JP4550870B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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転位密度の低下が実現できたものと考えられる。
log(th)=−1.2×10-3×t+1.56 (1)
で表現される。
log(th)≧−1.2×10-3×t+1.56 (2)
を満たすように堆積温度tと酸化膜厚th とが選ばれていれば、本発明により低温で成長させたエピタキシャル層の転位を効果的に低減できるといえる。
2…酸化膜
3…多結晶シリコン
4…カラー酸化膜
5…アモルファスシリコン
Claims (5)
- 単結晶シリコン基板の一部に露出するシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなる絶縁膜を形成する工程と、
前記単結晶シリコン基板の一主面上に形成されている自然酸化膜を、水素雰囲気中での熱処理である還元処理により除去する工程と、
前記還元処理の後に、前記単結晶シリコン基板の一主面上の全体に対して単結晶シリコン膜を1000℃以下の温度でエピタキシャル成長し、且つ前記絶縁膜上に乗り上げて該シリコン膜を堆積する工程と、
前記シリコン膜のエピタキシャル成長後に、酸化性雰囲気での熱処理を行う工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 単結晶シリコン基板の一部に露出するシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなる絶縁膜を形成する工程と、
前記単結晶シリコン基板の一主面上に形成されている自然酸化膜を、水素雰囲気中での熱処理である還元処理により除去する工程と、
前記還元処理の後に前記単結晶シリコン基板の一主面上の全体に対してアモルファスシリコン膜を堆積し、且つ前記絶縁膜上に乗り上げて該シリコン膜を堆積する工程と、
前記アモルファスシリコン膜の全体を固相エピタキシャル成長させるために熱処理する工程と、
前記アモルファスシリコン膜の固相エピタキシャル成長後に、酸化性雰囲気での熱処理を行う工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸化性雰囲気での熱処理の後に水素雰囲気中での熱処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化性雰囲気での熱処理が1000℃以下の温度で行われることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン膜のエピタキシャル成長での堆積温度t℃と、
前記酸化性雰囲気での熱処理と同条件で熱処理を、ドーパント濃度が1019cm-3以下の(100)単結晶シリコン基板に対して行って形成される酸化膜の膜厚th nmとが、
log(th)≧−1.2×10-3×t+1.56
の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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