KR102134431B1

KR102134431B1 - Substrate treating apparatus

Info

Publication number: KR102134431B1
Application number: KR1020130088927A
Authority: KR
Inventors: 정유선; 정영헌; 손창우; 최종수
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-07-26
Filing date: 2013-07-26
Publication date: 2020-07-15
Also published as: KR20150012848A

Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 기판을 유지하는 기판지지부재; 상기 기판지지부재에 지지되어 있는 기판으로 공급되는 약액이 저장되는 저장부재; 상기 저장부에 저장되어 있는 약액을 상기 기판지지부재에 지지되어 있는 기판으로 공급하는 약액 공급부재; 및 상기 저장부재에 저장되어 있는 약액의 기화 현상으로 인한 농도 변화를 방지하기 위한 리플럭스 부재를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes a substrate support member for holding a substrate; A storage member for storing the chemical liquid supplied to the substrate supported on the substrate supporting member; A chemical liquid supply member for supplying the chemical liquid stored in the storage unit to the substrate supported by the substrate support member; And it may include a reflux member for preventing the concentration change due to the vaporization phenomenon of the chemical solution stored in the storage member.

Description

Substrate processing device {SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고온의 케미칼을 이용하여 기판 표면을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for treating a substrate surface using a high-temperature chemical.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다. In general, in the process of processing a glass substrate or wafer in a flat panel display device manufacturing or semiconductor manufacturing process, a photoresist coating process, a developing process, an etching process, an ashing process, etc. Various processes are performed.

각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.In each process, in order to remove various contaminants attached to the substrate, a wet cleaning process using chemical or deionized water and a drying process for drying the chemical or pure water remaining on the substrate surface ) Process is performed.

최근에는 인산과 같은 고온에서 사용되는 케미칼에 순수를 혼합한 식각액을 이용하여 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 식각 공정을 진행하고 있다. Recently, an etching process in which a silicon nitride film and a silicon oxide film are selectively removed using an etching solution in which pure water is mixed with a chemical used at a high temperature such as phosphoric acid is in progress.

인산 식각액을 이용한 매엽식 기판처리장치에서는, 혼합 탱크에 저장된 고온의 인산 식각액이 배관을 통하여 노즐에 공급되어 노즐로부터 스핀척에 지지되어 있는 기판을 향하여 토출된다. In the sheet-fed substrate processing apparatus using phosphoric acid etching solution, the high-temperature phosphoric acid etching solution stored in the mixing tank is supplied to the nozzle through the pipe and discharged from the nozzle toward the substrate supported by the spin chuck.

그런데, 혼합 탱크에서 인산 식각액의 온도 보상 과정시 끓는점 이상에서 식각액의 기화(증발) 현상으로 인한 농도 변화가 발생되면서 정확한 농도의 인산 식각액 공급이 어렵다는 문제점이 있다.However, during the temperature compensation process of the phosphate etchant in the mixing tank, a concentration change due to the evaporation (evaporation) phenomenon of the etchant occurs above the boiling point, and thus, it is difficult to supply the phosphate etchant at the correct concentration.

한국 공개특허 제10-2011-0029594호Korean Patent Publication No. 10-2011-0029594

본 발명의 실시예들은 혼합 탱크에서 식각액 히팅 과정에서 발생되는 식각액 기화 현상으로 인한 농도 변화를 개선한 기판 처리 장치를 제공하고자 한다. Embodiments of the present invention is to provide a substrate processing apparatus for improving the concentration change due to the etchant vaporization phenomenon generated in the etching solution heating process in the mixing tank.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to this, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 유지하는 기판지지부재; 상기 기판지지부재에 지지되어 있는 기판으로 공급되는 약액이 저장되는 저장부재; 상기 저장부에 저장되어 있는 약액을 상기 기판지지부재에 지지되어 있는 기판으로 공급하는 약액 공급부재; 및 상기 저장부재에 저장되어 있는 약액의 기화 현상으로 인한 농도 변화를 방지하기 위한 리플럭스 부재를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.According to an aspect of the present invention, a substrate support member for holding a substrate; A storage member for storing the chemical liquid supplied to the substrate supported on the substrate supporting member; A chemical liquid supply member for supplying the chemical liquid stored in the storage unit to the substrate supported by the substrate support member; And it is intended to provide a substrate processing apparatus including a reflux member for preventing a concentration change due to the vaporization phenomenon of the chemical solution stored in the storage member.

또한, 상기 리플럭스 부재는 상기 저장부재의 저장탱크 내에 설치되고, 기화되는 약액을 응축시키는 냉각 플레이트; 및 상기 냉각 플레이트에 냉매를 공급하는 냉매 공급부를 포함할 수 있다.In addition, the reflux member is installed in the storage tank of the storage member, a cooling plate for condensing the vaporized chemical liquid; And it may include a refrigerant supply for supplying a refrigerant to the cooling plate.

또한, 상기 냉각 플레이트는 가장자리에서 중앙으로 갈수록 하향경사지는 저면을 가질 수 있다.In addition, the cooling plate may have a bottom surface of the downward slope toward the center from the edge.

또한, 상기 냉각 플레이트는 깔대기 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the cooling plate may be provided in a funnel shape.

또한, 상기 냉각 플레이트는 관통공들을 포함할 있다.In addition, the cooling plate may include through holes.

또한, 상기 냉각 플레이트는 냉매가 흐르는 유로를 포함할 수 있다. In addition, the cooling plate may include a flow path through which the refrigerant flows.

본 발명에 의하면, 탱크 내에서 기화되는 처리액을 냉각 응축시켜 탱크 외부로 배기되는 것을 차단함으로써 처리액의 농도 변화를 개선할 수 있다. According to the present invention, it is possible to improve the concentration change of the treatment liquid by blocking condensation of the treatment liquid vaporized in the tank by cooling and condensing the exhaust from the tank.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 처리 유닛의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 처리 유닛의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 4는 저장 부재와 리플럭스 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 냉각 플레이트의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 냉각 플레이트의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the processing unit shown in FIG. 1.
3 is a side cross-sectional configuration view showing the configuration of a processing unit according to the present invention.
4 is a view for explaining the storage member and the reflux member.
5 is a view showing another example of the cooling plate.
6 is a view showing another example of the cooling plate.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer explanation.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10, a buffer unit 20, and a processing unit 50.

인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다. The index section 10, the buffer section 20 and the processing section are arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, and when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction is referred to as a second direction. The direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is defined as a third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. The index portion 10 is disposed in front of the first direction of the substrate processing system 1000. The index unit 10 includes four load ports 12 and one index robot 13.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. The four load ports 12 are arranged in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided, which are arranged along the second direction. The number of load ports 12 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the substrate processing system 1000. Carriers (eg, cassettes, FOUPs, etc.) on which the substrate W to be provided for the process and the substrate W on which the process has been processed are accommodated are mounted on the load ports 12. The carrier 16 is formed with a plurality of slots for receiving the substrates in a horizontal arrangement with respect to the ground.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다. The index robot 13 is disposed adjacent to the load port 12 in the first direction. The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20. The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16, or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20. do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. The buffer unit 20 is provided between the index unit 10 and the processing unit. In the buffer unit 20, the substrate W to be provided in the process before being transported by the index robot 13 or the substrate W having been processed before being transported by the main transport robot 30 is temporarily received and waiting It is a place to do.

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 처리 유닛(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 처리 유닛(1)으로 이송하거나, 각 처리 유닛(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다. The main transfer robot 30 is installed in the movement passage 40 and transfers the substrate between each processing unit 1 and the buffer unit 20. The main transfer robot 30 transfers the substrates to be provided to the processes waiting in the buffer unit 20 to each processing unit 1, or transfers the substrates whose process processing is completed in each processing unit 1 to the buffer unit 20 Transport.

이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 처리 유닛(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 처리 유닛(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The movement passage 40 is disposed along the first direction in the processing unit, and provides a passage through which the main transfer robot 30 moves. The processing units 1 are disposed on both sides of the movement passage 40 facing each other along the first direction. The moving passage 40 is provided with a moving rail capable of moving the main transfer robot 30 along the first direction, and moving up and down the upper and lower layers of the processing unit 1 and the upper and lower layers of the buffer unit 20.

처리 유닛(1)은 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 처리 유닛(1)을 구비하나, 처리 유닛(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 처리 유닛(1)은 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 처리 유닛 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다. The processing unit 1 is arranged to face each other on both sides of the movement passage 40 on which the main transport robot 30 is installed. The substrate processing system 1000 includes a plurality of processing units 1 of upper and lower layers, but the number of processing units 1 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the substrate processing system 1000. have. Each processing unit 1 is composed of an independent housing, whereby a process of processing a substrate in an independent form can be made within each processing unit.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 고온의 인산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 식각하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 세정 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다. In the following example, a device for etching a substrate using treatment fluids such as high temperature sulfuric acid, high temperature phosphoric acid, alkaline chemicals (including ozone water), acidic chemicals, rinse solution, and dry gas (gas containing IPA) is an example. Listen and explain. However, the technical spirit of the present invention is not limited to this, and can be applied to all kinds of devices that perform a process while rotating a substrate such as a cleaning process.

도 2는 본 발명에 따른 처리 유닛의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 처리 유닛의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.2 is a plan view showing the configuration of a processing unit according to the present invention. 3 is a side cross-sectional configuration view showing the configuration of a processing unit according to the present invention.

본 실시예에서는 매엽식 처리 유닛(1)이 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다. In this embodiment, a semiconductor substrate is illustrated and described as an example of a substrate processed by the sheet-fed processing unit 1, but the present invention is not limited thereto, and the substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, and a field emission display (FED) ) Substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, optical magnetic disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, and solar cell substrates.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 처리 유닛(1)은 다양한 처리 유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(800), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 약액 공급 부재(300), 저장 부재(400), 고정 노즐(900) 그리고 공정 배기부(500)를 포함한다. 2 and 3, the sheet-fed processing unit 1 according to the present invention is a device for removing foreign matter and film quality remaining on a substrate surface using various processing fluids, the chamber 800, the processing container 100 ), a substrate support member 200, a chemical supply member 300, a storage member 400, a fixed nozzle 900 and a process exhaust 500.

챔버(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 챔버(800) 내부에 수직 기류를 발생시킨다. The chamber 800 provides a closed interior space, and a fan filter unit 810 is installed at the top. The fan filter unit 810 generates a vertical air flow inside the chamber 800.

팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 고습도 외기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 고습도 외기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 공정 배기부(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다. The fan filter unit 810 is a device in which a filter and an air supply fan are modularized as one unit, and filters high-humidity outside air and supplies it into the chamber. The high humidity outside air passes through the fan filter unit 810 and is supplied into the chamber to form a vertical air flow. The vertical air flow provides a uniform air flow over the substrate, and contaminants (fumes) generated in the process of processing the substrate surface by the processing fluid are processed exhaust through the suction ducts of the processing container 100 together with air. It is discharged and removed to 400 to maintain high cleanliness inside the processing container.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(818)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2, the chamber 800 is divided into a process region 816 and a maintenance region 818 by horizontal partition walls 814. Although only a part of the drawing is shown, in the maintenance area 818, in addition to the discharge lines 141, 143, 145, and the sub-exhaust line 410 connected to the processing vessel 100, the driving unit of the lifting unit and the moving nozzle of the moving nozzle member 300 As a space in which a driving unit, a supply line, and the like connected to 310) are located, it is preferable that the maintenance area 818 is isolated from a process area in which substrate processing is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다. The processing container 100 has a cylindrical shape with an open top, and provides a processing space for processing the substrate w. The opened upper surface of the processing container 100 is provided as a passage for carrying out and carrying in the substrate w. The substrate support member 200 is positioned in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and rotates the substrate.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. The processing container 100 is divided by the upper space 132a where the spin head 210 is located, and the upper space 132a by the spin head 210, and the exhaust duct 190 is provided at the lower end so that forced exhaust is performed. The connected subspace 132b is provided. In the upper space 132a of the processing container 100, annular first, second, and third suction ducts 110, 120, and 130 for introducing and sucking chemicals and gases scattered on a rotating substrate are arranged in multiple stages. .

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. The annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 have exhaust ports H through one common annular space (corresponding to the lower space of the container). The lower space 132b is provided with an exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a side wall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is spaced apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is spaced apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third suction ducts 110, 120, and 130 provide first to third recovery spaces RS1, RS2, and RS3 through which air streams containing fume and treatment liquid scattered from the substrate w are introduced. . The first recovery space RS1 is defined by the first suction duct 110, and the second recovery space RS2 is defined by the separation space between the first suction duct 110 and the second suction duct 120. , The third recovery space RS3 is defined by a separation space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다. Each upper surface of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 is formed of an inclined surface in which a central portion is opened and a distance from a corresponding side wall toward an opening gradually increases with a distance from a corresponding bottom surface. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate w flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid flowing into the first recovery space RS1 is discharged to the outside through the first recovery line 141. The second treatment liquid flowing into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid flowing into the third recovery space RS3 is discharged to the outside through the third recovery line 145.

공정 배기부(500)는 처리 용기(100) 내부의 배기를 담당한다. 일 예로, 공정 배기부(500)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 공정 배기부(500)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(510), 댐퍼(520)를 포함한다. 서브배기라인(510)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다. The process exhaust unit 500 is responsible for exhausting the inside of the processing container 100. For example, the process exhaust unit 500 is for providing exhaust pressure (suction pressure) to the suction duct that recovers the processing liquid from the first to third suction ducts 110, 120, and 130 during the process. The process exhaust 500 includes a sub-exhaust line 510 and a damper 520 connected to the exhaust duct 190. The sub-exhaust line 510 is provided with exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to the main exhaust line embedded in the floor space of the semiconductor production line (fab).

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the processing container 100 is combined with the lifting unit 600 to change the vertical position of the processing container 100. The lifting unit 600 linearly moves the processing container 100 in the vertical direction. As the processing container 100 is moved up and down, the relative height of the processing container 100 with respect to the spin head 210 is changed.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. The lifting unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 100, and the moving shaft 614, which is moved in the vertical direction by the driver 616, is fixedly coupled to the bracket 612. When the substrate W is loaded onto the spin head 210 or unloaded from the spin head 210, the processing vessel 100 descends such that the spin head 210 protrudes to the top of the processing vessel 100. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 100 is adjusted so that the processing liquid may be introduced into the predetermined suction ducts 110, 120, and 130 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Accordingly, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate w is changed. Therefore, the treatment container 100 may have different types of treatment liquid and polluted gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시예에 있어서, 처리 유닛(1)은 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 처리 유닛(1)은 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the processing unit 1 moves the processing container 100 vertically to change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate support member 200. However, the processing unit 1 may change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the substrate supporting member 200.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.The substrate support member 200 is installed inside the processing container 100. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process, and may be rotated by the driver 240 to be described later during the process. The substrate support member 200 has a spin head 210 having a circular upper surface, and support pins 212 and chucking pins 214 supporting the substrate W are provided on the upper surface of the spin head 210. Have The support pins 212 are arranged in a predetermined arrangement spaced apart from the edge of the upper surface of the spin head 210 and are provided to protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported in a state spaced upward from the spin head 210. The chucking pins 214 are respectively disposed on the outer side of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is placed in place on the spinhead 210. During the process, the chucking pins 214 are in contact with the side of the substrate W to prevent the substrate W from deviating from a fixed position.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다. A support shaft 220 supporting the spin head 210 is connected to a lower portion of the spin head 210, and the support shaft 220 is rotated by a driving unit 230 connected to the lower end thereof. The driving unit 230 may be provided by a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

고정 노즐(900)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(900)은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(W)으로 처리 유체를 분사한다. 고정 노즐(900)은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다. Fixed nozzles 900 are installed on top of the processing vessel 100. The fixed nozzle 900 injects the processing fluid onto the substrate W placed on the spinhead 210. The fixed nozzle 900 can adjust the injection angle according to the processing position of the substrate.

약액 공급 부재(300)는 기판(W) 표면을 식각하기 위한 고온의 케미칼을 토출한다. 여기서, 케미컬은 황산, 인산, 또는 황산과 인산의 혼합액일 수 있으며, 본 실시예에서는 인산 용액을 예를 들어 설명한다. The chemical liquid supply member 300 discharges a high-temperature chemical for etching the surface of the substrate W. Here, the chemical may be sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture of sulfuric acid and phosphoric acid, and the phosphoric acid solution will be described as an example in this embodiment.

약액 노즐 부재(310)는 노즐(311), 노즐 암(313), 지지 로드(315), 노즐 구동기(317)를 포함한다. 노즐(311)은 저장부재(400)를 통해 인산을 공급받는다. The chemical liquid nozzle member 310 includes a nozzle 311, a nozzle arm 313, a support rod 315, and a nozzle driver 317. The nozzle 311 receives phosphoric acid through the storage member 400.

노즐(311)은 인산을 기판 표면으로 토출한다. 노즐 암(313)은 일 방향으로 길이가 길게 제공되는 암으로, 선단에 노즐(311)이 장착된다. 노즐 암(313)은 노즐(311)을 지지한다. 노즐 암(313)의 후단에는 지지 로드(315)가 장착된다. 지지 로드(315)는 노즐 암(313)의 하부에 위치하며, 노즐 암(313)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 하단에 제공된다. 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(315)를 회전시킨다. 지지 로드(315)의 회전으로 노즐 암(313)과 노즐(311)이 지지 로드(315)를 축으로 스윙 이동한다. 노즐(311)은 처리 용기(210)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 노즐(311)은 기판(W)의 중심과 가장 자리영역 사이 구간을 스윙 이동하며 인산을 토출할 수 있다. The nozzle 311 discharges phosphoric acid to the substrate surface. The nozzle arm 313 is an arm provided with a long length in one direction, and a nozzle 311 is mounted at the tip. The nozzle arm 313 supports the nozzle 311. The support rod 315 is attached to the rear end of the nozzle arm 313. The support rod 315 is located below the nozzle arm 313 and is disposed perpendicular to the nozzle arm 313. The nozzle driver 317 is provided at the bottom of the support rod 315. The nozzle driver 317 rotates the support rod 315 about the longitudinal axis of the support rod 315. As the support rod 315 rotates, the nozzle arm 313 and the nozzle 311 swing and move the support rod 315 axially. The nozzle 311 can swing between the outer and inner sides of the processing container 210. Then, the nozzle 311 can swing the section between the center and the edge region of the substrate W and discharge phosphoric acid.

도 4는 저장 부재와 리플럭스 부재를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the storage member and the reflux member.

도 4를 참조하면, 저장부재(400)는 탱크(410), 순환라인(420), 공급라인(430), 배기라인(440), 그리고 제어부(450)를 포함한다. 4, the storage member 400 includes a tank 410, a circulation line 420, a supply line 430, an exhaust line 440, and a control unit 450.

탱크(410)는 내부 공간을 가지며, 내부 공간에는 인산 공급원(480)으로부터 제공되는 인산 용액이 수용된다. 순환라인(420)은 탱크(410)의 인산 용액을 순환시키기 위해 제공되며, 순환라인(420)에는 펌프(미도시됨)와 밸브 그리고 히터(422)가 설치될 수 있다. 인산 용액은 순환라인(420)을 통해 순환되면서 공정에 적정한 온도(일 예로, 175℃)로 가열될 수 있다. The tank 410 has an internal space, and the phosphoric acid solution provided from the phosphoric acid source 480 is accommodated in the internal space. The circulation line 420 is provided to circulate the phosphoric acid solution of the tank 410, and a pump (not shown), a valve, and a heater 422 may be installed in the circulation line 420. The phosphoric acid solution may be circulated through the circulation line 420 and heated to a temperature suitable for the process (eg, 175°C).

공급라인(430)은 탱크(410)의 인산 용액을 약액 공급 부재(300)의 노즐(311)로 공급하도록 탱크(410)와 노즐(311)을 연결하며, 공급라인(430)에는 인산 용액의 미사용시 탱크(410)로 회수시키는 회수라인(438)이 연결된다. The supply line 430 connects the tank 410 and the nozzle 311 to supply the phosphoric acid solution of the tank 410 to the nozzle 311 of the chemical supply member 300, and the supply line 430 includes a phosphoric acid solution. When not in use, a recovery line 438 for recovery to the tank 410 is connected.

도면에는 도시된 바 없지만, 순환라인(420) 또는 탱크(410)에는 인산 농도 및 온도를 체크하기 위한 농도 센서와 온도 센서가 제공될 수 있으며, 농도 센서와 온도 센서에서 측정된 데이터는 제어부(450)로 제공될 수 있다.Although not shown in the drawing, a concentration sensor and a temperature sensor for checking phosphoric acid concentration and temperature may be provided in the circulation line 420 or the tank 410, and data measured by the concentration sensor and the temperature sensor may be controlled 450 ).

배기라인(440)은 탱크(410) 상부에 연결되며, 배기라인(440)에 설치되는 배기량 조절 밸브(442)는 제어부(450)에 의해 제어될 수 있다. 제어부(450)는 배기량 조절 밸브(442)의 제어를 통한 배기량을 조절하여 탱크(410) 내부에 저장되어 있는 인산 용액의 농도를 조절할 수 있다. The exhaust line 440 is connected to the upper portion of the tank 410, and the exhaust volume control valve 442 installed in the exhaust line 440 may be controlled by the controller 450. The control unit 450 can control the concentration of the phosphoric acid solution stored in the tank 410 by controlling the displacement through the control of the displacement control valve 442.

한편, 저장부재(400)에는 리플럭스 부재(700)가 설치된다. 리플럭스 부재(700)는 탱크(410)에 저장되어 있는 인산 약액의 기화 현상으로 인한 농도 변화를 방지하기 위해 제공된다. 리플럭스 부재(700)는 탱크(410) 내에 설치되고, 기화되는 약액을 응축시키는 냉각 플레이트(710) 및 냉각 플레이트(710)에 냉매를 공급하는 냉매 공급부(720)를 포함한다.Meanwhile, a reflux member 700 is installed in the storage member 400. The reflux member 700 is provided to prevent the concentration change due to the vaporization phenomenon of the phosphoric acid chemical solution stored in the tank 410. The reflux member 700 is installed in the tank 410, and includes a cooling plate 710 for condensing the vaporized chemical liquid and a refrigerant supply unit 720 for supplying refrigerant to the cooling plate 710.

냉각 플레이트(710)는 탱크(410)의 상단에 인산 약액의 최고 수위보다 높은 위치에 설치된다. 냉각 플레이트(710)는 다수의 관통공(718)들이 형성되며, 내부에는 냉매 공급부(720)로부터 제공받은 냉매가 흐르는 유로(716)가 제공된다.The cooling plate 710 is installed on the top of the tank 410 at a position higher than the highest level of the phosphoric acid chemical solution. The cooling plate 710 has a plurality of through holes 718 formed therein, and a flow path 716 through which the refrigerant provided from the refrigerant supply unit 720 flows is provided.

이처럼, 본 발명은 탱크 내부에 냉각 플레이트(710)를 설치하여 휘발(기화)되는 인산 용액이 냉각 플레이트(710)에 냉각 응축되면서 리플럭스(reflux)되는 시스템을 제공한다. As described above, the present invention provides a system in which a phosphoric acid solution that is volatilized (vaporized) is cooled and condensed on a cooling plate 710 by installing a cooling plate 710 inside the tank.

저장부재(400)에서는 인산 용액 히팅시 끓는점 이상에서 인산 용액(or 인산 용액에 포함되어 있는 순수) 기화 현상이 발생되지만, 기화된 인산 용액이 배기라인을 통해 배기되기 전에 리플럭스 부재(700)의 냉각 플레이트(710)와 만나 냉각 응축되면서 다시 탱크(410) 내부로 떨어지게 되면서 탱크(410) 내부의 인산 용액 농도 변화를 억제할 수 있다. In the storage member 400, when the phosphoric acid solution is heated, a phosphate solution (pure water contained in the phosphoric acid solution) vaporizes above a boiling point, but the vaporized phosphoric acid solution of the reflux member 700 is exhausted through the exhaust line. As it meets with the cooling plate 710 and cools and condenses, it falls back into the tank 410, thereby suppressing a change in the concentration of the phosphoric acid solution in the tank 410.

또한, 배기라인을 통한 배기량 제어에 따라 인산 용액의 농도 조절이 가능하며, 농도 조절후에는 배기라인을 닫고, 재응축 부재를 이용하여 농도를 유지시킬 수 있다. In addition, it is possible to adjust the concentration of the phosphoric acid solution according to the control of the displacement through the exhaust line, and after adjusting the concentration, the exhaust line can be closed and the concentration can be maintained using a recondensation member.

도 5는 냉각 플레이트의 다른 예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing another example of the cooling plate.

도 5에서와 같이, 냉각 플레이트(710a)는 가장자리로부터 중앙으로 갈수록 경사지는 깔대기 형상으로 제공될 수 있다. 이러한 깔대기 형상의 냉각 플레이트(710a)는 평평한 저면의 냉각 플레이트(710)에 비해 응축수가 잘 맺혀질 뿐만 아니라 맺혀진 응축수가 중앙으로 흘러 모여짐으로 냉각 플레이트(710a)에서 잘 떨어질 수 있는 것이다.As in FIG. 5, the cooling plate 710a may be provided in a funnel shape inclined toward the center from the edge. The funnel-shaped cooling plate 710a can be well separated from the cooling plate 710a because condensed water is well formed and the condensed water flows to the center as compared to the flat bottom cooling plate 710.

도 6은 냉각 플레이트의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.6 is a view showing another example of the cooling plate.

ㄷ 6에서와 같이, 냉각 플레이트(710b)는 저면이 가장자리에서 중앙으로 향해 하향경사지게 형성될 수 있으며, 이러한 구조를 갖는 냉각 플레이트(710b)는 도 5에서와 같은 동일한 효과를 제공할 수 있다.As in C6, the cooling plate 710b may be formed with the bottom surface inclined downward from the edge toward the center, and the cooling plate 710b having such a structure may provide the same effect as in FIG.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is to illustrate the present invention. In addition, the above-described content is to describe and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to change or modify the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The embodiments described describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the above invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

1: 처리 유닛 100: 처리 용기
200 : 기판 지지부재 300 : 약액 공급부재
400 : 저장부재 410 : 탱크
700 : 리플럭스 부재 710 : 냉각 플레이트1: processing unit 100: processing container
200: substrate support member 300: chemical supply member
400: storage member 410: tank
700: Reflux member 710: Cooling plate

Claims

In the substrate processing apparatus:
A substrate support member for holding a substrate;
A storage member for storing the chemical liquid supplied to the substrate supported on the substrate supporting member;
A chemical liquid supply member for supplying the chemical liquid stored in the storage unit to the substrate supported by the substrate support member; And
A reflux member for preventing a concentration change due to the vaporization phenomenon of the chemical solution stored in the storage member;
The reflux member
It is installed in the storage tank of the storage member, and includes a cooling plate for condensing the vaporized chemical solution,
The cooling plate is a substrate processing apparatus including a through hole.

delete

According to claim 1,
The reflux member
A substrate processing apparatus further comprising a refrigerant supply unit supplying a refrigerant to the cooling plate.

According to claim 1,
The cooling plate
A substrate processing apparatus having a bottom surface with a downward slope toward the center from the edge.

According to claim 1,
The cooling plate is a substrate processing apparatus provided in a funnel shape.

The method of claim 3,
The cooling plate
A substrate processing apparatus including a flow path through which the refrigerant provided from the refrigerant supply unit flows.

delete

According to claim 1,
The chemical solution
A substrate processing apparatus comprising a phosphoric acid solution.

A tank having an internal space in which the chemical liquid is accommodated; And
It includes a reflux member for preventing the concentration change due to the vaporization phenomenon of the chemical solution contained in the tank;
The reflux member
It is installed in the tank, and includes a cooling plate to condense the vaporized chemical liquid,
The cooling plate
A chemical liquid storage device having through holes through which the vaporized chemical liquid passes.

delete

The method of claim 9,
The reflux member
A chemical liquid storage device further comprising a refrigerant supply unit supplying a refrigerant to a flow path formed in the cooling plate.

The method of claim 9,
The cooling plate
Downward slope from the edge to the center, the drug storage device having a bottom surface.

The method of claim 9,
The cooling plate
A chemical liquid storage device provided at a position higher than the highest level of the chemical liquid at the top of the tank.

delete

The method of claim 9,
A chemical liquid storage device further comprising a circulation line for circulating the chemical liquid contained in the tank.

The method of claim 15,
A chemical liquid storage device in which a heater for adjusting the temperature of the chemical liquid is installed in the circulation line.

The method of claim 15,
The tank or the circulation line is provided with a sensor for measuring the concentration and temperature of the chemical liquid chemical storage device.

The method of claim 17,
An exhaust line connected to the upper portion of the tank and through which vaporized chemical liquid is exhausted; And
A chemical liquid storage device further comprising a control unit that controls the concentration of the chemical liquid in the tank through the control of the displacement control valve installed in the exhaust line.

The method of claim 9,
The chemical solution
Chemical solution storage device containing a phosphoric acid solution.