JP2009299166A - 被めっき体、めっき膜厚判定方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被めっき体に形成されためっきの厚さをその場で瞬時に判定することができる。
【解決手段】この被めっき構造体は、めっきが形成される被めっき体１１と、被めっき体１１にスリット部１２を介して対向し、被めっき体１１から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材１６を備えている。めっき２１が、被めっき体１１の表面からスリット部１２を介してめっき膜厚判定用部材１６まで成長したか否かを判定することによって、被めっき体１１に形成されためっき２１が、スリット部１２の幅Ｗより厚く形成されたか否かをその場で瞬時に判定することができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、被めっき体に形成されるめっきの膜厚が規格内であるか否か判定を行う構成を有する被めっき体、めっき膜厚判定方法及び半導体装置の製造方法に関する。

めっきが施される被めっき体の検査工程においては、めっき膜厚を計測する場合がある。例えば、半導体装置にあっては、リード端子を基板へ実装し易くするために外装めっき（例えば、半田めっき）が施される。外装めっきは、実装品質を確保するために、膜厚（以下めっき厚さと呼ぶ）と組成（例えばＳｎ、Ｂｉなど）が適切でなければならない。そのため、めっき作業を行う上で、電極に流す電流や半導体装置を浸すめっき液等が管理されている。しかしながら、めっき作業を続けると、電流やめっき液の作業条件が変動し、その結果めっき厚さや組成が不適正になるという不具合が生じる。

図１０に、従来の半導体装置の代表的な製造工程フローを示す。はじめに、ウェハから半導体チップを個片化するペレッタイズを行う（Ｓ１）。個片化された半導体チップを被めっき体に搭載してダイボンディングを行う（Ｓ２）。そして、半導体チップの電極パッドをワイヤボンディングにより被めっき体に形成されたリード端子に接続する（Ｓ３）。半導体チップを樹脂封止し（Ｓ４）、めっき工程において封入樹脂から露出したリード部に外装めっきを施す（Ｓ５）。製造番号等を封止樹脂にマーキングする（Ｓ６）。リード端子同士を連結する被めっき体の枠を除去し、リード成形・切断等を行う（Ｓ７）。仕上げ工程の後、外観（Ｓ８）及び特性等の選別を実施し（Ｓ９）、検査工程（Ｓ１０）を経ることで半導体装置を完成させる。

ここで、検査工程（Ｓ１０）においては、リード端子の周囲に形成されためっきの厚さが測定される。めっき厚さの測定には、蛍光Ｘ線膜厚計を用いたものが広く普及している。しかしながら、蛍光Ｘ線膜厚計によるめっき厚の測定では、測定に長時間を要する。そのため、先に述べたように、電流や液組成、温度を一定に管理すると共に、めっきバッチ毎や一定時間毎のサンプル測定でめっき厚を確認することでめっき厚の検査を実施している。

また、特許文献１には、リードフレームの外装めっきではないが、半導体基板上にめっきを形成することでショットキーバリアダイオードを形成する製造工程において、めっきの膜厚を計測する方法が開示されている。図１１に示すように、半導体基板９０上には、絶縁材料からなる保護膜９１が形成されている。保護膜９１には、モニター開口部９２が形成され、モニター開口部９２の内部には、めっき膜９３が形成されている。ここで、めっき膜９３は、保護膜９１に近い部分の厚みが厚く（山部分）、保護膜９１から離れた中心部分では厚みが小さい（谷部分）。ここで、めっき膜９３を上方から観察すると、モニター開口部（直径Ｄ）と同円心である山部分（直径ｄ）が観察される。この同心円の直径ｄを計測し、モニター開口部の直径Ｄと、同心円の直径ｄの比ｄ／Ｄを求める。そして、図１２に示すように、モニター開口部の直径Ｄと同心円の直径ｄの比であるｄ／Ｄに基づいて、めっき膜９３の膜厚を測定する。
特開昭５６−０８３９３６号公報

しかしながら、蛍光Ｘ線膜厚計によるめっきの膜厚の測定方法では、測定に長時間を要する。そのため、めっき工程管理を緻密に実施するために検査頻度や検査点数を増やせば、検査工程が煩雑となり生産効率を低下させることとなる。また、蛍光Ｘ線膜厚計によるめっきの膜厚の測定方法では、別途検査用機器を増設しなければならない。

また、特許文献１に示されためっき厚さの測定方法では、めっき膜９３の外周に保護膜９１が形成されていなければ、モニター開口部の直径Ｄと同心円の直径ｄの比であるｄ／Ｄを測定できない。例えば、リードフレームのめっき外装では、めっきが被めっき体の全面に形成され、保護膜は形成されない。そのため、特許文献１に示されためっき厚さの測定方法では、保護膜が形成されない被めっき体のめっき厚さを測定することができない。

本発明の第１の態様に係る被めっき構造体は、めっきが形成される被めっき体と、前記被めっき体にスリット部を介して対向し、当該被めっき体から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材と、を備えたことを特徴とする。

このように、被めっき体から電気的に分離されためっき膜厚判定用部材を形成し、めっきが、被めっき体の表面からスリット部を介してめっき膜厚判定用部材まで成長したか否かを判定することによって、被めっき体に形成されためっきが、スリット部の幅より厚く形成されたか否かをその場で瞬時に判定することができる。

本発明の第２の態様に係るめっき膜厚判定方法は、めっきが形成される被めっき体にスリット部を介して対向し、当該被めっき体から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材を用いためっき膜厚判定方法であって、前記被めっき体の表面に堆積しためっきが、前記スリット部を介して前記めっき膜厚判定用部材に達したか否かを判定することでめっきの膜厚を測定することを特徴とする。

このように、前記被めっき体の表面に堆積しためっきが、前記スリット部を介して前記めっき膜厚判定用部材に達したか否かを判定することで、めっきがスリット部の幅より厚く形成されたか否かをその場で瞬時に判定することができる。
本発明の第３の態様に係る半導体装置の製造方法は、リードフレームに半導体チップを搭載し、前記半導体チップを絶縁材料により封止し、前記リードフレームにスリット部を形成し、前記半導体チップが搭載されたリードフレームに外装めっきを施し、前記スリット部にめっきが堆積されているか否かを判定することにより前記めっきの膜厚を検査することを特徴とする。
スリット部にめっきが堆積したか否かを判定することにより、簡易な方法で瞬時にめっきの膜厚を検査することができる。

本発明の一態様によれば、被めっき体に形成されためっきの厚さをその場で瞬時に判定することができる。また、本発明の一態様によれば、検査頻度や検査点数を増加させた場合であっても、めっき管理工程を簡易かつ緻密に実施することができる。

以下、添付した図面を参照して本発明に係る実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る被めっき構造体の全体構成例を示す平面図である。被めっき構造体１０は、めっきが形成される被めっき体１１と、被めっき体１１にスリット部１２を介して対向し、被めっき体１１から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材１６と、を備えている。被めっき構造体１０は、めっきされるものであればどのようなものであってもよいが、ここでは、説明のため被めっき構造体１０を、リードフレームとして説明を行う。

被めっき構造体１０には、半導体チップがアレイ状に搭載される。被めっき構造体１０には、半導体チップが搭載されるチップ搭載部１７と、チップ搭載部１７の外周を囲むように配された複数のリード端子１３が形成されている。リード端子１３は、半導体チップの外部電極に対応する位置にそれぞれ配置されている。複数のリード端子１３は、所定の間隔を置いて形成され、外周において枠に接続されている。

半導チップが搭載される領域の外周には、めっき工程において形成されるめっきの膜厚を測定するためのめっき膜厚判定部１５が形成されている。めっき膜厚判定部１５は、リード端子１３を連結する枠とスリット部１２を介して対向し、枠から電気的に分離されためっき膜厚判定用部材１６を備えている。めっき膜厚判定用部材１６を除く、被めっき構造体全体を被めっき構造体１０と呼ぶ。

図２は、本発明の実施形態に係る被めっき構造体にモールド樹脂が形成された状態を示す平面図である。被めっき構造体１０には、チップ搭載部１７にそれぞれ半導体チップ（図示せず）が搭載される。被めっき構造体１０に搭載された半導体チップの外部電極は、ワイヤ（図示せず）によりリード端子１３に接続される。ワイヤによって半導体チップとリード端子１３が接続された状態で、半導体チップを覆うように絶縁部材２０が形成される。絶縁部材２０は、半導体チップ毎に形成される。また。この絶縁部材は、めっき膜厚判定部１５の一部にも形成されている。絶縁部材２０は、例えば、モールド樹脂である。

次に、めっき膜厚判定部１５の詳細な構成について説明する。図３は、本発明の実施形態に係る被めっき体のめっき膜厚判定部の詳細な構成を示す平面図、及びそのＡ−Ａ'断面図である。被めっき構造体１０の縁部において、コの字形状の孔１８ａが形成されている。換言すれば、めっき膜厚判定用部材１６の外周を囲むように孔１８ａが形成されている。コの字形状の内側を３分割するように、所定の間隔を置いて２つの矩形状の孔１８ｂが形成されている。これにより、コの字形状の孔１８ａの内側に、３つのめっき膜厚判定用部材１６が形成される。なお、めっき膜厚判定用部材１６の数はこれに限定されるものではなく、判定を行うめっき厚さに応じて任意の数のめっき膜厚判定用部材１６を形成することができる。

コの字形状の孔１８ａの開口端より内側には、めっき膜厚判定用部材１６を被めっき体１１から分離するスリット部１２が形成されている。換言すれば、スリット部１２は、隣接するめっき膜厚判定用部材１６の連結部を切り離すように形成されている。スリット部１２は、３つのめっき膜厚判定用部材１６のそれぞれに対応するように形成され、３つのスリット部１２の幅は、すべて異なるよう構成されている。ここで、紙面上段のスリット部１２の幅をＷ１、紙面中段のスリット部１２の幅をＷ２、紙面下段のスリット部１２の幅をＷ３とする。紙面上段のスリット部１２の幅Ｗ１は１０μｍであり、紙面中段のスリット部１２の幅Ｗ２は１５μｍであり、紙面下段のスリット部１２の幅Ｗ３は２０μｍである。

スリット部１２の幅Ｗ１〜３は、予め設定されためっきの規格に応じて設定される。スリット部１２と反対側のめっき膜厚判定用部材１６の端部には、めっき膜厚判定用部材１６と被めっき体１１の枠を接続する絶縁部材２０が形成されている。この絶縁部材２０は、半導体チップ上に形成されるモールド樹脂と同じ工程により製造される。

図３の断面図に示すように、絶縁部材２０は、めっき膜厚判定用部材１６と被めっき体１１とを物理的に連結するように構成されている。絶縁部材２０は絶縁性を有するため、めっき膜厚判定用部材１６と被めっき体１１は電気的に分離されたまま、絶縁部材２０によって連結されている。また、隣接するめっき膜厚判定用部材１６同士も同様に、絶縁部材２０によって電気的に分離されたまま、物理的に接続されている。めっき膜厚判定用部材１６は、スリット部１２を介して被めっき体１１と対向するよう配されている。

図４は、このように構成されためっき膜厚判定部の製造工程を示す平面図である。図４（ａ）に示すように、はじめに、被めっき構造体１０にコの字状の孔１８ａと、コの字形状の内部を分割する矩形状の孔１８ｂを形成する。孔１８ａ及び１８ｂは、例えば、パターニングによって形成され、リード端子１３の形成と同一工程によって形成される。孔１８ｂによって分割されためっき膜厚判定用部材１６は、コの字状の孔１８ａの開口端（固定端１８ｃ）において連結されている。

次に、図４（ｂ）に示すように、めっき膜厚判定用部材１６のうち固定端１８ｃと反対側の端部と、この端部に対向する被めっき体１１とを連結するように、絶縁部材２０を形成する。これにより、めっき膜厚判定用部材１６のうち固定端１８ｃと反対側の端部が被めっき体１１に固定接続される。そして、図４（ｃ）に示すように、めっき膜厚判定用部材１６を連結していたコの字状の孔１８ａの固定端１８ｃをレーザ照射によって切断する。これによって、めっき膜厚判定用部材１６を被めっき体１１から切り離すスリット部１２を形成する。

次に、このように構成された被めっき体における、めっきの膜厚の判定方法について説明する。図５は、被めっき体のめっき工程における変化を示す段面図である。なお、図５に示す断面図は、図３のＡ−Ａ'断面図に対応している。

図５（ａ）に示すように、めっき外装を行う前では、被めっき体１１とめっき膜厚判定用部材１６は、電気的に分離された状態で所定の間隔を置いて対向している。次に、被めっき構造体１０全体をめっき液に浸した状態で、被めっき体１１に電流を流すことで被めっき体１１の表面にめっきを形成する。

図５（ｂ）に示すように、めっき工程の初期状態では、導通している被めっき体１１にのみめっきが付着する。被めっき体１１から電気的に分離されているめっき膜厚判定用部材１６では、導通しておらず、めっき２１は付着しない。このように、めっき工程の初期段階においては、めっき膜厚判定用部材１６にめっき２１は付かず、めっき膜厚判定用部材１６はめっき２１が付着することによる変色が生じない。

図５（ｃ）に示すように、被めっき体１１の表面におけるめっきの堆積が進行すると、めっき２１は、スリット部１２を介してめっき膜厚判定用部材１６に付着し始める。これにより、被めっき体１１にめっき２１によって接続されためっき膜厚判定用部材１６は導通し、めっき膜厚判定用部材１６にもめっき２１が堆積し始める。

図５（ｄ）に示すように、さらにめっき２１の体積が進行すると、めっき膜厚判定用部材１６の表面を覆うようにめっき２１が形成される。このように、めっき２１の堆積に応じて変化するめっき膜厚判定用部材１６の状態を判定することで、被めっき体１１に堆積しためっき２１の厚さがスリット幅Ｗより大きいか否かを判定することができる。

次に、本発明の実施形態に係る被めっき体の膜厚判定方法について説明する。図６及び図７は、被めっき体のめっきの膜厚判定方法を示す図である。めっき工程が終了した後の検査工程において、めっき膜厚判定用部材１６を観察することでめっき２１の膜厚を測定する。すなわち、めっき膜厚判定部１５に形成された３つのめっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成されているか否かを判定することにより、めっき２１の膜厚を測定する。例えば、めっき膜厚判定用部材１６の色を目視により観察することで、めっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成されているか否かを判定することができる。若しくは、めっき膜厚判定用部材１６の反射率を測定することによりめっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成されているか否かを判定することができる。

図６（ａ）に示すように、検査工程において、３つのすべてのめっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成されていない場合には、めっき２１がスリット幅Ｗ１＝１０μｍよりも薄く形成されていることが分かる。そのため、被めっき体１１の表面に形成されためっき２１の厚さは１０μｍ以下であると判定される。

図６（ｂ）に示すように、スリット幅Ｗ１＝１０μｍに対応するめっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成され、スリット幅Ｗ２＝１５μｍ、Ｗ３＝２０μｍに対応するめっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成されていない場合には、めっき２１がスリット幅Ｗ１＝１０μｍよりも厚く、且つ、スリット幅Ｗ２＝１５μｍよりも薄く形成されていることが分かる。

図７（ａ）に示すように、スリット幅Ｗ１＝１０μｍ、Ｗ２＝１５μｍに対応するめっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成され、スリット幅Ｗ３＝２０μｍに対応するめっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成されていない場合には、めっき２１がスリット幅Ｗ１＝１５μｍよりも厚く、且つ、スリット幅Ｗ３＝２０μｍよりも薄く形成されていることが分かる。

図７（ｂ）に示すように、３つのすべてのめっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成されている場合には、めっき２１がスリット幅Ｗ１＝２０μｍよりも厚く形成されていることが分かる。このように、３つのめっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成されているか否かを判断することにより、めっき２１の厚みを、１０μｍ以下、１０〜１５μｍ、１５〜２０μｍ及び２０μｍ以上の４段階に判定することができる。このようにめっき２１が形成されているか否かを判断することで、めっき２１の厚みが予め設定された規格内にあるか否かを判定することができる。

図８は、本発明の実施形態に係る被めっき体を備えた半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。はじめに、ウェハから半導体チップを個片化するペレッタイズを行う（Ｓ１１）。個片化された半導体チップを被めっき構造体１０に搭載してダイボンディングを行う（Ｓ１２）。そして、半導体チップの電極パッドをワイヤボンディングにより被めっき体１１に形成されたリード端子１３に接続する（Ｓ１３）。半導体チップを樹脂封止すると共に、この樹脂によってめっき膜厚判定用部材１６の解放端を被めっき体１１に接続する（Ｓ）。そして、めっき膜厚判定用部材１６の固定端１８ｃをレーザ照射によって除去し、スリット部１２を形成する（Ｓ１５）。

めっき工程において封入樹脂から露出したリード部に外装めっきを施す（Ｓ１６）。製造番号等を封止樹脂にマーキングする（Ｓ１７）。リード端子１３同士を連結する被めっき構造体１０の枠を除去することでリード成形・切断等を行う（Ｓ１８）。仕上げ工程の後、外観（Ｓ１９）及び特性等の選別を実施する（Ｓ２０）。そして、検査工程（Ｓ２０）において、図６、７に示す方法で、めっき２１の膜厚を判定する。

このように形成された被めっき体では、めっき厚の測定にあたって、蛍光Ｘ線膜厚計のような高価で規模の大きい装置を必要とせず、おおよそのめっき厚さを外観によって確認できるので、めっき作業の条件出しを素早く実施することができる。また、めっき膜厚判定用部材１６にめっき２１が形成されているか否かを判定するだけで、めっき厚さが規格内であるか否かを瞬時にその場で判断することができる。

ここで、従来のリードフレームのめっき厚の検査は通常はロット単位で行われ、ロットの中から任意に抜き出した１枚について蛍光Ｘ線膜厚計を用いて抜取り検査を行う。この抜き取り検査において、膜厚等、めっきに係る評価結果が合格と判定されると、ロット全体も合格（良品）と判定され、次工程（マーキング）へ工程を進めることとなる。そのため従来の検査方法では、蛍光Ｘ線膜厚計で正確に測定された抜取りの１枚以外の母体の他の製品については、あくまでめっき厚が良品規格であろうという推定でしかなく、正確に膜厚が規格範囲内にあるか否かを判定することができない。

これに対し、本実施形態では、目視による簡単な外観を行うか、若しくは、めっき膜厚判定用部材１６のめっきの色を判断できる簡単な認識装置を用いる事で、容易にめっき厚が規格内にあるか否かを判定できるので、母体全てのリードフレームのめっき厚の良否を容易に判定することが出来る。

なお、例えばめっき厚さの規格が１０〜１５μｍといった具合に、規格内に入っているかどうかを判断したいだけの場合は、１０μｍを検出するスリットと１５μｍを検出するスリットの２本のみを形成すればよい。

また、めっき膜厚判定部１５は、全ての被めっき構造体１０の一部に設けても良いが、連続してめっき作業を行う被めっき体の間に、めっき膜厚判定部１５のみを設けた被めっき構造体１０を適宜投入するよう構成してもよい。すなわち、めっき膜厚判定部１５のみを設けた膜厚を判定するための被めっき構造体１０を製造し、他のめっき膜厚判定部１５を有さない被めっき体と同じめっき装置に順次投入することで、めっき膜厚判定部１５を有しない被めっき体の膜厚を、この被めっき構造体１０を用いて測定することができる。この様に、被めっき構造体１０を用いることで、その他の被めっき体にめっき膜厚判定部１５を設けることなく、フレーム面積の制約をなくすことができる。この場合、例えば、被めっき構造体１０において不具合が検出された場合に、1つ前の被めっき体までが不具合の対象として判断すればよい。

図９は、本発明の実施形態に係る被めっき構造体のめっき膜厚判定部の、他の製造工程を示す平面図である。図９（ａ）に示すように、被めっき体１１に、例えばリード端子１３（図示せず）の加工と同じ工程によって、孔１８ｄ及びスリット部１２を形成する。孔１８ｄは、紙面横方向に延び、所定の間隔を置いて複数形成されている。スリット部１２は、隣接する孔１８ｄ同士を貫通させるよう複数形成されている。前述した図４と同様に、孔１８ｄの幅ｄは、それぞれ異なる大きさに形成されている。

次に、図９（ｂ）に示すように、スリット部１２から所定の間隔を置いて、かつ、孔１８ｄの紙面右端を覆うように、絶縁部材２０を形成する。これにより、被めっき体１１から電気的に分離しためっき膜厚判定用部材１６を形成する。このように構成された被めっき構造体では、スリット部１２をリード端子１３の形成と同工程により形成することができる。そのため、図４に示した形態と比較して、簡易な構造及び工程により、めっき膜厚判定用部材１６を形成することができる。図９（ａ）、（ｂ）に示すように、スリット部１２を形成する工程は、絶縁部材２０を形成する後であってもよい。すなわち、本実施形態は、被めっき体１１から電気的に分離されためっき膜厚判定用部材１６を形成することができれば、どのような形状や工程であっても本発明の効果を奏することができる。

尚、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

本発明の実施形態に係る被めっき構造体の全体構成例を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る被めっき構造体において、モールド樹脂が形成された状態を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る被めっき構造体のめっき膜厚判定部の詳細な構成を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る被めっき構造体のめっき膜厚判定部の製造工程を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る被めっき構造体のめっき工程における変化を示す段面図である。 本発明の実施形態に係る被めっき構造体の膜厚判定方法を示す図である。 本発明の実施形態に係る被めっき構造体の膜厚判定方法を示す図である。 本発明の実施形態に係る被めっき構造体を備えた半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る被めっき構造体のめっき膜厚判定部の他の製造工程を示す平面図である。 従来の半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。 特許文献１に記載された半導体装置のめっき厚さの測定方法を示す図である。 特許文献１に記載された、モニター開口部の直径Ｄと同心円の直径ｄの比ｄ／Ｄと、めっき膜厚の関係を示す図である。

符号の説明

１０ 被めっき構造体
１１ 被めっき体
１２ スリット部
１３ リード端子
１５ めっき膜厚判定部
１６ めっき膜厚判定用部材
１７ チップ搭載部
１８ａ 孔
１８ｂ 孔
１８ｃ 固定端
２０ 絶縁部材
９０ 半導体基板
９１ 保護膜
９２ モニター開口部
９３ めっき膜
Ｗ、Ｗ１〜Ｗ３ スリット幅

Claims (18)

1. めっきが形成される被めっき体と、
   前記被めっき体にスリット部を介して対向し、当該被めっき体から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材と、を備えた被めっき構造体。
2. 前記めっき膜厚判定用部材は、絶縁部材を介して前記被めっき体に接続されている
   請求項１に記載の被めっき構造体。
3. 前記めっき膜厚判定用部材は、前記被めっき体と同一材料からなる
   請求項１又は２に記載の被めっき構造体。
4. 前記めっき膜厚判定用部材は、複数形成され、それぞれ異なる幅の前記スリット部を介して前記被めっき体と対向する
   請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の被めっき構造体。
5. 前記スリット部の幅は、予め設定された前記めっきの規格に応じて形成される
   請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の被めっき構造体。
6. 前記被めっき構造体は、半導体チップの外部電極に接続されるリード端子が形成されたリードフレームである
   請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の被めっき構造体。
7. 前記めっき膜厚判定用部材は、前記半導体チップが搭載される領域の外周において形成される
   請求項６に記載の被めっき構造体。
8. 半導体チップが搭載された、請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の被めっき構造体。
9. めっきが形成される被めっき体にスリット部を介して対向し、当該被めっき体から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材を用いためっき膜厚判定方法であって、
   前記被めっき体の表面に堆積しためっきが、前記スリット部を介して前記めっき膜厚判定用部材に達したか否かを判定することでめっきの膜厚を測定するめっき膜厚判定方法。
10. 前記めっき膜厚判定用部材の色を判定することにより、前記めっきが、前記スリット部を介して前記めっき膜厚判定用部材に達したか否かを判定する
    請求項９に記載のめっき膜厚判定方法。
11. 前記めっき膜厚判定用部材の反射率を測定することにより、前記めっきが、前記スリット部を介して前記めっき膜厚判定用部材に達したか否かを判定する
    請求項９に記載のめっき膜厚判定方法。
12. 前記被めっき体は、リードフレームである
    請求項９乃至１１のうちいずれか１項に記載のめっき膜厚判定方法。
13. リードフレームに、絶縁材料によって封止された半導体チップを搭載すると共に、スリット部を形成し、
    前記半導体チップが搭載された前記リードフレームに外装めっきを施し、
    前記スリット部にめっきが堆積されているか否かを判定することにより前記めっきの膜厚を検査する
    半導体装置の製造方法。
14. 前記スリット部を形成することで、めっきが形成されるリードフレームにスリット部を介して対向し、当該リードフレームから電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材を形成し、
    前記被めっき体の表面に堆積しためっきが、前記スリット部を介して前記めっき膜厚判定用部材に達したか否かを判定することでめっきの膜厚を測定する
    請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記めっき膜厚判定用部材と前記リードフレームを絶縁材料により接続する
    請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
16. 前記絶縁材料を、前記半導体チップを封止する前記絶縁材料と同一工程により形成する
    請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
17. 前記めっき膜厚判定用部材の色を判定することにより、前記めっきが、前記スリット部を介して前記めっき膜厚判定用部材に達したか否かを判定する
    請求項１４又は１５に記載の半導体装置の製造方法。
18. 前記めっき膜厚判定用部材の反射率を測定することにより、前記めっきが、前記スリット部を介して前記めっき膜厚判定用部材に達したか否かを判定する
    請求項１４又は１５に記載の半導体装置の製造方法。

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