KR101994918B1

KR101994918B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method

Info

Publication number: KR101994918B1
Application number: KR1020180016810A
Authority: KR
Inventors: 지성구
Original assignee: 피에스케이홀딩스 (주)
Priority date: 2018-02-12
Filing date: 2018-02-12
Publication date: 2019-10-01

Abstract

Provided are a plasma process chamber and a substrate processing apparatus including the same. According to an embodiment of the present invention, the plasma process chamber for processing a substrate by generating plasma comprises: a process unit including a housing for providing a processing space and a substrate support member disposed in the processing space and supporting the substrate; a plasma generating unit disposed on an upper portion of the housing; a baffle provided on an upper portion of the substrate support member and filtering plasma generated by being in electric contact with the housing or the plasma generating unit; a first gas supply port provided in the plasma generating unit and connected to a first gas supply pipe for supplying a first gas; a second gas supply port provided on a sidewall of the housing, provided higher than an upper surface of the substrate support member, and connected to a second gas supply pipe for supplying a second gas; and an exhaust unit connected to a decompression pump and discharging internal gas of the housing.

Description

Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same.

일반적으로, 플라즈마(Plasma)는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 이러한 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.In general, plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like, and the plasma is generated by a very high temperature, a strong electric field, or high frequency electromagnetic fields (RF Electromagnetic Fields).

특히, 글로우 방전(Glow Discharge)에 의한 플라즈마 생성은 직류나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유전자에 의해 이루어지는데, 여기된 자유전자는 가스분자와 충돌하여 이온, 라디칼, 전자 등과 같은 활성족(Active Species)을 생성한다. 그리고, 이와 같은 활성족은 물리 혹은 화학적으로 물질의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다. 이와 같이 활성족에 의해 물질의 표면 특성을 변화시키는 것을 표면처리라고 한다.Particularly, plasma generation by glow discharge is performed by free electrons excited by direct current or high frequency electromagnetic fields. The excited free electrons collide with gas molecules to generate active species such as ions, radicals, and electrons. ) In addition, such active groups physically or chemically act on the surface of the material to change the characteristics of the surface. In this way, the surface property of the material is changed by the active group is called surface treatment.

플라즈마 처리란, 반응 물질을 플라즈마 상태로 만들어 기판상에 증착하거나, 플라즈마 상태의 반응 물질을 이용하여 세정, 애싱(Ashing) 또는 식각을 하는 처리를 말한다.Plasma treatment refers to a process in which a reaction material is made into a plasma state and deposited on a substrate, or a cleaning, ashing or etching process is performed using the reaction material in a plasma state.

플라즈마 처리는 일반적으로 진공에 가까운 저압 분위기에서 글로우 방전 플라즈마(Glow Discharge Plasma)를 발생시켜, 기판상에 박막을 형성하거나, 기판상에 형성된 소정 물질을 식각 혹은 애싱(Ashing)하는 처리방법이다. Plasma processing is generally a method of generating a glow discharge plasma in a low pressure atmosphere close to a vacuum to form a thin film on the substrate, or etching or ashing a predetermined material formed on the substrate.

플라즈마 처리가 완료되면 챔버 내에서는 처리 과정에서 발생한 독성가스를 제거하고, 대기압 상태를 제공하기 위한 퍼지(purge) 작업이 진행된다.When the plasma treatment is completed, a purge operation is performed in the chamber to remove toxic gas generated during the treatment process and provide an atmospheric pressure state.

도 1은 기판 처리 장치 내에서 플라즈마 처리 공정 종료 후 질소 가스를 챔버 내로 분사하여 퍼지 작업이 진행되는 상태를 나타낸다. 종래는 챔버 상부의 가스 공급 포트(315)는 반 가스를 공급하는 반응가스 공급원(321)과 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급원(322)와 연결된다. 일반적으로 퍼지 가스는 질소 가스가 사용된다. 종래는 상부의 가스 공급 포트(315)를 통해 질소 가스를 유입하여 챔버 내 분위기를 대기압으로 전환한다. 상부를 통해 유입된 질소 가스는 대기압 분위기를 제공하지만, 파티클(Particle)등 공정 부산물을 제거하지 못하거나 미량만을 제거한다.1 illustrates a state in which a purge operation is performed by injecting nitrogen gas into a chamber after the plasma processing process is finished in the substrate processing apparatus. Conventionally, the gas supply port 315 in the upper portion of the chamber is connected to a reaction gas supply source 321 supplying half gas and a purge gas supply source 322 supplying a purge gas. Generally, purge gas is nitrogen gas. Conventionally, nitrogen gas is introduced through the upper gas supply port 315 to convert the atmosphere in the chamber to atmospheric pressure. Nitrogen gas introduced through the top provides an atmospheric pressure, but fails to remove process by-products such as particles or only trace amounts.

본 발명은 플라즈마 처리 후 대기압 분위기로 전환하는데 있어서, 파티클 제거 효과를 얻을 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다..SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of obtaining a particle removing effect in switching to atmospheric pressure after plasma treatment.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 처리 공간을 제공하는 하우징; 상기 하우징 내에 배치되어 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 하우징 상부에 구비되는 플라즈마 발생 유닛; 상기 플라즈마 발생 유닛에 구비되고 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급관과 연결되는 공정 가스 공급 포트; 상기 하우징 측벽에 구비되되 기판 지지 부재의 상면보다 높게 구비되며, 퍼지 가스를 공급를 공급하는 퍼지 가스 공급관과 연결되는 퍼지 가스 공급 포트; 및 감압 펌프와 연결되고 상기 하우징의 내부 기체를 배출하는 배기 유닛을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes a housing providing a processing space; A substrate support member disposed in the housing to support a substrate; A plasma generation unit provided above the housing; A process gas supply port provided in the plasma generation unit and connected to a process gas supply pipe supplying a process gas; A purge gas supply port provided on the sidewall of the housing and higher than an upper surface of the substrate supporting member and connected to a purge gas supply pipe supplying a purge gas; And an exhaust unit connected to the pressure reducing pump and discharging the internal gas of the housing.

또한, 상기 퍼지 가스 공급 포트는, 상기 지지 부재에 놓인 기판을 향하는 방향으로 하향 경사지게 구비할 수 있다.In addition, the purge gas supply port may be provided to be inclined downward in the direction toward the substrate placed on the support member.

또한, 상기 퍼지 가스 공급 포트는 상기 지지 부재에 놓인 기판의 가장자리를 향하는 방향으로 하향 경사지게 구비될 수 있다.In addition, the purge gas supply port may be provided to be inclined downward in the direction toward the edge of the substrate placed on the support member.

또한, 상기 기판 지지 부재의 상부에 구비되고, 가스가 흐르는 관통공이 형성되는 배플을 더 구비하고, 상기 퍼지 가스 공급 포트는 상기 배플보다 하방에 위치될 수 있다.In addition, the substrate supporting member may be provided with a baffle further formed with a through-flow gas, and the purge gas supply port may be located below the baffle.

또한, 상기 퍼지 가스 공급 포트의 토출단은 상기 기판 지지 부재보다 상기 배플에 더 가깝게 위치될 수 있다.In addition, the discharge end of the purge gas supply port may be located closer to the baffle than the substrate support member.

또한, 상기 퍼지 가스 공급 포트는 상기 배플을 향하는 방향으로 상향 경사지게 제공될 수 있다.In addition, the purge gas supply port may be provided to be inclined upward in the direction toward the baffle.

또한, 상기 퍼지 가스 공급 포트의 토출단은 상기 지판 지지 부재의 상측과 가깝게 구비될 수 있다.In addition, the discharge end of the purge gas supply port may be provided close to the upper side of the fingerboard support member.

또한, 상기 퍼지 가스 공급 포트는 상하 방향으로 토출각이 변경 가능하도록 제공될 수 있다.In addition, the purge gas supply port may be provided to change the discharge angle in the vertical direction.

또한, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 대기압보다 낮은 공정 압력에서 상기 처리 공간에 반입된 기판에 상기 공정 가스를 공급하여 상기 기판의 표면을 처리하고, 이후에 상기 처리 공간에 상기 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간을 상기 공정 압력보다 높은 압력으로 변경할 수 있다.The apparatus may further include a controller, wherein the controller supplies the process gas to a substrate loaded into the processing space at a process pressure lower than atmospheric pressure to treat the surface of the substrate, and then applies the purge gas to the processing space. By feeding the processing space into a pressure higher than the process pressure.

또한, 상기 기판 지지 부재는 회전 가능하게 제공되고, 상기 제어기는, 상기 퍼지 가스 공급하면서 상기 기판 지지 부재를 회전시킬 수 있다.The substrate support member may be rotatably provided, and the controller may rotate the substrate support member while supplying the purge gas.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 방법은 대기압보다 낮은 공정 압력에서 공정 챔버 내에 반입된 기판에 공정 가스를 공급하여 기판의 표면을 처리하고, 이후에 상기 공정 챔버 내부에 퍼지 가스를 공급하여 상기 공정 챔버 내부를 상기 공정 압력보다 높은 압력으로 변경하고, 이후에 상기 공정 챔버로부터 상기 기판을 반출하되, 상기 퍼지 가스는 상기 공정 챔버의 측벽에서 기판을 향해 하향 경사진 방향으로 분사된다.The present invention also provides a substrate processing method. According to an embodiment, the substrate treating method may process a surface of a substrate by supplying a process gas to a substrate loaded into the process chamber at a process pressure lower than atmospheric pressure, and then supplying a purge gas into the process chamber to supply the process gas. The interior is changed to a pressure higher than the process pressure, and then the substrate is ejected from the process chamber, wherein the purge gas is injected in a direction inclined downward toward the substrate at the sidewall of the process chamber.

또한, 상기 공정 압력보다 높은 압력은 대기압일 수 있다.In addition, the pressure higher than the process pressure may be atmospheric pressure.

또한, 상기 공정 챔버 내에는 상기 반입된 기판의 상부에 배치되는 배플을 포함할 수 있다.In addition, the process chamber may include a baffle disposed on the loaded substrate.

또한, 상기 배플은 상기 퍼지 가스에 의해 냉각될 수 있다.In addition, the baffle may be cooled by the purge gas.

본 발명은 플라즈마 처리 후 대기압 분위기로 전환하면서, 동시에 파티클을 제거하여 공정의 효율을 높일 수 있다.The present invention can improve the efficiency of the process by removing the particles at the same time while switching to the atmospheric pressure atmosphere after the plasma treatment.

도 1은 종래의 기판 처리 장치 내에 질소 가스를 분사하여 대기압을 제공하는 상태를 나타낸 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 평면도;
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 측단면도;
도 4는 도 3에 도시된 기판 처리 장치의 퍼지 가스 공급 상황을 간략히 도시한 도면;
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 측단면도;
도 6은 도 5에 도시된 기판 처리 장치의 퍼지 가스 공급 상황을 간략히 도시한 도면;
도 7는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 측단면도;
도 8은 도 7의 기판 처리 장치의 퍼지 가스 공급 포트의 작동 상태를 도시한 부분 확대도;
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 측단면도;
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 측단면도; 및
도 11는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 흐름도이다.1 is a view showing a state of providing atmospheric pressure by injecting nitrogen gas into a conventional substrate processing apparatus;
2 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure;
3 is a side cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure;
4 is a view schematically illustrating a purge gas supply situation of the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 3;
5 is a side cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention;
FIG. 6 is a view briefly illustrating a purge gas supply situation of the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 5;
7 is a side cross-sectional view briefly showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention;
FIG. 8 is a partially enlarged view showing an operating state of a purge gas supply port of the substrate processing apparatus of FIG. 7;
9 is a side cross-sectional view briefly showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention;
10 is a side cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention; And
11 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 간략히 도시한 평면도이다. 이하, 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front endmodule, EFEM)(20) 및 처리모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)이 배열된 방향을 제1 방향(11)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(11)에 수직인 방향을 제2 방향(12)이라 한다. 2 is a plan view briefly illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2, the substrate processing facility 1 has an equipment front end module (EFEM) 20 and a processing module 30. The facility front end module 20 and the processing module 30 are arranged in one direction. Hereinafter, the direction in which the facility front end module 20 and the processing module 30 are arranged is called the first direction 11, and when viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 11 is referred to as the second direction 12. It is called).

설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1 방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)가 위치된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 인덱스 로봇(25)을 포함한다. 인덱스 로봇(25)은 제2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.The facility front end module 20 has a load port 10 and a transfer frame 21. The load port 10 is arranged in front of the plant front end module 20 in the first direction 11. The load port 10 has a plurality of supports 6. Each support part 6 is arranged in a line in the second direction 12 and includes a carrier 4 (e.g., a cassette, in which a substrate W to be provided to a process and a substrate W having been processed) is received. FOUP). The carrier 4 accommodates the substrate W to be provided to the process and the substrate W on which the process is completed. The transfer frame 21 is disposed between the load port 10 and the processing module 30. The transfer frame 21 includes an index robot 25 disposed therein and transferring the substrate W between the load port 10 and the processing module 30. The index robot 25 moves along the transfer rail 27 provided in the second direction 12 to transfer the substrate W between the carrier 4 and the processing module 30.

처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 복수개의 공정챔버(60)들 그리고 제어기(70)을 포함한다.The processing module 30 includes a load lock chamber 40, a transfer chamber 50, a plurality of process chambers 60 and a controller 70.

로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 공정 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. The load lock chamber 40 is disposed adjacent to the transfer frame 21. For example, the load lock chamber 40 may be disposed between the transfer chamber 50 and the facility front end module 20. The load lock chamber 40 is a space waiting before the substrate W to be provided to the process is transferred to the process chamber 60 or before the substrate W having been processed is transferred to the facility front end module 20. To provide.

트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때 다각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개 의 공정챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 공정챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 공정 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 반송 로봇(53)이 배치된다. 반송 로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 공정 챔버(60)로 이송하거나, 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 공정 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 또는 동시에 제공하기 위하여 공정 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다.The transfer chamber 50 is disposed adjacent to the load lock chamber 40. The transfer chamber 50 has a polygonal body when viewed from the top. On the outside of the body is a load lock chamber 40 and a plurality of process chambers 60 are disposed along the circumference of the body. Each side wall of the body is formed with a passage (not shown) through which the substrate W enters, and the passage connects the transfer chamber 50 and the load lock chamber 40 or the process chamber 60. Each passage is provided with a door (not shown) for opening and closing the passage to seal the interior. In the internal space of the transfer chamber 50, a transfer robot 53 for transferring the substrate W is disposed between the load lock chamber 40 and the process chambers 60. The transfer robot 53 transfers the unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 40 to the process chamber 60, or transfers the substrate W on which the process is completed to the load lock chamber 40. Then, the substrates W are transferred between the process chambers 60 so as to sequentially or simultaneously provide the substrates W to the plurality of process chambers 60.

공정 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 공정 챔버(60)는 복수 개 제공될 수 있다. 각각의 공정 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정처리가 진행된다. 공정 챔버(60)는 반송 로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정처리를 하고, 공정처리가 완료된 기판(W)을 반송 로봇(53)으로 제공한다. 각각의 공정 챔버(60)에서 진행되는 공정처리는 서로 상이할 수 있다. 공정 챔버(60)가 수행하는 공정은 기판(W)을 이용해 반도체 소자 또는 디스플레이 패널을 생산하는 과정 가운데 일 공정일 수 있다.The process chamber 60 may be disposed along the circumference of the transfer chamber 50. Process chamber 60 may be provided in plurality. In each process chamber 60, a process is performed on the substrate W. As shown in FIG. The process chamber 60 receives the substrate W from the transfer robot 53 to process the substrate, and provides the transfer robot 53 with the substrate W on which the process has been completed. Processes performed in each process chamber 60 may be different from one another. The process performed by the process chamber 60 may be one process of manufacturing a semiconductor device or a display panel using the substrate W. FIG.

설비에 의해 처리되는 기판(W)은 반도체 소자나 평판 디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(W)의 예로는, 실리콘 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다.The substrate W processed by the facility is a comprehensive concept including both a semiconductor device, a flat panel display (FPD), and other substrates used for manufacturing an article having a circuit pattern formed on a thin film. Examples of such a substrate W include a silicon wafer, a glass substrate, an organic substrate, and the like.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 공정 챔버를 간략히 도시한 측단면도이다. 공정 챔버는 기판의 표면을 플라즈마로 처리하는 기판 처리 장치다. 3 is a side cross-sectional view briefly showing a process chamber according to an embodiment of the present invention. The process chamber is a substrate processing apparatus that treats the surface of the substrate with plasma.

도 3을 참조하면, 공정 챔버는 공정 유닛(100), 배기 유닛(exhausting unit, 200), 플라즈마 발생 유닛(plasma supplying unit, 300)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the process chamber includes a process unit 100, an exhausting unit 200, and a plasma supplying unit 300.

공정 유닛(100)은 기판의 처리가 수행되는 공간이다. 공정 유닛(100)은 하우징(110)과 기판 지지 부재(120), 배플(130), 퍼지 가스 공급 포트(1151)를 포함한다.The process unit 100 is a space in which a substrate is processed. The process unit 100 includes a housing 110, a substrate support member 120, a baffle 130, and a purge gas supply port 1151.

하우징(110)은 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(111)을 제공한다. 기판 지지 부재(120)는 처리 공간(111)에 제공되며, 상면에 처리될 기판이 놓인다. 기판은 개구를 통하여 하우징(110) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐부재에 의해 개폐될 수 있다. The housing 110 provides a processing space 111 for performing a substrate processing process therein. The substrate support member 120 is provided in the processing space 111, on which a substrate to be processed is placed. The substrate enters and exits the housing 110 through the opening. The opening may be opened and closed by an opening and closing member such as a door (not shown).

기판 지지 부재(120)은 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(120)는 지지판(121)과 지지축(122)을 포함한다. 지지판(121)은 처리 공간(111) 내에 위치되며 원판 형상으로 제공된다. 지지판(121)은 지지축(122)에 의해 지지된다. 지지판(121)은 필요에 따라 가능하게 제공될 수 있다. 기판(W)은 지지판(121)의 상면에 놓인다. The substrate support member 120 supports the substrate (W). The substrate support member 120 includes a support plate 121 and a support shaft 122. The support plate 121 is located in the processing space 111 and is provided in a disc shape. The support plate 121 is supported by the support shaft 122. The support plate 121 may be provided as necessary. The substrate W is placed on the upper surface of the support plate 121.

배플(130)은 지지판(121)의 상부에 위치한다. 배플(130)은 하우징(110)의 상부 벽에 전기적으로 연결된다. 배플(130)은 원판 형상으로, 기판 지지 부재(120)의 상면과 나란하게 배치될 수 있다. 배플(130)은 표면이 산화 처리된 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 배플(130)에는 관통공(131)들이 형성된다. 관통공(131)들은 균일한 라디칼 공급을 위해 동심의 원주상에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 확산공간(341)에서 확산된 플라스마는 관통공(131)들에 유입된다. 이때 전자 또는 이온 등과 같은 하전 입자는 배플(130)에 갇히고, 산소 라디칼 등과 같이 전하를 띄지 않는 중성 입자들은 관통공(131)들을 통과하여 기판(W)으로 공급된다. 또한, 배플(130)은 접지되어 전자 또는 이온이 이동되는 통로를 형성할 수 있다.The baffle 130 is positioned above the support plate 121. The baffle 130 is electrically connected to the top wall of the housing 110. The baffle 130 may have a disc shape and may be disposed in parallel with an upper surface of the substrate support member 120. The baffle 130 may be provided with an aluminum material whose surface is oxidized. Through holes 131 are formed in the baffle 130. The through holes 131 may be formed at regular intervals on the concentric circumference for uniform radical supply. The plasma diffused in the diffusion space 341 is introduced into the through holes 131. In this case, charged particles such as electrons or ions are trapped in the baffle 130, and neutral particles, such as oxygen radicals, which are not charged, are supplied to the substrate W through the through holes 131. In addition, the baffle 130 may be grounded to form a passage through which electrons or ions move.

퍼지 가스 공급 포트(1151)는 하우징(110)의 측벽(111)에 구비된다. 퍼지 가스 공급 포트(1151)는 기판 지지 부재(120) 상면보다 높은 위치에 구비된다. 퍼지 가스 공급 포트(1151)는 하우징(110)의 측벽에 대하여 하향 경사지게 구비된다. 퍼지 가스 공급 포트(1151)가 이루는 경사의 기하학적 연장선은 상기 기판 지지 부재의 가장자리에서 교차된다(도 8 참조). 퍼지 가스 공급 포트(1151)은 배플(130)보다 낮은 위치에 구비된다.The purge gas supply port 1151 is provided on the side wall 111 of the housing 110. The purge gas supply port 1151 is provided at a position higher than the upper surface of the substrate support member 120. The purge gas supply port 1151 is provided to be inclined downward with respect to the side wall of the housing 110. The oblique geometric extension of the purge gas supply port 1151 is crossed at the edge of the substrate support member (see FIG. 8). The purge gas supply port 1151 is provided at a lower position than the baffle 130.

퍼지 가스 공급 포트(1151)는 공정 유닛(100)에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급관(1152)에 연결된다. 퍼지 가스 공급관(1152)는 퍼지 가스 저장 탱크(1155)에 연결된다. 퍼지 가스는 진공 상태의 공정 챔버 내부에 퍼지 가스이다. 퍼지 가스는 불활성기체 중에 선택될 수 있으며, 본 실시 예의 퍼지 가스는 질소 가스이다.The purge gas supply port 1151 is connected to a purge gas supply pipe 1152 for supplying purge gas to the process unit 100. The purge gas supply pipe 1152 is connected to the purge gas storage tank 1155. The purge gas is a purge gas inside the process chamber in a vacuum state. The purge gas may be selected from inert gases, and the purge gas of the present embodiment is nitrogen gas.

퍼지 가스 공급관(1152)에는 레귤레이터(1154)가 연결된다. 레귤레이터(1154)는 공급되는 퍼지 가스의 유량을 조절한다.The regulator 1154 is connected to the purge gas supply pipe 1152. The regulator 1154 regulates the flow rate of the purge gas supplied.

퍼지 가스 공급 포트(1151)와 하우징(110)의 경계에는 도어 밸브(1153)가 구비된다. 도어 밸브(1153)은 도어 밸브 구동부(1156)에 연결된다. 도어 밸브 구동부(1156)를 구동하여 도어 밸브를 개폐한다. 도어 밸브(1153)은 플라즈마 공정 진행시에는 폐쇄되고, 퍼지 공정 진행 시에 개방된다. 도어 밸브(1153)가 퍼지 가스 공급 포트(1151)와 하우징(110)의 경계에 구비됨으로써, 도어 밸브(1153)가 폐쇄된 상태의 처리 공간(111)은 대칭을 이루고, 처리 공간(111) 내에서 플라즈마가 고르게 분포될 수 있다.A door valve 1153 is provided at the boundary between the purge gas supply port 1151 and the housing 110. The door valve 1153 is connected to the door valve driver 1156. The door valve driving unit 1156 is driven to open and close the door valve. The door valve 1153 is closed during the plasma process and is opened during the purge process. Since the door valve 1153 is provided at the boundary between the purge gas supply port 1151 and the housing 110, the processing space 111 with the door valve 1153 closed is symmetrical, and the processing space 111 is located within the processing space 111. Plasma can be evenly distributed at.

하부 배플(140)은 공정유닛(100)의 하방에 구비된다. 하부배플(140)은 배플(130)과 유사한 형상을 가진다. 하부 배플(140)은 처리 공간 내에서 플라즈마의 잔류 시간을 조절할 수 있다. 하부 배플(140)를 통과한 반응 부산물이 공정 유닛(100)의 외부로 배출되도록 배기 포트(201, 202)을 통해 외부로 배출된다. The lower baffle 140 is provided below the process unit 100. The lower baffle 140 has a shape similar to the baffle 130. The lower baffle 140 may adjust the residence time of the plasma in the processing space. The reaction by-products passing through the lower baffle 140 are discharged to the outside through the exhaust ports 201 and 202 to be discharged to the outside of the process unit 100.

플라즈마 발생 유닛(300)은 하우징(110)의 상부에 위치한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 공정 유닛(100)의 외부에서 공정 가스로부터 플라즈마(plasma)를 생성시키고, 이를 공정 유닛의 처리 공간(111)으로 공급한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 플라즈마 챔버(310), 공정 가스 공급관(320) 그리고 전력 인가부재(330)를 포함한다.The plasma generation unit 300 is located above the housing 110. The plasma generation unit 300 generates plasma from the process gas outside the process unit 100 and supplies the plasma to the processing space 111 of the process unit. The plasma generating unit 300 includes a plasma chamber 310, a process gas supply pipe 320, and a power applying member 330.

플라즈마 챔버(310)의 내부에는 방전 공간(311)이 형성된다. 플라즈마 챔버(310)의 상단은 공정 가스 공급 포트(315)에 의해 밀폐된다. 가스 공급 포트(315)는 공정 가스 공급관(320)와 연결된다. 공정 가스는 플라즈마 생성을 위한 반응 가스이다. 반응 가스는 공정 가스 공급 포트(315)를 통해 방전 공간(311)으로 공급된다. 반응 가스는 이불화메탄(CH2F2, Difluoromethane), 질소(N2), 그리고 산소(O2)를 포함할 수 있다. 선택적으로 반응 가스는 사불화탄소(CF4, Tetrafluoromethane) 등 다른 종류의 가스를 더 포함할 수 있다.The discharge space 311 is formed in the plasma chamber 310. The upper end of the plasma chamber 310 is sealed by the process gas supply port 315. The gas supply port 315 is connected to the process gas supply pipe 320. The process gas is a reaction gas for plasma generation. The reaction gas is supplied to the discharge space 311 through the process gas supply port 315. The reaction gas may include difluoromethane (CH 2 F 2), nitrogen (N 2), and oxygen (O 2). Optionally, the reaction gas may further include other kinds of gases such as carbon tetrafluoride (CF4, Tetrafluoromethane).

전력 인가부재(330)는 방전 공간(311)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가부(330)는 안테나(331)와 전원(332)을 포함한다. 안테나(331)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나로, 코일 형상으로 제공된다. 안테나(331)는 플라즈마 챔버(310) 외부에서 플라즈마 챔버(310)에 복수회 감긴다. 안테나(331)는 방전 공간(311)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(310)에 감긴다. 안테나(331)의 일단은 전원(332)과 연결되고, 타단은 접지된다.The power applying member 330 applies high frequency power to the discharge space 311. The power applying unit 330 includes an antenna 331 and a power source 332. The antenna 331 is an inductively coupled plasma (ICP) antenna and is provided in a coil shape. The antenna 331 is wound around the plasma chamber 310 a plurality of times outside the plasma chamber 310. The antenna 331 is wound around the plasma chamber 310 in the region corresponding to the discharge space 311. One end of the antenna 331 is connected to the power source 332, the other end is grounded.

전원(332)은 안테나(331)에 고주파 전류를 공급한다. 안테나(331)에 공급된 고주파 전력은 방전 공간(311)에 인가된다. 고주파 전류에 의해 방전 공간(311)에는 유도 전기장이 형성되고, 방전 공간(311) 내 제 1 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환된다. 전력 인가부의 구조는 상술한 예에 한정되지 않고, 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 다양한 구조가 사용될 수 있다.The power supply 332 supplies a high frequency current to the antenna 331. The high frequency power supplied to the antenna 331 is applied to the discharge space 311. An induction electric field is formed in the discharge space 311 by the high frequency current, and the first gas in the discharge space 311 obtains energy necessary for ionization from the induction electric field and is converted into a plasma state. The structure of the power applying unit is not limited to the example described above, and various structures for generating plasma from the process gas may be used.

유도 부재(340)는 플라즈마 챔버(310)와 하우징(110) 사이에 위치한다. 유도 부재(340)는 하우징(110)의 개방된 상면을 밀폐하며, 하단에 하우징(110)과 배플(130)이 결합한다. 유도 부재의 내부에는 유입공간(341)이 형성된다. 유입 공간(341)은 방전 공간(311)과 처리 공간(111)을 연결하며, 방전 공간(311)에서 생성된 플라즈마가 처리 공간(111)으로 공급되는 통로로 제공한다.Induction member 340 is located between plasma chamber 310 and housing 110. Induction member 340 seals the open upper surface of the housing 110, the housing 110 and the baffle 130 is coupled to the bottom. An inflow space 341 is formed inside the induction member. The inflow space 341 connects the discharge space 311 and the processing space 111, and provides a passage through which plasma generated in the discharge space 311 is supplied to the processing space 111.

배기 유닛(200)은 배기 포트(201,202)와 감압 펌프(210)를 포함한다. 배기 포트(201,202)는 반응 부산물을 펌핑하여 공정 유닛(100) 내부의 압력을 조절 할 수 있는 감압 펌프(210)와 연결된다.The exhaust unit 200 includes exhaust ports 201 and 202 and a pressure reducing pump 210. The exhaust ports 201 and 202 are connected to a pressure reducing pump 210 that can adjust the pressure inside the process unit 100 by pumping reaction byproducts.

배기 포트(201, 202)는 하우징(110)의 바닥면에 형성된 배기홀과 연결된다. 배기 포트(201, 202)는 하우징(110) 내부에 머무르는 플라즈마 및 반응 부산물이 외부로 배출되는 통로를 제공한다. 배기 포트(201, 202)는 배기관(203)에 연결된다. 배기관(203)은 감압 펌프(210)에 연결된다. 배기 포트(201, 202)는 기판 지지판(121)의 둘레에 구비된다.The exhaust ports 201 and 202 are connected to exhaust holes formed in the bottom surface of the housing 110. Exhaust ports 201 and 202 provide a passage through which plasma and reaction byproducts remaining inside the housing 110 are discharged to the outside. Exhaust ports 201 and 202 are connected to exhaust pipe 203. The exhaust pipe 203 is connected to the pressure reducing pump 210. The exhaust ports 201 and 202 are provided around the substrate support plate 121.

제어부는 장치의 각 구성들과 연결되어 구성들의 동작을 제어한다.The control unit is connected to each component of the device to control the operation of the components.

도 4는 도 3에 도시된 기판 처리 장치의 퍼지 가스 공급 상황을 간략히 도시한 도면이다.4 is a view schematically illustrating a purge gas supply situation of the substrate processing apparatus of FIG. 3.

도 4를 참조하면, 공정 챔버에서 플라즈마 공정 처리가 완료된 후, 기판의 반출을 위해 퍼지 가스를 공급한다. 퍼지 가스가 공급되기 위해 도어 밸브(1153)은 개방된다. 퍼지 가스 공급 탱크(115)에 저장된 퍼지 가스는 도어 밸브(1153)의 개방에 의해 처리 공간(111)으로 유입된다.Referring to FIG. 4, after the plasma process process is completed in the process chamber, a purge gas is supplied to take out the substrate. The door valve 1153 is opened to supply the purge gas. The purge gas stored in the purge gas supply tank 115 flows into the processing space 111 by opening the door valve 1153.

퍼지 가스 공급 포트(1151)가 지지판(121)을 향해 하향 경사지게 제공되므로, 퍼지 가스는 경사 방향을 따라 지지판(121)을 향해 사선으로 제공된다. 사선으로 분출된 퍼지 가스는 하우징(110)의 측면에서 중심을 향하여 흐르며 처리 공간(111)을 횡단한다. 상기 퍼지 가스의 흐름은 기판과 처리 공간(111) 내부에 잔류하는 공정 부산물을 배기 포트(201)로 배출시켜 제거한다. 이로써, 처리 공간(111) 내부는 세정된다. 퍼지 가스가 공정 챔버 내에 지속적으로 유입됨에 따라, 챔버 내 압력은 대기압으로 전환된다.Since the purge gas supply port 1151 is provided to be inclined downward toward the support plate 121, the purge gas is provided diagonally toward the support plate 121 along the inclined direction. The purge gas ejected diagonally flows toward the center at the side of the housing 110 and crosses the processing space 111. The flow of the purge gas is removed by discharging the process by-products remaining in the substrate and the processing space 111 to the exhaust port 201. As a result, the inside of the processing space 111 is cleaned. As the purge gas continues to flow into the process chamber, the pressure in the chamber is converted to atmospheric pressure.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 측단면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 기판 처리 장치의 퍼지 가스 공급 상황을 간략히 도시한 도면이다. FIG. 5 is a side cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment. FIG. 6 is a view briefly illustrating a purge gas supply situation of the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 5.

도 5 및 6을 참조하면, 퍼지 가스 공급 포트(2151)는 하우징(110)의 상단으로 치우치게 구비된다. 퍼지 가스 공급 포트(2151)는 배플(130)과 가깝게 위치된다. 퍼지 가스 공급 포트(2151)와 수평이 이루는 경사각은 도 3의 퍼지 가스 공급 포트(1151)와 비교해서 완만하다. 퍼지 가스 공급 포트(2151)로 분출된 퍼지 가스는 배플(130)과 직접 접촉하여 배플(130)의 열을 흡수한다. 열을 흡수하고 처리 공간(111) 내부의 잔류 공정 부산물을 제거한 퍼지 가스는 배기 포트(201)로 배출된다. 퍼지 가스가 공정 챔버 내에 지속적으로 유입됨에 따라, 챔버 내 압력은 대기압으로 전환된다.5 and 6, the purge gas supply port 2151 is provided to be biased toward the upper end of the housing 110. The purge gas supply port 2151 is located close to the baffle 130. The inclination angle formed horizontally with the purge gas supply port 2151 is gentle compared to the purge gas supply port 1151 of FIG. 3. The purge gas ejected to the purge gas supply port 2151 is in direct contact with the baffle 130 to absorb heat from the baffle 130. The purge gas that absorbs heat and removes residual process byproducts inside the processing space 111 is discharged to the exhaust port 201. As the purge gas continues to flow into the process chamber, the pressure in the chamber is converted to atmospheric pressure.

도 7는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 측단면도이다. 도 8은 도 7의 기판 처리 장치의 퍼지 가스 공급 포트의 작동 상태를 도시한 부분 확대도이다.7 is a side cross-sectional view briefly showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. FIG. 8 is a partially enlarged view illustrating an operating state of a purge gas supply port of the substrate processing apparatus of FIG. 7.

도 7 및 8을 참조하면, 퍼지 가스 공급 포트(3151)의 토출각은 가변 가능하게 제공된다. 퍼지 가스 공급 포트(3151)의 단부는 플렉시블한 재질로 선택된다. 가변되는 각도는 퍼지 가스 토출각의 기하학적 연장선이 기판(W)의 단부에 닿는 각도(θ1)에서 퍼지 가스 토출각의 기하학적 연장선이 배플(130)에 닿는 각도(θ2 )로 가변될 수 있다. 가변 범위는 θ1+θ2 이다.7 and 8, the discharge angle of the purge gas supply port 3151 is provided to be variable. An end of the purge gas supply port 3151 is selected from a flexible material. The variable angle may vary from an angle θ1 at which the geometric extension line of the purge gas discharge angle touches an end of the substrate W to an angle θ2 at which the geometric extension line of the purge gas discharge angle touches the baffle 130. The variable range is θ 1 + θ 2.

퍼지 가스 공급 포트(3151)의 각도가 θ1에 가까워 질수록 공정 부산물 배출 효과가 상승된다. 퍼지 가스 공급 포트(3151)의 각도가 θ2 에 가까워 질수록 배플의 쿨링 효과가 상승된다.As the angle of the purge gas supply port 3151 approaches θ1, the process by-product discharge effect is increased. As the angle of the purge gas supply port 3151 approaches θ 2, the cooling effect of the baffle increases.

퍼지 가스 공급 포트(3151)의 토출각은 가변은 제어부에 의해 제어될 수 있다.The discharge angle of the purge gas supply port 3151 may be controlled by the controller.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 측단면도이다.9 is a side cross-sectional view briefly showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 퍼지 가스 공급 포트(4151)는 기판 지지 부재(120)의 상면에 놓인 기판과 가깝게 구비된다. 퍼지 가스 공급 포트(4151)의 경사는 다른 실시 예와 비교하여 완만하다. 기판과 가깝게 구비된 퍼지 가스 공급 포트(4151)에 퍼지 가스를 공급하면서, 기판 지지 부재를 회전하면, 기판 측면의 공정 부산물을 효과적으로 제거할 수 있다.Referring to FIG. 9, the purge gas supply port 4141 is provided close to a substrate placed on an upper surface of the substrate support member 120. The inclination of the purge gas supply port 4141 is gentle compared to other embodiments. When the substrate supporting member is rotated while supplying the purge gas to the purge gas supply port 4141 provided close to the substrate, process by-products on the side of the substrate can be effectively removed.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 측단면도이다.10 is a side cross-sectional view briefly showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 퍼지 가스 공급 포트(5151)의 토출각은 배플(131)을 향해 상향 경사지게 제공된다. 상향 경사진 토출각을 갖는 퍼지 가스 공급 포트(5151)는 공정 처리 과정에서 가열된 배플(130)을 효과적으로 쿨링할 수 있다.Referring to FIG. 10, the discharge angle of the purge gas supply port 5501 is provided to be inclined upward toward the baffle 131. The purge gas supply port 5151 having an upwardly inclined discharge angle may effectively cool the heated baffle 130 during the process.

도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 흐름도이다.11 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 11과 도 3을 참조하면, 기판이 공정 챔버로 이송되어 반입된다. 미도시된 하우징(110)의 도어가 열리고 반송 로봇이 처리 공간(111)으로 진입하여 기판을 이송한다(S100). 반입된 기판은 기판 지지 부재(120)에 안착되어 로딩된다(S200). 기판이 로딩되면, 배기 유닛(200)은 처리 공간(111)의 압력을 설정 값으로 제어한다. 처리 공간(111) 압력은 진공 플라즈마 공정에 의할 경우 진공에 가까운 저압으로 제어된다(S300). 기판 처리에 필요한 처리 공간(111)의 분위기가 조성되면 플라즈마 발생 유닛(300)은 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 공정을 진행한다(S400). 공정이 완료되면 퍼지 가스 공급 포트(1151)는 처리 공간(111)으로 퍼지 가스를 분출한다. 퍼지 가스가 유입됨에 따라 처리 공간의 압력은 공정 압력보다 높아진다. 분출되는 퍼지 가스는 열을 흡수하고 처리 공간(111) 내부의 잔류 공정 부산물을 제거한다. 처리 공간(111)을 횡단한 퍼지 가스는 배기 포트(201)로 배출된다. 퍼지 가스가 지속적으로 유입되면 처리 공간(111)은 대기압 분위기를 형성된다. 하우징(110)의 도어가 열리면 기판을 언로딩하고, 반송 로봇이 진입하여 기판을 반출한다. 11 and 3, the substrate is transferred into the process chamber and loaded. The door of the housing 110, not shown, is opened and the transfer robot enters the processing space 111 to transfer the substrate (S100). The loaded substrate is mounted on the substrate support member 120 and loaded (S200). When the substrate is loaded, the exhaust unit 200 controls the pressure of the processing space 111 to a set value. The pressure of the processing space 111 is controlled to a low pressure close to a vacuum when the vacuum plasma process is performed (S300). When the atmosphere of the processing space 111 required for substrate processing is formed, the plasma generating unit 300 generates a plasma to process a substrate (S400). When the process is completed, the purge gas supply port 1151 ejects the purge gas into the processing space 111. As the purge gas enters, the pressure in the processing space is higher than the process pressure. The ejected purge gas absorbs heat and removes residual process byproducts inside the processing space 111. The purge gas traversing the processing space 111 is discharged to the exhaust port 201. When the purge gas is continuously introduced, the processing space 111 forms an atmospheric pressure atmosphere. When the door of the housing 110 is opened, the substrate is unloaded, and the transfer robot enters and takes out the substrate.

도시하지 않았지만, 본 발명의 실시 예의 배플(130)은 유도 부재와 전기적으로 연결될 수 있다. 배기 포트는 하나만 구비될 수 있다. 공정 가스 공급 포트를 통해 퍼지 가스를 부가적으로 유입하여 시너지 효과를 얻을 수 있다. 퍼지 가스를 공급하면서 기판 지지 부재를 회전시켜 공정 부산물 제거 효과를 높일 수 있다.Although not shown, the baffle 130 of the embodiment of the present invention may be electrically connected to the induction member. Only one exhaust port may be provided. Synergistic effects may be obtained by additionally introducing purge gas through the process gas supply port. The substrate support member may be rotated while supplying the purge gas to increase the process byproduct removal effect.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above-mentioned contents show preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosures described above, and / or the skill or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

10: 로드 포트, 20: 설비 전방 단부 모듈;
25: 인덱스 로봇, 30: 공정 처리실;
40: 로드락 챔버, 50: 트랜스퍼 챔버;
53: 반송 로봇, 60: 공정 챔버;
1151, 2151, 3151, 4151, 5151: 제2 가스 공급 포트.10: load port, 20: plant front end module;
25: index robot, 30: process chamber;
40: load lock chamber, 50: transfer chamber;
53: transfer robot, 60: process chamber;
1151, 2151, 3151, 4151, 5151: second gas supply port.

Claims

delete

In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate,
A housing providing a processing space;
A substrate support member disposed in the housing to support a substrate;
A plasma generation unit provided above the housing;
A process gas supply port provided in the plasma generation unit and connected to a process gas supply pipe supplying a process gas;
A purge gas supply port provided on the sidewall of the housing and higher than an upper surface of the substrate support member and connected to a purge gas supply pipe supplying a purge gas;
An exhaust unit connected to the pressure reducing pump and discharging the internal gas of the housing; And
Including a controller,
The purge gas supply port,
It is provided to be inclined downward in the direction toward the substrate placed on the support member,
The controller,
Treating the surface of the substrate by supplying the process gas to a substrate loaded into the processing space at a process pressure lower than atmospheric pressure,
Thereafter, the purge gas is supplied to the processing space to change the processing space to a pressure higher than the process pressure,
And a portion of the purge gas is controlled to be discharged through the exhaust unit.

The method of claim 2,
And the purge gas supply port is inclined downward in a direction toward an edge of the substrate placed on the support member.

delete

In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate,
A housing providing a processing space;
A substrate support member disposed in the housing to support a substrate;
A plasma generation unit provided above the housing;
A process gas supply port provided in the plasma generation unit and connected to a process gas supply pipe supplying a process gas;
A purge gas supply port provided on the sidewall of the housing and higher than an upper surface of the substrate supporting member and connected to a purge gas supply pipe supplying a purge gas;
An exhaust unit connected to the pressure reducing pump and discharging the internal gas of the housing;
A baffle provided on an upper portion of the substrate support member and having a through hole through which gas flows; And
Including a controller,
The discharge end of the purge gas supply port is located closer to the baffle than the substrate support member,
The controller,
Treating the surface of the substrate by supplying the process gas to a substrate loaded into the processing space at a process pressure lower than atmospheric pressure,
Thereafter, the purge gas is supplied to the processing space to change the processing space to a pressure higher than the process pressure,
And a portion of the purge gas is controlled to be discharged through the exhaust unit.

In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate,
A housing providing a processing space;
A substrate support member disposed in the housing to support a substrate;
A plasma generation unit provided above the housing;
A process gas supply port provided in the plasma generation unit and connected to a process gas supply pipe supplying a process gas;
A purge gas supply port provided on the sidewall of the housing and higher than an upper surface of the substrate supporting member and connected to a purge gas supply pipe supplying a purge gas;
An exhaust unit connected to the pressure reducing pump and discharging the internal gas of the housing;
A baffle provided on an upper portion of the substrate support member and having a through hole through which gas flows; And
Including a controller,
The purge gas supply port is provided to be inclined upward in the direction toward the baffle,
The controller,
Treating the surface of the substrate by supplying the process gas to a substrate loaded into the processing space at a process pressure lower than atmospheric pressure,
Thereafter, the purge gas is supplied to the processing space to change the processing space to a pressure higher than the process pressure,
And a portion of the purge gas is controlled to be discharged through the exhaust unit.

The method of claim 2,
The discharging end of the purge gas supply port is provided close to the upper side of the substrate support member.

In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate,
A housing providing a processing space;
A substrate support member disposed in the housing to support a substrate;
A plasma generation unit provided above the housing;
A process gas supply port provided in the plasma generation unit and connected to a process gas supply pipe supplying a process gas;
A purge gas supply port provided on the sidewall of the housing and higher than an upper surface of the substrate supporting member and connected to a purge gas supply pipe supplying a purge gas;
An exhaust unit connected to the pressure reducing pump and discharging the internal gas of the housing; And
A baffle provided on an upper portion of the substrate support member and formed with a through hole through which gas flows;
The purge gas supply port is provided to change the discharge angle in the vertical direction,
The controller,
Treating the surface of the substrate by supplying the process gas to a substrate loaded into the processing space at a process pressure lower than atmospheric pressure,
Thereafter supplying the purge gas to the processing space to change the processing space to a pressure higher than the process pressure,
Adjusting the discharge angle of the purge gas supply port upward or downward;
And a portion of the purge gas is controlled to be discharged through the exhaust unit.

delete

The method according to any one of claims 2 and 5 to 8.
The substrate support member is rotatably provided,
The controller,
A substrate processing apparatus for rotating the substrate support member while supplying the purge gas.

In the substrate processing method,
Process the surface of the substrate by supplying a process gas to the substrate loaded into the process chamber at a process pressure lower than atmospheric pressure,
Thereafter, a purge gas is supplied into the process chamber to exhaust a portion of the purge gas supplied into the process chamber while changing the inside of the process chamber to a pressure higher than the process pressure.
Thereafter, the substrate is taken out from the process chamber,
The purge gas is injected in the direction inclined downward toward the substrate from the side wall of the process chamber,
The pressure higher than said process pressure is atmospheric pressure.

delete

In the substrate processing method,
Process the surface of the substrate by supplying a process gas to the substrate loaded into the process chamber at a process pressure lower than atmospheric pressure,
Thereafter, a purge gas is supplied into the process chamber to exhaust a portion of the purge gas supplied into the process chamber while changing the inside of the process chamber to a pressure higher than the process pressure.
Thereafter, the substrate is taken out from the process chamber,
The process chamber includes a baffle disposed on top of the loaded substrate,
The purge gas is injected in the direction inclined upward toward the baffle from the side wall of the process chamber,
The baffle is cooled by the purge gas,
The pressure higher than said process pressure is atmospheric pressure.