JP2009295655A - Minute air bubble generating device, minute air bubble generating method, and substrate treatment device - Google Patents
Minute air bubble generating device, minute air bubble generating method, and substrate treatment device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009295655A JP2009295655A JP2008145423A JP2008145423A JP2009295655A JP 2009295655 A JP2009295655 A JP 2009295655A JP 2008145423 A JP2008145423 A JP 2008145423A JP 2008145423 A JP2008145423 A JP 2008145423A JP 2009295655 A JP2009295655 A JP 2009295655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microbubble
- microbubbles
- liquid
- liquid containing
- foreign matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Abstract
Description
本発明は、微小気泡生成装置、微小気泡生成方法および基板処理装置に関し、特に例えば洗浄装置に対して搭載可能な微小気泡生成装置、微小気泡生成方法および基板処理に関する。 The present invention relates to a microbubble generating apparatus, a microbubble generating method, and a substrate processing apparatus, and more particularly to a microbubble generating apparatus, a microbubble generating method, and a substrate processing that can be mounted on, for example, a cleaning apparatus.
一例として、基板処理装置は、基板の製造工程において基板に対して純水や薬液等の液体を供給して処理を行う。この種の基板処理装置では、基板に付着したパーティクルや液体中に浮遊するパーティクルを除去する必要がある。 As an example, the substrate processing apparatus performs processing by supplying liquid such as pure water or a chemical solution to the substrate in the substrate manufacturing process. In this type of substrate processing apparatus, it is necessary to remove particles adhering to the substrate and particles floating in the liquid.
基板のパーティクルを除去するために、特許文献1では、基板処理装置に対してマイクロバブル発生部を接続して、マイクロバブル発生部からマイクロバブルを含む純水を処理槽内の基板に供給することが提案されている。 In order to remove particles on the substrate, in Patent Document 1, a microbubble generator is connected to the substrate processing apparatus, and pure water containing microbubbles is supplied from the microbubble generator to the substrate in the processing tank. Has been proposed.
このマイクロバブル発生部の構造は、特許文献1の図9に記載されており、マイクロバブル発生部は、ケーシングの中に送水管と、この送水管を取り囲む送気路とを形成した構造になっている。送気路は窒素ガス供給部と真空ポンプに接続されており、送気路を流れる窒素ガスの圧力は、真空ポンプの作動により調整してケーシング内を加減圧できる。 The structure of this micro bubble generating part is described in FIG. 9 of Patent Document 1, and the micro bubble generating part has a structure in which a water supply pipe and an air supply path surrounding the water supply pipe are formed in the casing. ing. The air supply path is connected to a nitrogen gas supply unit and a vacuum pump, and the pressure of nitrogen gas flowing through the air supply path can be adjusted by operating the vacuum pump to increase or decrease the pressure in the casing.
これにより、ケーシング内を減圧した場合には、送水管を流れる純水から余分な気体が過飽和となって析出し、その気体は中空子分離膜を通って送気路へ流出する。また、ケーシング内を加圧した場合には、送気路を流れる窒素ガスが、中空子分離膜を通って送水管内の純水中に加圧溶融するようになっている。
ところが、特許文献1に記載されているマイクロバブル発生部を用いて微小気泡を含む液体を生成する際には、マイクロバブル発生部は金属部品を用いて構成するのが一般的である。しかし、金属部品を用いると、微小気泡を含む液体内には半導体ウェハを洗浄する際に悪影響を与える金属イオンが、金属部品から溶出して含まれてしまう。このため、基板を洗浄処理する際に、基板に金属イオンが付着してしまい、基板処理後の後工程において問題が生じるおそれがある。PN接合での電流リークや酸化膜の耐力不良があり、キャリアライフタイムの低下等を招き、半導体デバイスの電気的特性を致命的に劣化させることになる。 However, when a liquid containing microbubbles is generated using the microbubble generator described in Patent Document 1, the microbubble generator is generally configured using metal parts. However, when a metal part is used, metal ions that adversely affect the cleaning of the semiconductor wafer are eluted from the metal part and contained in the liquid containing microbubbles. For this reason, when cleaning the substrate, metal ions adhere to the substrate, which may cause a problem in a subsequent process after the substrate processing. There are current leakage at the PN junction and poor proof stress of the oxide film, leading to a decrease in carrier lifetime and the like, and the electrical characteristics of the semiconductor device are fatally deteriorated.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、金属イオン等の異物を確実に除去することができる微小気泡生成装置、微小気泡生成方法および基板処理装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a microbubble generating apparatus, a microbubble generating method, and a substrate processing apparatus that can reliably remove foreign substances such as metal ions. .
本発明の微細気泡生成装置は、微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成装置であって、前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部と、前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から、異物を除去する異物除去機構部と、
を備えることを特徴とする。
The microbubble generator of the present invention is a microbubble generator that generates a liquid containing microbubbles, and is supplied from the microbubble liquid generator that generates the liquid containing microbubbles, and the microbubble liquid generator. A foreign matter removing mechanism for removing foreign matter from the liquid containing the microbubbles;
It is characterized by providing.
また、本発明の微細気泡生成方法は、微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成方法であって、微小気泡液生成部が前記微小気泡を含む液体を生成し、前記異物除去機構部が前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から異物を除去することを特徴とする。 The fine bubble generating method of the present invention is a microbubble generating method for generating a liquid containing microbubbles, wherein the microbubble liquid generating unit generates the liquid containing the microbubbles, and the foreign matter removing mechanism unit is configured as described above. Foreign matter is removed from the liquid containing the microbubbles supplied from the microbubble liquid generator.
さらに、本発明の基板処理装置は、微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成装置を用いた基板処理装置であって、前記微小気泡生成装置は、前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部と、前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から、異物を除去する異物除去機構部と、を備えることを特徴とする。 Furthermore, the substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus using a microbubble generating apparatus that generates a liquid containing microbubbles, and the microbubble generating apparatus generates microbubbles that generate the liquid containing microbubbles. And a foreign matter removing mechanism that removes foreign matter from the liquid containing the microbubbles supplied from the microbubble liquid generator.
本発明によれば、金属イオン等の異物を確実に除去することができる微小気泡生成装置、微小気泡生成方法および基板処理装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the microbubble production | generation apparatus, the microbubble production | generation method, and substrate processing apparatus which can remove foreign substances, such as a metal ion, reliably can be provided.
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1実施形態)
図1は、本発明の微小気泡生成装置の好ましい第1実施形態を示している。
(First embodiment)
FIG. 1 shows a first preferred embodiment of the microbubble generator of the present invention.
図1に示すように、微小気泡生成装置10は、水供給部11と、気体供給部20と、微小気泡水生成部12と、異物除去機構部30を有している。
As shown in FIG. 1, the
異物除去機構部30は、金属イオン除去フィルタ13と有機汚染除去装置14と溶存ガス除去機構15およびパーティクル除去部16の少なくとも1つを含んでおり、これらの要素の配列の順序は、特に限定されない。
The foreign
図1に示す水供給部11は、バルブ11Bを開けることにより、液体の一例として水を微小気泡水生成部12に供給することができる。気体供給部20は、気体の一例として窒素ガスを、バルブ20Bを開けることにより、微小気泡水生成部12に供給できる。
The
図1に示す微小気泡水生成部12は、微小気泡液生成部の一例であり、気体供給部20から供給された窒素ガス21を例えば第1多孔質フィルタに通すことで多数の微小気泡を生成し、水供給部11から供給された水22を例えば第2多孔質フィルタに通すことで、生成された多数の微小気泡を、水の中に含ませる。これにより、微小気泡水生成部12は、気体と水から多数の微小気泡を含む水23を生成することができる。生成された微小気泡を含む液体23は、金属イオン除去フィルタ13に供給されるようになっている。
1 is an example of a microbubble liquid generator, and generates a large number of microbubbles by passing the
図1に示す異物除去機構部30の金属イオン除去フィルタ13は、微小気泡を含む水23中の金属不純物を除去するためのフィルタであり、例えば好ましくはイオン交換樹脂を用いている。イオン交換樹脂としては、陰イオン交換樹脂または陽イオン交換樹脂の単床、あるいは両者の混床等を用いることができる。
The metal
異物除去機構部30の有機汚染除去装置14は、有機系の汚染物を除去する部分であり、例えば紫外線(UV)を、微小気泡を含む水23に照射するようになっている。これにより、微小気泡を含む水23中の有機汚染物を除去する。有機物汚染は、酸化膜の電気特性に影響を及ぼすために除去する。
The organic
紫外線の波長またはエネルギー強度をコントロールすることで、微小気泡を圧壊することなく、微小気泡を含む液体中の有機物の除去が可能となる。また、上記コントロールを行うことで効率的に微小気泡を含む液体から有機物を除去できる。 By controlling the wavelength or energy intensity of the ultraviolet light, it is possible to remove organic substances in the liquid containing the microbubbles without crushing the microbubbles. Moreover, organic substance can be efficiently removed from the liquid containing microbubbles by performing the above control.
異物除去機構部30の溶存ガス除去機構15は、微小気泡を含む水23中の溶存ガス、例えば酸素ガス、炭酸ガス等の様な溶存ガスを除去する脱気膜である。例えば、酸素ガスが溶存していたら、基板の酸化を促進してしまうために、酸素ガスを除去する必要がある。
The dissolved
異物除去機構部30のパーティクル除去部16は、微小気泡を含む水23中のパーティクル等の固体異物を除去するフィルタである。基板にパーティクルを付着させると、基板の配線をショートさせたりして。半導体デバイスの電気特性に影響を及ぼすために、微小気泡を含む水23中のパーティクル等の固体異物は除去する。パーティクル除去部16を通過した微小気泡を含む液体23は、洗浄装置100に供給されるようになっている。
The
なお、微小気泡が金属イオン除去フィルタ13やパーティクル除去部16を通過しても、微小気泡は不定形であるので破裂しない。従来では洗浄装置に微小気泡を供給する時にフィルタ等が複数個必要だったのを、上記構成にすることでフィルタは1個にすることができ、構成を簡単化することができる。
Even if the microbubbles pass through the metal
図2は、図1に示す微小気泡生成装置10と、洗浄装置100の一例として基板処理装置を示している。
FIG. 2 shows a substrate processing apparatus as an example of the
図2に示す洗浄装置100は、基板保持部71と、供給ノズルの操作部72と、ダウンフロー用のフィルタ付きファン73と、カップ74と、供給ノズル75と、処理室76を有する。
The
基板保持部71は、円板のベース部材77と、回転軸78と、モータ79を有しており、ベース部材77の上には基板Wが着脱可能に固定されている。処理室76内には、カップ74と供給ノズル75とベース部材77と回転軸78が収容されている。モータ79が制御部80の指令により動作することで、ベース部材77はR方向に連続回転することができる。バルブ11Bとバルブ20Bは、制御部80の指令により開閉量を制御できる。
The substrate holding unit 71 includes a disk base member 77, a
図2に示す供給ノズル75は、基板Wの上部に配置されており、供給ノズル75は、操作部72の動作により、Z方向(上下方向)とX方向(基板の半径方向)に移動可能である。
The
図2に示す微小気泡生成装置10のパーティクル除去部16は、チューブ81を介して供給ノズル75に接続されている。従って、微小気泡を含む水23は、チューブ81を介して供給ノズル75に供給できるので、微小気泡を含む水23は供給ノズル75を通じて基板Wの噴射できる。このように微小気泡を含む水23を基板Wの表面に噴射することで、微小気泡の持つマイナス電位で、プラスにチャージされたパーティクルのような汚染物を包み込んで、この汚染物を微小気泡と共に基板Wの表面から除去できる。
The
微小気泡を含む水23を生成する際に、たとえ金属イオンやパーティクル等の異物が溶け込んだとしても、異物除去機構部30は金属イオンやパーティクル等の異物を確実に除去することができる。従って、基板Wを洗浄処理する場合に、基板Wに対して異物による悪影響が生じない。
Even when foreign matter such as metal ions or particles melts when the
(第2実施形態)
図3は、本発明の微小気泡生成装置の好ましい第2実施形態を示している。
図3に示す第2実施形態の微小気泡生成装置10Bが、図1と図2に示す第2実施形態の微小気泡生成装置10と異なるのは、パーティクル除去部16から微小気泡水生成部12に対して循環用の配管31が配置されていることである。そして、循環用の配管31の途中には、図2に示す各洗浄装置100側のチューブ81が接続されている。これらの洗浄装置100は、図2に示す洗浄装置100と同じものである。また、微小気泡水生成部12には、微小気泡を含む水23の一部を必要に応じて排水するためのタンク40を備えている。
(Second Embodiment)
FIG. 3 shows a second preferred embodiment of the microbubble generator of the present invention.
The
図3に示す第2実施形態の微小気泡生成装置10Bのその他の構成要素が、図1と図2に示す第2実施形態の微小気泡生成装置10の対応する構成要素と同じであるので、同じ符号を記してその説明を用いる。
The other components of the
図3に示すように、パーティクル除去部16から微小気泡水生成部12に対して循環用の配管31が配置されているので、1台の微小気泡生成装置10Bから複数の洗浄装置100の基板に対して、異物(汚染物)を含まない微小気泡を含む水23を確実に供給することができる。また、微小気泡を含む水23の一部あるいは全部を繰り返して再利用することができるので、気体と水の利用効率が向上する。
As shown in FIG. 3, the
しかも、微小気泡生成装置10Bでは、微小気泡水生成部12において新たな微小気泡を含む水23を生成する。しかも、パーティクル除去部16から微小気泡水生成部12に対して循環して戻ってきた微小気泡を含む水23の一定量は、タンク40に排水し、残りの微小気泡を含む水23に対して新たな微小気泡を含む水23を生成することができる。このため、微小気泡を含む水23の中の微小気泡の量と、微小気泡を含む水23の清浄度をコントロールすることができる。
Moreover, in the
上述した各本発明の実施形態では、異物除去機構部30は、金属不純物フィルタ、有機汚染除去装置、溶存ガス除去機構、そしてパーティクル除去部の少なくとも1つを含むように構成することができる。しかも、異物除去機構部30の各要素の配列順序は、特に限定されない。
In each embodiment of the present invention described above, the foreign
なお、本発明の実施形態では、液体として純水を用いなくても通常の水を用いることができる。 In the embodiment of the present invention, normal water can be used without using pure water as the liquid.
本発明の微小気泡生成装置では、微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成装置であって、微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部と、微小気泡液生成部から供給される微小気泡を含む液体から、異物を除去する異物除去機構部と、を備える。これにより、微小気泡を含む液体から金属イオン等の異物を確実に除去することができる。 The microbubble generating device of the present invention is a microbubble generating device that generates a liquid containing microbubbles, a microbubble liquid generating unit that generates a liquid containing microbubbles, and a microbubble supplied from the microbubble liquid generating unit. A foreign matter removing mechanism for removing foreign matter from the liquid containing bubbles. Thereby, foreign substances such as metal ions can be reliably removed from the liquid containing microbubbles.
異物除去機構部は、微小気泡を含む液体から金属不純物を除去する金属不純物フィルタを含む。これにより、微小気泡を含む液体から金属不純物を確実に除去できる。 The foreign matter removing mechanism includes a metal impurity filter that removes metal impurities from the liquid containing microbubbles. Thereby, metal impurities can be reliably removed from the liquid containing microbubbles.
異物除去機構部は、微小気泡を含む液体から有機系の汚染物を除去する有機汚染除去装置を含む。これにより、微小気泡を含む液体から有機系の汚染物を確実に除去できる。 The foreign matter removing mechanism includes an organic contamination removing apparatus that removes organic contaminants from a liquid containing microbubbles. Thereby, organic contaminants can be reliably removed from the liquid containing microbubbles.
異物除去機構部は、微小気泡を含む液体から溶存ガスを除去する溶存ガス除去機構を含む。微小気泡を含む液体から溶存ガスを確実に除去できる。 The foreign matter removing mechanism includes a dissolved gas removing mechanism that removes dissolved gas from a liquid containing microbubbles. Dissolved gas can be reliably removed from the liquid containing microbubbles.
異物除去機構部は、微小気泡を含む液体からパーティクルを除去するパーティクル除去部を含む。微小気泡を含む液体からパーティクルを確実に除去できる。 The foreign matter removing mechanism includes a particle removing unit that removes particles from the liquid containing microbubbles. Particles can be reliably removed from the liquid containing microbubbles.
異物除去機構部は、金属不純物フィルタ、有機汚染除去装置、溶存ガス除去機構、そしてパーティクル除去部の少なくとも1つを含む。これにより、異物除去機構部は、必要に応じて任意に組み合わせて構成することができる。 The foreign matter removing mechanism includes at least one of a metal impurity filter, an organic contamination removing device, a dissolved gas removing mechanism, and a particle removing unit. Thereby, a foreign material removal mechanism part can be comprised combining arbitrarily as needed.
微小気泡液生成部と異物除去機構部は、異物除去機構部を通過した微小気泡を含む液体を微小気泡液生成部に戻すための循環用の配管により接続されている。これにより、微小気泡生成装置から複数の洗浄装置の基板に対して、異物(汚染物)を含まない微小気泡を含む水を確実に供給することができる。また、微小気泡を含む水の一部あるいは全部を繰り返して再利用することができるので、気体と水の利用効率が向上する。 The microbubble liquid generation unit and the foreign matter removal mechanism unit are connected by a circulation pipe for returning the liquid containing the microbubbles that have passed through the foreign matter removal mechanism unit to the microbubble liquid generation unit. Thereby, the water containing the micro bubble which does not contain a foreign material (contaminant) can be reliably supplied with respect to the board | substrate of a some washing | cleaning apparatus from a micro bubble production | generation apparatus. Moreover, since some or all of the water containing microbubbles can be reused repeatedly, the utilization efficiency of gas and water is improved.
図4は、微小気泡生成装置の運転時間と微小気泡数の関係例を示すグラフである。図4では、縦軸が微小気泡数であり、横軸は運転時間を示している。図4に示す曲線におけるポイントP1は、図1に示す第1実施形態の微小気泡生成装置10における微小気泡数を示しており、図4に示す曲線におけるポイントP2,P3,P4は、図3に示す第2実施形態の微小気泡生成装置10Bにおける微小気泡数を示している。
FIG. 4 is a graph showing an example of the relationship between the operation time of the microbubble generator and the number of microbubbles. In FIG. 4, the vertical axis represents the number of microbubbles, and the horizontal axis represents the operation time. A point P1 in the curve shown in FIG. 4 indicates the number of microbubbles in the
図4に示す例で明らかなように、図3に示す第2実施形態の微小気泡生成装置10Bのように微小気泡を含む水23を循環利用することで、図1に示す第1実施形態の微小気泡生成装置10に比べて、微小気泡数を増加させながら微小気泡生成装置10Bの運転時間を伸ばすことができ、微小気泡を含む水23の利用効率を向上できる。また、微小気泡生成装置を連続運転することができるので、微小気泡生成装置の運転開始、運転終了時の不安定な状態をなくすることが可能となり、安定して微小気泡を含む水23を洗浄装置100側に供給することが可能となる。
As is clear from the example shown in FIG. 4, the
ところで、本発明では、微小気泡とは、微細気泡あるいはマイクロ・ナノバブルともいい、マイクロバブル(MB)、マイクロナノバブル(MNB)、ナノバブル(NB)を含む概念である。マイクロバブル(MB)とは、その発生時に気泡の直径が10μm〜数十μm以下の微小な気泡のことをいい、マイクロナノバブル(MNB)とは、その発生時に気泡の直径が数百nm〜10μm以下の微小な気泡のことをいう。さらに、ナノバブル(NB)とは、数百nm以下の微小な気泡のことをいう。 By the way, in the present invention, microbubbles are also called microbubbles or micro / nano bubbles, and are a concept including micro bubbles (MB), micro nano bubbles (MNB), and nano bubbles (NB). Microbubbles (MB) refer to microbubbles having a bubble diameter of 10 μm to several tens of μm or less when they are generated, and micronanobubble (MNB) is a bubble diameter of several hundred nm to 10 μm at the time of generation. It refers to the following minute bubbles. Furthermore, nanobubbles (NB) refer to minute bubbles of several hundred nm or less.
気体としては、窒素ガスに代えてオゾンガスや空気を用いることもできる。液体としては、純水の他に酸性液やアルカリ液を用いることができる。 As gas, ozone gas or air can be used instead of nitrogen gas. As the liquid, in addition to pure water, an acidic liquid or an alkaline liquid can be used.
さらに、本発明の実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、本発明の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。 Furthermore, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiments of the present invention. For example, you may delete some components from all the components shown by embodiment of this invention. Furthermore, you may combine the component covering different embodiment suitably.
10 微小気泡生成装置
11 水供給部
12 微小気泡水生成部(微小気泡液生成部の一例)
13 金属イオン除去フィルタ
14 有機汚染除去装置
15 溶存ガス除去機構
20 気体供給部
23 微小気泡を含む液体
30 異物除去機構部
100 洗浄装置(基板処理装置)
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部と、
前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から、異物を除去する異物除去機構部と、
を備えることを特徴とする微小気泡生成装置。 A microbubble generator for generating a liquid containing microbubbles,
A microbubble liquid generator that generates a liquid containing the microbubbles;
A foreign matter removal mechanism that removes foreign matter from the liquid containing the microbubbles supplied from the microbubble liquid generator;
A microbubble generator characterized by comprising:
微小気泡液生成部が前記微小気泡を含む液体を生成し、
前記異物除去機構部が前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から異物を除去することを特徴とする微小気泡生成方法。 A microbubble generation method for generating a liquid containing microbubbles,
The microbubble liquid generator generates a liquid containing the microbubbles,
The method for generating microbubbles, wherein the foreign matter removing mechanism section removes foreign substances from the liquid containing the microbubbles supplied from the microbubble liquid generating section.
前記微小気泡生成装置は、
前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部と、
前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から、異物を除去する異物除去機構部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus using a microbubble generator that generates a liquid containing microbubbles,
The microbubble generator is
A microbubble liquid generator that generates a liquid containing the microbubbles;
A foreign matter removal mechanism that removes foreign matter from the liquid containing the microbubbles supplied from the microbubble liquid generator;
A substrate processing apparatus comprising:
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008145423A JP5243849B2 (en) | 2008-06-03 | 2008-06-03 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
TW098117438A TWI389746B (en) | 2008-06-03 | 2009-05-26 | A substrate processing apparatus, and a substrate processing method |
CNA2009101454509A CN101599424A (en) | 2008-06-03 | 2009-06-01 | Micro-bubble generating apparatus, micro-bubble generation method and substrate board treatment |
KR1020090048592A KR101154094B1 (en) | 2008-06-03 | 2009-06-02 | Microbubble generating device, microbubble generating method, and substrate processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008145423A JP5243849B2 (en) | 2008-06-03 | 2008-06-03 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009295655A true JP2009295655A (en) | 2009-12-17 |
JP2009295655A5 JP2009295655A5 (en) | 2012-10-11 |
JP5243849B2 JP5243849B2 (en) | 2013-07-24 |
Family
ID=41420809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008145423A Expired - Fee Related JP5243849B2 (en) | 2008-06-03 | 2008-06-03 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5243849B2 (en) |
KR (1) | KR101154094B1 (en) |
CN (1) | CN101599424A (en) |
TW (1) | TWI389746B (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011245408A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Core Technology:Kk | Method for producing saturated gas-containing nano-bubble water and device for producing the saturated gas-containing nano-bubble water |
CN107206333A (en) * | 2014-11-19 | 2017-09-26 | 大野开发株式会社 | Micro bubble generator |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103406322A (en) * | 2013-07-22 | 2013-11-27 | 彩虹显示器件股份有限公司 | Device and method for cleaning glass substrate |
KR101607521B1 (en) | 2014-07-08 | 2016-03-31 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating substrate |
CN104759432B (en) * | 2015-04-23 | 2016-10-12 | 成都市笑脸科技有限公司 | Bubble washer and bubble cleaning method |
CN105668663B (en) * | 2016-03-24 | 2018-12-21 | 佛山市顺德区美的饮水机制造有限公司 | Water purification system and bubble formation device for water purification system |
KR102075233B1 (en) * | 2018-03-06 | 2020-02-07 | 주식회사 우리선테크 | Apparatus for Pretreatment of PCB Plating |
KR102074223B1 (en) * | 2018-09-10 | 2020-02-07 | (주)신우에이엔티 | Organic compounds decomposition and removal structure for wafer handling device |
CN110473773B (en) * | 2019-08-22 | 2022-03-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Wafer cleaning method and wafer cleaning equipment |
JP7355255B2 (en) * | 2020-10-23 | 2023-10-03 | 株式会社Sumco | How to clean piping for single wafer cleaning equipment |
CN115069673B (en) * | 2022-08-18 | 2023-04-11 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | Process strengthening system for semiconductor tank type cleaning equipment |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151459A (en) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Kurita Water Ind Ltd | Cleaning method |
JP2006297180A (en) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Japan Organo Co Ltd | Washing method for ultra-pure water production feeding apparatus |
JP2008098439A (en) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Wash water feeding unit and substrate washer |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288249A (en) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Sharp Corp | Chemical treatment apparatus |
JP3797775B2 (en) * | 1997-12-11 | 2006-07-19 | 栗田工業株式会社 | Wet cleaning device for electronic material and processing method for cleaning liquid for electronic material |
JP2008080230A (en) | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus and method of treating substrate |
JP2008086925A (en) | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Method for treating substrate and apparatus for treating substrate |
-
2008
- 2008-06-03 JP JP2008145423A patent/JP5243849B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-26 TW TW098117438A patent/TWI389746B/en not_active IP Right Cessation
- 2009-06-01 CN CNA2009101454509A patent/CN101599424A/en active Pending
- 2009-06-02 KR KR1020090048592A patent/KR101154094B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151459A (en) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Kurita Water Ind Ltd | Cleaning method |
JP2006297180A (en) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Japan Organo Co Ltd | Washing method for ultra-pure water production feeding apparatus |
JP2008098439A (en) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Wash water feeding unit and substrate washer |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011245408A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Core Technology:Kk | Method for producing saturated gas-containing nano-bubble water and device for producing the saturated gas-containing nano-bubble water |
CN107206333A (en) * | 2014-11-19 | 2017-09-26 | 大野开发株式会社 | Micro bubble generator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI389746B (en) | 2013-03-21 |
KR101154094B1 (en) | 2012-06-11 |
JP5243849B2 (en) | 2013-07-24 |
KR20090126202A (en) | 2009-12-08 |
CN101599424A (en) | 2009-12-09 |
TW201006575A (en) | 2010-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5243849B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5188216B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101790449B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US20070295365A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2008085164A (en) | Apparatus and method of processing substrate | |
JP4812563B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2008080230A (en) | Apparatus and method of treating substrate | |
JP2008093577A (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
JP2008177495A (en) | Method and apparatus for processing substrate | |
JP2007134600A (en) | Device and method for processing substrate | |
KR101776017B1 (en) | Dissolved ozone removal unit and Apparatus for treating a substrate including the unit, Method for removing a dissolved ozone, Method for cleaning a substrate | |
JP2009226230A (en) | Device of generating microbubble, and method of generating microbubble | |
JP5412131B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4442911B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP5448385B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5436869B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2009094521A (en) | Chemical liquid supply device | |
JP2009291681A (en) | Device/method of generating micro bubble and device of fabricating substrate | |
KR20180108733A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP5089313B2 (en) | Substrate processing apparatus and processing method | |
JP5435688B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5490938B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2006024793A (en) | Chemical solution recovering method and board processing device | |
JP3452471B2 (en) | Pure water supply system, cleaning device and gas dissolving device | |
JP2009246042A (en) | Production apparatus and production method of process liquid, processing equipment and processing method of substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110530 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120823 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130405 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5243849 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |