KR102074223B1 - Organic compounds decomposition and removal structure for wafer handling device - Google Patents
Organic compounds decomposition and removal structure for wafer handling device Download PDFInfo
- Publication number
- KR102074223B1 KR102074223B1 KR1020180107853A KR20180107853A KR102074223B1 KR 102074223 B1 KR102074223 B1 KR 102074223B1 KR 1020180107853 A KR1020180107853 A KR 1020180107853A KR 20180107853 A KR20180107853 A KR 20180107853A KR 102074223 B1 KR102074223 B1 KR 102074223B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pipe
- exhaust
- organic compound
- substrate
- disposed
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조에 관한 것이다.The present invention relates to an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus.
반도체 및 디스플레이 제조 설비에는 반도체 및 디스플레이 제조를 위한 기판(wafer)의 처리, 예를 들어 세정을 위한 기판 처리 장치이 적용되는데, 이러한 기판 처리 장치은 기판이 올려지는 척 부재와, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판을 향해 처리액을 공급해주는 처리액 공급 부재와, 상기 처리액 공급 부재에서 상기 척 부재 상의 상기 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 세정액을 수용하는 바울(bowl)을 포함한다.The semiconductor and display manufacturing equipment is applied with a substrate processing apparatus for processing, for example, cleaning a wafer for semiconductor and display manufacturing, which includes a chuck member on which a substrate is placed, and the substrate mounted on the chuck member. And a processing liquid supply member for supplying the processing liquid toward the substrate, and a bowl for receiving a cleaning liquid supplied from the processing liquid supply member to the substrate on the chuck member and separated from the substrate.
이러한 기판 처리 장치의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것이다.What can be presented as an example of such a substrate processing apparatus is that of the patent document presented below.
그러나, 종래의 기판 처리 장치에서는, 상기 기판에 대한 상기 처리액의 처리 과정에서 발생되는 유기화합물을 제거할만한 마땅한 방법이 없어, 상기 유기화합물이 실린 기체가 그대로 배출되어, 상기 기판 처리 장치 내외부를 오염시키는 원인이 되고 있다.However, in the conventional substrate processing apparatus, there is no suitable method for removing the organic compound generated in the process of treating the processing liquid with respect to the substrate, and the gas containing the organic compound is discharged as it is, contaminating the inside and outside of the substrate processing apparatus. It is the cause of letting.
본 발명은 기판에 대한 처리액에 의한 처리 과정에서 발생되어 팬 필터 유닛에 의해 상기 기판으로 공급된 기체에 실려오는 유기화합물이 제거될 수 있는 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention provides an organic compound decomposition elimination structure for a substrate processing apparatus in which an organic compound generated in a process by a processing liquid on a substrate and carried on a gas supplied to the substrate by a fan filter unit can be removed. The purpose.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조는 기판이 올려지는 척 부재와, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판을 향해 처리액을 공급해주는 처리액 공급 부재와, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판으로 정화된 기체를 불어주는 팬 필터 부재와, 상기 팬 필터 부재에서 정화되어 상기 척 부재에 올려진 상기 기판으로 불어진 상기 기체가 배기되는 배기 부재를 포함하는 기판 처리 장치에 적용되는 것으로서,
상기 기판에 대한 상기 처리액에 의한 처리 과정에서 발생되는 유기화합물이 상기 팬 필터 부재에서 정화되어 상기 척 부재에 올려진 상기 기판으로 불어진 상기 기체에 실려오면, 상기 기체에 실려온 상기 유기화합물을 분해하여 제거하는 유기화합물 분해 제거 부재; 및 상기 유기화합물 분해 제거 부재와 연동되어 상기 유기화합물이 제거될 수 있도록, 상기 유기화합물이 실린 상기 기체의 유동되는 경로 상에 배치되어, 상기 기체에 실린 상기 유기화합물의 물리적 세정을 위한 나노버블(nano bubble)을 분사해주는 나노버블 분사 부재;를 포함하고,
상기 유기화합물 분해 제거 부재는 상기 유기화합물이 실린 상기 기체가 유동되는 경로 상에 배치되고, 광촉매가 코팅된 광촉매 코팅부와, 상기 광촉매 코팅부에 코팅된 상기 광촉매가 상기 유기화합물 제거를 위해 활성화될 수 있도록, 상기 광촉매 코팅부로 자외선을 조사하는 자외선 램프를 포함하고,
상기 배기 부재는 일정 간격으로 단절된 부분을 가지고, 상기 자외선 램프는 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분에서 일정 거리 이격된 위치에 배치되고,
상기 유기화합물 분해 제거 부재는 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분의 일 측단에 연결되되 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분에서 상기 자외선 램프를 향해 수직으로 굽혀지는 배기측 인입 배관과, 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분의 타 측단에 연결되되 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분에서 상기 자외선 램프를 향해 수직으로 굽혀지고 상기 배기측 인입 배관과 평행하게 배치되는 배기측 인출 배관과, 상기 자외선 램프를 중심으로 상기 배기측 인입 배관으로부터 반시계 방향으로 120°회전된 위치에 배치되는 제 1 분해 제거 연결 배관과, 상기 자외선 램프를 중심으로 상기 배기측 인출 배관으로부터 시계 방향으로 120°회전된 위치에 배치되는 제 2 분해 제거 연결 배관과, (여기서, 상기 반시계 방향과 상기 시계 방향은 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분이 상측에 배치되고, 상기 자외선 램프가 하측에 배치되었을 때, 상기 자외선 램프에서 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분을 향하는 방향을 12시 방향으로 하였을 때의 방향으로 정의됨.) 상기 배기측 인입 배관의 말단과 상기 제 1 분해 제거 연결 배관의 일 측단을 연결하되 투명 재질로 이루어지는 제 1 투명 배관과, 상기 제 1 분해 제거 연결 배관의 타 측단과 상기 제 2 분해 제거 연결 배관의 일 측단을 연결하되 투명 재질로 이루어지는 제 2 투명 배관과, 상기 제 2 분해 제거 연결 배관의 타 측단과 상기 배기측 인출 배관의 말단을 연결하되 투명 재질로 이루어지는 제 3 투명 배관을 포함하고,
상기 광촉매 코팅부는 상기 제 1 투명 배관의 내면에 배치되는 제 1 광촉매 코팅층과, 상기 제 2 투명 배관의 내면에 배치되는 제 2 광촉매 코팅층과, 상기 제 3 투명 배관의 내면에 배치되는 제 3 광촉매 코팅층을 포함하고,
상기 자외선 램프를 중심으로 상기 제 1 광촉매 코팅층, 상기 제 2 광촉매 코팅층 및 상기 제 3 광촉매 코팅층은 서로 등각 및 등거리에 배치되고,
상기 나노버블 분사 부재는 상기 제 1 분해 제거 연결 배관으로 나노버블을 분사해주는 제 1 나노버블 분사체와, 상기 제 2 분해 제거 연결 배관으로 나노버블을 분사해주는 제 2 나노버블 분사체를 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention includes a chuck member on which a substrate is placed, a processing liquid supply member supplying a processing liquid toward the substrate mounted on the chuck member, and a chuck member. Applied to a substrate processing apparatus including a fan filter member for blowing the purified gas to the raised substrate, and an exhaust member for exhausting the gas blown from the fan filter member to the substrate loaded on the chuck member As,
When the organic compound generated during the treatment by the treatment liquid with respect to the substrate is loaded on the gas that is purified by the fan filter member and blown onto the substrate loaded on the chuck member, the organic compound carried on the gas is decomposed. Organic compound decomposition removal member to be removed; And nanobubbles for physical cleaning of the organic compound loaded on the gas, disposed on a flow path of the gas loaded with the organic compound so that the organic compound can be removed in association with the organic compound decomposition removing member. Includes; a nano bubble spray member for spraying nano bubbles),
The organic compound decomposition removing member is disposed on a path through which the gas containing the organic compound flows, and a photocatalyst coating portion coated with a photocatalyst and the photocatalyst coated with the photocatalyst coating portion are activated to remove the organic compound. In order to be able to, including a UV lamp for irradiating ultraviolet light to the photocatalyst coating,
The exhaust member has portions cut at regular intervals, the ultraviolet lamp is disposed at a position spaced a distance from the disconnected portion of the exhaust member,
The organic compound decomposition removing member is connected to one side end of the disconnected portion of the exhaust member, and the exhaust side inlet pipe is bent vertically toward the ultraviolet lamp at the disconnected portion of the exhaust member, and the disconnected portion of the exhaust member. An exhaust side inlet pipe connected to the other side end of the exhaust member and bent vertically toward the ultraviolet lamp at the disconnected portion of the exhaust member and disposed parallel to the exhaust side inlet pipe; and the exhaust side inlet pipe around the ultraviolet lamp A first dismantling and connecting pipe disposed at a position rotated by 120 ° in a counterclockwise direction from the second dissociation and removal pipe arranged at a position rotated 120 ° clockwise from the exhaust side drawing pipe around the ultraviolet lamp. And (wherein the counterclockwise direction and the clockwise direction correspond to the image of the exhaust member. When the disconnected part is disposed on the upper side and the ultraviolet lamp is disposed on the lower side, it is defined as the direction when the direction toward the disconnected part of the exhaust member in the ultraviolet lamp is set to 12 o'clock.) Connect one end of the pipe and the one end of the first dismantling connection pipe, and connect the first transparent pipe made of a transparent material, the other end of the first dismantling connection pipe, and the one end of the second dismantling connection pipe. And a second transparent pipe made of a transparent material, and a third transparent pipe made of a transparent material, connecting the other end of the second disassembly-removing connection pipe to the end of the exhaust side drawing pipe.
The photocatalyst coating part includes a first photocatalyst coating layer disposed on an inner surface of the first transparent pipe, a second photocatalyst coating layer disposed on an inner surface of the second transparent pipe, and a third photocatalyst coating layer disposed on an inner surface of the third transparent pipe. Including,
The first photocatalyst coating layer, the second photocatalyst coating layer and the third photocatalyst coating layer are disposed at an equidistant and equidistant distance from each other with respect to the ultraviolet lamp,
The nanobubble injector includes a first nanobubble injector for injecting nanobubbles into the first decomposition removing connection pipe, and a second nanobubble injector for injecting nanobubbles into the second decomposition removing connection pipe. It features.
삭제delete
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조에 의하면, 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조가 유기화합물 분해 제거 부재를 포함함에 따라, 척 부재에 올려진 기판에 대한 처리액에 의한 처리 과정에서 발생되어, 팬 필터 유닛에 의해 상기 기판으로 공급된 기체에 실려오는 유기화합물이 제거될 수 있게 되는 효과가 있다.According to the organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention, as the organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus includes an organic compound decomposition removing member, Generated in the treatment process, so that the organic compound carried on the gas supplied to the substrate by the fan filter unit can be removed.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조가 적용된 기판 처리 장치를 보이는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 A부분에 대한 확대도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조를 구성하는 유기화합물 분해 제거 부재의 구성을 보이는 도면.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조가 적용된 기판 처리 장치의 일부를 확대한 도면.
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조가 적용된 기판 처리 장치의 일부를 확대한 도면.1 is a view showing a substrate processing apparatus to which an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention is applied;
FIG. 2 is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 1. FIG.
3 is a view showing the configuration of an organic compound decomposition removing member constituting an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
4 is an enlarged view of a portion of a substrate processing apparatus to which an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention is applied;
5 is an enlarged view of a portion of a substrate processing apparatus to which an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention is applied;
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조에 대하여 설명한다.Hereinafter, an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조가 적용된 기판 처리 장치를 보이는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 A부분에 대한 확대도이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus to which an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is an enlarged view of portion A shown in FIG.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조는 기판 처리 장치(100)에 적용되는 것으로, 유기화합물 분해 제거 부재(190)를 포함한다.1 and 2 together, the organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to the present embodiment is applied to the
상기 기판 처리 장치(100)는 척 부재(120)와, 처리액 공급 부재(180)와, 팬 필터 부재(105)와, 배기 부재(114)를 포함한다.The
상기 기판 처리 장치(100)는 바울(150)과, 척 핀(130, 140)과, 바울 승강 부재(170)와, 척 회전 부재(125)를 더 포함할 수 있다.The
도면 번호 110은 상기 척 부재(120), 상기 처리액 공급 부재(180), 상기 바울(150), 상기 바울 승강 부재(170) 및 상기 척 회전 부재(125)가 내부에 배치되고 외부에 대해 격리되는 챔버이고, 도면 번호 101은 상기 기판 처리 장치(100)의 각 구성 요소를 제어할 수 있는 제어 부재(101)이다.
상기 척 부재(120)는 상기 기판(10)이 올려질 수 있는 것으로, 원형 플레이트 형태로 형성되고, 그 내부에 히터 등이 내장된 것이다.The
상기 척 회전 부재(125)는 상기 척 부재(120)를 회전시켜줄 수 있는 것으로, 상기 척 부재(120)의 하부와 연결되는 척 회전 축(126)과, 상기 척 회전 축(126)을 회전시켜줄 수 있는 전기 모터 등의 척 회전 수단(127)을 포함한다.The
상기 처리액 공급 부재(180)는 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)을 향해 처리액을 공급해주는 것으로, 세정액 등의 상기 처리액을 상기 척 부재(120) 쪽으로 공급하는 처리액 공급관(181)과, 상기 처리액 공급관(181)을 통해 공급된 상기 처리액을 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10) 상에 분사하는 분사 노즐(182)과, 상기 처리액 공급관(181)과 연결되는 공급관 회전 축(183)과, 상기 공급관 회전 축(183)을 일정 각도 범위 내에서 회전시켜줄 수 있는 전기 모터 등의 공급관 회전 수단(184)을 포함한다.The processing
상기 바울(150)은 상기 처리액 공급 부재(180)에서 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)으로 공급되었다가 상기 기판(10)으로부터 이탈되는 처리액을 수용하는 것으로, 상기 척 부재(120)로부터 상대적으로 가장 외곽에 배치되는 제 1 바울(151)과, 상기 척 부재(120)로부터 상대적으로 가장 내곽에 배치되는 제 3 바울(157)과, 상기 제 1 바울(151)과 상기 제 3 바울(157) 사이에 배치되는 제 2 바울(154)을 포함한다.The paul 150 receives the processing liquid supplied from the processing
상기 제 1 바울(151)은 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 제 1 바울 몸체(152)와, 상기 제 1 바울 몸체(152)의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 제 1 바울 입사체(153)를 포함한다.The first Paul 151 has a first Paul
상기 제 3 바울(157)은 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 제 3 바울 몸체(158)와, 상기 제 3 바울 몸체(158)의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 제 3 바울 입사체(159)를 포함한다.The third Paul 157 has a third Paul
상기 제 2 바울(154)은 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 제 2 바울 몸체(155)와, 상기 제 2 바울 몸체(155)의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 제 2 바울 입사체(156)를 포함한다.The second Paul 154 has a second Paul
여기서, 상기 제 1 바울 몸체(152), 상기 제 2 바울 몸체(155) 및 상기 제 3 바울 몸체(158)는 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 바울 몸체로 정의되고, 상기 제 1 바울 입사체(153), 상기 제 2 바울 입사체(156) 및 상기 제 3 바울 입사체(159)는 상기 바울 몸체의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 바울 입사체로 정의된다.Here, the first Paul
상기 제 1 바울 몸체(152)와 상기 제 3 바울 몸체(158) 사이에 각각 간격을 두고 상기 제 2 바울 몸체(155)가 위치되고, 상기 제 1 바울 입사체(153)와 상기 제 3 바울 입사체(159) 사이에 각각 간격을 두고 상기 제 2 바울 입사체(156)가 위치된다. 그러면, 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)이 상기 제 1 바울 입사체(153)와 상기 제 2 바울 입사체(156) 사이의 입구 높이에 배치된 상태에서 상기 척 회전 부재(125)에 의해 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 처리액 중 제 1 액이 상기 제 1 바울 입사체(153)와 상기 제 2 바울 입사체(156) 사이의 입구를 통해 유입되어 상기 제 1 바울 몸체(152) 내부에 수용되고, 상기 바울(150)이 상기 바울 승강 부재(170)에 의해 상승되면서, 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)이 상기 제 2 바울 입사체(156)와 상기 제 3 바울 입사체(159) 사이의 입구 높이에 배치된 상태에서 상기 척 회전 부재(125)에 의해 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 처리액 중 제 2 액이 상기 제 2 바울 입사체(156)와 상기 제 3 바울 입사체(159) 사이의 입구를 통해 유입되어 상기 제 2 바울 몸체(155) 내부에 수용되고, 상기 바울(150)이 상기 바울 승강 부재(170)에 의해 다시 상승되면서, 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)이 상기 제 3 바울 입사체(159) 하측의 입구 높이에 배치된 상태에서 상기 척 회전 부재(125)에 의해 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 처리액 중 제 3 액이 상기 제 3 바울 입사체(159) 하측의 입구를 통해 유입되어 상기 제 3 바울 몸체(158) 내부에 수용된다.The second Paul
도면 번호 160, 161 및 162는 상기 제 1 바울 몸체(152), 상기 제 2 바울 몸체(155) 및 상기 제 3 바울 몸체(158)의 바닥에 각각 형성되어, 상기 제 1 바울 몸체(152), 상기 제 2 바울 몸체(155) 및 상기 제 3 바울 몸체(158)에 각각 수용된 액을 외부로 유출시키는 제 1 배출관, 제 2 배출관 및 제 3 배출관이다.
상기 바울 승강 부재(170)는 상기 바울(150)을 승강시킬 수 있는 것으로, 상기 제 1 바울(151)에 연결된 바울 연결체(171)와, 상기 바울 연결체(171)에서 굽혀진 형태로 연장되되 상기 제 1 바울(151)과 평행하게 형성되는 바울 승강 축(172)과, 상기 바울 승강 축(172)을 승강시킬 수 있는 유공압 실린더 등의 바울 승강 수단(173)을 포함한다.The
상기 팬 필터 부재(105)는 상기 챔버(110)의 상부에 설치되어, 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)으로 정화된 기체를 불어주는 것으로, 상기 팬 필터 부재(105)의 내부에 상기 기체의 정화를 위한 필터와, 상기 기체의 기류를 형성하기 위한 팬이 구비되는데, 이러한 상기 팬 필터 부재(105)는 등록특허 제 10-1417291 호 등에서 이미 제시된 것처럼 일반적인 것이므로, 여기서는 그 구체적인 도시 및 설명을 생략한다.The
상기 팬 필터 부재(105)는 외부 공기를 유입하여 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10) 쪽으로 불어줄 수도 있고, 상기 배기 부재(115)를 통해 배기되는 상기 기체를 재순환시켜 정화시킨 다음 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10) 쪽으로 불어줄 수도 있다.The
상기 배기 부재(114)는 상기 팬 필터 부재(105)에서 정화되어 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)으로 불어진 상기 기체가 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)을 경유한 다음 배기되는 통로가 되는것이다.The
상세히, 상기 배기 부재(114)는 상기 챔버(110)의 저면과 연통되는 배기 원관(111)과, 상기 배기 원관(111)에서 일 측으로 분지되는 제 1 배기 분지관(112)과, 상기 배기 원관(111)에서 타 측으로 분지되는 제 2 배기 분지관(113)을 포함한다.In detail, the
상기 제 1 배기 분지관(112) 및 상기 제 2 배기 분지관(113)에는 각각 상기 제 1 배기 분지관(112) 및 상기 제 2 배기 분지관(113)을 개폐시킬 수 있는 제 1 개폐 댐퍼(115) 및 제 2 개폐 댐퍼(116)가 설치된다.A first opening / closing damper capable of opening and closing the first
상기 제 1 배기 분지관(112)을 통해서는 무기화합물이, 상기 제 2 배기 분지관(113)을 통해서는 유기화합물이 배기될 수 있다.An inorganic compound may be exhausted through the first
상기 척 핀(130, 140)은 상기 척 부재(120)에서 일정 높이로 돌출되어 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)을 지지해주되, 상기 기판(10)의 정전기 제거를 위해 전도성을 가지도록 탄소나노튜브(CNT)가 혼합되어 성형된 것이다.The chuck pins 130 and 140 protrude to a predetermined height from the
상세히, 상기 척 핀(130, 140)은 상기 탄소나노튜브와 폴리에테르에테르케톤(PEEK)이 혼합 성형되어 이루어진다.In detail, the chuck pins 130 and 140 are formed by mixing and molding the carbon nanotubes and polyether ether ketone (PEEK).
상기와 같이 구성되면, 상기 척 핀(130, 140)이 상기 기판(10)의 정전기 제거를 위해 전도성을 가지고, 그 저항값이 10^3Ω 이하가 되도록 이루어질 수 있다.When the configuration is configured as described above, the chuck pins 130 and 140 may be conductive to remove static electricity of the
상기 척 핀(130, 140)이 상기 탄소나노튜브와 상기 폴리에테르에테르케톤의 혼합물이 사출 성형되어 제조된다. 그러면, 상기 척 핀(130, 140)의 균일도가 향상될 수 있다.The chuck pins 130 and 140 are manufactured by injection molding a mixture of the carbon nanotubes and the polyether ether ketone. Then, uniformity of the chuck pins 130 and 140 may be improved.
상기 척 핀(130, 140)은 서포트 핀 부재(130)와, 외곽 척 핀 부재(140)를 포함한다.The chuck pins 130 and 140 include a
상기 서포트 핀 부재(130)는 상기 기판(10)의 저면에서 상기 기판(10)을 받쳐주는 것이다.The
상기 외곽 척 핀 부재(140)는 상기 척 부재(120)의 회전 시에 상기 기판(10)이 상기 척 부재(120)로부터의 임의 이탈이 방지되도록, 상기 기판(10)의 측면에서 상기 기판(10)을 지지해주는 것이다.The outer
상기 서포트 핀 부재(130)와 상기 외곽 척 핀 부재(140)가 상기 탄소나노튜브와 상기 폴리에테르에테르케톤의 혼합물이 각각 사출 성형되어 각각 일체로 제조될 수 있다.The
상기 서포트 핀 부재(130)와 상기 외곽 척 핀 부재(140)는 상기 척 부재(120) 상에 복수 개가 배열되고, 상기 서포트 핀 부재(130)가 상기 외곽 척 핀 부재(140)에 비해 상대적으로 상기 척 부재(120)이 중심 쪽으로 편심된 위치에 배치된다.A plurality of the
본 실시예에서는, 상기 제 2 배기 분지관(113)에 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)가 설치된다.In the present embodiment, the organic compound decomposition removing member 190 is provided in the second
상세히, 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)는 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)에 대한 상기 처리액에 의한 처리 과정에서 발생되는 상기 유기화합물이 상기 팬 필터 부재(105)에서 정화되어 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)으로 불어진 상기 기체에 실려오면, 상기 기체에 실려온 상기 유기화합물을 분해하여 제거하는 것이다.In detail, the organic compound decomposition removing member 190 may include the organic compound generated during the treatment by the treatment liquid on the
상세히, 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)는 광촉매 코팅부(191)와, 자외선 램프(192)를 포함한다.In detail, the organic compound decomposition removing member 190 includes a
상기 광촉매 코팅부(191)는 상기 유기화합물이 실린 상기 기체가 유동되는 경로 상에 배치되고, 광촉매가 코팅된 것이다.The
본 실시예에서는, 상기 광촉매 코팅부(191)가 상기 제 2 배기 분지관(113)의 내벽에 도포 등의 방식으로 코팅되어 형성된다.In the present embodiment, the
본 실시예에서 사용되는 상기 광촉매는 이산화티타늄(TiO2)이다.The photocatalyst used in this embodiment is titanium dioxide (TiO 2 ).
상기 자외선 램프(192)는 상기 광촉매 코팅부(191)에 코팅된 상기 광촉매가 상기 유기화합물 제거를 위해 활성화될 수 있도록, 상기 광촉매 코팅부(191)로 자외선을 조사하는 것으로, 예시적으로 상기 제 2 배기 분지관(113) 상에 설치될 수 있다. 물론, 이러한 상기 자외선 램프(192)의 설치 위치는 예시적인 것이고, 상기 제 2 배기 분지관(113)의 내부 등 다른 부분에 설치될 수도 있다.The
상기 자외선 램프(192)가 발광하면, 상기 자외선 램프(192)에서 조사된 자외선이 상기 광촉매 코팅부(191)로 전달되고, 그에 따라 상기 광촉매 코팅부(191)의 상기 광촉매인 이산화티타늄이 활성 산소를 생성시켜, 상기 활성 산소에 의해 상기 유기화합물이 제거될 수 있게 된다.When the
한편, 상기 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조는 나노버블 분사 부재(195)를 더 포함할 수 있다.The organic compound decomposition removing structure for the substrate processing apparatus may further include a
상기 나노버블 분사 부재(195)는 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)와 연동되어 상기 유기화합물이 제거될 수 있도록, 상기 유기화합물이 실린 상기 기체의 유동되는 경로 상인 상기 제 2 배기 분지관(113)에 배치되어, 상기 기체에 실린 상기 유기화합물의 물리적 세정을 위한 나노버블(nano bubble)을 상기 제 2 배기 분지관(113)을 통해 유동되는 상기 기체로 분사해주는 것이다.The
예시적으로, 상기 나노버블 분사 부재(195)는 상기 제 2 배기 분지관(113) 상에서, 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)의 전단 또는 후단에 배치되어, 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)의 전단 또는 후단에서 상기 제 2 배기 분지관(113)을 통해 유동되는 상기 기체에 상기 나노버블을 분사해줄 수 있다.In exemplary embodiments, the
바람직하게는, 상기 나노버블 분사 부재(195)는 상기 제 2 배기 분지관(113) 상에서, 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)의 전단 및 후단에 모두 배치되어, 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)의 전단 및 후단 모두에서 상기 제 2 배기 분지관(113)을 통해 유동되는 상기 기체에 상기 나노버블을 분사해줄 수 있다.Preferably, the
도면 번호 196은 상기 나노버블 분사 부재(195)로 상기 나노버블이 포함된 분사액을 공급해주는 나노버블 공급 수단이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조가 적용된 상기 기판 처리 장치(100)의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, an operation of the
상기 척 부재(120)의 상기 척 핀(130, 140)에 상기 기판(10)이 지지되고 고정된 상태에서, 상기 척 회전 부재(125)가 작동되면, 상기 척 부재(120)와 상기 기판(10)이 회전하게 된다.When the
이러한 상태에서 상기 처리액 공급 부재(180)가 상기 처리액을 상기 기판(10) 상에 공급하면, 상기 처리액이 상기 기판(10) 상에서 스퍼터링되면서 상기 기판(10)에 대한 세정 등의 처리가 이루어진다.In this state, when the processing
상기 기판(10)에 대한 세정 등의 처리를 완료한 상기 처리액은 상기 바울(150)의 해당 바울에 환수된다.The processing liquid which has completed the processing such as cleaning of the
한편, 상기와 같은 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)에 대한 처리 과정 중에는, 상기 팬 필터 부재(105)에서 상기 기체가 상기 기판(10)을 향해 불어진다.On the other hand, during the processing of the
상기 기판(10)을 향해 불어진 상기 기체는 상기 기판(10)을 경유하면서 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)에 대한 처리 과정 중에 발생된 상기 유기화합물을 실어서 상기 배기 부재(114)를 통해 배출된다.The gas blown toward the
이러한 상기 기체의 배출 과정 중에, 상기 기체는 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)를 경유하게 되고, 그 과정에서 상기 기체에 실린 상기 유기화합물이 제거될 수 있게 된다.During the discharging of the gas, the gas passes through the organic compound decomposition removing member 190, and the organic compound contained in the gas may be removed in the process.
또한, 이러한 상기 유기화합물의 제거 과정 중에, 상기 나노버블 분사 부재(195)에 의해 상기 나노버블이 상기 기체로 분사됨으로써, 상기 기체에 실린 상기 유기화합물의 물리적 세정이 이루어져서, 상기 유기화합물의 제거가 촉진될 수있다.In addition, during the removal of the organic compound, the nanobubble is injected into the gas by the
상기와 같이, 상기 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조가 상기 유기화합물 분해 제거 부재(190)를 포함함에 따라, 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)에 대한 상기 처리액에 의한 처리 과정에서 발생되어, 상기 팬 필터 유닛(105)에 의해 상기 기판(10)으로 공급된 상기 기체에 실려오는 상기 유기화합물이 제거될 수 있게 된다.As described above, as the organic compound decomposition removing structure for the substrate processing apparatus includes the organic compound decomposition removing member 190, the treatment liquid with respect to the
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 제 1 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In carrying out this description, descriptions overlapping with those already described in the above-described first embodiment of the present invention will be replaced with the description thereof, and will be omitted herein.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조를 구성하는 유기화합물 분해 제거 부재의 구성을 보이는 도면이다.3 is a view showing the configuration of the organic compound decomposition removing member constituting the organic compound decomposition removing structure for the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 실시예에서는, 배기 부재, 상세히는 제 2 배기 분지관(213)이 일정 간격으로 단절된 부분을 가지고, 자외선 램프(292)는 상기 배기 부재, 여기서는 상기 제 2 배기 분지관(213)의 상기 단절된 부분에서 일정 거리 이격된 위치에 배치된다.Referring to Fig. 3, in this embodiment, the exhaust member, in detail, the second
또한, 본 실시예에서는, 유기화합물 분해 제거 부재가 광촉매 코팅부 및 상기 자외선 램프(292)와 함께, 배기측 인입 배관(293a), 배기측 인출 배관(293d), 제 1 분해 제거 연결 배관(293b), 제 2 분해 제거 연결 배관(293c), 제 1 투명 배관(294a), 제 2 투명 배관(294b) 및 제 3 투명 배관(294c)을 포함한다.In addition, in the present embodiment, the organic compound decomposition removing member includes, together with the photocatalyst coating portion and the
상기 배기측 인입 배관(293a)은 상기 배기 부재, 여기서는 상기 제 2 배기 분지관(213)의 상기 단절된 부분의 일 측단에 연결되되, 상기 배기 부재, 여기서는 상기 제 2 배기 분지관(213)의 상기 단절된 부분에서 상기 자외선 램프(292)를 향해 수직으로 굽혀지는 것이고, 스테인리스 등의 금속 재질로 이루어져서 불투명하다.The exhaust
상기 배기측 인출 배관(293d)은 상기 배기 부재, 여기서는 상기 제 2 배기 분지관(213)의 상기 단절된 부분의 타 측단에 연결되되, 상기 배기 부재, 여기서는 상기 제 2 배기 분지관(213)의 상기 단절된 부분에서 상기 자외선 램프(292)를 향해 수직으로 굽혀지고, 상기 배기측 인입 배관(293a)과 평행하게 배치되는 것이고, 스테인리스 등의 금속 재질로 이루어져서 불투명하다.The exhaust
상기 배기측 인출 배관(293d)은 상기 제 2 배기 분지관(213)의 상기 단절된 부분 중 후단, 즉 외부 배출 측(213a)과 연결된다.The exhaust
상기 제 1 분해 제거 연결 배관(293b)은 상기 자외선 램프(292)를 중심으로 상기 배기측 인입 배관(293a)으로부터 반시계 방향으로 120°회전된 위치에 배치되는 것이고, 형태로 꺾인 형태로 이루어지는 것이고, 스테인리스 등의 금속 재질로 이루어져서 불투명하다.The first
상기 제 2 분해 제거 연결 배관(293c)은 상기 자외선 램프(292)를 중심으로 상기 배기측 인출 배관(293d)으로부터 시계 방향으로 120°회전된 위치에 배치되는 것이고, 형태로 꺾인 형태로 이루어지는 것이고, 스테인리스 등의 금속 재질로 이루어져서 불투명하다.The second dissociation
여기서, 상기 반시계 방향과 상기 시계 방향은 상기 제 2 배기 분지관(213)의 상기 단절된 부분이 상측에 배치되고, 상기 자외선 램프(292)가 하측에 배치되었을 때, 상기 자외선 램프(292)에서 상기 제 2 배기 분지관(213)의 상기 단절된 부분을 향하는 방향을 12시 방향으로 하였을 때의 방향으로 정의된다.Here, in the counterclockwise direction and the clockwise direction, when the disconnected portion of the second
상기 제 1 투명 배관(294a)은 상기 배기측 인입 배관(293a)의 말단과 상기 제 1 분해 제거 연결 배관(293b)의 일 측단을 연결하되 투명 재질, 예를 들어 석영으로 이루어지는 것이다.The first transparent pipe 294a connects one end of the exhaust
상기 제 2 투명 배관(294b)은 상기 제 1 분해 제거 연결 배관(293b)의 타 측단과 상기 제 2 분해 제거 연결 배관(293c)의 일 측단을 연결하되 투명 재질, 예를 들어 석영으로 이루어지는 것이다.The second
상기 제 3 투명 배관(294c)은 상기 제 2 분해 제거 연결 배관(293c)의 타 측단과 상기 배기측 인출 배관(293d)의 말단을 연결하되 투명 재질, 예를 들어 석영으로 이루어지는 것이다.The third
상기 배기측 인입 배관(293a), 상기 제 1 투명 배관(294a), 상기 제 1 분해 제거 연결 배관(293b), 상기 제 2 투명 배관(294b), 상기 제 2 분해 제거 연결 배관(293c), 상기 제 3 투명 배관(294c) 및 상기 배기측 인출 배관(293d)은 순차적으로 서로 연통됨으로써, 상기 배기 부재를 통해 배기되는 상기 기체가 순차적으로 상기 배기측 인입 배관(293a), 상기 제 1 투명 배관(294a), 상기 제 1 분해 제거 연결 배관(293b), 상기 제 2 투명 배관(294b), 상기 제 2 분해 제거 연결 배관(293c), 상기 제 3 투명 배관(294c) 및 상기 배기측 인출 배관(293d)을 통해 유동된다.The exhaust
이러한 상기 기체의 유동 과정 중에, 상기 기체가 상기 배기측 인입 배관(293a), 상기 제 1 분해 제거 연결 배관(293b), 상기 제 2 분해 제거 연결 배관(293c) 및 상기 배기측 인출 배관(293d)을 통해 유동될 때에는, 상기 자외선 램프(292)에서 조사되는 자외선이 상기 기체에 도달되지 못하고 차단되고, 상기 기체가 상기 제 1 투명 배관(294a), 상기 제 2 투명 배관(294b) 및 상기 제 3 투명 배관(294c)을 통해 유동될 때에는, 상기 자외선 램프(292)에서 조사되는 자외선이 상기 기체에 도달된다.During the flow of the gas, the gas is supplied to the exhaust
상기 광촉매 코팅부는 상기 제 1 투명 배관(294a)의 내면에 배치되는 제 1 광촉매 코팅층(291a)과, 상기 제 2 투명 배관(294b)의 내면에 배치되는 제 2 광촉매 코팅층(291b)과, 상기 제 3 투명 배관(294c)의 내면에 배치되는 제 3 광촉매 코팅층(291c)을 포함한다.The photocatalyst coating part includes a first
본 실시예에서는, 상기 제 1 투명 배관(294a), 상기 제 2 투명 배관(294b) 및 상기 제 3 투명 배관(294c)이 상기 자외선 램프(292)를 중심으로 삼각형 형태로 서로 같은 각도, 즉 등각과 같은 거리, 즉 등거리에 배치되므로, 상기 자외선 램프(292)를 중심으로 상기 제 1 광촉매 코팅층(291a), 상기 제 2 광촉매 코팅층(291b) 및 상기 제 3 광촉매 코팅층(291c)은 서로 등각 및 등거리에 배치되어, 상기 배기 부재를 통한 상기 기체의 유동 과정 중에 상기 기체가 상기 제 1 투명 배관(294a), 상기 제 2 투명 배관(294b) 및 상기 제 3 투명 배관(294c)에서 각각 상기 제 1 광촉매 코팅층(291a), 상기 제 2 광촉매 코팅층(291b) 및 상기 제 3 광촉매 코팅층(291c)과 만나게 됨으로써, 단수 개의 상기 자외선 램프(292)에 의해서도, 세 번의 상기 유기화합물 제거가 이루어질 수 있게 된다.In the present exemplary embodiment, the first transparent pipe 294a, the second
한편, 본 실시예에서는, 나노버블 분사 부재가 상기 제 1 분해 제거 연결 배관(293b)으로 나노버블을 분사해주는 제 1 나노버블 분사체(295a)와, 상기 제 2 분해 제거 연결 배관(293c)으로 상기 나노버블을 분사해주는 제 2 나노버블 분사체(295b)를 포함한다.On the other hand, in the present embodiment, the nanobubble injection member is the
상기와 같이 구성되면, 상기 배기 부재를 통해 유동되는 상기 기체가 상기 제 1 투명 배관(294a)에서 상기 제 1 광촉매 코팅층(291a)과 만난 다음, 상기 제 1 분해 제거 연결 배관(293b)에서 상기 제 1 나노버블 분사체(295a)에서 분사된 상기 나노버블과 만난 후, 상기 제 2 투명 배관(294b)에서 상기 제 2 광촉매 코팅층(291b)과 만난 다음, 상기 제 2 분해 제거 연결 배관(293c)에서 상기 제 2 나노버블 분사체(295b)에서 분사된 상기 나노버블과 만난 후, 상기 제 3 투명 배관(294c)에서 상기 제 3 광촉매 코팅층(291c)과 만나게 되고, 그 과정에서 상기 기체에 실려있던 상기 유기화합물이 제거될 수 있게 된다.When configured as described above, the gas flowing through the exhaust member meets the first
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조가 적용된 기판 처리 장치의 일부를 확대한 도면이다.4 is an enlarged view of a portion of a substrate processing apparatus to which an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention is applied.
도 4를 참조하면, 본 실시예에서는, 유기화합물 분해 제거 부재를 구성하는 광촉매 코팅부(391)가 척 회전 수단(327)의 외부 케이스에 코팅되고, 상기 유기화합물 분해 제거 부재를 구성하는 자외선 램프(392)가 상기 척 회전 수단(327) 표면의 상기 광촉매 코팅부(391)를 향해 자외선을 조사한다.Referring to FIG. 4, in this embodiment, the
물론, 상기 유기화합물 분해 제거 부재는 상기와 같은 상기 척 회전 수단(327) 표면에 코팅된 상기 광촉매 코팅부(391) 및 상기 자외선 램프(392)와 함께, 상기된 제 1 실시예에서 제시된 배기 부재 상에 배치된 광촉매 코팅부 및 자외선 램프도 포함할 수 있다.Of course, the organic compound decomposition removing member, together with the
이 경우, 척 부재 상에 올려진 기판을 경유한 기체가 상기 척 회전 수단(327) 표면에 코팅된 상기 광촉매 코팅부(391) 및 상기 자외선 램프(392)에 의해 전처리되고, 상기된 제 1 실시예에서 제시된 배기 부재 상에 배치된 광촉매 코팅부 및 자외선 램프에 의해 후처리될 수 있게 된다.In this case, the gas passing through the substrate mounted on the chuck member is pretreated by the
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조가 적용된 기판 처리 장치의 일부를 확대한 도면이다.5 is an enlarged view of a portion of a substrate processing apparatus to which an organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention is applied.
도 5를 참조하면, 본 실시예에서는, 유기화합물 분해 제거 부재를 구성하는 광촉매 코팅부(491)가 배기 원관(411)의 내벽 표면에 코팅되고, 상기 유기화합물 분해 제거 부재를 구성하는 자외선 램프(492)가 상기 배기 원관(411)의 중앙부에 배치되어 상기 배기 원관(411)의 내벽 표면의 상기 광촉매 코팅부(391)를 향해 자외선을 조사한다.Referring to FIG. 5, in this embodiment, the
물론, 상기 유기화합물 분해 제거 부재는 상기와 같은 상기 배기 원관(411)의 내벽 표면에 코팅된 상기 광촉매 코팅부(491) 및 상기 자외선 램프(492)와 함께, 상기된 제 1 실시예에서 제시된 제 2 배기 분지관(413) 상에 배치된 광촉매 코팅부 및 자외선 램프도 포함할 수 있다.Of course, the organic compound decomposition removing member is combined with the
이 경우, 척 부재 상에 올려진 기판을 경유한 기체가 상기 배기 원관(411)의 내벽 표면에 코팅된 상기 광촉매 코팅부(491) 및 상기 자외선 램프(492)에 의해 전처리되고, 상기된 제 1 실시예에서 제시된 상기 제 2 배기 분지관(413) 상에 배치된 광촉매 코팅부 및 자외선 램프에 의해 후처리될 수 있게 된다.In this case, the gas passing through the substrate mounted on the chuck member is pretreated by the
상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.While the invention has been shown and described with respect to specific embodiments thereof, those skilled in the art can variously modify the invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. And that it can be changed. Nevertheless, it will be clearly understood that all such modifications and variations are included within the scope of the present invention.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조에 의하면, 기판에 대한 처리액에 의한 처리 과정에서 발생되어 팬 필터 유닛에 의해 상기 기판으로 공급된 기체에 실려오는 유기화합물이 제거될 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the organic compound decomposition removing structure for a substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention, the organic compound generated during the treatment by the processing liquid on the substrate and carried on the gas supplied to the substrate by the fan filter unit may be removed. As such, it is said that the industrial applicability is high.
100 : 기판 처리 장치
120 : 척 부재
150 : 바울
180 : 처리액 공급 부재
190 : 유기화합물 분해 제거 부재100: substrate processing apparatus
120: chuck member
150 Paul
180: treatment liquid supply member
190: organic compound decomposition elimination member
Claims (5)
상기 기판에 대한 상기 처리액에 의한 처리 과정에서 발생되는 유기화합물이 상기 팬 필터 부재에서 정화되어 상기 척 부재에 올려진 상기 기판으로 불어진 상기 기체에 실려오면, 상기 기체에 실려온 상기 유기화합물을 분해하여 제거하는 유기화합물 분해 제거 부재; 및
상기 유기화합물 분해 제거 부재와 연동되어 상기 유기화합물이 제거될 수 있도록, 상기 유기화합물이 실린 상기 기체의 유동되는 경로 상에 배치되어, 상기 기체에 실린 상기 유기화합물의 물리적 세정을 위한 나노버블(nano bubble)을 분사해주는 나노버블 분사 부재;를 포함하고,
상기 유기화합물 분해 제거 부재는
상기 유기화합물이 실린 상기 기체가 유동되는 경로 상에 배치되고, 광촉매가 코팅된 광촉매 코팅부와,
상기 광촉매 코팅부에 코팅된 상기 광촉매가 상기 유기화합물 제거를 위해 활성화될 수 있도록, 상기 광촉매 코팅부로 자외선을 조사하는 자외선 램프를 포함하고,
상기 배기 부재는 일정 간격으로 단절된 부분을 가지고,
상기 자외선 램프는 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분에서 일정 거리 이격된 위치에 배치되고,
상기 유기화합물 분해 제거 부재는
상기 배기 부재의 상기 단절된 부분의 일 측단에 연결되되 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분에서 상기 자외선 램프를 향해 수직으로 굽혀지는 배기측 인입 배관과,
상기 배기 부재의 상기 단절된 부분의 타 측단에 연결되되 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분에서 상기 자외선 램프를 향해 수직으로 굽혀지고 상기 배기측 인입 배관과 평행하게 배치되는 배기측 인출 배관과,
상기 자외선 램프를 중심으로 상기 배기측 인입 배관으로부터 반시계 방향으로 120°회전된 위치에 배치되는 제 1 분해 제거 연결 배관과,
상기 자외선 램프를 중심으로 상기 배기측 인출 배관으로부터 시계 방향으로 120°회전된 위치에 배치되는 제 2 분해 제거 연결 배관과,
(여기서, 상기 반시계 방향과 상기 시계 방향은 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분이 상측에 배치되고, 상기 자외선 램프가 하측에 배치되었을 때, 상기 자외선 램프에서 상기 배기 부재의 상기 단절된 부분을 향하는 방향을 12시 방향으로 하였을 때의 방향으로 정의됨.)
상기 배기측 인입 배관의 말단과 상기 제 1 분해 제거 연결 배관의 일 측단을 연결하되 투명 재질로 이루어지는 제 1 투명 배관과,
상기 제 1 분해 제거 연결 배관의 타 측단과 상기 제 2 분해 제거 연결 배관의 일 측단을 연결하되 투명 재질로 이루어지는 제 2 투명 배관과,
상기 제 2 분해 제거 연결 배관의 타 측단과 상기 배기측 인출 배관의 말단을 연결하되 투명 재질로 이루어지는 제 3 투명 배관을 포함하고,
상기 광촉매 코팅부는
상기 제 1 투명 배관의 내면에 배치되는 제 1 광촉매 코팅층과,
상기 제 2 투명 배관의 내면에 배치되는 제 2 광촉매 코팅층과,
상기 제 3 투명 배관의 내면에 배치되는 제 3 광촉매 코팅층을 포함하고,
상기 자외선 램프를 중심으로 상기 제 1 광촉매 코팅층, 상기 제 2 광촉매 코팅층 및 상기 제 3 광촉매 코팅층은 서로 등각 및 등거리에 배치되고,
상기 나노버블 분사 부재는
상기 제 1 분해 제거 연결 배관으로 나노버블을 분사해주는 제 1 나노버블 분사체와,
상기 제 2 분해 제거 연결 배관으로 나노버블을 분사해주는 제 2 나노버블 분사체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조.A chuck member on which a substrate is mounted, a processing liquid supply member for supplying a processing liquid toward the substrate mounted on the chuck member, a fan filter member for blowing gas purged onto the substrate mounted on the chuck member, and Applied to a substrate processing apparatus comprising an exhaust member which is exhausted from the fan filter member and blown into the substrate loaded on the chuck member,
When the organic compound generated during the treatment by the treatment liquid with respect to the substrate is loaded on the gas that is purified by the fan filter member and blown onto the substrate loaded on the chuck member, the organic compound carried on the gas is decomposed. Organic compound decomposition removal member to be removed; And
Nanobubbles for physical cleaning of the organic compounds carried in the gas are disposed on a flow path of the gas containing the organic compounds so that the organic compounds can be removed in association with the organic compound decomposition removing member. It includes; nanobubble injection member for injecting bubbles;
The organic compound decomposition removing member
A photocatalyst coating part disposed on a path through which the gas containing the organic compound flows and coated with a photocatalyst;
And an ultraviolet lamp for irradiating ultraviolet rays to the photocatalyst coating part so that the photocatalyst coated on the photocatalyst coating part can be activated to remove the organic compound.
The exhaust member has a portion cut off at regular intervals,
The ultraviolet lamp is disposed at a position spaced a predetermined distance from the disconnected portion of the exhaust member,
The organic compound decomposition removing member
An exhaust side inlet pipe connected to one side end of the disconnected portion of the exhaust member and bent vertically toward the ultraviolet lamp at the disconnected portion of the exhaust member;
An exhaust side drawing pipe connected to the other side end of the disconnected portion of the exhaust member and bent vertically toward the ultraviolet lamp at the disconnected portion of the exhaust member and disposed parallel to the exhaust side inlet pipe;
A first decomposition removal connecting pipe disposed at a position rotated 120 ° counterclockwise from the exhaust side inlet pipe about the ultraviolet lamp;
A second decomposition removal connecting pipe disposed at a position rotated 120 ° clockwise from the exhaust side drawing pipe about the ultraviolet lamp;
(Wherein the counterclockwise direction and the clockwise direction are directed toward the disconnected portion of the exhaust member in the ultraviolet lamp when the disconnected portion of the exhaust member is disposed above and the ultraviolet lamp is disposed below. It is defined as the direction at 12 o'clock.)
A first transparent pipe connected to one end of the exhaust side inlet pipe and one side end of the first dismantling connection pipe, and made of a transparent material;
A second transparent pipe connected to the other end of the first dismantling connection pipe and one side end of the second dismantling connection pipe and made of a transparent material;
A third transparent pipe made of a transparent material connecting the other side end of the second dismantling and removing pipe and the end of the exhaust side drawing pipe;
The photocatalyst coating part
A first photocatalyst coating layer disposed on an inner surface of the first transparent pipe,
A second photocatalyst coating layer disposed on an inner surface of the second transparent pipe;
A third photocatalyst coating layer disposed on an inner surface of the third transparent pipe,
The first photocatalyst coating layer, the second photocatalyst coating layer and the third photocatalyst coating layer are disposed at an equidistant and equidistant distance from each other with respect to the ultraviolet lamp,
The nanobubble injection member
A first nanobubble injector for injecting a nanobubble to the first decomposition removing connecting pipe;
And a second nanobubble injector for injecting a nanobubble into the second decomposition removal connection pipe.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180107853A KR102074223B1 (en) | 2018-09-10 | 2018-09-10 | Organic compounds decomposition and removal structure for wafer handling device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180107853A KR102074223B1 (en) | 2018-09-10 | 2018-09-10 | Organic compounds decomposition and removal structure for wafer handling device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR102074223B1 true KR102074223B1 (en) | 2020-02-07 |
Family
ID=69570058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180107853A KR102074223B1 (en) | 2018-09-10 | 2018-09-10 | Organic compounds decomposition and removal structure for wafer handling device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102074223B1 (en) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060077681A (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Ashing method and appartus using photocatalyst |
KR100654277B1 (en) * | 2005-06-29 | 2006-12-08 | (주)수도프리미엄엔지니어링 | Plasma discharge device |
KR20090126202A (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 | Microbubble generating device, microbubble generating method, and substrate processing device |
KR101680438B1 (en) | 2011-11-11 | 2016-11-28 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | Wafer surface-treatment method and surface-treatment liquid, and surface-treatment agent, surface-treatment liquid, and surface-treatment method for silicon-nitride-containing wafers |
KR101859387B1 (en) * | 2017-06-29 | 2018-05-21 | 비케이엠 주식회사 | Damper for exhaust of semiconductor manufacturing process |
KR20180079583A (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
-
2018
- 2018-09-10 KR KR1020180107853A patent/KR102074223B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060077681A (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Ashing method and appartus using photocatalyst |
KR100654277B1 (en) * | 2005-06-29 | 2006-12-08 | (주)수도프리미엄엔지니어링 | Plasma discharge device |
KR20090126202A (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 | Microbubble generating device, microbubble generating method, and substrate processing device |
KR101680438B1 (en) | 2011-11-11 | 2016-11-28 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | Wafer surface-treatment method and surface-treatment liquid, and surface-treatment agent, surface-treatment liquid, and surface-treatment method for silicon-nitride-containing wafers |
KR20180079583A (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
KR101859387B1 (en) * | 2017-06-29 | 2018-05-21 | 비케이엠 주식회사 | Damper for exhaust of semiconductor manufacturing process |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
등록특허 제 10-0290880호, 등록일자: 2001.03.07., 발명의 명칭: 웨이퍼(WAFER)상의유,무기화합물전처리(GATHERING)장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102133373B1 (en) | Method and hardware for cleaning uv chambers | |
US7422681B2 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR101828103B1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and non-transitory computer-readable storage medium | |
TWI638417B (en) | Bottom pump and purge and bottom ozone clean hardware to reduce fall-on particle defects | |
TW202030147A (en) | Generation apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing mehtod | |
CN1653595A (en) | Resist film removing apparatus, method of removing resist film, organic matter removing apparatus and method of removing organic matter | |
JP2008098128A (en) | Atmospheric pressure plasma generating and irradiating device | |
US10991603B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
EP1348483A1 (en) | Excimer uv photo reactor | |
KR102074223B1 (en) | Organic compounds decomposition and removal structure for wafer handling device | |
KR102218711B1 (en) | Dissolved ozone removal unit and Apparatus for treating a substrate including the unit, Method for treating a substrate | |
CN1653596A (en) | Resist removing apparatus and method of removing resist | |
KR20080024062A (en) | Excimer light irradiation apparatus | |
US20160340779A1 (en) | Radical Reactor With Inverted Orientation | |
TW201708987A (en) | Corpuscular beam apparatus and method for operating a corpuscular beam apparatus | |
JP5048552B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus | |
JP4798778B2 (en) | Apparatus and method for cleaning ultraviolet irradiation window | |
JP5354643B2 (en) | Dry cleaning apparatus and dry cleaning method | |
KR102316238B1 (en) | Apparatus And Method For Treating A Substrate | |
TW202033227A (en) | Gas treatment device | |
KR20170108272A (en) | Substrate disposition apparatus | |
KR20200141314A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102038459B1 (en) | Ashing apparatus | |
WO2019053981A1 (en) | Resist removal method and resist removal device | |
TWI729329B (en) | Treatment head, treatment system and method for treating a local surface area of a substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |