KR20190042516A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus which efficiently processes a substrate and a substrate processing method thereof. According to the present invention, the substrate processing apparatus comprises a first process chamber, a second process chamber, and a controller. According to the substrate processing method of the present invention, a laser beam is irradiated onto a substrate to remove a portion of a thin film and then chemicals are supplied to the substrate to remove the remaining portion of the thin film.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Among them, the etching process is a process for removing an unnecessary region from a thin film formed on a substrate, and a high selection ratio and a high etching rate are required for the thin film.

일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.In general, the etching process or the cleaning process of the substrate is largely carried out in a chemical treatment stage, a rinsing treatment stage, and a drying treatment stage. In the chemical treatment step, a chemical for etching the thin film formed on the substrate or removing foreign substances on the substrate is supplied to the substrate, and in the rinsing step, a rinsing liquid such as pure water is supplied onto the substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판 상의 박막을 빠른 처리 속도 및 높은 선택비를 가지고 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing a thin film on a substrate with a high processing speed and a high selectivity.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 기판에 레이저를 조사하여 상기 박막의 일부분을 제거하고, 이후에 기판에 케미칼을 공급하여 상기 박막의 나머지 부분을 제거하는 박막 제거 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a thin film removing method for removing a portion of a thin film by irradiating the substrate with a laser, and then supplying a chemical to the substrate to remove the remaining portion of the thin film.

또한, 상기 박막은 질화 실리콘일 수 있다.Further, the thin film may be silicon nitride.

또한, 상기 레이저는 가시광선 대역의 파장을 포함할 수 있다.The laser may also include wavelengths in the visible light band.

또한, 상기 레이저는 적외선 대역의 파장을 포함할 수 있다.In addition, the laser may include a wavelength of an infrared band.

또한, 상기 레이저가 조사되는 구간 중 일부에서, 상기 기판은 상기 케미칼이 도포된 상태로 제공될 수 있다.Further, in some of the sections irradiated with the laser, the substrate may be provided in a state in which the chemical is applied.

또한, 상기 기판은 상기 레이저가 조사될 때 회전 되는 상태로 제공되고, 상기 기판에 조사되는 상기 레이저는 상기 기판의 회전 중심을 지나고 반지름 영역에 걸쳐 조사될 수 있다.Further, the substrate is provided while being rotated when the laser is irradiated, and the laser irradiated on the substrate can be irradiated over the radial region passing through the center of rotation of the substrate.

또한, 상기 기판은 상기 레이저가 조사될 때 회전 되는 상태로 제공되고, 상기 기판에 조사되는 상기 레이저는 상기 기판의 회전 중심을 지나고 지름 영역에 걸쳐 조사될 수 있다.Further, the substrate is provided in a state rotated when the laser is irradiated, and the laser irradiated to the substrate can be irradiated over a diameter region passing through the center of rotation of the substrate.

또한, 상기 기판은 상기 레이저가 조사될 때 회전 되는 상태로 제공되고, 상기 기판에 조사되는 상기 레이저는 상기 기판의 반경 방향으로 상기 기판의 반지름 보다 작은 폭을 가지고, 상기 기판의 반경 방향으로 이동 하도록 제공될 수 있다.Further, the substrate is provided while being rotated when the laser is irradiated, and the laser irradiated on the substrate has a width smaller than the radius of the substrate in the radial direction of the substrate, and moves in the radial direction of the substrate Can be provided.

또한, 상기 레이저의 이동 속도는 상기 기판의 회전 중심에 인접할 때 보다 외측 에지 영역에 인접할 때 느리게 형성될 수 있다.Further, the moving speed of the laser may be slower when adjacent to the outer edge region than when the laser is adjacent to the rotation center of the substrate.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 하우징; 상기 하우징의 내부에 위치되어, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판으로 레이저를 조사하여, 상기 기판 상의 박막을 1차적으로 처리하는 레이저 조사기; 및 상기 기판으로 처리액을 공급하여, 상기 레이저에 의해 처리된 후 잔류하는 물질을 2차적으로 처리하는 분사 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, A substrate support member positioned inside the housing and supporting the substrate; A laser irradiator for irradiating the substrate with a laser to primarily treat the thin film on the substrate; And a jetting member for supplying a treatment liquid to the substrate and for secondary treatment of a substance remaining after being treated by the laser.

또한, 상기 상기 레이저가 조사될 때, 상기 기판이 회전 되도록 상기 기판 지지 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 레이저 조사기에서 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 회전 중심을 지나고 상기 기판의 반경 영역에 걸쳐 조사될 수 있다.Further comprising a controller for controlling the substrate support member such that the substrate is rotated when the laser is irradiated, wherein the laser irradiated from the laser irradiator passes through the center of rotation of the substrate, Lt; / RTI >

또한, 상기 상기 레이저가 조사될 때, 상기 기판이 회전 되도록 상기 기판 지지 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 레이저 조사기에서 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 회전 중심을 지나고 상기 기판의 지름 영역에 걸쳐 조사될 수 있다.Further comprising a controller for controlling the substrate support member such that the substrate is rotated when the laser is irradiated, wherein the laser irradiated from the laser irradiator passes through the center of rotation of the substrate, Lt; / RTI >

또한, 상기 레이저가 조사될 때, 상기 기판이 회전 되도록 상기 기판 지지 부재를 제어하고, 상기 레이저 조사기에서 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 반경 방향으로 상기 기판의 반지름 보다 작은 폭을 가지고, 상기 기판의 반경 방향으로 이동되도록 상기 레이저 조사기를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.Wherein the control unit controls the substrate support member so that when the laser is irradiated, the laser irradiated by the laser irradiator has a width smaller than the radius of the substrate in the radial direction of the substrate, And a controller for controlling the laser irradiator to move in the radial direction.

또한, 상기 제어기는 상기 레이저의 이동 속도가 상기 기판의 회전 중심에 인접할 때 보다 외측 에지 영역에 인접할 때 느리도록 상기 레이저 조사기를 제어할 수 있다.In addition, the controller can control the laser beam to be slower when the moving speed of the laser is adjacent to the outer edge region than when the moving speed of the laser is adjacent to the center of rotation of the substrate.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 기판에 레이저를 조사하여 상기 기판 상의 박막을 1차적으로 처리하는 제1 공정 챔버; 및 상기 제1 공정 챔버에서 처리된 상기 기판에 처리액을 공급하여, 상기 기판에 잔류하는 물질을 2차적으로 처리하는 제2 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a first processing chamber for irradiating a substrate with a laser to primarily treat a thin film on the substrate; And a second processing chamber for supplying a processing solution to the substrate processed in the first processing chamber and secondarily processing the material remaining on the substrate.

또한, 상기 제1 공정 챔버는, 하우징; 상기 하우징의 내부에 위치되어, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판으로 레이저를 조사하여, 상기 기판 상의 박막을 1차적으로 처리하는 레이저 조사기; 및 상기 상기 레이저가 조사될 때, 상기 기판이 회전 되도록 상기 기판 지지 부재를 제어하는 제어기를 포함할 수 있다.The first process chamber may further include: a housing; A substrate support member positioned inside the housing and supporting the substrate; A laser irradiator for irradiating the substrate with a laser to primarily treat the thin film on the substrate; And a controller for controlling the substrate support member to rotate the substrate when the laser is irradiated.

또한, 상기 기판에 조사되는 상기 레이저는 선형으로 제공될 수 있다.Further, the laser irradiated on the substrate may be provided linearly.

또한, 상기 레이저는 상기 기판의 회전 중심을 지나도록 조사될 수 있다.Further, the laser may be irradiated to pass through the center of rotation of the substrate.

또한, 상기 박막은 질화 실리콘이고, 상기 처리액은 인산일 수 있다.Further, the thin film may be silicon nitride, and the treatment liquid may be phosphoric acid.

또한, 상기 레이저는 가시광선 대역 및 적외선 대역의 파장을 포함할 수 있다.Further, the laser may include wavelengths of a visible light band and an infrared light band.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상의 박막을 빠른 처리 속도 및 높은 선택비를 가지고 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, there can be provided a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing a thin film on a substrate with a high processing speed and a high selectivity ratio.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 처리부에 제공되는 제1 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 3은 분사 부재의 배관 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 기판이 처리 되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 5는 일 예에 따라 기판에 조사된 레이저를 나타내는 도면이다.
도 6은 다른 실시 예에 따라 조사된 레이저를 나타내는 도면이다.
도 7은 처리부에 제공되는 제2 공정 챔버를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a first process chamber provided in a processing section;
3 is a view showing the piping relationship of the injection member.
4 is a view showing a process of processing a substrate.
5 is a view showing a laser irradiated to a substrate according to an example.
6 is a view showing a laser irradiated according to another embodiment.
7 is a view showing a second process chamber provided in the processing section.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1000)는 인덱스부(10), 버퍼부(20), 처리부(50) 및 제어기(60)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치될 수 있다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1000 of the present invention may include an index unit 10, a buffer unit 20, a processing unit 50, and a controller 60. The index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit may be arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index unit 10, the buffer unit 20 and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, the direction perpendicular to the first direction as viewed from above is referred to as a second direction, And a direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is referred to as a third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 장치(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. The index portion 10 is disposed in front of the substrate processing apparatus 1000 in the first direction. The index section 10 includes four load ports 12 and one index robot 13.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 변경될 수 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 위치된다. 캐리어(16)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. The four load ports 12 are disposed in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are disposed along the second direction. The number of the load ports 12 can be changed according to the process efficiency and the footprint condition of the substrate processing apparatus 1000. [ The load ports 12 are provided with a substrate W to be supplied to the process and a carrier (e.g., cassette, FOUP, etc.) in which the processed substrate W is placed. The carrier 16 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다. The index robot 13 is disposed in the first direction adjacent to the load port 12. [ The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20. The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16 or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20 do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부(50) 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다.The buffer unit 20 is provided between the index unit 10 and the processing unit 50. The buffer unit 20 temporarily stores the substrate W to be supplied to the process before being transferred by the index robot 13 or the substrate W whose processing has been completed before being transferred by the main transfer robot 30, .

메인 이송 로봇(30)은 이송 챔버(40)에 위치되며, 각 공정 챔버들 및 버퍼부(20) 간에 기판(W)을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판(W)을 각 공정 챔버로 이송하거나, 각 공정 챔버에서 공정 처리가 완료된 기판(W)을 버퍼부(20)로 이송한다. The main transfer robot 30 is located in the transfer chamber 40 and transfers the substrate W between the respective processing chambers and the buffer unit 20. [ The main transfer robot 30 transfers the substrate W to be supplied to the process waiting in the buffer unit 20 to each process chamber or transfers the substrate W processed in each process chamber to the buffer unit 20 Transfer.

이송 챔버(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이송 챔버(40)의 양측에는 공정 챔버들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이송 챔버(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 공정 챔버의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.The transfer chamber 40 is disposed along a first direction in the processing section and provides a passage through which the main transfer robot 30 moves. On both sides of the transfer chamber 40, the process chambers face each other and are disposed along a first direction. In the transfer chamber 40, the main transfer robot 30 moves along the first direction, and the upper and lower layers of the process chamber and the upper and lower layers of the buffer unit 20 are provided with movable rails.

공정 챔버는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)에 인접하도록, 이동통로(40)의 양측 또는 일측에 배치된다. 기판 처리 장치(1000)는 상하층으로 된 다수개의 공정 챔버를 구비하나, 공정 챔버의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 공정 챔버는 독립적인 하우징(800)으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판(W)을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.The process chambers are disposed on both sides or one side of the transfer passage 40 so as to be adjacent to the transfer passage 40 where the main transfer robot 30 is installed. Although the substrate processing apparatus 1000 has a plurality of process chambers in the upper and lower layers, the number of process chambers may increase or decrease depending on the process efficiency and the footprint condition of the substrate processing apparatus 1000. Each of the process chambers is constituted by an independent housing 800, so that a process of treating the substrate W in an independent form in each substrate processing apparatus can be performed.

제어기(60)는 기판 처리 장치(1000)의 구성들을 제어한다. 또한, 제어기(60)는 공정 챔버의 구성 요소들을 제어할 수 있다.The controller 60 controls the configurations of the substrate processing apparatus 1000. [ In addition, the controller 60 may control components of the process chamber.

도 2는 처리부에 제공되는 제1 공정 챔버(51)를 나타내는 도면이다.2 is a view showing the first process chamber 51 provided in the processing section.

본 실시 예에서는 처리부(50)에 제공되는 제1 공정 챔버(51)가 처리하는 기판(W)으로 반도체 웨이퍼를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판(W)과 같은 다양한 종류의 기판(W)에도 적용될 수 있다.In the present embodiment, a semiconductor wafer is exemplarily described as the substrate W to be processed by the first process chamber 51 provided in the processing unit 50. However, the present invention is not limited to this, The present invention can be applied to various kinds of substrates W,

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 제1 공정 챔버(51)는 하우징(800), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 분사 부재(300), 레이저 조사기(400) 및 배기 라인(410)를 포함한다.Referring to FIG. 2, a first process chamber 51 according to the present invention includes a housing 800, a processing vessel 100, a substrate support member 200, a jetting member 300, a laser irradiator 400, Lt; / RTI >

하우징(800)은 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 하우징(800)은 격벽(814)에 의해 공정 영역(815)과 유지보수 영역(818)으로 구획될 수 있다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기 라인(410) 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(818)은 기판(W) 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.The housing 800 provides a sealed interior space. The housing 800 can be partitioned into a process area 815 and a maintenance area 818 by a partition wall 814. [ The maintenance area 818 is a space in which the discharge lines 141, 143 and 145 connected to the processing vessel 100 and the exhaust line 410 are located. ) Process is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개방된 통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행 시 기판(W)을 지지하고, 기판(W)를 회전시킨다. The processing vessel 100 has a cylindrical shape with its top opened, and provides a processing space for processing the substrate W. [ The open upper surface of the processing vessel 100 is provided as a take-out and carry-in passage of the substrate W. [ The substrate support member 200 is located in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process.

처리 용기(100)의 상부에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 처리 용기(100)의 하부에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.The first, second, and third suction ducts 110, 120, and 130 for introducing and sucking the chemical liquid and the gas to be scattered on the substrate W to be rotated are disposed at the upper portion of the processing vessel 100 in multiple stages. The annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the container). An exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided at a lower portion of the processing vessel 100.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a side wall having a cylindrical shape extending from the bottom surface. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is located apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is located apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third suction ducts 110, 120 and 130 provide the first to third collection spaces RS1, RS2 and RS3 through which the air flow containing the processing liquid and the fumes scattered from the substrate W flows . The first collection space RS1 is defined by the first intake duct 110 and the second collection space RS2 is defined by the spacing space between the first intake duct 110 and the second intake duct 120 And the third collection space RS3 is defined by the spacing space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130. [

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.Each of the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 has an inclined surface whose center portion is open and whose distance from the corresponding side surface gradually increases from the connected side wall to the opening side. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate W flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid flowing into the first collection space RS1 is discharged to the outside through the first collection line 141. [ The second process liquid that has flowed into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid flowing into the third water collection space RS3 is discharged to the outside through the third collection line 145. [

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the processing vessel 100 is combined with the elevation unit 600 that changes the vertical position of the processing vessel 100. The elevating unit 600 moves the processing vessel 100 linearly in the vertical direction. The relative height of the processing vessel 100 to the spin head 210 is changed as the processing vessel 100 is moved up and down.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정 결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩 될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.The lifting unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixed to the outer wall of the processing container 100 and a moving shaft 614 which is moved upward and downward by a driver 616 is fixedly coupled to the bracket 612. The processing vessel 100 is lowered so that the spin head 210 protrudes to the upper portion of the processing vessel 100 when the substrate W is loaded into the spin head 210 or unloaded from the spin head 210. The height of the processing vessel 100 is adjusted so that the processing liquid can flow into the predetermined suction ducts 110, 120 and 130 depending on the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Thus, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate W is changed. Accordingly, the processing vessel 100 can differentiate the kinds of the processing liquid and the polluting gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시 예에 있어서, 제1 공정 챔버(51)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 제1 공정 챔버(51)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the first processing chamber 51 vertically moves the processing vessel 100 to change the relative vertical position between the processing vessel 100 and the substrate supporting member 200. However, the first process chamber 51 may vertically move the substrate support member 200 to change the relative vertical position between the process container 100 and the substrate support member 200.

기판(W) 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판(W) 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(230)에 의해 회전될 수 있다. 기판(W) 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행 시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 스핀헤드(210)에는 기판(W)에 공급된 린스액을 가열하기 위한 히터(215)가 제공될 수 있다.The substrate W supporting member 200 is installed inside the processing vessel 100. The substrate W supporting member 200 supports the substrate W during the process and can be rotated by the driving unit 230, which will be described later, during the process. The substrate W support member 200 has a spin head 210 having a circular upper surface and support pins 212 for supporting the substrate W and a chucking pin 214). The support pins 212 are disposed at predetermined intervals on the upper edge of the spin head 210 to be arranged in a predetermined array and protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported in a state of being spaced upward from the spin head 210. Chucking pins 214 are disposed on the outer sides of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is in position on the spin head 210. The chucking pins 214 contact the side of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from the correct position. The spin head 210 may be provided with a heater 215 for heating the rinsing liquid supplied to the substrate W. [

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.A support shaft 220 for supporting the spin head 210 is connected to the lower portion of the spin head 210 and the support shaft 220 is rotated by a drive unit 230 connected to the lower end of the support shaft 220. The driving unit 230 may be a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

분사 부재(300)는 기판(W) 처리 공정 시 처리액을 공급받아 기판 지지부재(200)의 스핀헤드(210)에 놓인 기판(W)의 처리면으로 처리액을 분사한다. 분사 부재(300)는 지지축(310), 구동기(320), 노즐 지지대(340) 그리고 분사 노즐(342)을 포함한다.The injection member 300 receives the treatment liquid during the substrate W treatment process and ejects the treatment liquid onto the treatment surface of the substrate W placed on the spin head 210 of the substrate support member 200. The injection member 300 includes a support shaft 310, a driver 320, a nozzle support 340, and an injection nozzle 342.

지지축(310)은 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되며, 지지축(310)의 하단은 구동기(320)와 결합된다. 구동기(320)는 지지축(310)의 위치를 변경하거나 회전시킨다. 노즐 지지대(340)는 지지축(310)에 결합되어 분사 노즐(342)을 기판(W) 상부로 이동시키거나, 기판(W) 상부에서 분사 노즐(342)이 처리액을 분사하면서 이동되도록 한다.The support shaft 310 is provided in the longitudinal direction thereof and the lower end of the support shaft 310 is engaged with the driver 320. The driver 320 changes or rotates the position of the support shaft 310. The nozzle support 340 is coupled to the support shaft 310 to move the injection nozzle 342 to an upper portion of the substrate W or to allow the injection nozzle 342 to move while spraying the processing solution on the substrate W .

분사 노즐(342)은 노즐 지지대(340)의 끝단 저면에 설치된다. 분사 노즐(342)은 구동기(320)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 분사 노즐(342)이 처리 용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 분사 노즐(342)이 처리 용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(342)은 처리액을 분사한다. 이 때, 기판(W)에 공급되는 처리액은 기판(W)을 세정하기 위한 약액, 기판(W)을 식각하기 위한 약액 등일 수 있다.The injection nozzle 342 is installed at the bottom end of the nozzle support 340. The injection nozzle 342 is moved by the driver 320 to the process position and the standby position. The process position is a position where the injection nozzle 342 is disposed at the vertical upper portion of the processing vessel 100 and the standby position is the position where the injection nozzle 342 is deviated from the vertical upper portion of the processing vessel 100. The injection nozzle 342 injects the processing liquid. At this time, the processing liquid supplied to the substrate W may be a chemical liquid for cleaning the substrate W, a chemical liquid for etching the substrate W, and the like.

레이저 조사기(400)는 기판(W)으로 레이저(도 5의 L)를 조사하여 기판(W)을 처리한다. 레이저 조사기(400)는 기판(W)에 조사되는 레이저(L)의 위치가 가변 되도록, 레이저(L)가 조사되는 하부의 위치가 조절 가능하게 제공될 수 있다. 일 예로, 레이저 조사기(400)는 분사 부재와 유사하게 로드에 지지된 상태로 위치가 조절 가능하게 제공될 수 있다. 또한, 레이저 조사기(400)는 하우징(800)의 상벽 또는 측벽에 위치된 상태로, 기판(W)으로 조사되는 레이저(L)의 방향이 조절 가능하게 제공될 수 도 있다. 레이저 조사기(400)는 가시광선 대역의 파장을 갖는 레이저(L)를 조사할 수 있다. 또한, 레이저 조사기(400)는 적외선 대역의 파장을 갖는 레이저(L)를 조사할 수 있다. 또한, 레이저 조사기(400)는 가시광선 및 적외선 대역의 파장을 갖는 레이저(L)를 조사할 수 있다.The laser irradiator 400 irradiates a laser (L in FIG. 5) to the substrate W to process the substrate W. The laser irradiator 400 may be provided so that the position of the lower portion irradiated with the laser L is adjustable such that the position of the laser L irradiated to the substrate W is variable. In one example, the laser irradiator 400 may be positionally adjustably provided while being supported on the rod similarly to the jetting member. The laser irradiator 400 may be provided on the upper wall or the side wall of the housing 800 so that the direction of the laser L irradiated to the substrate W is adjustably provided. The laser irradiator 400 can irradiate a laser L having a wavelength in the visible light band. Further, the laser irradiator 400 can irradiate a laser L having a wavelength in the infrared band. Further, the laser irradiator 400 can irradiate the laser L having the wavelengths of visible and infrared bands.

배기 라인(410)은 처리 용기(100) 내측의 기체를 배출한다. 하우징(800)의 상부에는 하우징(800) 내부 공간에 하방 기류 형성을 위한 기체를 공급하는 팬필터유닛(810)이 위치될 수 있다.The exhaust line 410 discharges the gas inside the processing vessel 100. A fan filter unit 810 for supplying a gas for forming a downward airflow to the inner space of the housing 800 may be disposed on the upper portion of the housing 800.

도 3은 분사 부재의 배관 관계를 나타내는 도면이다.3 is a view showing the piping relationship of the injection member.

도 3을 참조하면, 분사 노즐(342)은 공급 배관(344)을 통해 처리액 탱크(343)와 연결된다. 처리액 탱크(343)에는 밸브(345)가 위치될 수 있다. 공급 배관(344)은 처리액을 설정 온도로 가열된 상태로 분사 노즐(342)에 공급할 수 있다. 일 예로, 공급 배관(344)에는 배관 히터(346)가 위치될 수 있다. 따라서, 처리액은 공급 배관(344)을 통해 공급되는 과정에서 배관 히터(346)에 의해 설정 온도로 가열될 수 있다. 또한, 처리액 탱크(343)는 처리액을 설정 온도로 가열한 후 공급 배관(344)으로 공급할 수 있도록 제공될 수 있다. 또한, 처리액 탱크(343)는 처리액을 설정 온도로 가열한 후 공급 배관(344)으로 공급할 수 있도록 제공되고, 배관 히터(346)에 의해 린스액이 공급되는 과정에서 온도가 낮아지는 것을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 3, the injection nozzle 342 is connected to the treatment liquid tank 343 through a supply pipe 344. A valve 345 may be located in the treatment liquid tank 343. The supply pipe 344 can supply the processing liquid to the injection nozzle 342 while being heated to the set temperature. In one example, a piping heater 346 may be located in the supply line 344. Therefore, the processing liquid can be heated to the set temperature by the piping heater 346 in the course of being supplied through the supply piping 344. [ Further, the treatment liquid tank 343 may be provided so as to supply the treatment liquid to the supply pipe 344 after heating the treatment liquid to the set temperature. The treatment liquid tank 343 is provided so as to be able to supply the treatment liquid to the supply pipe 344 after heating the treatment liquid to a set temperature and prevents the temperature from being lowered in the process of supplying the rinsing liquid by the pipe heater 346 can do.

도 4는 기판이 처리 되는 과정을 나타내는 도면이고, 도 5는 일 예에 따라 기판에 조사된 레이저를 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a view showing a process of processing a substrate, and FIG. 5 is a view showing a laser irradiated to a substrate according to an example.

도 4 및 도 5를 참조하면, 기판(W)은 1차적으로 레이저(L)를 통해 처리된다. 일 예로, 레이저(L)는 기판(W)상의 박막을 빠른 속도로 1차 처리 할 수 있다. 레이저 조사기(400)는 기판(W)의 상면으로 레이저(L)를 조사한다. 제어기(60)는 레이저(L)가 조사될 때 기판(W)은 회전 되는 상태가 되도록 기판 지지 부재(200)를 제어할 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5, the substrate W is primarily processed through a laser L. In one example, the laser L can first process the thin film on the substrate W at a high speed. The laser irradiator 400 irradiates the laser L onto the upper surface of the substrate W. The controller 60 can control the substrate support member 200 such that the substrate W is rotated when the laser L is irradiated.

기판(W)의 상면으로 조사된 레이저(L)는 선형으로 제공될 수 있다. 기판(W)에 조사된 레이저(L)는 기판(W)의 회전 중심을 지나도록 제공될 수 있다. 일 예로, 기판(W)에 조사된 레이저(L)는 선형으로 제공되고, 기판(W)의 회전 중심에서 외측 단부에 걸쳐, 설정 폭을 가지고 기판(W)의 반지름에 대응되는 영역에 조사될 수 있다. 따라서 기판(W)이 회전됨에 따라 레이저(L)는 기판(W)의 상면 전체 영역에 걸쳐 조사될 수 있다. 또 다른 예로, 기판(W)에 조사된 레이저(L)는 선형으로 제공되고, 양단은 기판(W)의 외측 단부에 위치되고 기판(W)의 회전 중심을 지나도록, 설정 폭을 가지고 기판(W)의 지름에 대응되는 영역에 조사될 수 도 있다. 레이저(L)가 조사됨에 따라, 레이저(L)가 제공하는 에너지에 의해 기판(W)은 1차적으로 처리된다. 기판(W)이 1차적으로 처리 될 때, 기판(W)에는 분사 부재에 의해 처리액이 추가로 공급될 수 있다. 처리액의 공급은 레이저(L)의 조사보다 설정 시간 앞서 개시될 수 있다. 또한, 처리액의 공급은 레이저(L)의 조사와 동시에 개시될 수 있다. 또한, 처리액의 공급은 레이저(L)가 조사되고 설정 시간이 경과된 후 개시될 수 있다. 이에 따라, 레이저(L)의 조사와 처리액의 공급은 설정 시간 동안 함께 이루어 질 수 있다. 처리액의 공급 정지는 레이저(L)의 조사보다 설정 시간 앞서 이루어 질 수 있다. 또한, 처리액의 공급 정지는 레이저(L) 조사 정지와 함께 이루어 질 수 있다. 또한, 처리액의 공급 정지는 레이저(L) 조사 정지 후 설정 시간이 경과 된 때 이루어 질 수 있다. 일 예로, 레이저(L)에 의해 처리되는 기판(W) 상부의 물질은 질화 실리콘인 박막일 수 있다. 기판(W)에 공급되는 처리액은 인산일 수 있다.The laser L irradiated onto the upper surface of the substrate W may be provided linearly. The laser L irradiated on the substrate W can be provided to pass through the center of rotation of the substrate W. [ In one example, the laser L irradiated on the substrate W is provided linearly and is irradiated onto the region corresponding to the radius of the substrate W with a preset width from the rotation center to the outer end of the substrate W . Thus, as the substrate W is rotated, the laser L can be irradiated over the entire area of the upper surface of the substrate W. [ As another example, the laser L irradiated on the substrate W is linearly provided, and both ends thereof are positioned at the outer end of the substrate W and have a predetermined width so as to pass through the center of rotation of the substrate W W of the light emitting device. As the laser L is irradiated, the substrate W is primarily treated by the energy that the laser L provides. When the substrate W is primarily treated, the processing liquid can be further supplied to the substrate W by the jetting member. The supply of the treatment liquid can be started earlier than the irradiation of the laser L by the set time. In addition, the supply of the treatment liquid can be started simultaneously with the irradiation of the laser L. In addition, the supply of the treatment liquid can be started after the laser L is irradiated and the set time has elapsed. Accordingly, the irradiation of the laser L and the supply of the treatment liquid can be performed together for the set time. The stoppage of the supply of the treatment liquid can be performed before the set time of irradiation of the laser L. [ The supply of the treatment liquid can be stopped together with the stop of the irradiation of the laser L. The supply of the treatment liquid can be stopped when the set time has elapsed after stopping the irradiation of the laser (L). As an example, the material on the substrate W to be processed by the laser L may be a thin film of silicon nitride. The treatment liquid supplied to the substrate W may be phosphoric acid.

본 발명의 실시 예에 따르면, 기판(W)은 레이저, 또는 레이저와 처리액을 통해 빠른 속도록 1차적으로 처리될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the substrate W can be processed primarily with a laser, or a laser and a treatment liquid, at a high speed.

도 6은 다른 실시 예에 따라 조사된 레이저를 나타내는 도면이다.6 is a view showing a laser irradiated according to another embodiment.

도 6을 참조하면, 기판(W)에 조사된 레이저(L)는 기판(W)의 반경 방향 복이 기판(W)의 반지름 보다 작게 제공될 수 있다. 기판(W)에 조사된 레이저(L)는 기판(W)의 회전 중심과 외측 에지 사이를 1회 이상 왕복하도록, 제어기(60)는 레이저 조사기(400)를 제어할 수 있다. 레이저(L)가 조사되는 동안 기판(W)은 회전됨에 따라, 레이저(L)는 기판(W)의 상면 전체에 걸쳐 조사될 수 있다. 레이저(L)의 이동 속도는 기판(W)의 회전 중심에서 반경 방향을 따라 상이할 수 있다. 레이저(L)의 이동 속도는 기판(W)의 회전 중심에 인접할 때 보다 외측 에지 영역에 인접할 때 느릴 수 있다. 일 예로, 레이저(L)의 이동 속도는 기판(W)의 회전 중심에 대한 반경 방향 거리에 비례하여 느려질 수 있다. 따라서, 레이저(L)는 조사되는 영역의 원주가 큰 영역에서 잔류 시간이 증가될 수 있다.6, the laser L irradiated on the substrate W may be provided so that the radial direction of the substrate W is smaller than the radius of the substrate W. [ The controller 60 can control the laser irradiator 400 so that the laser L irradiated on the substrate W reciprocates once more between the rotation center and the outer edge of the substrate W. [ The laser L can be irradiated over the entire upper surface of the substrate W as the substrate W is rotated while the laser L is being irradiated. The moving speed of the laser L may be different along the radial direction from the rotation center of the substrate W. [ The moving speed of the laser L may be slower when adjacent to the outer edge region than when it is adjacent to the center of rotation of the substrate W. [ In one example, the moving speed of the laser L may be slowed in proportion to the radial distance with respect to the center of rotation of the substrate W. [ Therefore, the laser L may have an increased residence time in a region where the circumference of the irradiated region is large.

도 7은 처리부에 제공되는 제2 공정 챔버를 나타내는 도면이다.7 is a view showing a second process chamber provided in the processing section.

도 7을 참조하면, 제2 공정 챔버(52)는 처리조(900) 및 지지 부재(910)를 포함한다. 처리조(900)는 내측에 처리액을 수용하는 설정 체적의 공간이 형성된 용기 형태로 제공된다. 지지 부재(910)는 기판(W)이 처리조(900)의 내측에서 처리되는 동안 기판(W)을 지지한다. 지지 부재(910)는 복수의 기판(W)을 지지 가능한 형태로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 7, the second process chamber 52 includes a process bath 900 and a support member 910. The treatment tank 900 is provided in the form of a container having a space of a setting volume for containing the treatment liquid inside. The support member 910 supports the substrate W while the substrate W is being processed inside the treatment bath 900. [ The support member 910 may be provided in a form capable of supporting a plurality of substrates W. [

제1 공정 챔버(51)에서 레이저(L)에 의해 기판(W)이 1차적으로 처리된 후, 기판(W)은 제2 공정 챔버(52)로 이송되어, 처리액에 의해 2차적으로 처리된다. 이때, 제2 공정 챔버(52)에서 기판(W)을 처리하는 처리액은 제1 공정 챔버(51)에서 사용되는 처리액에 첨가물이 첨가된 상태일 수 있다. 첨가물은 규소(Si)를 포함하는 화합물일 수 있다. 또한, 처리액에는 보조 첨가물이 더 포함될 수 있다. 보조 첨가물은 규소(Si) 화합물인 첨가물의 분산을 보조하는 억제제(inhibitor)일 수 있다. 처리액에 첨가물, 또는 첨가물과 보조 첨가물이 첨가되면, 처리액에 의한 기판 처리의 선택비가 향상될 수 있다.After the substrate W is primarily processed by the laser L in the first process chamber 51, the substrate W is transferred to the second process chamber 52 and is processed secondarily by the process liquid do. At this time, the processing liquid for processing the substrate W in the second processing chamber 52 may be in a state where an additive is added to the processing liquid used in the first processing chamber 51. The additive may be a compound comprising silicon (Si). Further, the treatment liquid may further contain an auxiliary additive. The auxiliary additive may be an inhibitor that assists in the dispersion of the additive, which is a silicon (Si) compound. When the additive or the additive and the auxiliary additive are added to the treatment liquid, the selection ratio of the substrate treatment by the treatment liquid can be improved.

본 발명의 실시 예에 따르면, 빠른 속도록 1차적으로 처리된 기판은 처리액 또는 첨가물이 포함된 처리액을 통해 높은 선택비를 가지고, 기판(W)에 잔류 하는 처리 대상물을 2차적으로 처리될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, a substrate subjected to a primary treatment at a high speed can have a high selectivity through a treatment liquid containing a treatment liquid or an additive, .

또 다른 실시 예로, 레이저(L)에 의한 1차 처리 및 처리액에 의한 2차 처리는 하나의 공정 챔버에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1 공정 챔버(51)는 레이저 조사기(400)를 통해 기판(W)을 1차적으로 처리한 후, 분사 부재가 처리액을 공급하여 기판(W)을 2차적으로 공급할 수 있다.In another embodiment, the primary processing by the laser L and the secondary processing by the processing liquid can be performed in one processing chamber. For example, the first processing chamber 51 may first process the substrate W through the laser irradiator 400, and then the jetting member may supply the processing liquid to supply the substrate W secondarily .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 인덱스부 20: 버퍼부
40: 이송 챔버 50: 처리부
100: 처리 용기 200: 기판 지지부재
300: 분사 부재10: Index section 20: Buffer section
40: transfer chamber 50:
100: processing vessel 200: substrate supporting member
300: injection member

Claims (6)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
제1공정 챔버와;
제2공정 챔버와;
제어기를 포함하되,
상기 제1공정 챔버는,
내부 공간을 가지는 하우징과;
상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 부재와;
기판 상의 박막을 식각하는 제1처리액을 공급하는 분사 부재와;
기판으로 레이저를 조사하여 기판을 처리하는 레이저 조사기를 포함하고,
상기 제2공정 챔버는,
내측에 제2처리액을 수용하는 수용 공간이 형성된 처리조와;
상기 수용 공간에서 복수의 기판을 지지 가능한 형태로 제공되는 지지 부재를 포함하되,
상기 제1처리액은 인산이고,
상기 제2처리액은 제1처리액에 첨가물과 보조 첨가물이 더 첨가된 상태이며,
상기 첨가물은 규소를 포함하는 화합물이고,
상기 보조 첨가물은 상기 첨가물의 분산을 보조하는 억제제이고,
상기 제어기는,
상기 제1공정 챔버에서 기판에 상기 레이저를 조사하고, 상기 제1처리액을 공급하여 기판을 1차 처리하고,
상기 1차 처리된 기판을 상기 제2공정 챔버에서 상기 제2처리액으로 2차 처리하도록 상기 장치를 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A first process chamber;
A second process chamber;
A controller,
Wherein the first process chamber comprises:
A housing having an inner space;
A substrate supporting member for supporting the substrate in the internal space;
An injection member for supplying a first processing solution for etching the thin film on the substrate;
And a laser irradiator for irradiating the substrate with a laser to process the substrate,
Wherein the second process chamber comprises:
A treatment tank in which an accommodation space for accommodating the second treatment liquid is formed inside;
And a support member provided in a form capable of supporting a plurality of substrates in the accommodation space,
Wherein the first treatment liquid is phosphoric acid,
Wherein the second treatment liquid is a state in which an additive and an auxiliary additive are further added to the first treatment liquid,
Wherein the additive is a compound containing silicon,
Wherein the auxiliary additive is an inhibitor that assists in the dispersion of the additive,
The controller comprising:
Irradiating the substrate with the laser in the first process chamber, supplying the first process liquid to the first process,
And controls the apparatus to second-process the first processed substrate with the second processing liquid in the second processing chamber. 제1항에 있어서,
상기 박막은 질화 실리콘이고,
상기 제어기는,
상기 레이저가 가시광선 또는 적외선 대역의 파장을 포함하는 레이저를 기판으로 조사하도록 상기 레이저 조사기를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the thin film is silicon nitride,
The controller comprising:
Wherein the laser irradiator controls the laser irradiator to irradiate a laser beam including a wavelength of a visible light or an infrared ray band to a substrate. 제2항에 있어서,
상기 레이저는 선형으로 제공되어 기판의 반지름에 대응하는 설정 폭을 가지고,
상기 제어기는,
상기 레이저가 기판으로 조사되는 동안 기판을 회전 시키고,
상기 레이저가 기판의 회전 중심에서 외측 단부에 걸쳐 기판의 반지름에 대응되는 영역에 상기 레이저를 조사하도록 상기 기판 지지 부재와 상기 레이저 조사기를 제어하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The laser is linearly provided and has a set width corresponding to the radius of the substrate,
The controller comprising:
Rotating the substrate while the laser is irradiated onto the substrate,
Wherein the laser control unit controls the substrate support member and the laser irradiation unit such that the laser irradiates the laser to an area corresponding to a radius of the substrate from the rotation center to the outer end of the substrate. 제2항에 있어서,
상기 레이저는 선형으로 제공되어 기판의 지름에 대응하는 설정 폭을 가지고,
상기 제어기는,
상기 레이저가 기판으로 조사되는 동안 기판을 회전 시키고,
상기 레이저는 기판의 회전 중심을 지나고, 그 양단이 기판의 외측 단부에 위치되어 기판의 지름에 대응되는 영역에 상기 레이저를 조사하도록 상기 기판 지지 부재와 상기 레이저 조사기를 제어하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The laser is linearly provided and has a set width corresponding to the diameter of the substrate,
The controller comprising:
Rotating the substrate while the laser is irradiated onto the substrate,
Wherein the laser beam passes through the center of rotation of the substrate and both ends of the laser beam are positioned at the outer end of the substrate to control the substrate support member and the laser beam irradiating the laser beam to a region corresponding to the diameter of the substrate. 제2항에 있어서,
상기 레이저는 기판의 반지름보다 작은 설정 폭을 가지고,
상기 제어기는,
상기 레이저가 기판으로 조사되는 동안 기판을 회전 시키고,
상기 레이저가 상기 기판의 회전 중심과 외측 에지를 1 회 이상 왕복하도록 상기 기판 지지 부재와 상기 레이저 조사기를 제어하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the laser has a set width smaller than the radius of the substrate,
The controller comprising:
Rotating the substrate while the laser is irradiated onto the substrate,
Wherein the laser control unit controls the substrate supporting member and the laser irradiation unit such that the laser reciprocates one or more times between a rotation center and an outer edge of the substrate. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 레이저에 의해 기판이 처리될 때 상기 제1처리액을 추가로 공급하도록 상기 분사 부재와 상기 레이저 조사기를 제어하는 기판 처리 장치.

6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The controller comprising:
And controls the jetting member and the laser beamer to further supply the first processing liquid when the substrate is processed by the laser.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220093560A (en) * 2020-12-28 2022-07-05 세메스 주식회사 Apparatuse for precossing substrate and apparatus for processing substrate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4861609B2 (en) * 2004-05-28 2012-01-25 株式会社レナテック Method and apparatus for removing organic substances
WO2012174518A2 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching silicon nitride
JP5201937B2 (en) * 2006-10-17 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 Pattern forming method and thin film transistor manufacturing method
JP2013232593A (en) * 2012-05-01 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd Etching method, etching device, and storage medium

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4861609B2 (en) * 2004-05-28 2012-01-25 株式会社レナテック Method and apparatus for removing organic substances
JP5201937B2 (en) * 2006-10-17 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 Pattern forming method and thin film transistor manufacturing method
WO2012174518A2 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching silicon nitride
JP2013232593A (en) * 2012-05-01 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd Etching method, etching device, and storage medium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220093560A (en) * 2020-12-28 2022-07-05 세메스 주식회사 Apparatuse for precossing substrate and apparatus for processing substrate

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