30 2007-07-12 Applied Materials, Inc. Polishing Pad with Surface Roughness
KR100741984B1 (ko) * 2006-02-17 2007-07-23 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 장치의 연마 패드 및 그의 제조방법
US7438636B2 (en) * 2006-12-21 2008-10-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7569268B2 (en) * 2007-01-29 2009-08-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
CN102083586B (zh) * 2008-04-29 2015-08-12 塞米奎斯特股份有限公司 抛光垫片组合物与制造和使用方法
US20110045753A1 (en) * 2008-05-16 2011-02-24 Toray Industries, Inc. Polishing pad
TWI409137B (zh) * 2008-06-19 2013-09-21 Bestac Advanced Material Co Ltd 研磨墊及其微型結構形成方法
JP5233621B2 (ja) * 2008-12-02 2013-07-10 旭硝子株式会社 磁気ディスク用ガラス基板及びその製造方法。
TWI466930B (zh) * 2009-06-10 2015-01-01 Lg Chemical Ltd 多孔板之製造方法及使用該方法製得之多孔板
US20130012108A1 (en) * 2009-12-22 2013-01-10 Naichao Li Polishing pad and method of making the same
JP5484145B2 (ja) * 2010-03-24 2014-05-07 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US20120017935A1 (en) * 2010-07-21 2012-01-26 International Business Machines Corporation Magnetic tape head cleaning
US8702479B2 (en) * 2010-10-15 2014-04-22 Nexplanar Corporation Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters
WO2013161714A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 株式会社イノアックコーポレーション 樹脂発泡体の製造方法および樹脂発泡体
US9522454B2 (en) * 2012-12-17 2016-12-20 Seagate Technology Llc Method of patterning a lapping plate, and patterned lapping plates
US20140370788A1 (en) * 2013-06-13 2014-12-18 Cabot Microelectronics Corporation Low surface roughness polishing pad
CN105359258B (zh) * 2013-07-02 2018-09-25 富士纺控股株式会社 研磨垫及其制造方法
US9963566B2 (en) * 2013-08-02 2018-05-08 Nike, Inc. Low density foamed articles and methods for making
US9919458B2 (en) 2013-08-02 2018-03-20 Nike, Inc. Method and thermoplastic foamed article
US20150056895A1 (en) * 2013-08-22 2015-02-26 Cabot Microelectronics Corporation Ultra high void volume polishing pad with closed pore structure
KR20160071416A (ko) * 2013-10-18 2016-06-21 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 코팅된 연마 용품 및 그의 제조 방법
WO2015120430A1 (en) * 2014-02-10 2015-08-13 President And Fellows Of Harvard College 3d-printed polishing pad for chemical-mechanical planarization (cmp)
JP6315246B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-25 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US9818618B2 (en) * 2014-05-07 2017-11-14 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad for CMP
WO2016037842A1 (en) * 2014-09-11 2016-03-17 Huntsman International Llc Method of designing and manufacturing a distributor bar for applying a viscous foamable liquid mixture onto a laminator
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
SG10202002601QA (en) 2014-10-17 2020-05-28 Applied Materials Inc Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
EP3244870B1 (en) * 2015-01-14 2021-05-05 Arkema, Inc. Expanded polymer powders
US10092991B2 (en) * 2015-07-30 2018-10-09 Jh Rhodes Company, Inc. Polymeric lapping materials, media and systems including polymeric lapping material, and methods of forming and using same
KR20230169424A (ko) 2015-10-30 2023-12-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원하는 제타 전위를 가진 연마 제품을 형성하는 장치 및 방법
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
WO2017127221A1 (en) 2016-01-19 2017-07-27 Applied Materials, Inc. Porous chemical mechanical polishing pads
US10259099B2 (en) * 2016-08-04 2019-04-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Tapering method for poromeric polishing pad
US10106662B2 (en) * 2016-08-04 2018-10-23 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Thermoplastic poromeric polishing pad
CN106737247B (zh) * 2017-01-03 2018-12-28 山东理工大学 一种高切向磨削力与低法向磨削力的磨削工具
CN106625037B (zh) * 2017-01-05 2019-01-01 山东理工大学 一种高切向磨削力与低法向磨削力的磨削方法
JPWO2018181347A1 (ja) * 2017-03-31 2020-03-05 古河電気工業株式会社 研磨パッド
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR101949905B1 (ko) * 2017-08-23 2019-02-19 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
TWI791617B (zh) * 2017-09-29 2023-02-11 美商3M新設資產公司 聚合發泡體層、包含其之多層制振材料及拋光墊及其製備方法、和包含該拋光墊之拋光系統及使用該拋光墊拋光基材之方法
JP7299970B2 (ja) 2018-09-04 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良型研磨パッドのための配合物
CN109571303B (zh) * 2018-12-05 2020-06-30 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种超临界流体浸渗陶瓷磨具的方法
KR102293801B1 (ko) * 2019-11-28 2021-08-25 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR102237316B1 (ko) 2020-06-19 2021-04-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR102237311B1 (ko) 2020-06-19 2021-04-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11759909B2 (en) 2020-06-19 2023-09-19 Sk Enpulse Co., Ltd. Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same
KR102237321B1 (ko) 2020-06-19 2021-04-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR102237326B1 (ko) 2020-06-19 2021-04-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
CN111730794B (zh) * 2020-06-30 2022-02-11 华东理工大学 热塑性弹性体的超临界流体发泡方法及其产品、应用
KR102497825B1 (ko) * 2020-09-29 2023-02-08 에스케이엔펄스 주식회사 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
EP4337441A1 (en) 2021-05-17 2024-03-20 Jabil Inc. Improved method for forming thermoplastic additive manufacturing powders
KR102561824B1 (ko) 2021-06-02 2023-07-31 에스케이엔펄스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10329007A (ja) * 1997-05-28 1998-12-15 Sony Corp 化学的機械研磨装置
WO2003099518A1 (en) * 2002-05-23 2003-12-04 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pad
JP2004507077A (ja) * 2000-05-27 2004-03-04 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 化学機械平坦化用溝付き研磨パッド

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4138228A (en) * 1977-02-02 1979-02-06 Ralf Hoehn Abrasive of a microporous polymer matrix with inorganic particles thereon
US4239567A (en) * 1978-10-16 1980-12-16 Western Electric Company, Inc. Removably holding planar articles for polishing operations
JPH01193166A (ja) * 1988-01-28 1989-08-03 Showa Denko Kk 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド
US5182307A (en) * 1990-11-21 1993-01-26 Board Of Regents Of The University Of Washington Polyethylene terephthalate foams with integral crystalline skins
DE4321823C2 (de) * 1993-07-01 1997-03-06 Telefunken Microelectron Beleuchtungseinheit für Leuchtschilder
US5441598A (en) * 1993-12-16 1995-08-15 Motorola, Inc. Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate
US5489233A (en) * 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
US6017265A (en) * 1995-06-07 2000-01-25 Rodel, Inc. Methods for using polishing pads
US5684055A (en) * 1994-12-13 1997-11-04 University Of Washington Semi-continuous production of solid state polymeric foams
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5964643A (en) * 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
GB2316414B (en) * 1996-07-31 2000-10-11 Tosoh Corp Abrasive shaped article, abrasive disc and polishing method
EP0923443B1 (en) * 1996-08-27 2002-11-27 Trexel Inc. Method and apparatus for polymer foam extrusion, in particular microcellular foam
WO1998030356A1 (en) * 1997-01-13 1998-07-16 Rodel, Inc. Polymeric polishing pad having photolithographically induced surface pattern(s) and methods relating thereto
US6022268A (en) * 1998-04-03 2000-02-08 Rodel Holdings Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US6126532A (en) * 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
IL132412A0 (en) * 1997-04-18 2001-03-19 Cabot Corp Polishing pad for a semiconductor substrate
US6235380B1 (en) * 1997-07-24 2001-05-22 Trexel, Inc. Lamination of microcellular articles
EP1040158B2 (en) * 1997-12-19 2012-04-18 Trexel, Inc. Microcellular foam extrusion/blow molding process and article made thereby
US6231942B1 (en) * 1998-01-21 2001-05-15 Trexel, Inc. Method and apparatus for microcellular polypropylene extrusion, and polypropylene articles produced thereby
GB2334205B (en) * 1998-02-12 2001-11-28 Shinetsu Handotai Kk Polishing method for semiconductor wafer and polishing pad used therein
JP2918883B1 (ja) * 1998-07-15 1999-07-12 日本ピラー工業株式会社 研磨パッド
DE60025989T2 (de) * 1999-04-09 2006-11-09 Tosoh Corp., Shinnanyo Formschleifprodukt und Benutzung in einer Polierscheibe
WO2000073036A2 (en) * 1999-05-27 2000-12-07 Trexel, Inc. Polymeric foam processing
US6146242A (en) * 1999-06-11 2000-11-14 Strasbaugh, Inc. Optical view port for chemical mechanical planarization endpoint detection
US6171181B1 (en) * 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
US6290883B1 (en) * 1999-08-31 2001-09-18 Lucent Technologies Inc. Method for making porous CMP article
WO2001023141A1 (en) * 1999-09-29 2001-04-05 Rodel Holdings, Inc. Polishing pad
US6368200B1 (en) * 2000-03-02 2002-04-09 Agere Systems Guardian Corporation Polishing pads from closed-cell elastomer foam
US6926507B2 (en) * 2000-03-07 2005-08-09 Trexel, Inc. Blowing agent delivery system
JP3925041B2 (ja) * 2000-05-31 2007-06-06 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
JP2001348271A (ja) * 2000-06-01 2001-12-18 Tosoh Corp 研磨用成形体及びこれを用いた研磨用定盤
US20030022604A1 (en) * 2001-05-07 2003-01-30 3M Innovative Properties Company Abrasive product and method of making and using the same
US6685540B2 (en) * 2001-11-27 2004-02-03 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising particles with a solid core and polymeric shell
US20040171339A1 (en) * 2002-10-28 2004-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US7166247B2 (en) * 2002-06-24 2007-01-23 Micron Technology, Inc. Foamed mechanical planarization pads made with supercritical fluid
US7267607B2 (en) * 2002-10-28 2007-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10329007A (ja) * 1997-05-28 1998-12-15 Sony Corp 化学的機械研磨装置
JP2004507077A (ja) * 2000-05-27 2004-03-04 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 化学機械平坦化用溝付き研磨パッド
WO2003099518A1 (en) * 2002-05-23 2003-12-04 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pad

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010000595A (ja) * 2008-05-22 2010-01-07 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの研磨層形成用組成物、化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
JP2017013149A (ja) * 2015-06-29 2017-01-19 株式会社クラレ 研磨パッド
JP2018531157A (ja) * 2015-09-25 2018-10-25 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 高い弾性率比率を有するポリウレタンcmpパッド
JP7066608B2 (ja) 2015-09-25 2022-05-13 シーエムシー マテリアルズ,インコーポレイティド 化学機械的研磨パッド、基板を化学機械的に研磨する方法、及び化学機械的研磨パッドを製造する方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080037719A (ko) 2008-04-30
CN101282818A (zh) 2008-10-08
TW200722225A (en) 2007-06-16
TWI308097B (en) 2009-04-01
US20050276967A1 (en) 2005-12-15
JP5009914B2 (ja) 2012-08-29
WO2007024464A1 (en) 2007-03-01
KR101281874B1 (ko) 2013-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5009914B2 (ja) 表面織り目加工微小孔性研磨パッド
JP4624781B2 (ja) 微小孔性研磨パッド
US8075372B2 (en) Polishing pad with microporous regions
US6998166B2 (en) Polishing pad with oriented pore structure
US20040171339A1 (en) Microporous polishing pads
EP1915233B1 (en) Transparent microporous materials for cmp
WO2007055901A1 (en) Method for manufacturing microporous cmp materials having controlled pore size

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090807

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120522

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120531

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5009914

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250