KR102038459B1 - Ashing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 엑시머 램프를 광원으로 사용하는 광조사 수단;　에싱 대상 기판을 고정하는 스테이지; 상기 스테이지를 내부에 구비한 에싱 챔버; 및 상기 에싱 챔버의 상부 내측면에 결합된 적어도 하나 이상의 가스분사노즐을 포함하며, 상기 가스분사노즐은, 내측면에 분배포켓이 형성된 본체;　상기 분배포켓의 하단으로부터 연장 형성되어 연결되는 복수 개의 처리가스 분사홀; 상기 복수 개의 처리가스 분사홀의 끝단에서 상기 광조사 수단 방향으로 경사지게 하측으로 절곡되며, 절곡된 부분이 본체를 관통하는 슬롯 형상을 가진 처리가스 분사구; 및 상기 분배포켓과 연통되는 하나 이상의 처리가스 공급홀을 구비하며 상기 본체의 상면에 결합되는 덮개를 포함함으로써, 기판 상부의 처리가스 농도를 일정하게 유지할 수 있으므로, 균일한 에싱 및 우수한 웨이퍼 처리량 효과를 제공하여 공정 효율을 향상시킬 수 있는 에싱 장치를 제공한다.The present invention, light irradiation means using an excimer lamp as a light source; A stage for fixing the substrate to be ashed; An ashing chamber having the stage therein; And at least one gas injection nozzle coupled to an upper inner surface of the ashing chamber, wherein the gas injection nozzle comprises: a body having a distribution pocket formed on an inner surface thereof; A plurality of processing gas injection holes formed extending from a lower end of the distribution pocket; A process gas injection hole bent downward from an end of the plurality of process gas injection holes to be inclined in the direction of the light irradiation means and having a slot shape through which the bent portion passes through the main body; And a cover having one or more process gas supply holes communicating with the distribution pocket and coupled to the upper surface of the main body, so that the process gas concentration on the upper part of the substrate can be kept constant, thereby providing uniform ashing and excellent wafer throughput effects. The present invention provides an ashing apparatus capable of improving process efficiency.

Figure 112019029996098-pat00001
Figure 112019029996098-pat00001

Description

에싱 장치{ASHING APPARATUS}Ashing device {ASHING APPARATUS}

본 발명은 에싱 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 상에 형성된 레지스트를 에싱하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ashing apparatus, and more particularly, to an apparatus for ashing a resist formed on a wafer.

일반적으로 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 회로 패턴을 형성하도록 박막을 순차적으로 적층하는 과정을 반복함으로써 제조되며, 박막의 형성 및 적층을 위해서는 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다.Generally, a semiconductor device is manufactured by repeating a process of sequentially stacking thin films to form a predetermined circuit pattern on a silicon wafer, and for forming and stacking thin films, a plurality of unit processes such as a deposition process, a photo process, and an etching process are performed. Must be repeated.

이러한 다수의 단위 공정들 중 사진 공정은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 공정으로서, 감광액 도포(Coating) 공정, 노광(Exposuring) 공정 및 현상(Developing) 공정 등으로 이루어진다. 그리고 현상 공정에 의해 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 이용하여 웨이퍼의 최상단층을 식각(Etching)한 후, 웨이퍼 상에 남아있는 감광막 층을 제거하는 에싱(Ashing) 공정을 진행함으로써 패턴에 따른 소자의 형성이 가능하게 된다.Among these many unit processes, a photo process is a process for forming a pattern on a wafer, and includes a photoresist coating process, an exposure process, and a developing process. After etching the uppermost layer of the wafer using the pattern formed on the wafer by the developing process, an ashing process of removing the photoresist layer remaining on the wafer is performed to form the device according to the pattern. It becomes possible.

에싱 공정을 수행하는 장치로는 플라즈마 에싱 장치가 일반적으로 사용되고 있으며, 이는 공정 가스를 챔버 내에 공급하고 마이크로 웨이브 또는 고주파 전원 등을 인가하여 웨이퍼의 상부에 플라즈마를 형성시켜 웨이퍼에 도포된 감광막 층을 제거하는 장치이며, 에싱 공정 중 생성되는 반응 부산물은 챔버의 일 측에 구비된 펌핑 포트를 통해 외부로 배출된다.Plasma ashing apparatus is generally used as the apparatus for performing the ashing process, which supplies a process gas into the chamber and applies a microwave or high frequency power to form a plasma on the wafer to remove the photoresist layer applied to the wafer. The reaction by-products generated during the ashing process are discharged to the outside through the pumping port provided on one side of the chamber.

그러나, 플라즈마를 이용한 에싱공정은 에싱 중 일부의 축적전하 전류가 얇아진 포토레지스트(Phtoresist; PR)을 뚫고, 하지 도체 막에 전달되어 쌓이면 그 밑에 있는 게이트 산화막을 파괴할 수 있다는 단점을 갖는다. 또한, PR없이 웨이퍼가 플라스마에 노출되면 에싱으로부터 더 심각한 손상을 발생할 있다는 단점도 갖는다.However, the ashing process using plasma has a disadvantage in that a portion of the accumulated charge current during the ashing penetrates through a thinned photoresist (PR) and is transferred to and accumulated in the underlying conductor film, thereby destroying the gate oxide film underneath. It also has the disadvantage that exposure of the wafer to plasma without PR results in more serious damage from ashing.

또한, 종래의 플라즈마 에싱 장치로는 웨이퍼 상부에 형성된 플라즈마 밀도의 불균형 등에 의해 웨이퍼 상에 도포된 감광액이 국부적으로 제거되지 못하여, 감광액 제거의 균일도가 떨어지는 등 에싱 효율이 좋지 않은 문제가 있었다.In addition, in the conventional plasma ashing apparatus, the photoresist applied on the wafer cannot be removed locally due to an imbalance in the plasma density formed on the wafer, resulting in poor ashing efficiency such as poor uniformity of photoresist removal.

대한민국 등록특허 제 10-0750828Republic of Korea Patent No. 10-0750828

본 발명은 에싱 공정시 기판 상부의 처리가스 농도를 일정하게 유지함으로써 균일한 에싱 및 웨이퍼 처리량 향상을 가능하게 하는 에싱 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an ashing apparatus which enables uniform ashing and wafer throughput improvement by maintaining a constant process gas concentration on the substrate during an ashing process.

또한, 본 발명은 엑시머램프의 VUV를 사용하면서, 경제성, 조도 균일성 및 웨이퍼 처리량을 향상시킬 수 있는 에싱 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an ashing apparatus capable of improving economic efficiency, roughness uniformity and wafer throughput while using VUV of an excimer lamp.

본 발명은, 엑시머 램프를 광원으로 사용하는 광조사 수단;　에싱 대상 기판을 고정하는 스테이지; 상기 스테이지를 내부에 구비한 에싱 챔버; 및 상기 에싱 챔버의 상부 내측면에 결합된 적어도 하나 이상의 가스분사노즐을 포함하며, 상기 가스분사노즐은, 내측면에 분배포켓이 형성된 본체;　상기 분배포켓의 하단으로부터 연장 형성되어 연결되는 복수 개의 처리가스 분사홀; 상기 복수 개의 처리가스 분사홀의 끝단에서 상기 광조사 수단 방향으로 경사지게 하측으로 절곡된 형상을 가지며, 절곡된 부분이 본체를 관통하는 슬럿 형상을 가진 처리가스 분사구; 및 상기 분배포켓과 연통되는 하나 이상의 처리가스 공급홀을 구비하며 상기 본체의 상면에 결합되는 덮개;를 포함하는 에싱 장치를 제공한다.The present invention, light irradiation means using an excimer lamp as a light source; A stage for fixing the substrate to be ashed; An ashing chamber having the stage therein; And at least one gas injection nozzle coupled to an upper inner surface of the ashing chamber, wherein the gas injection nozzle comprises: a body having a distribution pocket formed on an inner surface thereof; A plurality of processing gas injection holes formed extending from a lower end of the distribution pocket; A process gas injection hole having a shape bent downward from an end of the plurality of process gas injection holes to be inclined toward the light irradiation means and having a slot shape where the bent portion passes through the main body; And a cover having one or more process gas supply holes communicating with the distribution pocket and coupled to an upper surface of the main body.

예시적인 실시예들에 있어서, 본 발명의 에싱 장치는 상기 광조사 수단을 사이에 두고 가스분사노즐과 대향되게 배치되는 적어도 하나 이상의 배기부를 더 포함할 수 있다.In exemplary embodiments, the ashing apparatus of the present invention may further include at least one exhaust portion disposed to face the gas injection nozzle with the light irradiation means therebetween.

상기 적어도 하나 이상의 배기부는 가스분사노즐 구조와 대칭되는 구조로 이루어질 수 있다.The at least one exhaust unit may have a structure symmetrical with the gas injection nozzle structure.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수 개의 처리가스 분사홀은 상기 분배포켓의 길이방향을 따라 일정한 간격을 두고 일렬로 배치될 수 있다.In example embodiments, the plurality of process gas injection holes may be arranged in a line at regular intervals along the longitudinal direction of the distribution pocket.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수 개의 처리가스 분사홀은 각각 독립적으로 서로 상이하거나 동일한 직경 및 형상을 가질 수 있다.In example embodiments, each of the plurality of process gas injection holes may have a diameter or a shape different from or different from each other independently.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 가스분사노즐은 처리가스 공급홀과 연결되어 분배포켓에 처리가스를 공급하는 제1 처리가스 공급라인을 구비할 수 있다.In example embodiments, the gas injection nozzle may include a first process gas supply line connected to the process gas supply hole and supply the process gas to the distribution pocket.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 에싱 챔버의 내부에 구비되어 상기 광조사 수단을 중심으로 상기 스테이지를 왕복 이송시키는 스테이지 왕복 이송 수단을 더 포함할 수 있다.In example embodiments, the apparatus may further include a stage reciprocating transfer means provided in the ashing chamber to reciprocally transfer the stage about the light irradiation means.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 스테이지의 외주에는 처리가스 공급부가 형성되며, 상기 처리가스 공급부는 처리가스가 상기 스테이지의 상부면에 형성된 에싱 대상 기판 고정부의 직상방에 위치하는 공간을 향하여 분사되도록 설치된 처리가스 분출구를 포함할 수 있다.In example embodiments, a processing gas supply part may be formed at an outer circumference of the stage, and the processing gas supply part may be injected toward a space located directly above the ashing target substrate fixed part formed on the upper surface of the stage. It may include a treatment gas outlet is installed.

상기 처리가스 공급부는, 상기 처리가스 분출구에 처리가스를 공급하는 제2 처리가스 공급라인을 구비할 수 있다.The process gas supply unit may include a second process gas supply line configured to supply a process gas to the process gas outlet.

상기 처리가스 분출구는, 연속된 고리 형태의 슬릿 구조를 가지도록 형성될 수 있다.The treatment gas outlet may be formed to have a slit structure of a continuous ring shape.

상기 슬릿 구조는, 외주면에 경사면을 포함하는 내부구조물과 상기 경사면에 간격을 두고 결합된 고리형의 외부구조물에 의하여 형성될 수 있다.The slit structure may be formed by an inner structure including an inclined surface on an outer circumferential surface and an annular outer structure coupled to the inclined surface at intervals.

일부 실시예에 있어서, 상기 제2 처리가스 공급라인 중 처리가스 분출구와 연결되는 공급라인 부분에는 처리가스 분출구에 처리가스를 균일하게 공급할 수 있도록 처리가스 분출구보다 넓은 공간으로 형성된 제1 피드챔버가 형성될 수 있다.In some embodiments, a first feed chamber is formed at a portion of the second process gas supply line connected to the process gas outlet so that the process gas outlet has a larger space than the process gas outlet so as to uniformly supply the process gas to the process gas outlet. Can be.

상기 제2 처리가스 공급라인 중 슬릿과 연결되는 공급라인 부분에는 슬릿에 처리가스를 균일하게 공급할 수 있도록 슬릿보다 넓은 공간으로 형성된 연속된 고리형태의 제2 피드챔버가 형성될 수 있다.A second feed chamber of a continuous loop shape formed in a wider space than the slit may be formed in the supply line portion connected to the slit of the second processing gas supply line to uniformly supply the processing gas to the slit.

일부 실시예에 있어서, 상기 처리가스 공급라인은 스테이지의 일부를 구성하며 상부면에 처리가스 공급구로부터 공급된 처리가스를 처리가스 분출구로 분배하는 처리가스 공급 분배홈이 형성된 처리가스 분배판이 스테이지 본체에 결합되어 형성되는 것일 수 있다.In some embodiments, the process gas supply line constitutes a part of the stage and has a process gas distribution plate having a process gas supply distribution groove formed thereon, the process gas supply distribution groove configured to distribute the process gas supplied from the process gas supply port to the process gas outlet. It may be combined to be formed.

상기 처리가스 분배판의 처리가스 공급 분배홈은 겹치지 않게 2개 이상의 동심원 형태로 형성된 제1 처리가스 공급 분배홈과 처리가스 공급구로부터 출발하여 방사형으로 퍼져나가면서 제1 처리가스 공급 분배홈에 연결되는 제2 처리가스 공급 분배홈 및 상기 제1 처리가스 공급 분배홈 간을 연결하는 제3 처리가스 공급 분배홈을 포함할 수 있다.The processing gas supply distribution groove of the processing gas distribution plate is connected to the first processing gas supply distribution groove while radially spreading from the first processing gas supply distribution groove and the processing gas supply port formed in two or more concentric circles without overlapping. And a third processing gas supply distribution groove which connects the second processing gas supply distribution groove and the first processing gas supply distribution groove.

상기 스테이지의 에싱 대상 기판 고정부와 처리가스 분배판 사이에 에싱 대상 기판의 온도를 제어하는 히팅플레이트가 구비될 수 있다.A heating plate for controlling the temperature of the substrate to be ashed may be provided between the substrate to be fixed to the stage and the process gas distribution plate.

본 발명의 실시예들에서 사용하는 에칭 대상 기판은 웨이퍼 및 사각 패널 일 수 있다.The substrate to be etched in embodiments of the present invention may be a wafer and a square panel.

본 발명의 에싱 장치는 에싱 챔버 내부에 형성된 가스분사노즐에 의하여 균일한 처리가스 분사 성능을 제공하는 것이 가능하므로, 에싱 공정시 처리가스를 균일하게 분포시켜 기판 상부의 처리가스 농도를 일정하게 유지할 수 있다. 이로써, 본 발명의 에싱 장치는 균일한 에싱 및 우수한 웨이퍼 처리량 효과를 제공하여 공정 효율을 향상시킬 수 있다.Since the ashing apparatus of the present invention can provide uniform processing gas injection performance by the gas injection nozzle formed in the ashing chamber, it is possible to uniformly distribute the processing gas during the ashing process so that the concentration of the processing gas on the substrate is kept constant. have. As such, the ashing apparatus of the present invention can provide uniform ashing and excellent wafer throughput effects to improve process efficiency.

또한, 본 발명의 에싱 장치는 엑시머램프의 VUV를 사용하며 경제성, 조도 균일성 및 처리량이 우수한 에싱 장치를 제공한다. In addition, the ashing apparatus of the present invention uses an VUV of an excimer lamp and provides an ashing apparatus having excellent economic efficiency, roughness uniformity and throughput.

예컨데, 본 발명의 에싱 장치는 스테이지 왕복 이송수단을 채용함으로써, 고가인 엑시머 램프를 여러 개 사용하지 않으면서도 조도 균일성을 충분히 충족시킬 수 있다. 따라서, 우수한 경제성, 우수한 처리량 및 균일한 에싱 효과를 제공할 수 있다.For example, the ashing apparatus of the present invention can sufficiently satisfy the illuminance uniformity without using a plurality of expensive excimer lamps by employing a stage reciprocating conveying means. Thus, it is possible to provide excellent economy, good throughput and uniform ashing effect.

또한, 본 발명의 에싱 장치는 종래의 플라즈마 에싱 장치에 의한 에싱 공정에서 얇아진 포토레지스트(Phtoresist; PR)을 뚫고 하지 도체막에 전달되어 쌓이면서 그 밑에 있는 게이트 산화막을 파괴하는 문제를 해결할 수 있다. 예컨데, 본 발명의 에싱 장치에서 엑시머 램프에 의하여 엑시머 광을 조사하면 처리가스에 포함된 산소가 분해되면서 산소 라디컬과 오존을 발생시키며, 발생된 산소 라디컬과 오존이 유기물인 포토레지스트(Phtoresist; PR)를 분해하므로, 플라즈마 에싱 장치가 가지는 에싱 데미지 문제를 해결 할 수 있다.In addition, the ashing device of the present invention can solve the problem of destroying the gate oxide film underneath while passing through the thinned photoresist (Phtoresist PR) in the ashing process by the conventional plasma ashing device and deposited on the underlying conductor film. For example, when the excimer light is irradiated by the excimer lamp in the ashing device of the present invention, oxygen radicals and ozone are generated as oxygen included in the processing gas is decomposed, and the generated oxygen radicals and ozone are organic photoresists (Phtoresist; By dissolving PR), the ashing damage problem of the plasma ashing device can be solved.

도 1 은 본 발명의 일 실시예에 의한 에싱 장치를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 가스분사노즐을 위에서 본 개략적인 사시도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 가스분사노즐을 세부적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 가스분사노즐의 본체를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 의한 에싱 장치의 스테이지를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 의한 에싱 장치의 스테이지를 나타내는 분해사시도 이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 에싱 장치의 스테이지를 나타내는 단면도이다.
도 9은 본 발명의 일 실시예에 의한 에싱 장치의 스테이지 외주부를 확대한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 에싱 장치의 스테이지에 포함되는 처리가스 분배판을 나타내는 평면도이다.1 is a schematic perspective view showing an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic perspective view from above of a gas injection nozzle according to an embodiment of the present invention.
3 and 4 are views showing in detail the gas injection nozzle according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic perspective view showing a main body of a gas injection nozzle according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram illustrating a stage of an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is an exploded perspective view showing a stage of an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view showing a stage of an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention.
9 is an enlarged cross-sectional view of a stage outer periphery of an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention.
10 is a plan view illustrating a process gas distribution plate included in a stage of an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명은, 엑시머 램프를 광원으로 사용하는 광조사 수단;　에싱 대상 기판을 고정하는 스테이지; 상기 스테이지를 내부에 구비한 에싱 챔버; 및 상기 에싱 챔버의 상부 내측면에 결합된 적어도 하나 이상의 가스분사노즐을 포함하며, 상기 가스분사노즐은, 내측면에 분배포켓이 형성된 본체;　상기 분배포켓의 하단으로부터 연장 형성되어 연결되는 복수 개의 처리가스 분사홀; 상기 복수 개의 처리가스 분사홀의 끝단에서 상기 광조사 수단 방향으로 경사지게 하측으로 절곡되며, 절곡된 부분이 본체를 관통하는 슬롯 형상을 가진 처리가스 분사구; 및 상기 분배포켓과 연통되는 하나 이상의 처리가스 공급홀을 구비하며 상기 본체의 상면에 결합되는 덮개를 포함함으로써, 기판 상부의 처리가스 농도를 일정하게 유지할 수 있으므로, 균일한 에싱 및 우수한 웨이퍼 처리량 효과를 제공하여 공정 효율을 향상시킬 수 있는 에싱 장치를 제공한다.The present invention, light irradiation means using an excimer lamp as a light source; A stage for fixing the substrate to be ashed; An ashing chamber having the stage therein; And at least one gas injection nozzle coupled to an upper inner surface of the ashing chamber, wherein the gas injection nozzle comprises: a body having a distribution pocket formed on an inner surface thereof; A plurality of processing gas injection holes formed extending from a lower end of the distribution pocket; A process gas injection hole bent downward from an end of the plurality of process gas injection holes to be inclined in the direction of the light irradiation means and having a slot shape through which the bent portion passes through the main body; And a cover having one or more process gas supply holes communicating with the distribution pocket and coupled to the upper surface of the main body, so that the process gas concentration on the upper part of the substrate can be kept constant, thereby providing uniform ashing and excellent wafer throughput effects. The present invention provides an ashing apparatus capable of improving process efficiency.

이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following drawings attached to the present specification are intended to illustrate preferred embodiments of the present invention, and together with the contents of the present invention serves to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention described in such drawings It should not be construed as limited to matters.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 에싱 장치를 나타내는 개략적인 사시도 이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 가스분사노즐을 위에서 본 개략적인 사시도이며, 도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 가스분사노즐을 세부적으로 나타낸 도면이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 가스분사노즐의 본체를 나타내는 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view showing an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a schematic perspective view from above of a gas injection nozzle according to an embodiment of the present invention, Figures 3 and 4 the present invention 5 is a view showing in detail a gas injection nozzle according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a schematic perspective view showing a main body of the gas injection nozzle according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 에싱 장치는 광조사 수단(10), 스테이지(20), 가스분사노즐(30) 및 에싱 챔버(40)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the ashing apparatus of the present invention includes a light irradiation means 10, a stage 20, a gas injection nozzle 30, and an ashing chamber 40.

광조사 수단(10)은 광원으로 플라즈마를 대신하여 진공 자외선 램프인 엑시머 램프를 사용하여 에싱을 실시한다.The light irradiating means 10 performs ashing using an excimer lamp, which is a vacuum ultraviolet lamp, in place of the plasma as a light source.

상기 엑스머 램프는 상자형의 램프 하우스에 수용될 수 있으며, 그 내부는 질소로 치환될 수 있다. 상기 램프 하우스의 하면에는 광조사 창(12)이 설치되며, 광조사 창(12)은 엑시머 램프가 에싱 챔버(40)로 진공 자외선 광을 조사하면 엑시머 램프로부터 발생되는 진공 자외선 광을 투과시켜 스테이지(20) 상에 위치하는 에싱 대상 기판에 진공 자외선 광이 도달되도록 할 수 있다. 상기 광조사 창(12)으로는 석영 창 등이 채용될 수 있다.The xmer lamp may be housed in a box-shaped lamp house, the inside of which may be replaced with nitrogen. A light irradiation window 12 is installed on a lower surface of the lamp house, and the light irradiation window 12 transmits the vacuum ultraviolet light generated from the excimer lamp when the excimer lamp irradiates the vacuum ultraviolet light to the ashing chamber 40. The vacuum ultraviolet light can be reached to the ashing target substrate located on the (20). The light irradiation window 12 may be a quartz window or the like.

일부 실시예에 있어서, 크세논을 동봉한 엑시머 램프를 광원으로 사용할 경우, 파장 172nm를 중심으로 한 피크를 가진 진공 자외선 광을 조사할 수 있다. 200nm이하 파장대의 광은 산소중에서 감쇠하는 성질을 가지고 있으므로, 처리 공간을 예컨대 질소 등의 불활성가스로 치환할 필요가 있다. 이러한 이유로, 광조사 수단(10)의 램프 하우스는 내부의 기밀이 유지되도록 할 필요가 있다.In some embodiments, when using an excimer lamp enclosed with xenon as a light source, vacuum ultraviolet light having a peak centered at a wavelength of 172 nm may be irradiated. Since light in the wavelength range of 200 nm or less has the property of attenuating in oxygen, it is necessary to replace the processing space with an inert gas such as nitrogen. For this reason, it is necessary for the lamp house of the light irradiation means 10 to be kept airtight inside.

스테이지(20)는 에싱 챔버(40)의 내부에 구비되어 에싱 대상 기판을 고정한다. 스테이지(20)는 에싱 대상 기판 상에 광조사 수단(10)의 엑시머 램프에서 조사된 진공 자외선 광이 원활하게 도달되도록 광조사 창(12)의 하측에 위치하며, 구체적으로, 에싱 대상 기판과 광조사 창(12)과의 사이에 공간을 형성하며 광조사 창(12)의 하측에 위치 할 수 있다.The stage 20 is provided inside the ashing chamber 40 to fix the substrate to be ashed. The stage 20 is positioned below the light irradiation window 12 to smoothly reach the vacuum ultraviolet light emitted from the excimer lamp of the light irradiation means 10 on the substrate to be ashed, specifically, the substrate to be ashed and the light. It forms a space between the irradiation window 12 and may be located below the light irradiation window 12.

가스분사노즐(30)은 에싱 대상 기판 상부 공간에 처리가스를 분사하기 위한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 에싱 챔버(40)의 상부 내측면에 결합된다. 필요에 따라, 가스분사노즐은 (30)은 본 발명의 에칭 장치에 적어도 하나 이상 설치될 수 있으며, 바람직하게는, 5개 이하로 설치될 수 있다.The gas injection nozzle 30 is for injecting the processing gas into the upper space of the substrate to be ashed, and as shown in FIG. 1, is coupled to the upper inner surface of the ashing chamber 40. If necessary, at least one gas injection nozzle 30 may be installed in the etching apparatus of the present invention, and preferably, five or less may be installed.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 가스분사노즐(30)은 본체(31), 분배포켓(32), 처리가스 분사홀(33), 처리가스 분사구(34) 및 덮개(35)를 포함한다. 2 to 5, the gas injection nozzle 30 of the present invention includes a main body 31, a distribution pocket 32, a processing gas injection hole 33, a processing gas injection hole 34, and a cover 35. Include.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 가스분사노즐(30)의 본체(31)에는 내측면에 상부가 개방된 상태로 처리가스가 유입되는 공간을 구비한 분배포켓(32)이 형성된다. 분배포켓(32)은 내부로 유입된 처리가스를 모아 압력을 상승시켜 처리가스가 처리가스 분사홀(33)을 거쳐 원활하게 분사되게 하는 기능을 수행할 수 있다. 이 경우, 분배포켓(32)에서 처리가스가 외부로 유출되는 것을 방지하기 위해 본체(31)에 상면에 덮개(35)가 결합될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the main body 31 of the gas injection nozzle 30 is formed with a distribution pocket 32 having a space in which the processing gas flows in the open state on the inner side. The distribution pocket 32 may increase the pressure by collecting the processing gas introduced therein and may perform a function of smoothly injecting the processing gas through the processing gas injection hole 33. In this case, the cover 35 may be coupled to the upper surface of the main body 31 to prevent the processing gas from flowing out of the distribution pocket 32.

분배포켓(32)은 처리가스의 압력을 상승시켜 처리가스 분사홀(33)로 원활한 분사를 가능케 하는 것이라면 그 형상 및 크기는 특별히 제한되지는 않으나, 도 2 내지 도 4에 예시된 바와 같이, 처리가스 분사홀(33)의 부피 및/또는 면적보다 크게 형성되며, 본체(31)의 단축을 기준으로 단면이 반구 형상일 수 있다.The distribution pocket 32 is not particularly limited in shape and size as long as it increases the pressure of the processing gas to enable smooth injection into the processing gas injection hole 33. However, as illustrated in FIGS. It is formed larger than the volume and / or area of the gas injection hole 33, the cross section may be a hemispherical shape based on the short axis of the main body 31.

처리가스 분사홀(33)은 분배포켓(32)의 하단으로부터 연장 형성되어 연결되며 복수 개로 구성된다. 처리가스 분사홀(33)은 분배포켓(32)으로부터 유입된 처리가스를 처리가스 분사구(34)로 전달하여 분배포켓(32)과 처리가스 분사구(34)를 연결하는 중간 통로 역할을 할 수 있다.Process gas injection hole 33 is formed extending from the lower end of the distribution pocket 32, it is composed of a plurality. The processing gas injection hole 33 may serve as an intermediate passage connecting the distribution pocket 32 and the processing gas injection hole 34 by transferring the processing gas introduced from the distribution pocket 32 to the processing gas injection hole 34. .

일부 실시예에 있어서, 복수 개로 구성된 처리가스 분사홀(33)은 가스분사노즐(30)의 본체(31)에 형성된 분배포켓(32)의 길이방향을 따라 일정한 간격을 두고 일렬로 배치될 수 있다.In some embodiments, the plurality of process gas injection holes 33 may be arranged in a row at regular intervals along the longitudinal direction of the distribution pocket 32 formed in the main body 31 of the gas injection nozzle 30. .

또한, 상기 복수 개로 구성된 처리가스 분사홀(33)은 분배포켓(32)이 처리가스의 압력을 상승시켜 처리가스 분사홀(33)로 처리가스를 유입시킬 수 있도록 충분히 작은 크기로 형성되는 것이라면, 그 형상이 특별히 제한되지 않으며, 각각의 처리가스 분사홀이 서로 독립적으로 동일하거나 상이한 직경 및 형상을 가질 수도 있다.In addition, if the plurality of process gas injection hole 33 is formed of a size small enough to allow the distribution pocket 32 to increase the pressure of the process gas to flow the process gas into the process gas injection hole 33, The shape thereof is not particularly limited, and each processing gas injection hole may have the same or different diameter and shape independently of each other.

예를 들면, 크기 및/또는 형상이 상이한 각각의 처리가스 분사홀이 교호로 배치될 수 있으며, 동일한 크기 및/또는 형상을 가진 처리가스 분사홀이 일정한 간격으로 배치될 수도 있다.For example, process gas injection holes having different sizes and / or shapes may be alternately arranged, and process gas injection holes having the same size and / or shape may be arranged at regular intervals.

도 3 및 도 4를 참조하면, 처리가스 분사구(34)는 상기 복수 개의 처리가스 분사홀(33)과 연결되며, 각각의 처리가스 분사홀(33)의 끝단에서 광조사 수단(10) 방향으로 경사지게 하측으로 절곡되며, 절곡된 부분이 본체(31)를 관통하는 슬롯(slot) 형상을 가진다.3 and 4, the processing gas injection hole 34 is connected to the plurality of processing gas injection holes 33, and is directed toward the light irradiation means 10 at the end of each processing gas injection hole 33. It is bent downwardly inclined, and the bent portion has a slot shape passing through the main body 31.

상기 구조의 처리가스 분사구(34)는 분배포켓(32)이 처리가스의 압력을 상승시켜 분사한 처리가스를 처리가스 분사홀(33)을 통해 전달받아, 상기 처리가스를 에싱 대상 기판 상에 넓은 면적으로 균일하게 확산시키므로, 에싱 대상 기판 상부로의 균일한 가스분사가 가능하다. The processing gas injection hole 34 of the structure receives the processing gas injected by the distribution pocket 32 by increasing the pressure of the processing gas through the processing gas injection hole 33, and the processing gas is widened on the substrate to be ashed. Since the area is uniformly diffused, a uniform gas injection onto the substrate to be ashed is possible.

덮개(35)는 본체(31)의 상면에 결합되어 개방된 분배포켓(32)의 상부를 감싸 분배포켓(32)에 유입된 처리가스가 외부로 빠져나가지 않게 하여 처리가스의 압력이 상승되도록 한다. 이때, 처리가스는 덮개(35)에 구비되어 분배포켓(32)과 연통되는 처리가스 공급홀(36)을 통해 분배포켓(32)으로 유입된다. The cover 35 is coupled to the upper surface of the main body 31 to surround the upper portion of the distribution pocket 32 opened so that the processing gas introduced into the distribution pocket 32 does not escape to the outside so that the pressure of the processing gas is increased. . At this time, the processing gas is provided in the cover 35 and flows into the distribution pocket 32 through the processing gas supply hole 36 communicating with the distribution pocket 32.

덮개(35)는 필요에 따라 선택적으로 하나 이상의 처리가스 공급홀(36)을 구비할 수 있다.The cover 35 may optionally include one or more process gas supply holes 36 as needed.

일부 실시예에 있어서, 본체(31)와 덮개(35)는 일체형 구조로 형성되는 것도 가능하며, 도 2 및 도 5를 참조하면, 본체(31)에 형성된 결합홈(31a)과 덮개(35)에 형성된 결합홈(35a)이 맞물리도록 하여 이 분야서 통상적으로 사용되는 결합부재(예를 들어, 볼트와 너트 등)를 통해 결합시킬 수 있다.In some embodiments, the main body 31 and the cover 35 may be formed in an integrated structure. Referring to FIGS. 2 and 5, the coupling groove 31a and the cover 35 formed in the main body 31 may be used. Coupling groove (35a) formed in the engagement can be coupled through a coupling member (for example, bolts and nuts, etc.) commonly used in this field.

본 발명의 일 실시예에 따른 가스분사노즐(30)은 상기 하나 이상의 처리가스 공급홀(36)과 연결되는 제1 처리가스 공급라인(미도시)을 구비하여, 분배포켓(32)으로 처리가스를 공급할 수 있다.Gas injection nozzle 30 according to an embodiment of the present invention is provided with a first processing gas supply line (not shown) connected to the one or more processing gas supply holes 36, the processing gas to the distribution pocket 32 Can be supplied.

상기 제1 처리가스 공급라인은 본 발명의 에싱 장치의 외부에 마련된 별도의 처리가스 보관수단(미도시)과 연결되어 상기 처리가스 보관수단으로부터 처리가스를 공급받을 수 있다.The first process gas supply line may be connected to a separate process gas storage means (not shown) provided outside the ashing apparatus of the present invention to receive the process gas from the process gas storage means.

본 발명의 에싱 장치는 상술한 가스분사노즐(30)을 포함함으로써, 기판 상부의 처리가스 농도를 일정하게 유지시켜, 균일한 에싱 및 우수한 웨이퍼 처리량 효과를 제공할 수 있다.The ashing apparatus of the present invention includes the above-described gas injection nozzle 30, so that the concentration of the processing gas on the substrate can be kept constant, thereby providing uniform ashing and an excellent wafer throughput effect.

예시적인 실시예에 있어서, 본 발명의 에싱 장치는 에싱 챔버(40)의 상부 내측면에 결합되며 처리 가스를 에싱 챔버(40)의 외부로 배출하는 적어도 하나 이상의 배기부(30')를 더 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the ashing apparatus of the present invention further comprises at least one exhaust 30 'coupled to the upper inner surface of the ashing chamber 40 and discharging the processing gas out of the ashing chamber 40. can do.

본 발명의 에싱 장치에서, 배기부(30')는 가스분사노즐(30)을 통해 분사된 처리가스의 농도를 조절하기 위해 부가될 수 있으며, 광조사 수단(10), 즉, 광조사층을 사이에 두고 가스분사노즐(30)과 대향되게 배치될 수 있다.  In the ashing apparatus of the present invention, the exhaust unit 30 'may be added to adjust the concentration of the processing gas injected through the gas injection nozzle 30, and the light irradiation means 10, that is, the light irradiation layer It may be disposed to face the gas injection nozzle 30 in between.

배기부(30')는 상술한 본 발명의 에싱 장치에 포함되는 가스분사노즐(30)의 복수 개의 처리가스 분사홀, 처리가스 분사구가 형성된 본체와 대응되는 구성을 포함할 수 있다. 보다 상세하게는, 본 발명에 있어 배기부(30')는 처리가스를 에싱 챔버 내부로 유입시키는 가스분사노즐(30)과는 상반된 기능을 제공하는 것이므로, 가스분사노즐(30)과 대응되는 모든 구성이 대칭적인 구조로 이루어지며, 각각의 구성의 기능도 가스분사노즐(30)과는 반대되는 역할을 할 수 있다. 이 경우, 복수 개의 처리가스 분사홀과 대응되는 구성은 직접 외부로 처리가스를 분출할 수 있도록 형성되며, 가스분사노즐의 분배포켓에 대응되는 구성을 제외시킬 수도 있다.The exhaust unit 30 ′ may include a configuration corresponding to a main body in which a plurality of processing gas injection holes and processing gas injection holes of the gas injection nozzle 30 included in the ashing apparatus of the present invention described above are formed. More specifically, in the present invention, since the exhaust part 30 ′ provides a function opposite to the gas injection nozzle 30 for introducing the processing gas into the ashing chamber, all of the gas injection nozzles 30 correspond to the gas injection nozzle 30. The configuration is made of a symmetrical structure, the function of each configuration may also play a role opposite to the gas injection nozzle (30). In this case, a configuration corresponding to the plurality of processing gas injection holes may be formed to directly eject the processing gas to the outside, and may exclude a configuration corresponding to the distribution pocket of the gas injection nozzle.

예를 들면, 처리가스를 에싱 대상 기판 상부에 분사하기 위한 가스분사노즐(30)의 처리가스 분사홀(33), 처리가스 분사구(34) 등은, 배기부 (30')에서 처리가스를 흡입하여 에싱 챔버(40)의 외부로 배출하도록 기능할 수 있다.For example, the processing gas injection hole 33, the processing gas injection hole 34, and the like of the gas injection nozzle 30 for injecting the processing gas onto the substrate to be ashed suck the processing gas from the exhaust part 30 ′. It may function to discharge to the outside of the ashing chamber (40).

한편, 본 발명의 에싱 장치는 광조사 수단(10)의 광원으로 사용하는 엑시머 램프를 개수 제한 없이 구비할 수 있다. 다만, 에싱 대상 기판 전체를 커버할 수 있도록 복수 개의 엑시머 램프를 구비할 경우, 고가인 엑시머 램프로 인해 설비비가 증가하는 문제가 발생한다. 또한, 에싱 대상 기판 전체를 커버할 수 있게 엑시머 램프를 구비한다 하더라도 스테이지가 고정된 상태에서는 에싱이 균일하게 이루어지지 않는 문제가 발생하였으며, 설비비 감소를 위해 엑시머 램프 개수를 최소화 할 경우에는, 고정된 스테이지에 의해 에싱 대상 기판으로 진공 자외선 광이 균일하게 조사되지 않아, 균일한 에싱이 어려운 문제가 있었다.On the other hand, the ashing apparatus of the present invention can be provided with any number of excimer lamps used as a light source of the light irradiation means (10). However, when a plurality of excimer lamps are provided to cover the entire substrate to be ashed, a problem arises in that equipment cost increases due to expensive excimer lamps. In addition, even though the excimer lamp is provided to cover the entire substrate to be subjected to the ashing, there is a problem that the ashing is not uniformly performed when the stage is fixed, and when the number of excimer lamps is minimized to reduce the equipment cost, the fixed The vacuum ultraviolet light was not uniformly irradiated to the substrate to be ashed by the stage, so that uniform ashing was difficult.

본 발명의 에싱 장치는 에싱 챔버(40)의 내부에 광조사 수단(10)을 중심으로 스테이지(20)를 왕복 이송시키는 스테이지 왕복 이송 수단(45)을 더 포함하여 상기 문제를 해결하는 것이 가능하다.The ashing apparatus of the present invention can further solve the problem by further including a stage reciprocating means 45 for reciprocating the stage 20 around the light irradiation means 10 inside the ashing chamber 40. .

스테이지 왕복 이송 수단(45)은 스테이지(20)를 왕복 이송시킬 수 있는 것이라면 이 분야에 공지된 다양한 방법이 제한 없이 채용될 수 있다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 리니어 모터 스테이지로 형성할 수 있으며, 레일(47)을 설치하고 상기 스테이지가 상기 레일(47)을 따라 이동할 수 있게 할 수 있다. 또한, 볼 스크류 슬라이딩 방법을 채용할 수도 있다. 필요에 따라, 스테이지(20)에는 높이를 조절하기 위한 구동 기구를 설치해도 좋다. 또한, 웨이퍼의 회전 위치를 조절하기 위한 θ 회전 기구를 설치할 수도 있다.The stage reciprocating conveying means 45 can be employed without limitation various methods known in the art as long as it can reciprocate the stage 20. For example, as shown in FIG. 1, it may be formed as a linear motor stage, and a rail 47 may be installed and the stage may move along the rail 47. Moreover, the ball screw sliding method can also be employ | adopted. As necessary, the stage 20 may be provided with a drive mechanism for adjusting the height. Moreover, the (theta) rotation mechanism for adjusting the rotation position of a wafer can also be provided.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 스테이지 왕복 이송수단(45)은 스테이지(20)를 이동시켜 광조사 수단(10)의 광조사 창(12)을 통하여 조사되는 엑시머 램프의 진공 자외선 광이 광조사 창(12)의 장방향 축과 평행한 부분을 기준으로 에싱 대상 기판 중 폭이 가장 큰 부분을 모두 조사할 수 있도록 구비될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the stage reciprocating transfer means 45 moves the stage 20 so that the vacuum ultraviolet light of the excimer lamp irradiated through the light irradiation window 12 of the light irradiation means 10 is irradiated with light. Based on a portion parallel to the longitudinal axis of the window 12 may be provided to irradiate all of the largest width of the substrate to be ashed.

이로써, 본 발명의 에싱 장치는 선형인 하나의 엑시머 램프를 설치하여 기판을 에싱하는 것도 가능하다. 이 때, 상기 엑시머 램프에서 조사되는 광은 상기 엑시머 램프의 설치 방향과 동일한 방향을 기준으로 에싱 대상 기판 중 폭이 가장 큰 부분을 한번에 조사할 수 있어야 바람직한 에싱 결과를 얻을 수 있다. 왜냐하면, 이러한 조건을 충족해야 스테이지 왕복 이송 수단(30)을 설치하는 것에 의하여 균일한 에싱이 가능해 지기 때문이다. Thus, the ashing apparatus of the present invention can also mount a single linear excimer lamp to ash the substrate. At this time, the light irradiated from the excimer lamp may be irradiated with the largest width of the substrate to be subjected to ashing at a time based on the same direction as the installation direction of the excimer lamp to obtain a desirable ashing result. This is because uniform ashing is possible by installing the stage reciprocating means 30 only when such conditions are satisfied.

만약, 상기 조건을 충족하지 않는 경우라면, 상기 스테이지를 회전시키는 구성을 더 포함하도록 하여 균일한 에싱을 달성할 수도 있다. 그러므로 본 발명은 이러한 기술적 특징도 포함한다.If the above conditions are not satisfied, a uniform ashing may be achieved by further including a configuration of rotating the stage. The invention therefore also encompasses these technical features.

도 6, 도 8 내지 9에 예시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 에싱 장치는 스테이지(20)의 외주에 형성되는 처리가스 공급부(50)를 포함할 수 있다.6 and 8 to 9, the ashing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a processing gas supply unit 50 formed on the outer periphery of the stage (20).

처리가스 공급부(50)는 처리가스가 스테이지(20)의 상부면에 형성된 에싱 대상 기판 고정부(28)의 직상방에 위치하는 공간을 향하여 분사되도록 설치된 처리가스 분출구(52)를 포함할 수 있다.The process gas supply unit 50 may include a process gas ejection port 52 installed to process the process gas toward a space located directly above the ashing target substrate fixing unit 28 formed on the upper surface of the stage 20. .

일부 실시예에 있어서, 처리가스 공급부(50)는 스테이지(20)의 외주에 형성되는 경우, 처리가스가 상기 스테이지의 상부면에 형성된 에싱 대상 기판 고정부(28)의 바닥면을 기준으로 하방 30도 내지 상방 80도의 각도를 이루는 방향으로 분사되도록 설치된 처리가스 분출구(52)를 포함할 수 있다.In some embodiments, when the processing gas supply unit 50 is formed on the outer circumference of the stage 20, the processing gas may be lowered 30 based on the bottom surface of the substrate fixing part 28 to be processed formed on the upper surface of the stage. It may include a process gas blower 52 is installed to be injected in a direction forming an angle of 80 to 80 degrees upward.

상기에서 처리가스의 분사 방향은 에싱 대상 기판 고정부(28)의 바닥면을 기준으로 상방 30도 내지 상방 70도의 각도를 이루는 것이 더욱 바람직할 수 있다.In the above, the injection direction of the processing gas may be more preferably formed at an angle of 30 degrees to 70 degrees upward from the bottom surface of the substrate fixing portion 28 to be ashed.

본 발명의 에싱 장치는 상술한 각도범위로 이루어진 처리가스 공급부(50)의 처리가스 분출구(52)를 통해 처리가스를 분사하여, 상기 처리가스가 에어커튼으로 작용하여 기판 반입구(42)로부터 반입되는 공기가 에싱 대상 기판 상부의 처리가스 농도에 영향을 미치지 못하도록 차단할 수 있다.The ashing apparatus of the present invention injects the processing gas through the processing gas ejection opening 52 of the processing gas supply unit 50 having the above-described angle range, and the processing gas acts as an air curtain to be loaded from the substrate inlet 42. The air may be blocked from affecting the concentration of the processing gas on the substrate to be ashed.

도 6을 참조하면, 처리가스 공급부(50)는 처리가스 분출구(52)에 처리가스를 공급하는 제2 처리가스 공급라인(54)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the process gas supply unit 50 may further include a second process gas supply line 54 that supplies the process gas to the process gas outlet 52.

처리가스 분출구(52)는 도 6에 도시된 바와 같이, 연속된 고리형태의 슬릿 구조를 가지도록 설치될 수 있으며, 스테이지(20)의 외주에 균일한 간격으로 형성된 다수개의 분출구로 이루어질 수도 있다. 바람직하게는, 처리가스가 에어커튼으로 작용하는 것을 고려하여, 처리가스 분출구(52)가 연속된 고리 형태의 슬릿 구조를 갖는 것이 좋다.The process gas ejection opening 52 may be installed to have a continuous ring-shaped slit structure, as shown in FIG. 6, and may be formed of a plurality of ejection openings formed at uniform intervals on the outer periphery of the stage 20. Preferably, in consideration of the process gas acting as an air curtain, it is preferable that the process gas outlet 52 has a continuous ring-shaped slit structure.

상기 슬릿은 외주면에 경사면을 포함하는 내부구조물과 상기 경사면에 간격을 두고 결합된 고리형의 외부구조물에 의하여 형성될 수 있다.The slit may be formed by an inner structure including an inclined surface on an outer circumferential surface and an annular outer structure coupled to the inclined surface at intervals.

일부 실시예에 있어서, 상기 슬릿은 스테이지를 구성하는 것으로서 외주면에 수직면을 기준으로 10도 또는 안쪽으로 60도의 경사면을 포함하는 내부구조물과 상기 경사면에 간격을 두고 결합된 고리형의 외부구조물에 의하여 형성될 수 있다.In some embodiments, the slit constitutes a stage and is formed by an inner structure including an inclined surface of 10 degrees or an inward 60 degrees with respect to a vertical surface on an outer circumferential surface and an annular outer structure coupled to the inclined surface at intervals. Can be.

도 6, 도 8 내지 도 9를 참조하면, 제2 처리가스 공급라인(54) 중 처리가스 분출구(52)와 연결되는 공급라인 부분에는 처리가스 분출구(52)에 처리가스를 균일하게 공급할 수 있도록 처리가스 분출구(52)보다 넓은 공간으로 형성된 피드챔버(54-2)가 형성될 수 있다.6 and 8 to 9, the supply line portion of the second process gas supply line 54 connected to the process gas outlet 52 may be uniformly supplied to the process gas outlet 52. The feed chamber 54-2 may be formed to have a larger space than the process gas ejection opening 52.

예를 들면, 처리가스 공급라인(54) 중 슬릿(52)과 연결되는 공급라인 부분에는 슬릿(52)에 처리가스를 균일하게 공급할 수 있도록 처리가스 분출구(52) 보다 넓은 공간으로 형성된 피드챔버(54-2)가 형성될 수 있다.For example, a feed chamber formed in a wider space than the processing gas jet port 52 in the supply line portion of the processing gas supply line 54 connected to the slit 52 so as to uniformly supply the processing gas to the slit 52 ( 54-2) may be formed.

상기와 유사한 형태의 피드챔버(54-1)는 제2 처리가스 공급라인(54)을 이루는 처리가스 분배판(22)의 처리가스 분배홈(22-2) 중 최외각 부분과 고리형 매니폴드(23)의 하단이 만나는 부분에도 형성될 수 있다.The feed chamber 54-1 having a shape similar to the above is an annular manifold and an outermost portion of the process gas distribution groove 22-2 of the process gas distribution plate 22 forming the second process gas supply line 54. It may also be formed at the portion where the lower end of the (23) meets.

예시적인 실시예에 있어서, 처리가스 분출구(52)에 처리가스를 공급하는 제2 처리가스 공급라인(54)은, 도 6 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 스테이지의 일부를 구성하는 것으로서, 상부면에 처리가스 공급구(22-1)로부터 공급된 처리가스를 처리가스 분출구(52)로 분배하는 분배홈(22-2)이 형성된 처리가스 분배판(22)이 스테이지 본체에 결합되어 형성되는 것일 수 있다.In the exemplary embodiment, the second process gas supply line 54 for supplying the process gas to the process gas outlet 52 constitutes a part of the stage, as shown in FIGS. 6 to 9. A process gas distribution plate 22 having a distribution groove 22-2 formed on the surface thereof to distribute the process gas supplied from the process gas supply port 22-1 to the process gas outlet 52 is coupled to the stage main body. It may be.

도 8을 참조하면, 제2 처리가스 공급라인(54)은 처리가스 공급구(22-1), 처리가스 분배호(22-2), 1차 피드챔버(54-1), 및 2차 피드챔버(54-2)를 포함하는 것으로서, 처리가스 혼합기(56)로부터 처리가스 분출구(52)에 이루기까지의 라인을 의미한다.Referring to FIG. 8, the second process gas supply line 54 includes a process gas supply port 22-1, a process gas distribution arc 22-2, a primary feed chamber 54-1, and a secondary feed. As including the chamber 54-2, it means the line from the process gas mixer 56 to the process gas jet port 52. As shown in FIG.

처리가스 분배판(22)의 처리가스 분배홈(22-2)은, 도 10에 도시된 바와 같이, 겹치지 않게 2개 이상의 동심원 형태로 형성된 제1 분배홈(22-2-1)과 처리가스 공급구(22-1)로부터 출발하여 방사형으로 퍼져나가면서 제1 분배홈(22-2-1)에 연결되는 제2분배홈(22-2-2) 및 상기 제1분배홈 간을 연결하는 제3분배홈(22-2-3)을 포함할 수 있다.The processing gas distribution groove 22-2 of the processing gas distribution plate 22 includes the first distribution groove 22-2-1 and the processing gas formed in two or more concentric circles without overlapping, as shown in FIG. 10. Starting between the supply port 22-1 and spreading radially to connect the second distribution groove 22-2-2 connected to the first distribution groove 22-2-1 and the first distribution groove It may include a third distribution groove (22-2-3).

상기 동심원의 수는 필요에 따라 결정할 수 있으며, 제1 분배홈(22-3)에 있어서 동심원 간의 거리는 원 중심에서 멀어질수록 가깝게 형성하는 것이 처리가스의 원활한 분배를 위하여 바람직하다. 또한, 동심원 간(제1분배홈 간)을 연결하는 제3분배홈(22-4)은 원 중심에서 멀어질수록 더 많은 수가 형성되도록 하는 것이 처리가스의 원활한 분배를 위하여 바람직하다. 처음부터 분배홈의 수를 증가시키면 가스 유속이 떨어지므로, 서서히 수를 증가시켜야 효율적으로 가스를 공급할 수 있다.The number of concentric circles can be determined as needed, and the distance between the concentric circles in the first distribution groove 22-3 is preferably closer to the center of the circle for smooth distribution of the processing gas. In addition, it is preferable for the third distribution groove 22-4 connecting the concentric circles (between the first distribution grooves) to have a larger number as the distance from the center of the circle increases, so as to smoothly distribute the processing gas. Increasing the number of distribution grooves from the beginning, the gas flow rate is lowered, so to increase the number of gas can be efficiently supplied gradually.

예를 들면, 처리가스 분배판(22)의 외측에 가까워질수록 제1 분배홈(동심원)간의 거리가 가까워지게 형성하고, 제3 분배홈의 수도 증가시키는 것이 바람직하다.For example, it is preferable that the distance between the first distribution grooves (concentric circles) is closer to the outside of the process gas distribution plate 22, and the number of the third distribution grooves is increased.

본 발명의 에싱 장치에서, 상기 스테이지(20)는, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 스테이지의 에싱 대상 기판 고정부(28)와 처리가스 분배판(22) 사이에 에싱 대상 기판의 온도를 제어하는 히팅플레이트(25)를 구비할 수 있다.In the ashing apparatus of the present invention, the stage 20, as shown in Figures 6 to 8, between the substrate to be subjected to the ashing target 28 and the processing gas distribution plate 22 of the stage of the ashing target substrate It may be provided with a heating plate 25 for controlling the temperature.

예를 들면, 본 발명의 에싱 장치에서, 스테이지(20)는, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 원형의 플레이트와 상기 플레이트 지지대(21)로 구성되며, 상기 원형의 플레이트는, 원형의 처리가스 분배판(22); 상기 원형의 처리가스 분배판(22)의 상부면 중 외주부에 결합된 원형의 매니폴드 고리(23); 상기 원형의 처리가스 분배판(22)의 상부면에 적층된 상태로 상기 원형의 매니폴드 고리(23) 안쪽에 수용된 원형의 처리가스 분배판 덮개(24); 상기 원형의 처리가스 분배판 덮개(24)의 상부면에 적층된 상태로 상기 원형의 매니폴드 고리(23) 안쪽에 수용된 원형의 히팅플레이트(25); 상기 원형의 히팅플레이트(25) 상부면에 적층된 상태로 상기 원형의 매니폴드 고리(23) 안쪽에 수용된 원형의 히팅플레이트 덮개(26); 및 상기 원형의 매니폴드 고리(23)의 외주에 결합되는 원형의 슬릿형성 고리(27)를 포함하여 구성되며, For example, in the ashing apparatus of the present invention, the stage 20 is composed of a circular plate and the plate support 21, as shown in FIGS. 4 to 6, wherein the circular plate is circular. Process gas distribution plate 22; A circular manifold ring 23 coupled to an outer circumference of an upper surface of the circular process gas distribution plate 22; A circular process gas distribution plate cover 24 accommodated inside the circular manifold ring 23 in a state of being stacked on an upper surface of the circular process gas distribution plate 22; A circular heating plate 25 accommodated inside the circular manifold ring 23 in a state of being stacked on an upper surface of the circular processing gas distribution plate cover 24; A circular heating plate cover 26 accommodated inside the circular manifold ring 23 in a state in which the circular heating plate 25 is stacked on an upper surface of the circular heating plate 25; And a circular slit ring 27 coupled to the outer circumference of the circular manifold ring 23,

상기 원형의 매니폴드 고리(23)는 상부에 상기 슬릿을 구성하는 경사면, 및 상기 경사면의 하단부 또는 상기 경사면 하단부의 하방에 형성된 수평방향의 단턱, 및 상기 경사면에 처리가스가 도달할 수 있도록 상기 원형의 처리가스 분배판에 형성된 처리가스 분배홈(22-2)과 상기 단턱 상단부를 연통시키는 연결구(54-1, 54-2, 54-3)를 포함하며, The circular manifold ring 23 has an inclined surface constituting the slit on the top, a horizontal step formed below the lower end of the inclined surface or the lower end of the inclined surface, and the circular surface so that the processing gas can reach the inclined surface. And a connector (54-1, 54-2, 54-3) for communicating the process gas distribution groove (22-2) formed in the process gas distribution plate of the stepped upper end portion,

상기 원형의 슬릿형성 고리(27)는 안쪽에 상기 원형의 매니폴드 고리(23)의 경사면과 함께 연속된 고리 형태의 슬릿을 형성하는 경사면을 포함하며, 원형의 매니폴드 고리(23)의 단턱에 하단부가 고정된 형태일 수 있다.The circular slit forming ring 27 includes an inclined surface that forms a continuous ring-shaped slit together with the inclined surface of the circular manifold ring 23 therein, and on the step of the circular manifold ring 23. The lower end may be fixed.

상기에서 원형의 히팅플레이트(25)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 히터모듈(80)과 연결된 히팅수단을 구비할 수 있다. 상기 히팅수단은, 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 히팅배선(25-1)을 들 수 있다. 상기 히팅플레이트(25)는 열을 공급하여 에싱이 원활하게 진행될 수 있는 환경을 만드는 역할을 한다.Circular heating plate 25 in the above, as shown in Figure 6, may be provided with a heating means connected to the heater module (80). The said heating means is not specifically limited, For example, the heating wiring 25-1 is mentioned. The heating plate 25 supplies heat to create an environment in which ashing can proceed smoothly.

상기 히팅플레이트 덮개(26) 상부에는 에싱 대상 기판이 수용되며, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 히팅플레이트 덮개(26)의 중심부에는 베큠포트(26-1)가 구비되며, 상부면에는 상기 베큠포트(26-1)와 연결된 베큠라인(26-2)이 구비되어 베큠펌프(도 8, 70)가 가동되면 흡인력에 의해 에싱 대상 기판을 고정시키는 기능을 수행한다.An ashing target substrate is accommodated on the heating plate cover 26, and as shown in FIGS. 4 and 5, a vacuum port 26-1 is provided at the center of the heating plate cover 26, and an upper surface of the heating plate cover 26 is provided. A vacuum line 26-2 connected to the vacuum port 26-1 is provided to operate the vacuum pumps (FIGS. 8 and 70) to fix the substrate to be ashed by suction.

본 발명의 에싱 장치에서 처리가스는 이 분야에서 통상적으로 사용되는 것이 사용된다. 상기 처리가스는 처리가스 혼합기(56)에서 혼합되며, 상기 처리가스 혼합기(56)는, 예를 들어, 매스 플로 컨트롤러에 의해서 자동 또는 수동으로 가스유량을 조절함으로써 소정의 산소 농도의 혼합 가스를 공급하는 기능을 수행한다. 혼합 가스의 종류로는, 예를 들어, 산소 가스와 질소 가스의 혼합 가스이다. 에싱 처리에는 진공 자외광의 조사뿐 아니라 오존과 산소 라디칼에 의한 반응도 필요하므로 공기 중 산소 농도보다 낮은 소정의 산소 농도의 혼합 가스의 분위기를 공급한다.In the ashing apparatus of the present invention, a process gas is used that is commonly used in this field. The process gas is mixed in the process gas mixer 56, and the process gas mixer 56 supplies a mixed gas having a predetermined oxygen concentration, for example, by automatically or manually adjusting the gas flow rate by a mass flow controller. It performs the function. As a kind of mixed gas, it is a mixed gas of oxygen gas and nitrogen gas, for example. The ashing process requires not only vacuum ultraviolet light irradiation but also reaction by ozone and oxygen radicals, so that an atmosphere of a mixed gas having a predetermined oxygen concentration lower than the oxygen concentration in the air is supplied.

에싱챔버(40)의 실내를 항상 소정의 농도가스로 채우기 위해서 배기 포트(44)가 설치된다.An exhaust port 44 is provided to always fill the interior of the ashing chamber 40 with a predetermined concentration gas.

본 발명의 에싱 장치에 있어서, 제2 처리가스 공급라인을 거쳐 분사되는 처리가스의 흐름은 도 8 및 도 9에 도시된 단면도를 통하여 설명할 수 있다. 먼저 처리가스 혼합기(56)에서 처리가스가 공급되고, 처리가스 분배판(20)의 처리가스 공급구(22-1, 54)를 통하여 처리가스 분배홈(22-2)을 통하여 분배된다. 상기 처리가스는 처리가스 분배홈(22-2)을 통하여 매니폴드 고리(23)의 1차 피드챔버(54-1)에 모이게 된다. 1차 피드챔버(54-1)에 모인 처리가스는 매니폴드 고리(23)에 형성된 처리가스 공급라인을 타고 수직으로 상승하여 매니폴드 고리(23)의 2차 피드챔버(54-2)에 모이게 된다. 2차 피드챔버(54-2)에 모인 처리가스는 슬릿(52)를 통하여 에싱 대상 기판 위로 분사된다. 이 때, 상기 1차 및 2차 피드챔버(54-1, 54-2)는 처리가스의 압력을 상승시켜 처리가스가 원 활하게 분사되게 하는 기능을 수행한다. 만약, 1차 및 2차 피드챔버(54-1, 54-2)가 구비되지 않은 상태에서 슬릿(52)를 통하여 처리가스가 분사되는 경우에는 충분한 압력이 확보되지 못하여 에싱을 위한 최적의 환경을 만들기 어렵다.In the ashing apparatus of the present invention, the flow of the processing gas injected through the second processing gas supply line can be described through the cross-sectional views shown in FIGS. 8 and 9. First, the processing gas is supplied from the processing gas mixer 56, and is distributed through the processing gas distribution grooves 22-2 through the processing gas supply ports 22-1 and 54 of the processing gas distribution plate 20. The process gas is collected in the primary feed chamber 54-1 of the manifold ring 23 through the process gas distribution groove 22-2. The process gas collected in the primary feed chamber 54-1 is vertically ascended through the process gas supply line formed in the manifold ring 23 to be collected in the secondary feed chamber 54-2 of the manifold ring 23. do. The processing gas collected in the secondary feed chamber 54-2 is injected onto the substrate to be ashed through the slit 52. At this time, the primary and secondary feed chambers 54-1 and 54-2 increase the pressure of the processing gas so that the processing gas is smoothly injected. If the processing gas is injected through the slit 52 without the primary and secondary feed chambers 54-1 and 54-2, sufficient pressure may not be secured to provide an optimal environment for ashing. Hard to make

본 발명의 에싱 장치에서, 에싱 대상 기판은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 반도체 소자를 들 수 있으며, 특히, 웨이퍼 및 사각 패널의 에싱에 바람직하게 사용될 수 있다.In the ashing apparatus of the present invention, the substrate to be ashed is not particularly limited, and examples thereof include semiconductor elements, and in particular, may be preferably used for ashing of wafers and square panels.

상기에서 특별히 한정되는 것으로 기술된 에싱 장치의 구성요소를 제외하고는 이 분야에서 에싱 장치에 사용되고 있는 구성요소가 제한 없이 채용될 수 있다.Except for the components of the ashing apparatus described as specifically limited above, components used in the ashing apparatus in this field may be employed without limitation.

비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련되어 설명되었지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서, 첨부된 특허청구범위는 본 발명의 요지에 속하는 한 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it is possible to make various modifications or variations without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the appended claims will cover such modifications and variations as long as they fall within the spirit of the invention.

10: 광조사 수단 12: 광조사 창
20: 스테이지 21: 플레이트 지지대
22: 처리가스 분배판 22-1: 처리가스 공급구
22-2: 처리가스 분배홈 22-2-1: 제1 분배홈
22-2-2: 제2분배홈 22-2-3: 제3분배홈
22-3: 고정핀 23: 매니폴드 고리
24: 처리가스 분배판 덮개 25: 히팅플레이트
25-1: 히팅배선 26: 히팅플레이트 덮개
26-1: 베큠포트 26-2: 베큠라인
27: 슬릿형성 고리 27-1: 고정핀
28: 에싱 대상 기판 고정부
30: 가스분사노즐 30': 배기부
31: 본체 31a, 35a: 결합홈
32: 분배포켓 33: 처리가스 분사홀
34: 처리가스 분사구 35: 덮개
36: 처리가스 공급홀 37: 제1 처리가스 공급라인
40: 에싱챔버 42: 기판 반입구
44: 배기포트 45: 스테이지 왕복 이송 수단
47: 레일 50: 처리가스 공급부
52: 처리가스 분출구 54: 제2 처리가스 공급라인
54-1: 1차 피드챔버 54-2: 2차 피드챔버
56: 처리가스 혼합기 60: 파워서플라이
70: 베큠펌프 80: 히터모듈10: light irradiation means 12: light irradiation window
20: stage 21: plate support
22: process gas distribution plate 22-1: process gas supply port
22-2: process gas distribution groove 22-2-1: first distribution groove
22-2-2: second distribution groove 22-2-3: third distribution groove
22-3: retaining pin 23: manifold ring
24: process gas distribution plate cover 25: heating plate
25-1: Heating wiring 26: Heating plate cover
26-1: Vacuum port 26-2: Vacuum line
27: slit ring 27-1: fixing pin
28: substrate fixed to the ashing target
30: gas injection nozzle 30 ': exhaust
31: main body 31a, 35a: coupling groove
32: distribution pocket 33: process gas injection hole
34: process gas nozzle 35: cover
36: process gas supply hole 37: first process gas supply line
40: ashing chamber 42: substrate inlet
44: exhaust port 45: stage reciprocating means
47: rail 50: processing gas supply unit
52: process gas outlet 54: second process gas supply line
54-1: 1st feed chamber 54-2: 2nd feed chamber
56: process gas mixer 60: power supply
70: vacuum pump 80: heater module

Claims (17)

엑시머 램프를 광원으로 사용하는 광조사 수단;　
에싱 대상 기판을 고정하는 스테이지;
상기 스테이지를 내부에 구비한 에싱 챔버;　및
상기 에싱 챔버의 상부 내측면에 결합된 적어도 하나 이상의 가스분사노즐을 포함하며,
상기 가스분사노즐은,
내측면에 분배포켓이 형성된 본체;　
상기 분배포켓의 하단으로부터 연장 형성되어 연결되는 복수 개의 처리가스 분사홀;
상기 복수 개의 처리가스 분사홀의 끝단에서 상기 광조사 수단 방향으로 경사지게 하측으로 절곡되며, 절곡된 부분이 본체를 관통하는 슬롯 형상을 가진 처리가스 분사구; 및
상기 분배포켓과 연통되는 하나 이상의 처리가스 공급홀을 구비하며 상기 본체의 상면에 결합되는 덮개;를 포함하며, 상기 분배포켓 내부에서 상기 처리가스의 압력이 균일한, 에싱 장치.Light irradiation means using an excimer lamp as a light source;
A stage for fixing the substrate to be ashed;
An ashing chamber having the stage therein; And
At least one gas injection nozzle coupled to the upper inner surface of the ashing chamber,
The gas injection nozzle,
A main body having a distribution pocket formed on an inner side thereof;
A plurality of processing gas injection holes formed extending from a lower end of the distribution pocket;
A process gas injection hole bent downward from an end of the plurality of process gas injection holes to be inclined in the direction of the light irradiation means and having a slot shape through which the bent portion passes through the main body; And
And a cover having one or more process gas supply holes communicating with the distribution pocket and coupled to an upper surface of the main body, wherein the pressure of the process gas is uniform in the distribution pocket. 청구항 1에 있어서, 상기 광조사 수단을 사이에 두고 가스분사노즐과 대향되게 배치되는 적어도 하나 이상의 배기부를 더 포함하는, 에싱 장치. The ashing apparatus according to claim 1, further comprising at least one exhaust portion disposed opposite the gas injection nozzle with the light irradiation means therebetween. 청구항 2에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 배기부는 가스분사노즐 구조와 대칭되는 구조로 이루어진, 에싱 장치.The ashing apparatus according to claim 2, wherein the at least one exhaust portion has a structure symmetric with the gas injection nozzle structure. 청구항 1에 있어서, 상기 복수 개의 처리가스 분사홀은 상기 분배포켓의 길이방향을 따라 일정한 간격을 두고 일렬로 배치되는, 에싱 장치.The ashing apparatus of claim 1, wherein the plurality of process gas injection holes are arranged in a line at regular intervals along a longitudinal direction of the distribution pocket. 청구항 1에 있어서, 상기 복수 개의 처리가스 분사홀은 각각 독립적으로 서로 동일하거나 상이한 직경 및 형상을 가진, 에싱 장치.The ashing apparatus of claim 1, wherein the plurality of process gas injection holes each independently have the same or different diameters and shapes. 청구항 1에 있어서, 상기 가스분사노즐은 처리가스 공급홀과 연결되어 분배포켓에 처리가스를 공급하는 제1 처리가스 공급라인을 구비한, 에싱 장치.The ashing apparatus of claim 1, wherein the gas injection nozzle includes a first process gas supply line connected to the process gas supply hole and supply the process gas to the distribution pocket. 청구항 1에 있어서, 상기 에싱 챔버의 내부에 구비되어 상기 광조사 수단을 중심으로 상기 스테이지를 왕복 이송시키는 스테이지 왕복 이송 수단을 더 포함하는, 에싱 장치.The ashing apparatus according to claim 1, further comprising a stage reciprocating means provided in the ashing chamber to reciprocally convey the stage about the light irradiation means. 청구항 1항에 있어서, 상기 스테이지의 외주에는 처리가스 공급부가 형성되며, 상기 처리가스 공급부는 처리가스가 상기 스테이지의 상부면에 형성된 에싱 대상 기판 고정부의 직상방에 위치하는 공간을 향하여 분사되도록 설치된 처리가스 분출구를 포함하는, 에싱 장치.The process gas supply unit is formed on an outer circumference of the stage, and the process gas supply unit is installed such that the process gas is sprayed toward a space located directly above the ashing target substrate fixed portion formed on the upper surface of the stage. An ashing apparatus comprising a process gas outlet. 청구항 8에 있어서, 상기 처리가스 공급부는 상기 처리가스 분출구에 처리가스를 공급하는 제2 처리가스 공급라인을 구비하는, 에싱 장치.The ashing apparatus according to claim 8, wherein the process gas supply unit includes a second process gas supply line for supplying a process gas to the process gas outlet. 청구항 9에 있어서, 상기 처리가스 분출구는 연속된 고리 형태의 슬릿 구조를 가지도록 형성되는, 에싱 장치.10. The ashing apparatus according to claim 9, wherein the process gas outlet is formed to have a slit structure in a continuous ring shape. 청구항 10에 있어서, 상기 슬릿 구조는, 외주면에 경사면을 포함하는 내부구조물과 상기 경사면에 간격을 두고 결합된 고리형의 외부구조물에 의하여 형성되는, 에싱 장치.The ashing apparatus of claim 10, wherein the slit structure is formed by an inner structure including an inclined surface on an outer circumferential surface and an annular outer structure coupled to the inclined surface at intervals. 청구항 9에 있어서, 상기 제2 처리가스 공급라인 중 처리가스 분출구와 연결되는 공급라인 부분에는 처리가스 분출구에 처리가스를 균일하게 공급할 수 있도록 처리가스 분출구보다 넓은 공간으로 형성된 제1 피드챔버가 형성되는, 에싱 장치.The method of claim 9, wherein the first feed chamber is formed in a portion of the second processing gas supply line which is connected to the processing gas outlet port is formed in a larger space than the processing gas outlet port so as to uniformly supply the processing gas to the processing gas outlet port , Ashing device. 청구항 10에 있어서, 상기 제2 처리가스 공급라인 중 슬릿과 연결되는 공급라인 부분에는 슬릿에 처리가스를 균일하게 공급할 수 있도록 슬릿보다 넓은 공간으로 형성된 연속된 고리형태의 제2 피드챔버가 형성되는, 에싱 장치.The method of claim 10, wherein the supply line portion of the second processing gas supply line connected to the slit is formed with a continuous annular second feed chamber formed in a wider space than the slit so as to uniformly supply the processing gas to the slit, Ashing device. 청구항 9에 있어서, 상기 처리가스 공급라인은 스테이지의 일부를 구성하며 상부면에 처리가스 공급구로부터 공급된 처리가스를 처리가스 분출구로 분배하는 처리가스 공급 분배홈이 형성된 처리가스 분배판이 스테이지 본체에 결합되어 형성되는 것인, 에싱 장치. The process gas distribution plate of claim 9, wherein the process gas supply line constitutes a part of the stage, and a process gas distribution plate having a process gas supply distribution groove formed therein is configured to distribute the process gas supplied from the process gas supply port to the process gas outlet. Is formed by combining, the ashing device. 청구항 14에 있어서, 상기 처리가스 분배판의 처리가스 공급 분배홈은 겹치지 않게 2개 이상의 동심원 형태로 형성된 제1 처리가스 공급 분배홈과 처리가스 공급구로부터 출발하여 방사형으로 퍼져나가면서 제1 처리가스 공급 분배홈에 연결되는 제2 처리가스 공급 분배홈 및 상기 제1 처리가스 공급 분배홈 간을 연결하는 제3 처리가스 공급 분배홈을 포함하는, 에싱 장치.15. The process gas supply distribution groove of claim 14, wherein the process gas supply distribution groove of the process gas distribution plate radially spreads from the first process gas supply distribution groove and the process gas supply port formed in two or more concentric circles without overlapping. And a third processing gas supply distribution groove for connecting between the second processing gas supply distribution groove and the first processing gas supply distribution groove connected to the supply distribution groove. 청구항 14에 있어서, 상기 스테이지의 에싱 대상 기판 고정부와 처리가스 분배판 사이에 에싱 대상 기판의 온도를 제어하는 히팅플레이트가 구비되는, 에싱 장치.The ashing apparatus of Claim 14 provided with the heating plate which controls the temperature of the ashing target board | substrate between the ashing target board fixed part of a said process, and a process gas distribution board. 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에싱 대상 기판은 웨이퍼 및 사각 패널인 것을 특징으로 하는, 에싱 장치.The ashing apparatus according to any one of claims 1 to 14, wherein the substrate to be ashed is a wafer and a square panel.
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