JP2009302097A - 単結晶SiC基板の製造方法および単結晶SiC基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】所定厚さの表面Si層3と埋め込み絶縁層4とを有するSi基板1を準備し、上記Si基板1を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Si層3を単結晶SiC層6に変成させる単結晶SiC基板の製造方法であって、上記表面Si層3を単結晶SiC層6に変成させる際に、埋め込み絶縁層4との界面8近傍のSi層を残存Si層5として残す。
【選択図】図1
Description
表面Si層3の厚みが10〜14nmの(111)SIMOX基板(SOI−A)、表面Si層3の厚みが18〜22nmの(111)SIMOX基板(SOI−B)、表面Si層3の厚みが9900〜1100nmの(111)貼り合わせSOI基板(SOI−C)を出発材料として準備した。上記各SOI基板を試料として電気炉に挿入し、プロパンガスと水素ガスとをそれぞれ流量100sccm及び10SLMで当該電気炉に導入しつつ、電気炉内雰囲気が1250℃に達するまで加熱昇温し、当該温度で15分間保持した。
表面Si層3の厚みが3〜7nmの(111)SIMOX基板(SOI−Ref)を出発材料として準備し、当該SOI基板を試科として電気炉に挿入し、実施例1と同条件で変性処理である炭化熱処理を実施した。この工程により、表面Si層3が完全に炭化されて、3〜7nm厚の単結晶SiC層6(シード層)へと変成され、その下層には直に接する埋め込み絶縁層4が存在する構造となった。
実施例1ならびに比較例1の製法による各単結晶SiC層6について、断面TEM像観察による評価を行った。
SOI−Aを出発材料とした実施例1の製法による単結晶SiC層6(シード層)形成済のサンプルを、減圧エピタキシャル成長炉に挿入し、約2×10−4torrの減圧下にてモノメチルシランを3sccmで当該エピタキシャル成長炉に導入しつつ、ウェハ温度が1150℃に達するまで加熱昇温し、当該温度で10分間保持した。この工程により、単結晶SiC層6(シード層)上に約100nm厚の単結晶SiCエピタキシャル層7が堆積された。このあと、エピタキシャル成長炉の加熱用ヒーターへの通電を止め、同時にモノメチルシランガスの導入を止め、この状態で電気炉の試料全体が所定の低温、例えば80℃程度に低下するまで冷却してウエハを炉外に取り出した。
SOI−Refを出発材料とした比較例1の製法による単結晶SiC層6(シード層)形成済のサンプルを、減圧エピタキシャル成長炉に挿入し、実施例2と同条件で、単結晶SiC層6(シード層)上に約100nm厚の単結晶SiCエピタキシャル層7を堆積した。
実施例2ならびに比較例2の製法によるSiCエピタキシャル層について、断面TEM像の観察による評価、およびX線回折ロッキングカーブ法による評価を行った。
2 Si母材
3 表面Si層
4 埋め込み絶縁層
5 残存Si層
6 単結晶SiC層
7 単結晶SiCエピタキシャル層
8 界面
9 酸化物層
10 加熱炉
11 ヒータ
12 混合器
13 ボンベ
14 ボンベ
Claims (4)
- 所定厚さの表面Si層と埋め込み絶縁層とを有するSi基板を準備し、上記Si基板を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Si層を単結晶SiC層に変成させる単結晶SiC基板の製造方法であって、上記表面Si層を単結晶SiC層に変成させる際に、埋め込み絶縁層との界面近傍のSi層を残存Si層として残すことを特徴とする単結晶SiC基板の製造方法。
- 上記埋め込み絶縁層との界面近傍に残存Si層が残された単結晶SiC基板に対しエピタキシャル成長させることにより、表面の単結晶SiC層の上層にさらに単結晶SiCを成長させる請求項1記載の単結晶SiC基板の製造方法。
- 上記残存Si層の厚みが3〜20nmである請求項1または2記載の単結晶SiC基板の製造方法。
- 埋め込み絶縁層を有する単結晶Si基板の上記埋め込み絶縁層より表面側に、単結晶SiC層が形成された単結晶SiC基板であって、上記単結晶SiC層と埋め込み絶縁層との界面近傍にSi層が形成されていることを特徴とする単結晶SiC基板。
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