JP2007134600A - Device and method for processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing predetermined processing on a substrate.
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 In order to perform various processes on various substrates such as a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and a photomask substrate, It is used.
基板処理装置では、基板の表面に付着したパーティクルまたは有機物等の汚染物を除去するために、薬液が用いられる。その後、基板上の薬液を洗い流すために純水を用いたリンス処理が行われる。 In the substrate processing apparatus, a chemical solution is used to remove contaminants such as particles or organic substances adhering to the surface of the substrate. Thereafter, a rinsing process using pure water is performed to wash away the chemical solution on the substrate.
しかしながら、アルカリ性の薬液を用いて汚染物の除去処理を行った後に、純水を用いてリンス処理を行った場合には、アルカリ性の薬液が純水によって薄められて弱アルカリ性領域(およそph9〜ph10)の混合液が生成される。そして、この弱アルカリ性の液体が基板上に比較的長い時間存在すると、基板上に形成されているアルミニウムなどの金属膜が損傷をうける現象が起こる。このような現象はペーハーショックと呼ばれる。 However, when the rinse treatment is performed using pure water after the contaminant removal process is performed using the alkaline chemical solution, the alkaline chemical solution is diluted with pure water and is weakly alkaline (approximately ph9 to ph10). ) Is produced. When this weakly alkaline liquid is present on the substrate for a relatively long time, a phenomenon occurs in which a metal film such as aluminum formed on the substrate is damaged. Such a phenomenon is called a pH shock.
そこで、特許文献1には、リンス液として炭酸水を用いることが提案されている。
Therefore,
この場合、アルカリ性の除去液を用いて基板の表面に生成された反応生成物が除去された後に、炭酸水からなるリンス液が供給される。それにより、酸性である炭酸水により、除去液中のアルカリ成分が短時間で中性又は酸性領域に移行し、弱アルカリ性領域でのペーハーショックによる基板上の金属膜の損傷が防止される。また、リンス液として純水を用いる場合に比べて静電気の発生が防止され、基板の帯電を防止できる。
ここで、上記のようにリンス液として炭酸水を用いる場合、ペーハーショックの防止をより確実に行なうためには、炭酸水の濃度が高い方が好ましい。なぜなら、その方がより短時間で弱アルカリ性領域を通過させることができるからである。しかしながら、濃度の高い炭酸水を基板に供給しつづけると、今度は、濃度の高い炭酸水の酸により、基板上の金属膜が酸化されてしまうことがある。その結果、基板に処理不良が生じる場合がある。 Here, when carbonated water is used as the rinsing liquid as described above, it is preferable that the concentration of carbonated water is high in order to more reliably prevent pH shock. This is because it can pass through the weakly alkaline region in a shorter time. However, if the carbonated water having a high concentration is continuously supplied to the substrate, the metal film on the substrate may be oxidized by the acid of the carbonated water having a high concentration. As a result, processing defects may occur on the substrate.
本発明の目的は、基板の処理不良を防止しつつ、機能水を用いた基板の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing a substrate using functional water while preventing a substrate processing failure.
(1)第1の発明に係る基板処理装置は、機能水を生成する機能水生成手段と、基板に所定の処理を行い、機能水生成手段により生成される機能水を基板に供給する機能水供給手段を有する処理部と、機能水の濃度設定値を含む基板の動作手順および動作条件を規定する処理レシピを記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて、機能水生成手段により生成される機能水の濃度を調整する濃度調整手段とを備えるものである。 (1) A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention is a functional water generating unit that generates functional water and a functional water that performs a predetermined process on the substrate and supplies the functional water generated by the functional water generating unit to the substrate A processing unit having a supply unit, a storage unit that stores a processing recipe that defines the operation procedure and operating conditions of the substrate including the concentration setting value of functional water, and a concentration setting value included in the processing recipe stored in the storage unit And a concentration adjusting means for adjusting the concentration of the functional water generated by the functional water generating means.
第1の発明に係る基板処理装置においては、機能水の濃度設定値を含む基板の動作手順および動作条件が規定された処理レシピが記憶手段に記憶される。記憶手段に記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて機能水生成手段により生成される機能水の濃度が濃度調整手段により調整される。機能水生成手段により生成された機能水が、処理部において機能水供給手段により基板に供給される。 In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the invention, a processing recipe in which the operation procedure and operation conditions of the substrate including the functional water concentration set value is defined is stored in the storage means. The concentration of the functional water generated by the functional water generating unit is adjusted by the concentration adjusting unit based on the concentration setting value included in the processing recipe stored in the storage unit. The functional water generated by the functional water generating means is supplied to the substrate by the functional water supply means in the processing unit.
この場合、処理部に対応する処理レシピに機能水の濃度が設定されるので、処理部の動作手順または動作条件を変更する際に機能水の濃度を容易に変更することができる。 In this case, since the functional water concentration is set in the processing recipe corresponding to the processing unit, it is possible to easily change the functional water concentration when changing the operation procedure or the operation condition of the processing unit.
また、基板に供給される機能水の濃度を処理レシピに基づいて最適な濃度に調整することができるので、基板の処理不良を防止しつつ、機能水を用いた基板の処理を行うことができる。 Moreover, since the density | concentration of the functional water supplied to a board | substrate can be adjusted to an optimal density | concentration based on a process recipe, the board | substrate process using a functional water can be performed, preventing the process defect of a board | substrate. .
(2)処理部は、基板に薬液を供給する薬液供給手段をさらに含み、薬液供給手段による薬液の供給後、機能水供給手段が機能水生成手段により生成された機能水を基板に供給してもよい。 (2) The processing unit further includes a chemical solution supply unit that supplies the chemical solution to the substrate. After the chemical solution is supplied by the chemical solution supply unit, the functional water supply unit supplies the functional water generated by the functional water generation unit to the substrate. Also good.
この場合、薬液供給手段から基板に供給される薬液の特性に応じて、機能水の濃度を処理レシピに設定することができる。それにより、機能水供給手段から供給される機能水の濃度を薬液の特性に応じて調整することができる。その結果、薬液または機能水による基板の損傷を防止しつつ、機能水を用いた基板処理を行うことができる。 In this case, the concentration of the functional water can be set in the processing recipe according to the characteristics of the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply means to the substrate. Thereby, the density | concentration of the functional water supplied from a functional water supply means can be adjusted according to the characteristic of a chemical | medical solution. As a result, the substrate treatment using the functional water can be performed while preventing the substrate from being damaged by the chemical solution or the functional water.
(3)機能水生成手段は、純水を供給する純水供給系と、気体を供給する気体供給系と、純水供給系から供給される純水と気体供給系から供給される気体とを混合させることにより機能水を生成する混合手段とを有し、濃度調整手段は、純水供給系から混合手段への純水の供給量および気体供給系から混合手段への気体の供給量のうちの少なくともいずれか一方を制御することにより、前記機能水の濃度を調整してもよい。 (3) The functional water generating means includes a pure water supply system for supplying pure water, a gas supply system for supplying gas, pure water supplied from the pure water supply system, and gas supplied from the gas supply system. Mixing means for generating functional water by mixing, and the concentration adjusting means includes a supply amount of pure water from the pure water supply system to the mixing means and a supply amount of gas from the gas supply system to the mixing means. The concentration of the functional water may be adjusted by controlling at least one of the above.
この場合、機能水生成手段において、純水供給系から供給される純水と気体供給系から供給される気体とが混合手段により混合され、機能水が生成される。 In this case, in the functional water generation means, the pure water supplied from the pure water supply system and the gas supplied from the gas supply system are mixed by the mixing means to generate functional water.
機能水の濃度は、純水供給系から混合手段への純水の供給量および気体供給系から混合手段への気体の供給量のうちの少なくともいずれか一方が濃度調整手段により制御されることにより調整される。すなわち、純水の供給量のみ、気体の供給量のみ、あるいは純水の供給量および気体の供給量の両方を制御することで、機能水の濃度を調整する。これにより、簡単な構成で機能水の濃度を調整することができる。 The concentration of the functional water is such that at least one of the supply amount of pure water from the pure water supply system to the mixing means and the supply amount of gas from the gas supply system to the mixing means is controlled by the concentration adjusting means. Adjusted. That is, the concentration of functional water is adjusted by controlling only the supply amount of pure water, only the supply amount of gas, or both the supply amount of pure water and the supply amount of gas. Thereby, the density | concentration of functional water can be adjusted with a simple structure.
(4)混合手段は、中空糸膜モジュールからなってもよい。この場合、簡単な構成で安定した濃度の機能水を生成することができる。 (4) The mixing means may comprise a hollow fiber membrane module. In this case, functional water having a stable concentration can be generated with a simple configuration.
(5)機能水は、二酸化炭素を含む炭酸水であってもよい。この場合、炭酸水は、酸化作用および導電性を有する。それにより、炭酸水の濃度を適切に調整することができるので、炭酸水中の酸による基板の酸化を適切に調整することができる。その結果、機能水による基板の損傷を防止することができる。 (5) The functional water may be carbonated water containing carbon dioxide. In this case, carbonated water has an oxidizing action and conductivity. Thereby, since the density | concentration of carbonated water can be adjusted appropriately, the oxidation of the board | substrate by the acid in carbonated water can be adjusted appropriately. As a result, it is possible to prevent the substrate from being damaged by the functional water.
(6)処理部が、基板にアルカリ性の液体を供給するアルカリ供給手段をさらに含み、アルカリ供給手段によるアルカリ性の液体の供給後、機能水供給手段が機能水生成手段により生成された機能水を基板に供給するものである場合に、濃度調整手段は、機能水供給手段による炭酸水の供給終了時の濃度が機能水供給手段による炭酸水の供給開始時濃度に比べて低くなるように、機能水の濃度を調整してもよい。 (6) The processing unit further includes an alkali supply means for supplying an alkaline liquid to the substrate, and after supplying the alkaline liquid by the alkali supply means, the functional water supply means generates the functional water generated by the functional water generation means. The concentration adjusting means supplies the functional water so that the concentration at the end of the carbonated water supply by the functional water supply means is lower than the concentration at the start of carbonated water supply by the functional water supply means. You may adjust the density.
この場合、予めアルカリ性の液体(たとえばアンモニア過酸化水素水を含む洗浄液、または有機アルカリを含むポリマー除去液等)が基板に供給された後に、まず、ペーハーショックを抑えるために濃度の高い炭酸水が基板上に供給される。その後、金属膜の酸化を抑えるために基板上に供給される炭酸水の濃度が低くなるように調整される。これにより、ペーハーショックによる金属膜の腐食の抑制と、炭酸水中の酸による金属膜の酸化の抑制との両方を同時に実現させることができる。その結果、アルカリ性の液体および機能水による基板上の金属膜の損傷を確実に防止することができる。 In this case, after an alkaline liquid (for example, a cleaning solution containing ammonia hydrogen peroxide solution or a polymer removing solution containing organic alkali) is supplied to the substrate in advance, a high concentration carbonated water is first added to suppress pH shock. Supplied on the substrate. Thereafter, in order to suppress oxidation of the metal film, the concentration of carbonated water supplied on the substrate is adjusted to be low. Thereby, both suppression of corrosion of the metal film due to pH shock and suppression of oxidation of the metal film due to the acid in the carbonated water can be realized at the same time. As a result, it is possible to reliably prevent the metal film on the substrate from being damaged by the alkaline liquid and the functional water.
(7)機能水はオゾンを含むオゾン水であってもよい。この場合、オゾン水は強力な酸化力を有する。それにより、基板に付着する有機汚染物を除去することができる。 (7) The functional water may be ozone water containing ozone. In this case, ozone water has a strong oxidizing power. Thereby, organic contaminants attached to the substrate can be removed.
また、基板に供給されるオゾン水の濃度を適切に調整することができるので、オゾン水中の酸素ラジカルによる基板の酸化を防止しつつ、基板に付着する有機汚染物を除去することができる。 In addition, since the concentration of ozone water supplied to the substrate can be adjusted appropriately, organic contaminants attached to the substrate can be removed while preventing the substrate from being oxidized by oxygen radicals in the ozone water.
(8)濃度調整手段は、機能水供給手段によるオゾン水の供給終了時の濃度が機能水供給手段によるオゾン水の供給開始時の濃度に比べて低くなるように、機能水の濃度を調整してもよい。 (8) The concentration adjusting means adjusts the concentration of the functional water so that the concentration at the end of the supply of ozone water by the functional water supply means is lower than the concentration at the start of the supply of ozone water by the functional water supply means. May be.
この場合、まず、濃度の高いオゾン水により基板に付着する有機汚染物を除去した後、濃度の低いオゾン水により酸素ラジカルによる金属膜の酸化を抑制することができる。したがって、良好な有機物の除去と金属膜の酸化の抑制との両方を同時に実現することができる。 In this case, first, after removing organic contaminants attached to the substrate with high-concentration ozone water, the oxidation of the metal film due to oxygen radicals can be suppressed with low-concentration ozone water. Therefore, both good organic substance removal and suppression of oxidation of the metal film can be realized simultaneously.
(9)機能水は水素を含む水素水であってもよい。この場合、除去された汚染物の基板への再付着の防止、基板上の自然酸化膜の除去、基板の酸化防止、および基板へのウォーターマーク(水滴痕)の形成防止の効果を得ることができる。 (9) The functional water may be hydrogen water containing hydrogen. In this case, it is possible to obtain the effects of preventing the reattachment of the removed contaminants to the substrate, removing the natural oxide film on the substrate, preventing the oxidation of the substrate, and preventing the formation of a watermark (water droplet trace) on the substrate. it can.
(10)第2の発明に係る基板処理方法は、機能水の濃度設定値を含む基板の処理手順および処理条件を規定する処理レシピを記憶する記憶工程と、記憶工程で記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて濃度が調整された機能水を生成する機能水生成工程と、機能水生成工程で生成された機能水を基板に供給する機能水供給工程とを備えるものである。 (10) A substrate processing method according to a second aspect of the present invention includes a storage step for storing a processing recipe for defining a processing procedure and processing conditions for a substrate including a concentration setting value for functional water, and a processing recipe stored in the storage step. A functional water generating step for generating functional water whose concentration is adjusted based on the concentration setting value included, and a functional water supplying step for supplying the functional water generated in the functional water generating step to the substrate are provided.
第2の発明に係る基板処理方法においては、機能水の濃度設定値を含む基板の動作手順および動作条件が規定された処理レシピが記憶される。記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて濃度が調整された機能水が生成され、この機能水が基板に供給されて、基板が処理される。 In the substrate processing method according to the second aspect of the present invention, a processing recipe in which the operation procedure and operation conditions of the substrate including the functional water concentration set value is stored. Functional water whose concentration is adjusted based on the concentration setting value included in the stored processing recipe is generated, and this functional water is supplied to the substrate to process the substrate.
この場合、処理部に対応する処理レシピに機能水の濃度が設定されるので、処理部の動作手順または動作条件を変更する際に機能水の濃度を容易に変更することができる。 In this case, since the functional water concentration is set in the processing recipe corresponding to the processing unit, it is possible to easily change the functional water concentration when changing the operation procedure or the operation condition of the processing unit.
また、基板に供給される機能水の濃度を処理レシピに基づいて最適な濃度に調整することができるので、基板の処理不良を防止しつつ、機能水を用いた基板の処理を行うことができる。 Moreover, since the density | concentration of the functional water supplied to a board | substrate can be adjusted to an optimal density | concentration based on a process recipe, the board | substrate process using a functional water can be performed, preventing the process defect of a board | substrate. .
本発明によれば、処理部に対応する処理レシピに機能水の濃度が設定されるので、処理部の動作手順または動作条件を変更する際に機能水の濃度を容易に変更することができる。 According to the present invention, since the functional water concentration is set in the processing recipe corresponding to the processing unit, it is possible to easily change the functional water concentration when changing the operation procedure or operating condition of the processing unit.
また、基板に供給される機能水の濃度を処理レシピに基づいて最適な濃度に調整することができるので、基板の処理不良を防止しつつ、機能水を用いた基板の処理を行うことができる。 Moreover, since the density | concentration of the functional water supplied to a board | substrate can be adjusted to an optimal density | concentration based on a process recipe, the board | substrate process using a functional water can be performed, preventing the process defect of a board | substrate. .
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。 In the following description, a substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like.
機能水とは、酸化作用、還元作用等の所定の機能を有する水をいい、例えば、炭酸水、オゾン水、水素水(還元水)、電解イオン水、または磁気水等を含む。 Functional water refers to water having a predetermined function such as oxidation and reduction, and includes, for example, carbonated water, ozone water, hydrogen water (reduced water), electrolytic ion water, magnetic water, and the like.
(1) 基板処理装置の構成
図1は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、処理領域A,Bを有し、処理領域A,B間に搬送領域Cを有する。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the
処理領域Aには、制御部4、流体ボックス部2a,2b、洗浄処理部5a,5bが配置されている。
In the processing area A, a
図1の流体ボックス部2a,2bは、それぞれ洗浄処理部5a,5bへの薬液およびリンス液の供給および洗浄処理部5a,5bからの廃棄(排液)等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ等の流体関連機器を収納する。なお、これに付随するポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器は、基板処理装置100に隣接する位置に設けられた薬液キャビネット(図示せず)の内部に収納されている。
1 are pipes, joints, valves, and flow meters for supplying chemical liquids and rinse liquids to the
洗浄処理部5a,5bでは、薬液による洗浄処理(以下、薬液処理と呼ぶ)およびリンス液による洗浄処理(以下、リンス処理と呼ぶ)が行われる。
In the
処理領域Bには、流体ボックス部2c,2dおよび洗浄処理部5c,5dが配置されている。流体ボックス部2c,2dおよび洗浄処理部5c,5dの各々は、上記流体ボックス部2a,2bおよび洗浄処理部5a,5bと同様の構成を有する。また、洗浄処理部5c,5dは、洗浄処理部5a,5bと同様に基板Wの薬液処理およびリンス処理を行う。本実施の形態において、洗浄処理部5a〜5dでは、アルカリ性の薬液を用い、リンス液としては、機能水の炭酸水を用いる。
In the processing region B,
以下、洗浄処理部5a,5b,5c,5dを処理ユニットと総称する。搬送領域Cには、基板搬送ロボットCRが設けられている。
Hereinafter, the
処理領域A,Bの一端部側には、基板Wの搬入および搬出を行うインデクサIDが配置されており、インデクサロボットIRはインデクサIDの内部に設けられている。インデクサIDには、基板Wを収納するキャリア1が載置される。
An indexer ID for carrying in and out the substrate W is arranged on one end side of the processing areas A and B, and the indexer robot IR is provided inside the indexer ID. The
インデクサIDのインデクサロボットIRは、矢印Uの方向に移動し、キャリア1から基板Wを取り出して基板搬送ロボットCRに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Wを基板搬送ロボットCRから受け取ってキャリア1に戻す。
The indexer robot IR with the indexer ID moves in the direction of the arrow U, takes out the substrate W from the
基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから渡された基板Wを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Wを他の処理ユニットまたはインデクサロボットIRに搬送する。 The substrate transfer robot CR transfers the substrate W delivered from the indexer robot IR to the designated processing unit, or transfers the substrate W received from the processing unit to another processing unit or the indexer robot IR.
本実施の形態においては、洗浄処理部5a〜5dのいずれかにおいて基板Wに薬液処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットCRにより基板Wが洗浄処理部5a〜5dから搬出され、インデクサロボットIRを介してキャリア1に搬入される。
In the present embodiment, after the chemical processing and the rinsing processing are performed on the substrate W in any of the
制御部4は、CPU(中央演算処理装置)を含むコンピュータ等からなり、処理領域A,Bの各処理ユニットの動作、搬送領域Cの基板搬送ロボットCRの動作およびインデクサIDのインデクサロボットIRの動作を制御する。制御部4の側壁に、基板処理装置100の動作手順および動作条件を規定する処理レシピを作業者が設定するための操作パネル710が設けられている。詳細は後述する。
The
また、基板処理装置100においては、インデクサIDに隣接するように機能水生成部410が設けられている。処理領域A,Bの一端部側に隣接するように薬液供給源310が設けられている。
Moreover, in the
(2) 洗浄処理部の構成
図2は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置100の洗浄処理部5a〜5dの構成を説明するための図である。
(2) Configuration of Cleaning Processing Unit FIG. 2 is a view for explaining the configuration of the
図2に示すように、洗浄処理部5a〜5dは、基板Wを水平に保持するとともに基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック21を備える。
As shown in FIG. 2, the
スピンチャック21は、チャック回転駆動機構36によって回転される回転軸25の上端に固定されている。また、スピンチャック21には吸気路(図示せず)が形成されており、スピンチャック21上に基板Wを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Wの下面をスピンチャック21に真空吸着し、基板Wを水平姿勢で保持することができる。
The
スピンチャック21の外方には、モータ60が設けられている。モータ60には、回動軸61が接続されている。また、回動軸61には、アーム62が水平方向に延びるように連結され、アーム62の先端に薬液処理用ノズル50が設けられている。
A
モータ60により回動軸61が回転するとともにアーム62が回動し、薬液処理用ノズル50がスピンチャック21により保持された基板Wの上方と外方との間を移動する。
The
モータ60、回動軸61およびアーム62の内部を通るように薬液処理用供給管63が設けられている。薬液処理用供給管63は、薬液供給源310に接続されている。薬液処理用供給管63には、開閉バルブ65が介挿されている。
A chemical
洗浄処理部5a〜5dの薬液処理用ノズル50には、薬液供給源310から薬液処理用供給管63を通して薬液が供給される。それにより、基板Wの表面へ薬液を供給することができる。
A chemical solution is supplied from the chemical
スピンチャック21の外方には、モータ71が設けられている。モータ71には、回動軸72が接続されている。また、回動軸72には、アーム73が水平方向に延びるように連結され、アーム73の先端にリンス処理用ノズル70が設けられている。
A
モータ71により回動軸72が回転するとともにアーム73が回動し、リンス処理用ノズル70がスピンチャック21により保持された基板Wの上方に移動する。
The
モータ71、回動軸72およびアーム73の内部を通るようにリンス処理用供給管74が設けられている。リンス処理用供給管74は、機能水生成部410に接続されている。リンス処理用供給管74には開閉バルブ75が介挿されている。
A rinse
洗浄処理部5a〜5dのリンス処理用ノズル70には、機能水生成部410からリンス処理用供給管74を通してリンス液が供給される。それにより、基板Wの表面へリンス液を供給することができる。
The rinse liquid is supplied from the
薬液処理用ノズル50は、基板W上に薬液を供給する際には、基板の中心部上方の処理位置に移動し、基板Wの表面へリンス液を供給する際には、スピンチャック21の外方の待機位置に退避される。
When supplying the chemical solution onto the substrate W, the
また、リンス処理用ノズル70は、基板W上に薬液を供給する際には、スピンチャック21の外方の待機位置に退避され、基板W上にリンス液を供給する際には、基板Wの中心部上方の処理位置に移動する。
Further, the rinsing
スピンチャック21に保持された基板Wは、処理カップ23内に収容される。処理カップ23の内側には、筒状の仕切壁33が設けられている。また、スピンチャック21の周囲を取り囲むように、基板Wの処理に用いられた処理液を排液するための排液空間31が形成されている。さらに、排液空間31を取り囲むように、処理カップ23と仕切壁33の間に基板Wの処理に用いられた処理液を回収するための循環液空間32が形成されている。
The substrate W held on the
排液空間31には、廃棄装置(図示せず)へ処理液を導くための廃棄管34が接続されている。循環液空間32には、薬液供給源310へ処理液を導くための回収管35が接続されている。
A
処理カップ23の上方には、基板Wからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード24が設けられている。このガード24は、回転軸25に対して回転対称な形状からなっている。ガード24の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝41が環状に形成されている。
A
また、ガード24の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部42が形成されている。回収液案内部42の上端付近には、処理カップ23の仕切壁33を受け入れるための仕切壁収納溝43が形成されている。
Further, a recovery
このガード24には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構(図示せず)が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード24を、回収液案内部42がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝41がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード24が回収位置にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が回収液案内部42により循環液空間32に導かれ、回収管35を通して薬液供給源310に戻される。
The
本実施の形態では、薬液処理に用いられる薬液が回収管35を通して薬液供給源310に戻され、再利用される。したがって、リンス液よりも高価な薬液を再利用することにより、基板Wの製造コストが低減される。一方、ガード24が排液位置にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が排液案内溝41により排液空間31に導かれ、廃棄管34を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
In the present embodiment, the chemical liquid used for the chemical liquid treatment is returned to the chemical
(3)洗浄処理部の動作
次に、図2を参照して洗浄処理部5a〜5dの動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄処理部5a〜5dの各構成要素の動作は、図1に示した制御部4により制御される。
(3) Operation of Cleaning Processing Unit Next, the operation of the
まず、基板Wの搬入時には、ガード24が下降するとともに、基板搬送ロボットCRが基板Wをスピンチャック21上に載置する。スピンチャック21上に載置された基板Wは、スピンチャック21により吸着保持される。
First, when the substrate W is carried in, the
次に、ガード24が上述した回収位置まで上昇するとともに、薬液処理用ノズル50が待機位置から基板Wの中心部上方の処理位置に移動する。その後、回転軸25が回転し、この回転にともないスピンチャック21に保持されている基板Wが回転する。その後、薬液処理用ノズル50から基板Wの上面に薬液が吐出される。これにより、基板Wの薬液処理が行われる。基板Wの薬液処理終了後、薬液処理用ノズル50が待機位置に移動する。
Next, the
次いで、ガード24が上述した廃液位置まで上昇するとともに、リンス処理用ノズル70が基板Wの中心部上方に移動する。次いで、リンス処理用ノズル70からリンス液が吐出される。これにより、基板W上の薬液が洗い流される。
Next, the
次に、リンス液の供給が停止され、回転軸25の回転数が上昇する。それにより、基板W上のリンス液に大きな遠心力が作用し、基板W上からリンス液が取り除かれる。
Next, the supply of the rinsing liquid is stopped, and the rotational speed of the
次に、リンス処理用ノズル70が所定の位置に退避するとともに回転軸25の回転が停止する。その後、ガード24が下降するとともに図1の基板搬送ロボットCRが基板Wを洗浄処理部5a〜5dから搬出する。これにより、洗浄処理部5a〜5dにおける処理動作が終了する。
Next, the rinse
なお、基板Wの薬液処理およびリンス処理中におけるガード24の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更してもよい。
Note that the position of the
(4)機能水生成部の詳細
一般に、アルカリ性の薬液を用いて基板Wの薬液処理が行われた後に、純水を用いて基板Wのリンス処理が行われた場合には、アルカリ性の薬液が純水により薄められ、弱アルカリ性領域(およそph9〜ph10)の混合液が生成される。これにより、基板W上のアルミニウムなどの金属膜が損傷をうけるペーハーショックが起こる。
(4) Details of Functional Water Generation Unit Generally, when the substrate W is rinsed with pure water after the substrate W is chemically treated with an alkaline chemical, the alkaline chemical is It is diluted with pure water to produce a mixed solution in a weakly alkaline region (approximately ph9 to ph10). As a result, a pH shock occurs in which a metal film such as aluminum on the substrate W is damaged.
また、純水により基板Wのリンス処理を行った場合には、基板Wが帯電することにより、基板W上の金属膜が損傷を受ける場合がある。 In addition, when the rinsing process of the substrate W is performed with pure water, the metal film on the substrate W may be damaged when the substrate W is charged.
そこで、本実施の形態では、リンス液として炭酸水(CO2 水)が用いられる。炭酸水は機能水の1つであり、酸化作用および導電性を有する。リンス液として炭酸水を用いることにより、ペーハーショックおよび基板Wの帯電を防止することができる。炭酸水は機能水生成部410において生成される。
Therefore, in the present embodiment, carbonated water (CO 2 water) is used as the rinse liquid. Carbonated water is one of functional waters and has an oxidizing action and conductivity. By using carbonated water as the rinsing liquid, it is possible to prevent pH shock and charging of the substrate W. Carbonated water is generated in the
図3は、機能水生成部410の構成例を説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a configuration example of the functional
図3に示すように、機能水生成部410は、気液混合モジュール200を備える。気液混合モジュール200としては、例えば、ガス透過性を有する複数の中空糸膜が束ねられた構造の中空糸膜モジュールが用いられる。気液混合モジュール200の液体入口200aは配管201を介してリンス処理用供給管74に接続されている。配管201には、抵抗制御バルブ203が介挿されている。またさらに、気液混合モジュール200の底部には、気液混合モジュール200の交換時などに気液混合モジュール200内の液体を排出するためのドレン配管200cが接続されており、また、このドレン配管200cの途中部にはドレンバルブ200dが介挿されている。
As shown in FIG. 3, the functional
また、気液混合モジュール200の気体入口200bには二酸化炭素供給管204が接続されている。二酸化炭素供給管204には、気体調整バルブ205が介挿されている。二酸化炭素供給管204には二酸化炭素(CO2 )が供給される。気液混合モジュール200の流体出口200cは配管202を介してリンス処理用供給管74に接続されている。
A carbon
機能水生成部410では、リンス処理用供給管74に純水が供給され、供給された純水の一部が気液混合モジュール200に導かれる。気液混合モジュール200において二酸化炭素供給管204から供給される二酸化炭素(CO2 )が純水中に溶解する。これにより、炭酸水が生成される。生成された炭酸水はリンス処理用供給管74を流れる純水中に混合される。
In the functional
抵抗制御バルブ203の開度が調整されることにより、リンス処理用供給管74から配管201を通して気液混合モジュール200に導かれる純水の流量が調整される。気体調整バルブ205の開度が調整されることにより、気液混合モジュール200に供給される二酸化炭素の流量が調整される。
By adjusting the opening degree of the
したがって、抵抗制御バルブ203の開度および気体調整バルブ205の開度を調整することにより、機能水生成部410で生成される炭酸水の濃度を調整することができる。
Therefore, by adjusting the opening degree of the
本実施の形態では、基板Wの薬液処理に用いる薬液の種類に応じて、機能水生成部410の抵抗制御バルブ203および気体調整バルブ205の開度が調整される。抵抗制御バルブ203および気体調整バルブ205の開度の調整は、図1の制御部4により、後述する処理レシピに従って行われる。詳細は後述する。
In the present embodiment, the opening degree of the
(5)基板処理装置の制御系
図1の基板処理装置100の制御系の詳細を説明する。図4は、基板処理装置100の制御系を説明するためのブロック図である。
(5) Control System of Substrate Processing Apparatus Details of the control system of the
図4に示すように、機能水生成部410には、洗浄処理部5a〜5dがそれぞれ開閉バルブ75を介して接続されている。
As shown in FIG. 4, cleaning
制御部4は、例えばCPU701およびメモリ702を含む。なお、制御部4はマイクロコンピュータであってもよい。
The
制御部4のCPU701には、操作パネル710が接続されている。作業者が操作パネル710を操作することにより、後述する処理レシピがCPU701に設定される。設定された処理レシピは、CPU701によりメモリ702に記憶される。
An
制御部4のCPU701は、メモリ702に記憶された処理レシピに基づいて、洗浄処理部5a〜5dにそれぞれ対応する開閉バルブ75の開閉を制御するとともに機能水生成部410の抵抗制御バルブ203および気体調整バルブ205(図3参照)の開度を制御する。
Based on the processing recipe stored in the
機能水生成部410で生成されたリンス液(炭酸水)は、リンス処理用供給管74を通して洗浄処理部5a〜5dの各々へ導かれる。
The rinse liquid (carbonated water) generated by the functional
また、制御部4のCPU701には、洗浄処理部5a〜5d、流体ボックス部2a〜2dの各構成部が接続され(図示せず)、それらの各構成部の動作をメモリ702に記憶された処理レシピに基づいて制御する。
In addition, the
(6)処理レシピに基づく制御
図5および図6は、処理レシピを説明するための図である。本実施の形態において、処理レシピは少なくとも基板処理装置100の動作手順および動作条件を含む。
(6) Control Based on Processing Recipe FIG. 5 and FIG. 6 are diagrams for explaining the processing recipe. In the present embodiment, the processing recipe includes at least the operation procedure and operation conditions of the
図5には、洗浄処理部5a〜5dの処理レシピの一部が表形式で示されている。図5(a)は、洗浄処理部5aの処理レシピを示し、図5(b)は洗浄処理部5bの処理レシピを示し、図5(c)は洗浄処理部5cの処理レシピを示し、図5(d)は洗浄処理部5dの処理レシピを示す。
FIG. 5 shows a part of the processing recipe of the
図5の処理レシピには、基板処理装置100の動作手順および動作条件として、薬液処理、リンス処理および乾燥処理の各処理工程における処理液の種類、時間、および炭酸水の濃度が設定される。
In the processing recipe of FIG. 5, as the operation procedure and operation conditions of the
図5(a)によれば、洗浄処理部5aにおいては、10〜60secの期間に薬液処理を行い、70〜120secの期間にリンス処理を行い、120〜140secの期間に乾燥処理を行う。
According to Fig.5 (a), in the washing |
薬液処理に用いられる処理液は薬液MAである。この期間における炭酸水の濃度は0.10ppmである。リンス処理に用いられる処理液は炭酸水であり、炭酸水の濃度は1.00ppmである。乾燥処理の期間におけるの炭酸水の濃度は、0.10ppmである。 The treatment liquid used for the chemical treatment is a chemical MA. The concentration of carbonated water during this period is 0.10 ppm. The treatment liquid used for the rinse treatment is carbonated water, and the concentration of carbonated water is 1.00 ppm. The concentration of carbonated water during the drying process is 0.10 ppm.
図5(b)によれば、洗浄処理部5bにおいては、30〜80secの期間に薬液処理を行い、90〜140secの期間にリンス処理を行い、140〜160secの期間に乾燥処理を行う。
According to FIG.5 (b), in the washing |
薬液処理に用いられる処理液は薬液MAである。この期間における炭酸水の濃度は0.10ppmである。リンス処理に用いられる処理液は炭酸水であり、炭酸水の濃度は1.00ppmである。乾燥処理の期間における炭酸水の濃度は0.10ppmである。 The treatment liquid used for the chemical treatment is a chemical MA. The concentration of carbonated water during this period is 0.10 ppm. The treatment liquid used for the rinse treatment is carbonated water, and the concentration of carbonated water is 1.00 ppm. The concentration of carbonated water during the drying process is 0.10 ppm.
図5(c)によれば、洗浄処理部5cにおいては、100〜150secの期間に薬液処理を行い、160〜210secの期間にリンス処理を行い、190〜210secの期間に乾燥処理を行う。
According to FIG.5 (c), in the washing |
薬液処理に用いられる処理液は薬液MBである。この期間における炭酸水の濃度は0.10ppmである。リンス処理に用いられる処理液は炭酸水であり、炭酸水の濃度は10.00ppmである。乾燥処理の期間における炭酸水の濃度は0.10ppmである。 The processing liquid used for the chemical processing is the chemical MB. The concentration of carbonated water during this period is 0.10 ppm. The treatment liquid used for the rinse treatment is carbonated water, and the concentration of carbonated water is 10.00 ppm. The concentration of carbonated water during the drying process is 0.10 ppm.
図5(d)によれば、洗浄処理部5dにおいては、120〜170secの期間に薬液処理を行い、180〜230secの期間にリンス処理を行い、210〜230secの期間に乾燥処理を行う。
According to FIG.5 (d), in the washing |
薬液処理に用いられる処理液は薬液MBである。この期間における炭酸水の濃度は0.10ppmである。リンス処理に用いられる処理液は炭酸水であり、炭酸水の濃度は10.00ppmである。乾燥処理の期間における炭酸水の濃度は0.10ppmである。 The processing liquid used for the chemical processing is the chemical MB. The concentration of carbonated water during this period is 0.10 ppm. The treatment liquid used for the rinse treatment is carbonated water, and the concentration of carbonated water is 10.00 ppm. The concentration of carbonated water during the drying process is 0.10 ppm.
このように、洗浄処理部5a,5bの薬液処理には薬液MAが用いられ、その後のリンス処理に用いられる炭酸水の濃度は1.00ppmに設定されている。洗浄処理部5c,5dの薬液処理には薬液MBが用いられ、その後のリンス処理に用いられる炭酸水の濃度は10.00ppmに設定されている。
Thus, chemical | medical solution MA is used for the chemical | medical solution process of the washing | cleaning
なお、図5(a)〜(d)の処理レシピでは、リンス処理が行われない期間に、炭酸水の濃度が0.10ppmに設定されている。これは、図3の機能水生成部410において、気液混合モジュール200から純水が漏出することを防止するために、一定流量の二酸化炭素を気液混合モジュール200に供給し続ける必要があるからである。この期間には図2および図4の開閉バルブ75が閉じているため、リンス処理用ノズル70からは炭酸水は吐出されない。
In the processing recipes of FIGS. 5A to 5D, the carbonated water concentration is set to 0.10 ppm during the period in which the rinsing process is not performed. This is because, in the functional
図6は、図5の処理レシピに従う洗浄処理部5a〜5dでの処理が時系列に示される。
FIG. 6 shows the processing in the
図4の制御部4は、図5(a)〜(d)の処理レシピに従って、洗浄処理部5a〜5d内への基板Wの搬入MVIのタイミング、基板Wの薬液処理CSのタイミング、基板Wのリンス処理RIのタイミング、基板Wの乾燥処理DRのタイミング、および基板Wの搬出MVOのタイミングならびに炭酸水の濃度を制御する。
The
ここで、薬液MAによる薬液処理CS後の基板Wと、薬液MBによる薬液処理CS後の基板Wとでは、その帯電性が異なる。この場合、薬液MBによる薬液処理CS後の基板Wの帯電性は、薬液MAによる薬液処理CS後の基板Wの帯電性よりも高くなる。そのため、薬液MBによる薬液処理CS後の基板Wに供給される炭酸水の濃度は高く設定する必要がある。 Here, the chargeability is different between the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MA and the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MB. In this case, the chargeability of the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MB is higher than the chargeability of the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MA. For this reason, it is necessary to set the concentration of carbonated water supplied to the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MB high.
一方、基板Wに供給する炭酸水の濃度が高すぎると、炭酸水中の酸により基板W上の金属膜が酸化するおそれがある。 On the other hand, if the concentration of carbonated water supplied to the substrate W is too high, the metal film on the substrate W may be oxidized by the acid in the carbonated water.
したがって、基板Wに供給される炭酸水の濃度は、薬液MAを用いた薬液処理CS後の基板Wおよび薬液MBを用いた薬液処理CS後の基板Wのそれぞれに対して、最適に設定する必要がある。 Therefore, the concentration of carbonated water supplied to the substrate W needs to be optimally set for each of the substrate W after the chemical treatment CS using the chemical solution MA and the substrate W after the chemical treatment CS using the chemical solution MB. There is.
そこで、本例では、洗浄処理部5a,5bにおいてリンス処理RIが行われる期間の炭酸水の濃度が1.00ppmに設定され、洗浄処理部5c,5dにおいてリンス処理RIが行われる期間の炭酸水の濃度が10.00ppmに設定されている。
Therefore, in this example, the concentration of carbonated water during the period in which the rinsing process RI is performed in the
このように、洗浄処理部5a,5bにおけるリンス処理RI時には、炭酸水の濃度を低く設定することにより、炭酸水中の酸による基板W上の金属膜の酸化を防止しつつ、帯電性が低い基板Wの帯電を十分に防止することができる。また、洗浄処理部5c,5dにおけるリンス処理RI時には、基板W上の金属膜が酸化しない範囲で炭酸水の濃度を高く設定することにより、炭酸水中の酸による基板W上の金属膜の酸化を防止しつつ、帯電性が高い基板Wの帯電を十分に防止することができる。
Thus, during the rinse treatment RI in the
なお、制御部4が抵抗制御バルブ203および気体調整バルブ205の開度を変更してから機能水生成部410で生成される炭酸水の濃度が処理レシピに設定された濃度に安定するまでには所定の時間を要する。そのため、制御部4はリンス処理RI開始のタイミングよりも前に抵抗制御バルブ203および気体調整バルブ205の開度を変更することが好ましい。この場合、上記の時間を考慮して、実際に制御部4が抵抗制御バルブ203および気体調整バルブ205の開度を変更するタイミングを洗浄処理部5a〜5dの処理レシピに設定してもよいし、制御部4が処理レシピに設定されたリンス処理RI開始のタイミングよりも所定の時間前に抵抗制御バルブ203および気体調整バルブ205の開度を変更してもよい。
In addition, after the
(7)本実施の形態の効果
本実施の形態の基板処理装置100では、リンス処理に用いられる炭酸水の濃度が、洗浄処理部5a〜5dの各々における薬液処理後の基板Wの帯電性に応じて最適となるように処理レシピに設定される。このような処理レシピに従って、洗浄処理部5a〜5dにおいて、基板Wの薬液処理、リンス処理および乾燥処理が行われるとともに、処理レシピに従って、基板Wのリンス処理に用いられる炭酸水の濃度が調整される。それにより、洗浄処理部5a〜5dにおいて、最適な濃度の炭酸水が基板Wに供給される。その結果、炭酸水中の酸による基板W上の金属膜の酸化を防止しつつ、基板Wの帯電を十分に防止することができる。
(7) Effects of the present embodiment In the
(8)他の実施の形態
(8−1)
図5および図6に示した例では、個々の洗浄処理部5a〜5dにおける基板Wのリンス処理の期間には、炭酸水の濃度が一定であったが、個々の洗浄処理部5a〜5dにおけるリンス処理の期間内で炭酸水の濃度を変化させてもよい。以下、図7および図8を参照してその具体例について説明する。
(8) Other embodiments (8-1)
In the example shown in FIGS. 5 and 6, the concentration of carbonated water was constant during the rinsing process of the substrate W in each of the
図7および図8は、処理レシピの他の例を説明するための図である。ここでは、図5の処理レシピとの違いを明確にするために、図5(a)に対応する洗浄処理部5aの処理レシピについて説明する。
7 and 8 are diagrams for explaining another example of the processing recipe. Here, in order to clarify the difference from the processing recipe of FIG. 5, the processing recipe of the
図7には、洗浄処理部5aの処理レシピの一部が表形式で示されている。また、図8には、図7の処理レシピに基づく処理が時系列で示される。
FIG. 7 shows a part of the processing recipe of the
図7の処理レシピが図5(a)の処理レシピと異なるのは、以下の点である。 The processing recipe of FIG. 7 is different from the processing recipe of FIG. 5A in the following points.
図7によれば、リンス処理の期間内において、70〜90secの期間の炭酸水の濃度は1.00ppmであり、90〜120secの期間の炭酸水の濃度は1.00ppmから0.10ppmへ徐々に低下する。 According to FIG. 7, the concentration of carbonated water during the period of 70 to 90 sec is 1.00 ppm and the concentration of carbonated water during the period of 90 to 120 sec is gradually increased from 1.00 ppm to 0.10 ppm. To drop.
この場合、リンス処理RI開始時に、炭酸水の濃度を1.00ppmに設定することにより、帯電性が低い基板Wの帯電を十分に防止することができる。また、リンス処理RIの終了時に近づくにつれて、炭酸水の濃度を1.00ppmから0.10ppmへ徐々に低下するように設定することにより、炭酸水中の酸による基板W上の金属膜の酸化をより効果的に防止することができる。 In this case, by setting the carbonated water concentration to 1.00 ppm at the start of the rinsing process RI, it is possible to sufficiently prevent the substrate W having low chargeability from being charged. Further, as the rinsing process RI is approached, the concentration of the carbonated water is set to gradually decrease from 1.00 ppm to 0.10 ppm, thereby further oxidizing the metal film on the substrate W by the acid in the carbonated water. It can be effectively prevented.
図7および図8と同様の処理レシピを洗浄処理部5b〜5cにも用いることにより、洗浄処理部5b〜5cにおいても、同様の効果を得ることができる。ただし、洗浄処理部5a〜5dの処理レシピは、洗浄処理部5a〜5dにおけるリンス処理RIのタイミングが同じ期間に重ならないように設定される。
By using the same processing recipe as in FIGS. 7 and 8 for the
このように、個々の洗浄処理部5a〜5dにおいて、リンス処理RIの期間内における炭酸水の濃度を変化させることにより、炭酸水中の酸による基板W上の金属膜の酸化をより効果的に防止しつつ、基板Wの帯電を十分に防止することができる。
In this way, in each of the
(8−2)
上記実施の形態では、薬液処理後の基板Wの帯電性の程度に応じてリンス処理に用いる炭酸水の濃度を設定するが、これに限らず、薬液処理に用いる薬液のアルカリ強度に応じて炭酸水の濃度を設定してもよい。
(8-2)
In the above embodiment, the concentration of carbonated water used for the rinsing process is set according to the degree of chargeability of the substrate W after the chemical process. However, the present invention is not limited thereto, and the carbonic acid is selected according to the alkali strength of the chemical used for the chemical process. The concentration of water may be set.
この場合、薬液のアルカリ強度が高い場合には、リンス処理に用いる炭酸水の濃度を高く設定し、薬液のアルカリ強度が低い場合には、リンス処理に用いる炭酸水の濃度を低く設定する。その場合、リンス処理時に基板Wに残留する薬液のアルカリ強度に応じて、薬液とリンス液の混合時のpHを適切な値に制御して、弱アルカリ性領域を短時間で通過させることができる。 In this case, when the alkali strength of the chemical solution is high, the concentration of carbonated water used for the rinsing process is set high, and when the alkali strength of the chemical solution is low, the concentration of carbonated water used for the rinsing process is set low. In that case, the pH during mixing of the chemical solution and the rinsing liquid can be controlled to an appropriate value according to the alkali strength of the chemical solution remaining on the substrate W during the rinsing process, and the weakly alkaline region can be passed in a short time.
それにより、基板W上の金属膜の酸化を防止しつつ、ペーハーショックの発生を十分に防止できる。 Thereby, the occurrence of a pH shock can be sufficiently prevented while preventing the metal film on the substrate W from being oxidized.
また、基板W上の金属膜の種類等の他の条件に応じて、リンス処理に用いる炭酸水の濃度を設定してもよい。 Further, the concentration of carbonated water used for the rinsing process may be set according to other conditions such as the type of the metal film on the substrate W.
(8−3)
上記実施の形態では、リンス液として炭酸水を用いたが、これに限らず、リンス液として他の機能水を用いてもよい。他の機能水としては、例えば純水と水素ガスとを混合した水素水が挙げられる。
(8-3)
In the above embodiment, carbonated water is used as the rinsing liquid, but not limited to this, other functional water may be used as the rinsing liquid. Examples of other functional water include hydrogen water in which pure water and hydrogen gas are mixed.
リンス液として水素水を用いた場合には、薬液処理により除去された汚染物の基板Wへの再付着の防止、基板W上の自然酸化膜の除去、基板Wの酸化防止、および基板W上へのウォーターマーク(水滴痕)の形成防止等の効果が得られる。水素水は、基板Wに形成される配線パターンのCMP(Chemical Mechanical Polishing;化学物理研磨)後のリンス処理等に用いられる。 When hydrogen water is used as the rinsing liquid, the contaminants removed by the chemical treatment are prevented from reattaching to the substrate W, the natural oxide film on the substrate W is removed, the substrate W is oxidized, and the substrate W is The effect of preventing the formation of watermarks (water droplet marks) on the surface is obtained. The hydrogen water is used for a rinsing process after a CMP (Chemical Mechanical Polishing) of a wiring pattern formed on the substrate W or the like.
リンス液として水素水を用いる場合にも、炭酸水を用いる場合と同様に、基板Wに供給される水素水の濃度を処理レシピに設定し、それに基づいて制御部4が機能水生成部410を制御する。それにより、基板Wの損傷を防止できるとともに、除去された汚染物の基板Wへの再付着の防止、基板W上の自然酸化膜の除去、基板Wの酸化防止、および基板W上へのウォーターマーク(水滴痕)の形成防止等の効果を得ることができる。
Even when hydrogen water is used as the rinsing liquid, the concentration of hydrogen water supplied to the substrate W is set in the processing recipe as in the case of using carbonated water, and the
また、他の機能水として、電解イオン水または磁気水等を用いてもよい。この場合にも、炭酸水を用いる場合と同様に、基板Wに供給される機能水の濃度を処理レシピに設定し、それに基づいて制御部4が機能水生成部410を制御する。
Moreover, you may use electrolytic ion water, magnetic water, etc. as other functional water. Also in this case, as in the case of using carbonated water, the concentration of the functional water supplied to the substrate W is set in the processing recipe, and the
(8−4)
上記実施の形態では、リンス処理のために基板Wに供給される機能水の濃度を処理レシピに設定される濃度に基づいて制御部4が制御するが、薬液処理等の他の処理のために基板Wに供給される機能水の濃度を処理レシピに設定してもよい。この場合にも、制御部4は処理レシピに基づいて機能水生成部410を制御する。
(8-4)
In the above embodiment, the
他の処理に用いる機能水としては、例えば、純水とオゾン(O3 )とを混合したオゾン水(O3 水)が挙げられる。オゾン水は、液体中に酸素ラジカルを含むので、強力な酸化力を有し、基板W上に付着する有機汚染物を除去する場合等に用いられる。 Examples of functional water used for other treatment include ozone water (O 3 water) obtained by mixing pure water and ozone (O 3 ). Since ozone water contains oxygen radicals in the liquid, it has a strong oxidizing power and is used for removing organic contaminants adhering to the substrate W.
オゾン水を用いる場合にも、上記実施の形態と同様に、基板Wに供給されるオゾン水の濃度を処理レシピに設定し、それに基づいて制御部4が機能水生成部410を制御する。それにより、オゾン水中の酸素ラジカルによる基板W上の金属膜の酸化を防止しつつ、基板W上に付着する有機汚染物を十分に除去することができる。
Even when ozone water is used, the concentration of ozone water supplied to the substrate W is set in the processing recipe, and the
また、基板Wにオゾン水を供給する際に、供給終了時に近づくにつれてオゾン水の濃度を低下させることにより、オゾン水中の酸素ラジカルによる基板W上の金属膜の酸化をより効果的に防止することができる。 In addition, when supplying ozone water to the substrate W, the concentration of the ozone water is decreased as the supply is approached, thereby more effectively preventing oxidation of the metal film on the substrate W by oxygen radicals in the ozone water. Can do.
なお、オゾン水を用いる場合には、図4の機能水生成部410の代わりに、例えば図9に示す機能水生成部510を用いてもよい。
In addition, when using ozone water, you may use the functional water production |
機能水生成部510は、以下の点を除いて図4の機能水生成部410と同様の構成を有する。機能水生成部510は、オゾン混合槽550を備え、オゾン混合槽550には、オゾンが供給されるオゾン供給管204aが接続されている。オゾン供給管204aには気体調整バルブ205が介挿されている。配管201,202はオゾン混合槽550内に挿入されている。
The
機能水生成部510では、リンス処理用供給管74に供給された純水の一部がオゾン混合槽550に導かれる。オゾン混合槽550に導かれた純水中にオゾン(O3 )がバブリングにより導入される。これにより、オゾン水が生成される。生成されたオゾン水はリンス処理用供給管74を流れる純水中に混合される。
In the
抵抗制御バルブ203の開度を調整することにより、リンス処理用供給管74から配管201を通してオゾン混合槽550に導かれる純水の流量が調整される。気体調整バルブ205の開度を調整することにより、オゾン混合槽550に供給されるオゾンの流量が調整される。
By adjusting the opening degree of the
機能水生成部510においては、抵抗制御バルブ203および気体調整バルブ205の開度を調整することによりオゾン水の濃度を調整することができる。
In the
(8−5)
上記実施の形態においては、アルカリ性の薬液を用いる場合について説明したが、リンス液として、水素水、電解イオン水、磁気水またはオゾン水等の炭酸水以外の機能水を用いる場合には、薬液として、他の薬液を用いてもよい。他の薬液の例を以下に示す。
(8-5)
In the above embodiment, the case where an alkaline chemical solution is used has been described. However, when a functional water other than carbonated water such as hydrogen water, electrolytic ion water, magnetic water, or ozone water is used as a rinse solution, Other chemicals may be used. Examples of other chemicals are shown below.
基板Wの表面に形成されたポリマーを除去するためのフッ化アンモニウムを含む溶液、例えばフッ化アンモニウムおよびリン酸を含む混合溶液を薬液として用いることができる。 A solution containing ammonium fluoride for removing the polymer formed on the surface of the substrate W, for example, a mixed solution containing ammonium fluoride and phosphoric acid, can be used as the chemical solution.
また、基板Wの現像処理を行うためのTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)等のアルカリ性溶液または酢酸ブチル等の酸性溶液を薬液として用いることができる。 Also, an alkaline solution such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide) or an acidic solution such as butyl acetate for developing the substrate W can be used as the chemical solution.
さらに、基板Wの表面に形成されたレジストを剥離するための硫酸過水薬液を薬液として用いることができる。 Furthermore, a sulfuric acid / hydrogen peroxide solution for stripping the resist formed on the surface of the substrate W can be used as the chemical solution.
また、基板Wの表面をエッチングまたは洗浄するためのBHF(バッファドフッ酸:フッ化アンモニウムおよびフッ酸を含む混合溶液)、DHF(希フッ酸)、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、アンモニア、クエン酸、過酸化水素水もしくはTMAH等の水溶液、またはそれらの混合溶液を薬液として用いることができる。 Further, BHF (buffered hydrofluoric acid: mixed solution containing ammonium fluoride and hydrofluoric acid), DHF (dilute hydrofluoric acid), hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid for etching or cleaning the surface of the substrate W An aqueous solution of oxalic acid, ammonia, citric acid, aqueous hydrogen peroxide or TMAH, or a mixed solution thereof can be used as the chemical solution.
さらに、アンモニア過水または塩酸過水を含む溶液を薬液として用いることもできる。 Furthermore, a solution containing ammonia or hydrogen peroxide can also be used as a chemical solution.
(9)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
上記実施の形態においては、気液混合モジュール200、配管201,202、二酸化炭素供給管204、オゾン混合槽550およびオゾン供給管204aが機能水生成手段に相当し、リンス処理用ノズル70およびリンス処理用供給管74が機能水供給手段に相当し、洗浄処理部5a〜5dが処理部に相当し、メモリ702が記憶手段に相当し、抵抗制御バルブ203、気体調整バルブ205およびCPU701が濃度制御手段に相当し、薬液処理用ノズル50、薬液処理用供給管63が薬液供給手段およびアルカリ供給手段に相当し、配管201が純水供給系に相当し、二酸化炭素供給管204およびオゾン供給管204aが気体供給系に相当し、気液混合モジュール200およびオゾン混合槽550が混合手段に相当する。
(9) Correspondence between each component of claims and each part of embodiment In the above embodiment, gas-
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。 The present invention can be used for processing various substrates.
5a〜5d 洗浄処理部
50 薬液処理用ノズル
63 薬液処理用供給管
65,75 開閉バルブ
70 リンス処理用ノズル
74 リンス処理用供給管
100 基板処理装置
200 気液混合モジュール
201,202 配管
203 抵抗制御バルブ203
204 二酸化炭素供給管
204a オゾン供給管
205 気体調整バルブ
310 薬液供給源
410,510 機能水生成部
550 オゾン混合槽
702 メモリ
701 CPU
5a to 5d
204 Carbon
Claims (10)
基板に所定の処理を行い、前記機能水生成手段により生成される機能水を基板に供給する機能水供給手段を有する処理部と、
機能水の濃度設定値を含む基板の動作手順および動作条件を規定する処理レシピを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて、前記機能水生成手段により生成される機能水の濃度を調整する濃度調整手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。 Functional water generating means for generating functional water;
A processing unit having a functional water supply unit that performs a predetermined process on the substrate and supplies the functional water generated by the functional water generation unit to the substrate;
Storage means for storing a processing recipe for defining the operation procedure and operation conditions of the substrate including the concentration setting value of the functional water;
A substrate processing apparatus comprising: a concentration adjusting unit configured to adjust a concentration of functional water generated by the functional water generating unit based on a concentration setting value included in a processing recipe stored in the storage unit.
基板に薬液を供給する薬液供給手段をさらに含み、
前記薬液供給手段による薬液の供給後、前記機能水供給手段が前記機能水生成手段により生成された機能水を基板に供給することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 The processor is
A chemical solution supply means for supplying the chemical solution to the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the functional water supply unit supplies the functional water generated by the functional water generation unit to the substrate after the chemical solution is supplied by the chemical solution supply unit.
純水を供給する純水供給系と、
気体を供給する気体供給系と、
前記純水供給系から供給される純水と前記気体供給系から供給される気体とを混合させることにより機能水を生成する混合手段とを有し、
前記濃度調整手段は、前記純水供給系から前記混合手段への純水の供給量および前記気体供給系から前記混合手段への気体の供給量のうちの少なくともいずれか一方を制御することにより、前記機能水の濃度を調整することを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 The functional water generating means is
A pure water supply system for supplying pure water;
A gas supply system for supplying gas;
Mixing means for generating functional water by mixing pure water supplied from the pure water supply system and gas supplied from the gas supply system;
The concentration adjusting means controls at least one of a supply amount of pure water from the pure water supply system to the mixing means and a supply amount of gas from the gas supply system to the mixing means, The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the concentration of the functional water is adjusted.
基板にアルカリ性の液体を供給するアルカリ供給手段をさらに含み、
前記アルカリ供給手段によるアルカリ性の液体の供給後、前記機能水供給手段が前記機能水生成手段により生成された機能水を基板に供給するものであって、
前記濃度調整手段は、前記機能水供給手段による炭酸水の供給終了時の濃度が前記機能水供給手段による炭酸水の供給開始時の濃度に比べて低くなるように、前記機能水の濃度を調整することを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。 The processor is
An alkali supply means for supplying an alkaline liquid to the substrate;
After the supply of the alkaline liquid by the alkali supply means, the functional water supply means supplies the functional water generated by the functional water generation means to the substrate,
The concentration adjusting means adjusts the concentration of the functional water so that the concentration at the end of supply of carbonated water by the functional water supply means is lower than the concentration at the start of supply of carbonated water by the functional water supply means. The substrate processing apparatus according to claim 5.
前記記憶工程で記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて濃度が調整された機能水を生成する機能水生成工程と、
前記機能水生成工程で生成された機能水を基板に供給する機能水供給工程とを備えることを特徴とする基板処理方法。 A storage step for storing a processing recipe for defining a processing procedure and processing conditions of a substrate including a concentration setting value of functional water;
A functional water generating step for generating functional water whose concentration is adjusted based on the concentration setting value included in the processing recipe stored in the storing step;
A substrate processing method comprising: a functional water supply step of supplying functional water generated in the functional water generation step to the substrate.
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