JP2009301905A - 光電陰極 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電陰極10において、基板12上に中間層14、下地層16、及び光電子放出層18をこの順で形成する。光電子放出層18は、SbとBiを含有し、光の入射により光電子を外部に放出する機能を備えており、光電子放出層18には、SbBiに対して32mol%以下のBiが含有されている。
【選択図】図2
Description
Claims (13)
- SbとBiを含有し、光の入射により光電子を外部に放出する光電子放出層を備え、
前記光電子放出層には、Sb及びBiに対して32mol%以下のBiが含有されていることを特徴とする光電陰極。 - 前記光電子放出層には、Sb及びBiに対して29mol%以下のBiが含有されていることを特徴とする請求項1記載の光電陰極。
- 前記光電子放出層には、Sb及びBiに対して16.7mol%以下のBiが含有されていることを特徴とする請求項1記載の光電陰極。
- 前記光電子放出層には、Sb及びBiに対して6.9mol%以下のBiが含有されていることを特徴とする請求項1記載の光電陰極。
- 前記光電子放出層には、Sb及びBiに対して0.4mol%以上のBiが含有されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の光電陰極。
- 前記光電子放出層には、Sb及びBiに対して8.8mol%以上のBiが含有されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の光電陰極。
- ―100℃におけるリニアリティが、25℃におけるリニアリティの0.1倍よりも高いことを特徴とする請求項1記載の光電陰極。
- 波長320〜440nmでのピークにおいて20%以上の量子効率を示すことを特徴とする請求項2記載の光電陰極。
- 波長300〜430nmでのピークにおいて35%以上の量子効率を示すことを特徴とする請求項4記載の光電陰極。
- 前記光電子放出層の光の入射側に、HfO2から形成される中間層を更に備えることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載の光電陰極。
- 前記光電子放出層の光の入射側に、MgOから形成される下地層を更に備えることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項記載の光電陰極。
- 前記光電子放出層は、SbBiの合金薄膜に、カリウム金属蒸気及びセシウム金属蒸気を反応させることによって形成されることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項記載の光電陰極。
- 前記光電子放出層は、SbBiの合金薄膜に、カリウム金属蒸気及びルビジウム金属蒸気とセシウム金属蒸気を反応させることによって形成されることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項記載の光電陰極。
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